1 等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法
简介：本技术提供一种等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法，能够改善通过蚀刻形成的孔的形状。该等离子体蚀刻装置具备处理容器、载置台、气体供给部、第一高频电源、第二高频电源以及控制装置。载置台设置于处理容器内，用于载置基板。气体供给部向处理容器内供给处理气体。第一高频电源向处理容器内供给第一高频电力，由此使处理气体等离子体化。第二高频电源向载置台供给频率比第一高频电力的频率低的第二高频电力。控制装置在每个规定周期控制第一高频电力和第二高频电力的供给及供给停止。另外，排他地供给第一高频电力和第二高频电力。另外，第一高频电力的供给及供给停止的每一个周期内的供给时间的比例比第二高频电力的该供给时间的比例低。
2 膜的蚀刻方法和等离子体处理装置
简介：本技术提供一种膜的蚀刻方法和等离子体处理装置。该方法在蚀刻基板的膜时能够抑制形成于膜的图案的宽度的缩小并且提供膜的侧壁面的垂直性。一个例示性的实施方式所涉及的方法用于蚀刻基板的膜。基板具有基底区域、膜以及掩模。膜设置于基底区域上。掩模设置于膜上。方法包括对膜执行主蚀刻的工序。主蚀刻为针对膜的等离子体蚀刻，使基底区域的至少一部分露出。方法还包括在执行主蚀刻的工序之后至少在掩模的侧壁面上形成保护层的工序。保护层的材料与膜的材料不同。方法还包括在形成保护层的工序之后执行针对膜的过蚀刻的工序。过蚀刻为针对膜的等离子体蚀刻。
3 蚀刻方法、等离子体处理装置和处理系统
简介：本技术提供一种膜的蚀刻方法。一个实施方式的蚀刻方法包括在基片上形成含硅层的步骤。基片具有膜和掩模。含硅层由使用含有硅的前体气体的等离子体处理形成。含硅层包括硅、碳和氮。蚀刻方法还包括进行膜的等离子体蚀刻的步骤。从在基片上形成含硅层的步骤的开始时刻到进行膜的等离子体蚀刻的步骤的结束时刻的期间中，基片配置在减压了的环境下。由此，能够在掩模上形成与硅氧化层不同的层来对膜进行蚀刻。
4 等离子体处理装置及蚀刻方法
简介：在示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置中，高频电源产生为了生成等离子体而被供给的高频电力。偏置电源向基板支承器的下部电极供给偏置电力。偏置电力在该周期内使基板的电位变动。高频电力在基板的电位相对较高的周期内的第1期间内的至少一部分期间内供给。高频电力的功率电平在基板的电位相对较低的周期内的第2期间内降低。在第1期间及第2期间，鞘调节器调节在边缘环上方的鞘的上端在铅垂方向上的位置。
5 等离子体处理装置及蚀刻方法
简介：在示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置的腔室内设置有基板支承器。基板支承器具有下部电极及静电卡盘。匹配电路在电源与下部电极之间连接。第1电路径将匹配电路与下部电极彼此连接。不同于下部电极的第2电路径以从匹配电路向聚焦环供给电力的方式设置。鞘调节器构成为调节聚焦环上的鞘的上端的位置。可变阻抗电路设置于第1电路径或第2电路径上。
6 一种基于等离子体蚀刻的连续双面蚀刻光学器件的装置
简介：本技术提供了一种基于等离子体蚀刻的连续双面蚀刻光学器件的装置，它包括由右往左依次设置的光学器件正反面蚀刻装置、光学器件冷却装置和光学器件烘干及收集装置，所述光学器件正反面蚀刻装置包括机箱、设置于机箱顶部的顶盖、设置于机箱左右侧壁上的左输送装置和右输送装置；机箱内还设置有用于翻转光学器件的翻面机构，翻转机构位于左输送装置和右输送装置之间，翻面机构包括步进电机、筒体和固定板；光学器件冷却装置包括水箱、水泵、出水管、滚筒和弯折板。本技术的有益效果是：结构紧凑、极大提高光学器件生产效率、实现了在线刮除上下层保护膜、减轻工人劳动强度、能够对光学器件的正反面进行蚀刻。
7 一种蚀刻光学器件的等离子体蚀刻装置
