1、一种铜钼金属膜蚀刻液及其应用方法和显示面板
[简介]：本申请提供了一种铜钼金属膜蚀刻液及其应用方法和显示面板，该蚀刻液包括以下质量百分含量的各组分：过氧化氢：10％～30％；无机酸：5％～20％；蚀刻调节剂：0.5％～2％；水：60％～80％；其中，蚀刻调节剂包括乙二胺四丙酸和铬酸钾。该铜钼金属膜蚀刻液不仅具有良好的稳定性，并且对金属铜和金属钼具有较为均衡的蚀刻速率，采用该蚀刻液对铜钼金属膜进行蚀刻能够消除钼的残留，达到良好的蚀刻效果。
2、铜钼蚀刻剂组合物，铜钼膜层的蚀刻方法与显示面板
[简介]：本技术提供了一种铜钼蚀刻剂组合物，铜钼膜层的蚀刻方法与显示面板，所述铜钼蚀刻剂组合物包括：过氧化氢、水以及蚀刻辅助剂，其中，所述蚀刻辅助剂在所述铜钼蚀刻剂组合物中的质量百分含量为4wt％‑20wt％，所述蚀刻辅助剂包括过氧化氢稳定剂、蚀刻抑制剂、蚀刻添加剂以及pH调节剂。在该铜钼蚀刻剂中，除必须的蚀刻成分过氧化氢以及水以外，其他所添加的蚀刻辅助剂的含量少，大大降低了生产制造的成本，同时该铜钼蚀刻剂仍具备良好的蚀刻性能，可有效避免钼残不良的发生，且具有较长的使用寿命。
3、一种铜钼合金的蚀刻液组合物及蚀刻方法
[简介]：本技术提供了一种铜钼合金的蚀刻液组合物，按蚀刻液组合物的重量100％计，其主要组成为5～12％的过氧化氢、5～10％的有机酸、5～10％的有机碱和0～0.5％的蚀刻抑制剂；有机碱为空间位阻胺或者其主要组成包含空间位阻胺，空间位阻胺25℃的pK<Sub>a</Sub>为10.3～11.1。本技术铜钼合金的蚀刻液组合物采用空间位阻胺作为有机碱，或者有机碱的主要组成包括空间位阻胺，利用有机碱分子结构的空间位阻，在无氟离子和磷组分的蚀刻体系中，改善反应后期有机酸消耗、碱性增强波动导致的钼或钼合金底切问题。本技术还提供了一种基于铜钼合金的蚀刻液组合物的蚀刻方法。
4、一种除钼渣和废碱性蚀刻液联合处理回收铜钼的方法及其装置
[简介]：本技术提供了一种除钼渣和废碱性蚀刻液联合处理回收铜钼的方法及其装置，所述方法包括下述步骤：将除钼渣加水调浆，检测钼含量，按钼总质量的3.3‑3.6倍加入氢氧化钠，搅拌反应1‑3小时，然后再加入废碱性蚀刻液，至反应液颜色由黄色转为无色即停止加料；反应过程产生的氨气采用氨气吸收塔吸收；反应至没有氨气产生后，将反应器中的物料放出过滤洗涤，滤渣为回收硫化铜，直接作为矿产品销售，滤液先浓缩至比重为1.5‑1.6结晶离心回收氯化钠，母液再经真空冷却结晶、离心回收钼酸钠；本技术方法将除钼渣和废碱性蚀刻液两种废料联合处理，极大地降低了废料处理和有价金属回收成本，经济效益极高，并达到以废治废、环境友好的目的。
5、一种高效无氟铜钼合金膜用蚀刻液
[简介]：本技术属于金属蚀刻技术领域，特别涉及一种高效无氟铜钼合金膜用蚀刻液，由以下质量百分含量的组分组成：1‑5wt％过氧化物、5‑10wt％有机酸、0.1‑1wt％缓蚀剂、1‑5wt％螯合剂和余量的去离子水。本技术能够让蚀刻高效安全，没有氟的毒副作用，CD loss能够保持在1±0.2um，蚀刻坡度角稳定在45‑55°之间，蚀刻液的使用寿命长，能够更好地满足客户对铜钼合金的蚀刻要求。
