1、一种表面涂覆碳化钽涂层的石墨热场材料及其配方技术
[简介]：本技术提供一种表面涂覆碳化钽涂层的石墨热场材料及其配方技术。本技术利用等离子喷涂方法喷涂高纯钽粉和石墨烯粉和快速渗碳碳化钽化的制备表面涂覆碳化钽涂层的石墨热场材料。所述方法包括石墨表面高压水处理、高压水共混粉体、等离子喷涂钽粉、高温渗碳原位碳化钽化等步骤。本技术所述配方技术不仅生产效率高、能耗低、污染小、纯度高、防热冲击性能好，高效低能，且最终形成的碳化钽涂层致密、强度高、纯度高、耐高温冲刷。碳化钽涂层最终拉拔强度可以达到5MPa，杂质含量可以控制在2ppm以下，本技术所得到的表面涂覆碳化钽涂层的石墨热场材料可直接用在真空及惰性气体保护的高温炉内，能在1000—2500℃的温度下稳定使用，尤其是第三代半导体长晶炉热场等高温热场中必不可少的热场材料。
2、一种表面涂覆石墨涂层的轻质碳纤维/碳圆筒热场材料及其配方技术
[简介]：本技术提供一种表面涂覆石墨涂层的轻质碳纤维/碳圆筒热场材料及其配方技术。本技术利用紫外光引发乙烯基交联反应，然后通过光引发乙烯基交联反应过程中放出的热量引发苯酚糠醛缩聚反应形成苯酚糠醛交联网络，多重网络固化产物经过高温碳化和石墨化快速制备得到轻质碳纤维/碳圆筒热场材料胚体，得到的轻质碳纤维/碳圆筒热场材料胚体在通过加工、表面喷涂石墨涂层和高温+化学气体纯化制备出密度低、力学性能优越、保温性能好、纯度高的表面涂覆石墨涂层的轻质碳纤维/碳圆筒热场材料。得到的表面涂覆石墨涂层的轻质碳纤维/碳圆筒热场材料性能可以达到如下指标：弯曲强度为3.5MPa，密度可以控制在0.15g/cm3，杂质含量为5ppm，导热系数为0.15W/(mK)。
3、一种用于制备碳化硅晶体的石墨热场单晶生长装置
[简介]：本技术提供一种用于制备碳化硅晶体的石墨热场单晶生长装置，涉及碳化硅单晶的制备及晶体生长技术领域，包括密封腔、加热结构、保温结构、调温结构、坩埚和测温机构；保温结构设于密封腔内；加热结构设于保温结构内，测温机构设于密封腔上；调温结构设于保温结构内，坩埚和籽晶托设于保温结构内；加热结构对坩埚底部和顶部加热，对坩埚的轴向和径向进行温度控制，测温机构分别测量坩埚顶部和底部的温度，保温结构对整个腔体的热场进行保温，还能减少坩埚的热量散失，实现对坩埚各部分的温度精确控制，调温结构能降低坩埚的径向温度梯度；从而减小碳化硅单晶生长过程中晶体的径向温度梯度和应力梯度，可降低晶体生长的缺陷，保证了晶体的质量。
4、一种单晶炉热场用半导体石墨坩埚及其使用方法
[简介]：本技术提供了一种单晶炉热场用半导体石墨坩埚及其使用方法,包括单晶炉本体，单晶炉本体纵向固接在底板的顶面中部上，外壳的底面轴向设有内壳，内壳的底面中部轴向固接有石墨坩埚，石墨坩埚的底部轴向设有石英坩埚，每根导向杆上均滑动连接有下部保温筒，下部保温筒的外侧壁上设有升降组件，下部保温筒与石墨坩埚之间的内壳的底面上轴向设有若干个石墨加热装置，外壳的顶部设有炉盖，支撑板的顶面中部设有搅拌组件，支撑板的底面一端设有调节组件；本技术可以对石英坩埚内的多晶硅进行搅拌，从而加速多晶硅的融化，提高生产效率；同时可以快速的降低单晶炉内的温度，避免热场部件因温度高而出现部分氧化的现象，提高石墨件的使用寿命。
5、一种直拉单晶硅炉用石墨热场材料配方技术
[简介]：本技术涉及石墨热场技术领域，更具体而言，涉及一种直拉单晶硅炉用石墨热场材料配方技术，骨料为针状石油焦；粉料为石墨烯、沥青焦、炭黑、碳纤维；粘结剂为改质中温煤沥青；浸渍剂为浸渍沥青，中原料选择合理，制备工艺科学；所制备的直拉单晶硅炉用石墨热场材料结构均匀细腻，体积密度高；石墨理化理指标优良；石墨热场材料的体积密度≥2.0g/cm3，电阻率≤6.0μΩm，抗折强度≥32Mpa，抗压强度≥65Mpa，气孔率≤10%，灰分≤0.2%，热膨胀系数≤2*10?6/℃。
6、一种N型单晶生长用半导体石墨热场
[简介]：本技术提供了一种N型单晶生长用半导体石墨热场，包括石墨热场罐体和控制面板，所述石墨热场罐体内侧壁以及内侧的顶端和底端均设置有保温层，所述石墨热场罐体顶部一侧的中间位置处设置有进料仓，所述进料仓的一端延伸至石墨热场罐体的内部，所述进料仓内部的中间位置处分别设置有电磁隔离阀和称重装置，且称重装置位于电磁隔离阀的正上方，所述石墨热场罐体内侧壁的两端对称分别设置有加热板支架A和预热锅支架；本技术装置通过将晶体物料加入预热锅，当石英锅内的晶体加热分解后通过输出导管导出后，预热锅内的晶体进入石英锅内，从而实现了不间断的加热方式，提高了热场的使用效率。