简介：本技术提供了一种蚀刻光学器件的等离子体蚀刻装置，它包括由上往下顺次设置的外壳、工作台和机箱，空心轴延伸端的顶部焊接有吸盘，电机的输出轴与空心轴之间设置有可驱动空心轴旋转的传动装置，水平管的顶部焊接有电极柱，电极柱的上端焊接有电极片，电极片与吸盘顶部的内壁接触，电极柱的下端伸入于水平管内，且延伸端上固设有导线B，导线B的延伸端处连接有第二高频电源；盖板上设置有伸入于密闭腔内的天线，天线的顶部连接有导线A，导线A的另一端连接有第一高频电源；外壳上设置有电磁阀和卸压阀，电磁阀的另一端连接有储存有气源的气瓶。本技术的有益效果是：提高蚀刻效率、提高光学器件冷却效率、自动化程度高。
8 蚀刻方法和等离子体处理装置
简介：本技术提供一种蚀刻方法和蚀刻装置。例示的实施方式的蚀刻方法在基片被载置于等离子体处理装置的腔室内所设置的基片支承台上的状态下执行。该蚀刻方法中为了从腔室内的气体生成等离子体而供给高频电力。接着，为了利用来自等离子体的正离子来蚀刻基片，在供给高频电力的步骤的执行过程中，对基片支承台的下部电极施加负极性的直流电压。接着，为了生成负离子而停止对下部电极进行的负极性的直流电压的施加和高频电力的供给。接着，为了将负离子供给到基片，在停止了高频电力的供给的状态下，对下部电极施加正极性的直流电压。由此，能够实现使基片的正电荷量减少和提高蚀刻速率。
9 蚀刻方法和等离子体处理装置
简介：本技术涉及蚀刻方法和等离子体处理装置。例示的实施方式的含硅膜的蚀刻方法，包括在等离子体处理装置的腔室主体内准备被加工物的工序。被加工物具有含硅膜和掩模。掩模设置于含硅膜上。在掩模形成有开口。蚀刻方法还包括蚀刻含硅膜的工序。在进行蚀刻的工序中，为了蚀刻含硅膜，在腔室主体内生成含有碳和七氟化碘的处理气体的等离子体。本技术能够抑制含硅膜的横向的蚀刻。
10 使用等离子体改性的介电材料的选择性循环干式蚀刻工艺
简介：在一些实施例中，通过化学原子层蚀刻在反应室中相对于衬底的第二表面选择性循环(任选地干式)蚀刻所述衬底的第一表面包含使用第一等离子体形成改性层并蚀刻所述改性层。所述第一表面包含碳和/或氮化物，而所述第二表面不包含碳和/或氮化物。
11 等离子体蚀刻方法
12 用于减少等离子体蚀刻腔室中的污染的设备
13 等离子体处理装置和等离子体蚀刻方法
14 对膜进行蚀刻的方法和等离子体处理装置
15 感应耦合等离子体蚀刻系统及其切换式匹配装置
16 低温蚀刻方法和等离子体蚀刻设备
17 电感耦合等离子体蚀刻设备及方法、蚀刻控制方法及系统
18 蚀刻方法和等离子体处理装置
19 蚀刻方法和等离子体处理装置
20 用于离子束蚀刻的等离子体桥中和器
21 蚀刻方法和等离子体处理装置
22 等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置
23 等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法
24 使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法
25 用于3D NAND器件应用的用非等离子体干式工艺进行的SIN对SIO2的选择性蚀刻
26 等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置
27 针对关键尺寸控制在单一等离子体室中的原子层沉积和蚀刻
28 用于形成鳍式场效晶体管的单等离子体室中的原子层沉积及蚀刻
29 等离子体蚀刻方法
30 显示面板、等离子体蚀刻方法以及系统
31 铜等离子体蚀刻方法及显示面板的制造方法
32 等离子体蚀刻工艺中使用涂布部件的工艺裕度扩充
33 提高了耐等离子体特性的等离子体蚀刻装置用构件及其制造方法
34 具有防止等离子体蚀刻效应的屏蔽件的EUV辐射的光学布置
35 蚀刻方法和等离子体蚀刻材料
36 用于铜的图案化的等离子体蚀刻
37 等离子体蚀刻和等离子体切割的方法
38 使用氢等离子体进行原子层蚀刻的方法
39 用于混合激光划刻和等离子体蚀刻晶片切割工艺的光吸收掩模
40 通过等离子体蚀刻的高折射率玻璃的图案化
41 等离子体蚀刻方法
42 用于蚀刻金属的连续RF等离子体和脉冲RF等离子体
43 等离子体蚀刻方法