6、铜钼金属蚀刻液及其应用
[简介]：本申请提供了一种铜钼金属蚀刻液及其应用。所述铜钼金属蚀刻液的成分按照重量百分比计包括：1～21wt％的过氧化氢、0.01～10wt％的形状控制剂、0.01～5wt％的蚀刻稳定剂、1～13wt％的螯合剂、0.01～8wt％的pH调节剂和0.01～2.39wt％的蚀刻添加剂，以及余量的去离子水。本申请的铜钼金属蚀刻液在蚀刻过程中可以保持对铜钼双层金属结构层具有一致的蚀刻速率，解决了铜钼双层金属因氧化还原电位差异造成的铜掏空腐蚀的缺陷，制得符合要求的铜钼金属结构层。
7、一种钼-铜双层膜材料蚀刻方法及腐蚀液
[简介]：本技术提供了一种钼‑铜双层膜材料蚀刻方法及腐蚀液，其中该方法包括：依次使用铜腐蚀液、钼碱性腐蚀液和钼酸性腐蚀液对钼‑铜双层膜材料进行处理得到超导薄膜结构。本技术通过铜腐蚀液、钼碱性腐蚀液和钼酸性腐蚀液可以有效的控制钼‑铜双层膜的横向与纵向腐蚀速率，对钼、铜材料的蚀刻具有优异的高选择比，并能制备出铜的横向宽度大于钼的横向宽度的超导薄膜结构，通过本技术制备出的超导薄膜器件在电学测量中，具有超导转变温度区间陡直，电阻‑温度曲线平滑的优点。
8、蚀刻液和铜/钼金属线的蚀刻方法
[简介]：本申请提供一种蚀刻液和铜/钼金属线的蚀刻方法。所述蚀刻液包括占所述蚀刻液总质量百分比为15％‑25％的过氧化氢、2％‑10％的有机酸、0.2％‑2％的过氧化氢稳定剂、0.001％‑0.25％的抑制剂、1.1％‑5％酸碱度调节剂以及1％‑5％的无机盐，其余为水。本申请所提供的蚀刻液不含氟化物，对环境和器件都不会产生负面影响，且具有蚀刻速率适中、稳定性好、蚀刻角度适宜、线宽损失小以及无金属残留等优势。
9、蚀刻钼/铜/钼或钼合金/铜/钼合金三层金属配线结构的蚀刻液组合物及其应用
[简介]：本申请提供了一种可以蚀刻钼/铜/钼或钼合金/铜/钼合金三层金属配线结构的蚀刻液组合物及其应用。所述蚀刻液组合物组分包含过氧化氢、二元醇、蚀刻抑制剂、螯合剂、蚀刻添加剂、pH调节剂和水；所述二元醇为乙二醇、丙二醇、二甘醇、丙烷‑1,2‑二醇、三甘醇、1,2‑丙二醇、1,3‑丙二醇、1,4‑丁二醇、1,5‑戊二醇、1,6‑己二醇、1,7‑庚二醇、1,8‑辛二醇、1,9‑壬二醇、1,10‑癸二醇、环戊烷‑1,2‑二醇和环已烷‑1,4‑二醇中的一种或几种。本技术的蚀刻液不仅减缓双氧水的分解，还延长蚀刻液的寿命至3000‑4000ppm，极大的降低了生产制造过程中的蚀刻液成本，提高了蚀刻液的安全系数。
10、一种铜钼金属蚀刻液及其配方技术和应用
[简介]：本技术提供了一种铜钼金属蚀刻液及其配方技术和应用，所述铜钼金属蚀刻液以重量份数计包括过氧化氢8‑20份、氟化物0.01‑1份、金属缓蚀剂0.01‑1份、过氧化氢稳定剂0.1‑10份、金属络合剂0.1‑10份、胺类化合物1‑10份和pH调节剂0.1‑10份。本技术提供的铜钼金属蚀刻液对IGZO底材无伤，蚀刻角度适合工艺要求，无钼拖尾和钼残留。
