1 刻蚀液供给装置及方法
简介：本技术提供一种刻蚀液供给装置及方法，所述刻蚀液供给装置包括主药液槽、辅助药液槽及氧气注入单元，所述氧气注入单元被配置为向所述辅助药液槽中的刻蚀液注入氧气，以使所述辅助药液槽中的刻蚀液保持预定的氧浓度；所述主药液槽与所述辅助药液槽连通，所述辅助药液槽中的刻蚀液用于供给所述主药液槽，所述主药液槽中的刻蚀液用于与作业腔保持刻蚀液的交换。如此配置，可使主药液槽中的刻蚀液保持稳定的氧浓度，提高刻蚀液的刻蚀速率稳定性，实现晶圆刻蚀后其厚度及平整度的有效控制，还可延长作业腔的使用周期。
2 一种废铁刻蚀液回收处理用污水储罐
简介：本技术提供一种废铁刻蚀液回收处理用污水储罐。所述废铁刻蚀液回收处理用污水储罐包括：外壳、安装板；第一支撑架，所述第一支撑架的底部固定于所述外壳内壁的底部，所述第一支撑架的顶部固定连接有第一处理箱，所述第一处理箱内壁的两侧均固定连接有第一螺纹块，两个所述第一螺纹块的内部均螺纹连接有第一螺纹栓，所述第一螺纹栓的底端固定连接有卡块。本技术提供的废铁刻蚀液回收处理用污水储罐对废液进行分部处理可以保证了废液的纯净度，并且可以去除废液中杂物，在更换滤网的时候可以一并将杂物带出，方便了清理，通过搅拌可以使得反应速率更快，更加的均匀，并且可以将废液进行回收利用，提高了实用价值。
3 一种GaSb半导体衬底湿法刻蚀液及其配制方法和应用
简介：本技术属于半导体加工制造领域，本技术涉及一种GaSb半导体衬底湿法刻蚀液及其配制方法和应用，其中各组分按重量百分比如下：1.5～2.5％氧化剂、2.5～4.0％腐蚀剂、18.0～38.0％络合剂、50.0～65.0％去离子水，各组分重量百分比总和为100％。其配置方法包括稀释、加热、搅拌等步骤。本技术具有成分简单，原料易得且价格低廉，操作工艺简便等特优点，可大幅降低GaSb半导体衬底刻蚀加工成本。
4 一种刻蚀液及其配方技术
简介：本技术提供一种刻蚀液及其配方技术，该刻蚀液按照质量百分含量包括以下组分：1～20％双氧水；0.01～5％无机酸；0.01～5％双氧水稳定剂；1～10％pH调节剂；1～10％络合剂；0.01～2％金属缓蚀剂；以及余量水；其中，所述无机酸中至少包括氟类化合物。该刻蚀液能够同时实现源漏极金属电极和金属氧化物膜层的刻蚀，在不影响半导体器件性能下实现了光罩使用数量的减少，降低了材料成本，简化了工艺流程。
5 一种用于铜钼及合金膜的刻蚀液及其配方技术
简介：本技术提供一种用于铜钼及合金膜的刻蚀液及其配方技术，刻蚀液包括以下组分：双氧水、双氧水稳定剂、胺类pH调节剂、络合剂、金属缓蚀剂，余量为水；所述胺类pH调节剂为式1和/或式2所示的化合物，其中，R1、R4独立的选自C1～4亚烷基，R2、R3、R5、R6独立的选自单键或者C2～4亚烷基。该刻蚀液不仅能够实现优异的刻蚀精度，更不会对金属氧化物IGZO膜层造成损伤，可以实现IGZO产品从6Mask工艺升级为5Mask工艺，有利于降低显示产品的制造成本、提高显示产品的分辨率。
6 一种氧化钢锡刻蚀液回收中和搅拌装置