44 等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻系统
45 等离子体蚀刻方法
46 等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和基板载置台
47 等离子体蚀刻机的移动聚焦环方法及其装置
48 用于等离子体蚀刻工件的方法及装置
49 用于混合式激光划线及等离子体蚀刻晶片切单处理的蚀刻掩模
50 等离子体蚀刻室和等离子体蚀刻的方法
51 使用旋转光束激光刻划工艺及等离子体蚀刻工艺的混合式晶片切割方法
52 等离子体蚀刻方法
53 等离子体蚀刻方法
54 等离子体蚀刻方法
55 使用等离子体和蒸气处理的组合对AL＆lt;base:Sub＆gt;2＆lt;/base:Sub＆gt;O＆lt;base:Sub＆gt;3＆lt;/base:Sub＆gt;进行原子层蚀刻
56 连续等离子体中的原子层蚀刻
57 等离子体蚀刻的方法
58 使用分裂光束激光划线工艺与等离子体蚀刻工艺的混合式晶片切割方法
59 具有远程等离子体源和DC电极的原子层蚀刻系统
60 用于蚀刻硬件的基于氢等离子体的清洗工艺
61 用于高功率等离子体蚀刻处理的气体分配板组件
62 等离子体蚀刻方法
63 用于蚀刻和沉积工艺的计算机可寻址等离子体密度修改
64 蚀刻反应物及使用其的无等离子体的氧化物蚀刻方法
65 利用二次等离子体注入的等离子体蚀刻系统及方法
66 用双峰工艺气体组合物进行等离子体蚀刻的方法和系统
67 利用等离子体蚀刻的防反射表面的制造方法及形成防反射表面的基板
68 用于等离子体蚀刻过程的单晶片实时蚀刻速率及均匀度预测器
69 等离子体蚀刻气体的回收方法
70 等离子体蚀刻装置
71 具有掺杂石英表面的等离子体蚀刻器件
72 具有抗等离子体蚀刻的涂层的等离子体蚀刻装置
73 用于原子精度蚀刻的独立控制等离子体密度、自由基组成及离子能量的低电子温度蚀刻腔室
74 等离子体蚀刻装置
75 图案化MRAM堆栈的干法等离子体蚀刻法
76 图案化MRAM堆栈的干法等离子体蚀刻法
77 图案化MRAM堆栈的干法等离子体蚀刻法
78 在3DNAND存储设备中用于提高竖直蚀刻性能的膜的等离子体增强化学气相沉积
79 控制等离子体处理室中的蚀刻工艺的方位角均匀性
80 等离子体蚀刻方法
81 离子对离子等离子体原子层蚀刻工艺及反应器
82 等离子体增强原子层蚀刻的方法
83 测量方法、电极、再生方法、等离子体蚀刻装置和显示方法
84 测量方法、电极、再生方法、等离子体蚀刻装置和显示方法
85 等离子体蚀刻方法
86 等离子体蚀刻方法
87 等离子体耐蚀刻性得到提高的工艺部件及工艺部件的等离子体耐蚀刻性强化处理方法
88 等离子体蚀刻方法
89 用以降低排气口等离子体损害的蚀刻反应系统
90 用于气相蚀刻以及清洗的等离子体装置
91 等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置
92 氧等离子体蚀刻用抗蚀材料、抗蚀膜和使用抗蚀膜的层叠体
93 等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置
94 等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置、等离子体处理方法及等离子体处理装置
95 蚀刻方法和等离子体处理装置
96 高纯度氟化烃、其作为等离子体蚀刻用气体的用途以及等离子体蚀刻方法
97 用于印刷电路板的等离子体蚀刻装置
98 用于倒角蚀刻器的可调的上等离子体禁区环
99 使用等离子体与固态源的组合的蚀刻金属工艺
100 具有离子加速器的双室等离子体蚀刻器
101 具有离子加速器的双室等离子体蚀刻器
102 等离子体蚀刻方法及等离子体蚀刻装置
103 高纯度1-氟代丁烷及等离子体蚀刻方法
104 用于高管芯破裂强度和平滑的侧壁的激光划片和等离子体蚀刻
105 等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置