11、TFT-LCD制程用铜钼合层蚀刻液
12、蚀刻液组合物及铜钼膜层的蚀刻方法
13、一种用于铜/钼（铌）/IGZO膜层的蚀刻液、蚀刻补充液及其配方技术和应用
14、一种蚀刻TFT铜钼合层的过硫酸铵体系蚀刻液
15、一种铜钼膜层的蚀刻方法、阵列基板
16、一种高世代平板用铜钼蚀刻液
17、用于铜钼膜层的蚀刻剂与铜钼膜层的蚀刻方法
18、一种钼/铜复合金属层的蚀刻液、蚀刻方法与应用
19、用于蚀刻由铜层及钼层构成的金属层的蚀刻液及其应用
20、TFT-LCD铜钼合金蚀刻液
21、一种应用于铜钼膜层的金属蚀刻液
22、用于铜钼金属膜层的蚀刻液及蚀刻方法
23、一种高寿命铜钼蚀刻液及蚀刻方法
24、铜及钼含有膜的蚀刻液组合物
25、一种铜/钼蚀刻液组合物及其应用
26、铜/钼膜层用蚀刻液组合物
27、一种铜钼合金膜的化学蚀刻用组合物
28、一种应用于薄膜晶体管线路的无氟铜钼蚀刻液
29、一种铜/钼蚀刻液组合物及其应用
30、一种高效铜钼蚀刻液及蚀刻方法
31、用于铜/钼膜层的蚀刻液及其应用
32、一种铜钼合金膜用蚀刻液
33、用于铜/钼膜层的蚀刻液及其应用
34、铜/钼膜或铜/钼合金膜的蚀刻液组合物
35、对包含铜及钼的多层薄膜进行蚀刻的液体组合物及使用其的蚀刻方法及显示装置的制造方法
36、用于铜/钼膜层的金属蚀刻液及其蚀刻方法
37、一种用于TFT铜钼叠层的双氧水系蚀刻液
38、—种液晶面板铜钼膜蚀刻液
39、铜、钼金属层叠膜蚀刻液组合物、使用该组合物的蚀刻方法及延长该组合物的寿命的方法
40、包含钼和铜的多层膜用蚀刻液、蚀刻浓缩液以及蚀刻方法
41、一种TFT铜钼层叠膜蚀刻液组合物及蚀刻方法
42、一种双氧水系铜钼合金膜用蚀刻液
43、铜及钼含有膜的蚀刻液组合物
44、铜/钼膜或铜/钼合金膜的蚀刻液组合物
45、铜/钼膜或铜/钼合金膜的蚀刻液组合物
46、用于蚀刻铜与钼的金属蚀刻剂组合物及其用于蚀刻铜与钼的金属蚀刻方法
47、铜及钼含有膜的蚀刻液组合物
48、包含铜和钼的多层膜的蚀刻中使用的液体组合物、和使用该液体组合物的基板的制造方法、以及通过该制造方法制造的基板
49、铜钼合金膜的蚀刻液组合物
50、用于蚀刻包含铜和钼的多层膜的液体组合物以及使用其的蚀刻方法
51、增大蚀刻液蚀刻用量的铜/钼合金膜的蚀刻方法
52、铜/钼系多层薄膜用蚀刻液
53、铜钼合金膜的蚀刻液组合物
54、包含铜层及钼层的多层薄膜用蚀刻液
55、用于包含铜层和钼层的多层结构膜的蚀刻液
56、液晶显示器系统中的铜、铜/钼或铜/钼合金电极蚀刻液体
57、用于铜/钼金属的蚀刻液组成物及蚀刻方法
58、用于多层铜和钼的蚀刻溶液及使用该蚀刻溶液的蚀刻方法
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,内容都包括具体的配方配比生产制作过程，费用260元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