简介：本技术涉及搅拌装置技术领域，尤其是一种氧化钢锡刻蚀液回收中和搅拌装置，桶盖上正中处可转动安装有搅拌轴，搅拌轴底端向下延伸至桶体内底部，搅拌轴顶端固定连接有驱动机构，位于桶体内的搅拌轴上沿长度方向等间距固定安装有若干搅拌机构，套管套设在搅拌轴轴体上，套管下部通过螺钉与搅拌轴固定连接，套管顶部表面沿周向等间距开有若干安装槽，安装槽上均通过螺钉固定安装有与之相适配的横板，横板上表面外侧开有U型槽，U型槽内卡设有与之相适配的活动件，且U型槽外侧末端的横板上通过螺钉固定安装有限位块，横板上的两个对应侧面上均通过螺钉固定安装有搅拌叶片。本技术具有搅拌效果好的优点。
7 一种电子材料废刻蚀液的环保处理方法
简介：本技术提供一种电子材料废刻蚀液的环保处理方法，包括：将废刻蚀液与飞灰混合反应，得到反应混合物A，2)将螯合剂用水溶解成溶液B；溶液B加入到反应混合物A中、搅拌反应完全即完成废刻蚀液处理,该方法不但安全环保，而且还降低了处理成本，废物互用。
8 一种单晶硅的刻蚀方法及刻蚀液
简介：本技术提供了一种单晶硅的刻蚀方法及刻蚀液，刻蚀液由如下比例的成分组成：乙醇胺20～35％；没食子酸3.5～6.5％；哌啶0.1～0.3％；含氟表面活性剂0.005～0.01％；过氧化氢1.0～2.0％；去离子水余量。配制如上所述的刻蚀液后，未抛光的p型单晶硅硅片，放入氢氟酸、硝酸与去离子水混合液中浸泡，然后用去离子冲洗；将处理过的硅片浸泡于刻蚀液中反应，反应完成后，取出硅片，用去离子水冲洗，最后用氮气吹干。本技术可以获得低反射率的金字塔结构绒面，同时具有无碱金属污染、成本低廉、环境友好等特点，在高效单晶硅太阳能电池行业有巨大的潜在应用和推广价值。
9 提高刻蚀液使用寿命的方法及金属导线刻蚀装置
简介：一种提高金属导线制程中刻蚀液使用寿命的方法及金属导线刻蚀装置，包括：提供一刻蚀喷淋槽以及与所述刻蚀喷淋槽连通的刻蚀液槽，所述刻蚀液槽容置有刻蚀液，所述刻蚀液槽还连通一过滤装置，所述过滤装置包括一渗透膜；采用所述过滤装置对所述刻蚀液槽中的所述刻蚀液进行金属离子过滤，使所述刻蚀液中的金属离子浓度在预定使用范围内；将过滤后的部分所述刻蚀液回流至所述刻蚀液槽。本技术能够调节刻蚀液中的金属离子浓度，进一步提高刻蚀液的使用寿命。
10 选择性刻蚀液组合物及其配方技术和应用
简介：本技术提供了一种选择性刻蚀液组合物及其配方技术和应用。本技术的选择性刻蚀液组合物，其包括以下组分：添加剂、磷酸和水，所述添加剂为式1化合物和/或式2化合物。本技术的选择性刻蚀液组合物可选择性移除高达192层堆叠设计的NAND中的氮化物膜层，其氧化物膜层没有出现过刻蚀或负刻蚀，且可多次使用，没有出现颗粒析出。
11 一种快速高效处置废刻蚀液的技术方法
12 一种氮化镓半导体光电化学刻蚀液及加工方法
13 刻蚀槽、输送刻蚀液的方法以及刻蚀系统
14 刻蚀液、刻蚀组合液以及刻蚀方法
15 刻蚀液及刻蚀装置
16 刻蚀液、刻蚀组合液以及刻蚀方法
17 刻蚀液及刻蚀方法
18 一种适用于光刻工艺铜制程的无氟酸性刻蚀液及配制方法
19 一种含铜离子和硝酸根的刻蚀液回收再利用方法
20 一种线路板生产时产生的酸、碱性刻蚀液的联产工艺
21 刻蚀液处理装置
22 一种CVD石墨烯生长衬底铜箔酸性刻蚀液
23 一种选择性刻蚀液组合物及其配方技术和应用
24 从废铝刻蚀液中回收利用磷酸和醋酸的方法
25 一种刻蚀液回收利用的装置
26 一种钼栅极产品的刻蚀液配方及生产方法
27 金刚线多晶硅片制绒添加剂及金刚线多晶硅片制绒刻蚀液
28 一种柳木工艺品加工用刻蚀液
29 一种刻蚀液耐腐蚀化学泵
30 III-V族半导体刻蚀液及其配方技术和应用