106 等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置
107 等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置
108 脉冲式直流等离子体蚀刻方法以及设备
109 用于等离子体蚀刻室中的离子铣削的系统、方法和设备
110 用于等离子体蚀刻操作的基板支撑件
111 试样保持件以及使用了该试样保持件的等离子体蚀刻装置
112 用于等离子体蚀刻腔室的TCCT匹配电路
113 使用多变量分析的等离子体蚀刻终点检测
114 于薄膜框架晶圆应用中利用部分预固化UV离型切割胶带的激光与等离子体蚀刻的晶圆切割
115 使用低温蚀刻剂沉积与等离子体后处理的方向性二氧化硅蚀刻
116 使用等离子体预处理和高温蚀刻剂沉积的方向性二氧化硅蚀刻
117 加强等离子体处理系统中的等离子体增强蚀刻
118 加强等离子体处理系统中的等离子体增强蚀刻
119 用于以激光和等离子体蚀刻的基板切割的遮罩残留物移除
120 等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置
121 用于晶圆切割的激光、等离子体蚀刻以及背面研磨方法
122 用于高晶粒破裂强度与清洁侧壁的激光划线及等离子体蚀刻
123 使用双面UV可固化胶膜的激光与等离子体蚀刻晶圆切割
124 用于使用激光及等离子体蚀刻的晶圆切割的均匀遮蔽
125 等离子体蚀刻方法及等离子体处理装置
126 等离子体蚀刻方法
127 蚀刻方法和等离子体处理装置
128 使用UV-可硬化黏着膜的激光及等离子体蚀刻晶圆分割
129 用于等离子体干法蚀刻设备的成比例且均匀的受控气流传递
130 利用具有等离子体蚀刻的混合式多步骤激光划线工艺的晶圆切割
131 等离子体蚀刻前处理光刻胶而形成特征的方法和装置
132 等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置
133 等离子体处理系统中的混合模式脉冲蚀刻
134 等离子体处理系统中的混合模式脉冲蚀刻
135 一种用于提供在等离子体处理室中的原子层蚀刻层的方法
136 等离子体蚀刻方法
137 用于三维晶体管应用的采用等离子体掺杂和蚀刻的选择性鳍成形工艺
138 使用混合式分裂束激光划线处理及等离子体蚀刻的晶圆切割
139 具有有效的无损害原位灰化的等离子体蚀刻器设计
140 使用可物理性移除的遮罩的激光及等离子体蚀刻晶片切割
141 使用具有多重脉冲串的脉冲列激光与等离子体蚀刻的晶圆切割
142 使用具有多重脉冲的脉冲列激光与等离子体体蚀刻的晶圆切割
143 使用基板载具的混合激光与等离子体蚀刻晶圆切割
144 使用具有等离子体蚀刻的混合式电流激光划线制程的晶片切割
145 通过激光与等离子体蚀刻的基板切割所用的水溶性遮罩
146 通过激光与等离子体蚀刻的基板切割所用的水溶性掩模
147 用于以激光及等离子体蚀刻切割基板的多层掩模
148 用于以激光及等离子体蚀刻切割基板的多层掩模
149 用于使用激光划线和等离子体蚀刻的器件裁切的原位沉积掩模层
150 使用可水溶管芯附接膜的激光及等离子体蚀刻晶圆切割
151 用于电感耦合等离子体蚀刻反应器的气体分配喷头
152 用于等离子体蚀刻腔室的孔部件
153 等离子体蚀刻装置及等离子体蚀刻方法
154 等离子体蚀刻方法和半导体装置的制造方法
155 等离子体蚀刻用硅电极板
156 等离子体蚀刻装置部件及其制造方法
157 利用脉冲式无氟碳化合物等离子体的沟槽蚀刻方法
158 用以降低在等离子体蚀刻室中的粒子缺陷的方法及设备
159 用以降低在等离子体蚀刻室中的粒子缺陷的方法及设备
160 等离子体蚀刻用的电极板和等离子体蚀刻处理装置
161 等离子体蚀刻处理装置及其方法和半导体元件制造方法
162 脉冲式等离子体蚀刻方法及装置
163 使用基于飞秒的激光及等离子体蚀刻的晶圆切割
164 使用基于飞秒的激光及等离子体蚀刻的晶圆切割
165 等离子体蚀刻方法
166 等离子体蚀刻方法
167 半导体装置的制造方法和等离子体蚀刻装置
168 用于对离子产生和工艺气体离解具有独立控制的等离子体蚀刻的系统、方法和装置
169 利用了等离子体蚀刻处理的表面凹凸形成方法以及电极部件
170 用脉冲等离子体进行的原子层蚀刻
171 等离子体蚀刻处理工具和蚀刻处理方法
172 使用Ｆ２及ＣＯＦ２进行等离子体蚀刻和等离子体腔室清洁的方法
173 等离子体蚀刻方法
174 减少微负载的等离子体蚀刻方法
175 使用等离子体鞘工程的加化蚀刻与沉积剖面控制
176 等离子体蚀刻方法
177 等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置
178 等离子体蚀刻方法以及等离子体蚀刻装置
179 等离子体蚀刻装置及其蚀刻方法
180 等离子体蚀刻方法及等离子体蚀刻装置
181 等离子体蚀刻机台及其顶出销
182 使用等离子体增强氧化钝化的硅蚀刻
183 使用等离子体增强氧化钝化的硅蚀刻
184 用以使穿过衬底的过孔侧壁及其它深蚀刻特征部光滑的后蚀刻反应等离子体研磨
185 用于等离子体蚀刻制程的气体扩散板
186 等离子体蚀刻方法
187 光掩模等离子体蚀刻过程中的原位室干法清洁方法和设备
188 等离子体蚀刻方法
189 等离子体蚀刻方法
190 等离子体处理装置和等离子体蚀刻方法
191 使用大于晶圆直径的等离子体排除区域环控制斜面蚀刻膜轮廓
192 等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置
193 等离子体蚀刻方法
194 等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置
195 等离子体蚀刻方法
196 等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置
197 控制斜面边缘蚀刻等离子体室中的边缘排除的气体调节
198 控制斜面边缘蚀刻等离子体室中的边缘排除的气体调节
199 等离子体蚀刻的控制方法
200 等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置
201 高密度等离子体工艺中蚀刻速率偏移的减小
202 等离子体蚀刻方法
203 高强度柱状结晶硅和由该高强度柱状结晶硅构成的等离子体蚀刻装置用部件
204 用于等离子体蚀刻的高温*极
205 用于等离子体增强的化学气相沉积和斜边蚀刻的系统
206 等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和存储介质
207 具有解耦等离子体控制的混合蚀刻室
208 用硫基蚀刻剂等离子体蚀刻含碳层
209 消除感应耦合等离子体反应器中Ｍ形状蚀刻率分布的方法
210 用于等离子体蚀刻腔室的增强耐腐蚀性的石英
211 用于蚀刻半导体结构的具有脉冲样品偏压的脉冲等离子体系统
212 用于蚀刻半导体结构的具有脉冲反应气体补充的脉冲等离子体系统
213 等离子体蚀刻方法和装置、控制程序和计算机存储介质
214 用于多层抗蚀剂等离子体蚀刻的方法
215 等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法
216 增强等离子体蚀刻性能的方法
217 用于光掩模等离子体蚀刻的方法和装置
218 用于光掩模等离子体蚀刻的方法和装置
219 用于光掩模等离子体蚀刻的方法和装置
220 具使蚀刻速度均匀分布的*极的掩模蚀刻等离子体反应器
221 具有背部光传感器和蚀刻分布多频控制的等离子体反应器
222 等离子体蚀刻方法
223 利用等离子体蚀刻衬底的方法和设备
224 等离子体蚀刻方法
225 采用聚合蚀刻气体的等离子体蚀刻工艺
226 利用图案掩模的等离子体蚀刻法
227 包括对低介电常数材料进行非原位背侧聚合物去除的等离子体电介质蚀刻处理
228 等离子体蚀刻方法
229 等离子体蚀刻方法
230 具有室去氟化和晶片去氟化中间步骤的等离子体蚀刻和光刻胶剥离工艺