31 一种玻璃刻蚀液
32 一种刻蚀液及其配方技术和应用
33 一种疏水防眩玻璃刻蚀液及防眩玻璃的加工方法
34 一种PCB刻蚀液杂质过滤装置
35 一种黄光制程用刻蚀液配方
36 一种银纳米线导电膜的刻蚀液及其使用方法
37 刻蚀液浓度的监测系统及其滴定装置、监测方法
38 一种电池片湿法刻蚀液
39 一种玻璃制品刻蚀液及其蚀刻方法
40 一种铜酸刻蚀液中铜离子浓度的测定方法
41 一种用于三氯化铁刻蚀液再生的循环电解方法及其装置
42 一种用于三氯化铁刻蚀液再生的循环电解装置
43 一种从酸性刻蚀液和PCB废料中电解回收铜的方法
44 一种用于InAlSb芯片的刻蚀液及刻蚀方法
45 一种TFT用铜刻蚀液废液的安全储存方法
46 ITO刻蚀液配制系统
47 三氯化铁ITO刻蚀液配制系统
48 一种CVD法制备石墨烯的低温衬底刻蚀液及其低温刻蚀方法
49 刻蚀方法、物品及半导体装置的制造方法、以及刻蚀液
50 一种银纳米线的刻蚀液及刻蚀方法
51 一种湿法刻蚀工艺中刻蚀液输送管路系统及输送方法
52 一种刻蚀液供液装置及使用该装置的湿化刻蚀设备
53 一种单晶硅刻蚀方法及刻蚀液
54 一种石墨烯生长衬底的复合刻蚀液及其刻蚀方法
55 一种刻蚀液储液装置及湿法刻蚀设备
56 一种LED芯片GaP层用刻蚀液及刻蚀方法以及表面粗化方法
57 一种回收废铝刻蚀液中磷酸的方法
58 用于ITO膜刻蚀的刻蚀液
59 一种对ITO膜进行刻蚀的刻蚀液
60 ITO膜刻蚀液
61 可有效减缓贾凡尼效应的刻蚀液
62 一种金属箔基底石墨烯刻蚀液及其刻蚀方法
63 线路板刻蚀液处理方法
64 从废ITO刻蚀液中回收铟的方法
65 一种玻璃减薄刻蚀液补充液
66 选择性晶体硅刻蚀液、晶圆硅片的刻蚀方法及其应用
67 ＧａＡｓ半导体材料刻蚀液的配方
68 用于刻蚀微波介质薄膜的刻蚀液及配方技术
69 刻蚀液和硅衬底的表面加工方法
70 一种刻蚀液及一种柔性电路板刻蚀方法
71 刻蚀液补给装置、补给方法和具该装置的湿法刻蚀设备
72 一种用于Ｐ型圆片的湿法硅刻蚀液
73 刻蚀液、主动组件阵列基板及其制作方法
74 一种用于铋基薄膜湿法刻蚀的刻蚀液
75 平板显示用刻蚀液
76 用于镁合金表面处理的多元络合碱刻蚀液的配方技术
77 一种刻蚀液及刻蚀方法
78 一种废ＩＴＯ刻蚀液的综合利用工艺
79 一种废铝刻蚀液的综合利用工艺
80 检测刻蚀液过滤器的方法
81 防眩玻璃制品刻蚀液配方及蚀刻工艺
82 一种检验刻蚀液是否有效的方法
83 一种制作相变存储器用的湿法刻蚀液及其湿法刻蚀工艺
84 一种用于平板显示器中制备ITO透明电极的刻蚀液
85 一种在挠性印制电路板聚酰亚胺基材上开窗口的方法及其刻蚀液
86 一种刻蚀液的脱泡装置
87 一种刻蚀液浓度的监控方法
88 用于去除氧化物膜的刻蚀液及其配方技术，以及制造半导体器件的方法
89 一种选择性氮氧化硅湿法刻蚀液的应用
90 一种无肼刻蚀液
91 在刻蚀铁镍合金平板荫罩中控制三氯化铁刻蚀液的方法
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,完整内容都包括具体的配方配比和生产工艺制作过程。收费260元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