231 等离子体蚀刻方法及计算机可读取的存储介质
232 等离子体蚀刻方法及计算机可读取的存储介质
233 一种具有原位背侧聚合物去除的等离子体蚀刻工艺
234 等离子体蚀刻方法和计算机可读取的存储介质
235 等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法
236 等离子体蚀刻方法
237 等离子体蚀刻方法
238 等离子体蚀刻方法和半导体装置的制造方法
239 等离子体蚀刻方法
240 通过适于光掩膜制造的碳硬掩膜等离子体蚀刻铬层的方法
241 等离子体蚀刻的装置与方法
242 等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置
243 利用保护性罩幕的光罩等离子体蚀刻法
244 等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法
245 用于石英光掩模等离子体蚀刻的方法
246 监测蚀刻等离子体加工设备中等离子体状态的方法和装置
247 等离子体蚀刻方法
248 等离子体蚀刻方法
249 等离子体蚀刻方法和蚀刻工具以及蚀刻构件的方法
250 以高源和低轰击等离子体提供高蚀刻速率的电介质蚀刻方法
251 等离子体蚀刻方法及等离子体蚀刻装置
252 聚焦环、等离子体蚀刻装置及等离子体蚀刻方法
253 等离子体蚀刻加工方法
254 在等离子体蚀刻处理期间保护硅或碳化硅电极表面免于形态改性的方法
255 用于等离子体蚀刻机器的气体分布电极
256 包括具有氢流速渐变的光刻胶等离子体老化步骤的蚀刻方法
257 改善等离子体蚀刻均匀性的方法和设备
258 等离子体处理方法和等离子体蚀刻方法
259 双层抗蚀剂等离子体蚀刻方法
260 用于等离子体注入的蚀刻和沉积控制
261 使用氩稀释的高压F2等离子体的高速蚀刻
262 利用V-I探针识别的等离子体蚀刻终点检测方法
263 耐久性的等离子体蚀刻用硅电极板
264 具有等离子体源线圈的等离子体室及使用该等离子体室蚀刻晶片的方法
265 等离子体处理系统中基片蚀刻的方法
266 用于设置具有自适应等离子体源的等离子体室的方法、使用该等离子体室的等离子体蚀刻方
267 含有金属卤化物腐蚀抑制剂的碱性后等离子体蚀刻／灰化残余物去除剂和光致抗蚀剂剥离组合物
268 等离子体蚀刻方法
269 等离子体蚀刻方法
270 等离子体处理法、等离子体蚀刻法、固体摄像元件的制法
271 半导体器件的制造方法和等离子体蚀刻装置的清洁方法
272 利用气体化学剂周期调制的等离子体蚀刻的方法和设备
273 在等离子体加工系统中蚀刻时减少光致抗蚀剂变形的方法
274 用于对有机类材料膜进行等离子体蚀刻的方法和装置
275 用于在等离子体蚀刻期间屏蔽晶片不受带电粒子影响的设备和方法
276 在薄膜的等离子体蚀刻过程中探测终止点的方法和装置
277 控制等离子体处理室中光致抗蚀剂蚀刻步骤的方法和蚀刻光致抗蚀层的方法
278 增强等离子体蚀刻性能的方法
279 具双频偏压源及单频等离子体产生源的蚀刻腔室
280 使用交替淀积和蚀刻以及脉冲等离子体对高纵横比SOI结构进行没有切口的蚀刻
281 等离子体蚀刻方法
282 金属等离子体蚀刻后的晶圆清洗方法
283 等离子体蚀刻方法
284 等离子体蚀刻方法及装置
285 应用于约束等离子体反应室的半导体双镶嵌蚀刻制作过程
286 可控制等离子体容积的蚀刻室
287 等离子体蚀刻气体
288 一种在使用下游等离子体的绝缘蚀刻器中的改进的抗蚀剂剥离
289 等离子体蚀刻设备
290 一种等离子体蚀刻装置及其方法
291 具有蚀刻玻璃隔离片的等离子体液晶显示器
292 用于半导体晶片干燥蚀刻的等离子体加工装置
293 半导体器件制造工艺中的等离子体蚀刻法
294 利用等离子体约束装置的等离子体蚀刻装置
295 等离子体蚀刻系统
296 带有蚀刻电极的等离子体寻址液晶显示器
297 利用氟化气体混合物进行硅的等离子体蚀刻
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