7、用于石墨热场的毛坯件加工设备及其加工方法
[简介]：本技术提供了用于石墨热场的毛坯件加工设备，包括底板、弧形竖板、滑动机构、升降机构、搅拌机构，底板的顶面两端设有一对弧形竖板，位于两块弧形竖板中部设有支撑板，圆形通孔内安装有坩埚筒，坩埚筒的外侧面套设有保温筒，且保温筒的外壁两侧通过多对滑动机构与支撑板滑动连接；圆形盖板两端通过一对升降机构与对应的弧形竖板活动连接；电机的电机轴端部与搅拌机构同步转动本技术还提供了用于石墨热场的毛坯件加工设备的加工方法；本技术解决了坩埚不便安装升降、石墨材料搅拌不均匀及坩埚开口密封不严的问题，通过各机构的配合使用，简化了操作步骤，减轻了工人的劳动负担，提高了石墨材料加工生产的效率。
8、半导体石墨热场保温装置及其保温方法
[简介]：本技术提供了半导体石墨热场保温装置，包括底筒、铰接组件、点火组件、密封机构、升降机构，所述底筒为顶面敞口且竖向放置的圆形筒状，所述底筒内安装有坩埚筒，所述坩埚筒的外侧部通过四组铰接组件与底筒内侧壁活动铰接，所述坩埚筒的底部安装有点火组件；所述外盖底面通过密封机构与底筒顶面连接，所述坩埚筒的顶面敞口处设有坩埚盖，所述坩埚盖通过升降机构与外盖连接。本技术还提供了半导体石墨热场保温装置的保温方法；本技术解决了结构石墨热场保温密封性差的问题，通过各机构组件的配合使用，增加了热场的保温效果，降低热量的损失，进一步提高了能量的利用率。
9、半导体石墨热场使用构件用打磨装置及其打磨方法
[简介]：本技术提供了半导体石墨热场使用构件用打磨装置，包括底板，底板的顶面一侧中部固定设有传动组件，底板的顶面中部一侧竖向固定设有固定柱；滑板的顶面中部设有活动柱；第一转动柱和第二转动柱的表面均设置有夹持组件；调节腔内均设有调节组件；导向杆的杆体上活动套设有套管，套管的底部两侧均竖向固定设有电推杆，电推杆的下方水平设有安装板；传动轴的底端设有打磨轮；本技术便于操作，通过调节组件和夹持组件，解决了不便于对不同尺寸的石墨热场使用构件进行调节夹持的问题，通过传动组件解决了打磨时不便于工作人员进行翻转打磨的问题；通过移动组件解决了不便于根据石墨热场使用构件所需打磨的位置进行移动调节的问题。
10、一种半导体级直拉单晶硅炉超高纯石墨热场
[简介]：本技术提供了一种半导体级直拉单晶硅炉超高纯石墨热场，包括底座，所述底座顶部两侧的两端对称设置有四组伸缩杆，四组所述伸缩杆的顶部共同设置有安装板，四组所述伸缩杆的外侧皆设置有弹簧B，且弹簧B与安装板相互连接，所述底座顶部的中间位置处设置有弹簧A，且弹簧A与安装板相互连接，所述安装板顶部的一侧设置有单晶硅炉本体，所述单晶硅炉本体外侧的顶部均匀设置有卡块，所述单晶硅炉本体的顶部设置有单晶硅炉盖；本技术装置通过单晶硅炉盖、卡扣、卡块和单晶硅炉本体的相互配合，可方便操作人员拿取投放物料，同时还对单晶硅炉本体的内部形成一定的密封能力，从而节省能源的消耗。
11、半导体石墨热场用的加热器及其加热方法
12、一种新型节能半导体石墨热场
13、一种筒式单晶炉的半导体石墨热场
14、一种直拉法单晶炉半导体石墨热场导流罩
15、一种石墨导流筒装置、锥形热场及单晶炉
16、一种φ800～1000mm单晶硅CZ炉热场石墨材料的配方技术
17、一种直拉单晶炉热场用石墨坩埚
18、一种利用热场改性氧化石墨烯制备耐磨导电尼龙的方法
19、一种碳化硅单晶生长热场结构中的石墨板涂层的配方技术
20、一种碳化硅单晶生长热场结构中的石墨板涂层的配方技术
21、石墨热场表面制备SiC/Si/Si3N4涂层的方法
22、一种石墨热场表面制备SiC涂层的方法
23、一种石墨加热炉内石墨热场表面制备SiC涂层的方法
24、一种柔性还原石墨烯图形化电极的模板热场诱导成形方法
25、一种用于石墨热场表面的复合涂层及其配方技术
26、一种石墨电阻式加热高温热处理炉热场
27、一种生产石墨热场的方法
28、多晶硅铸锭保温热场用石墨材料及其配方技术
29、直拉法单晶炉热场中的石墨件的清洗方法
30、一种石墨热场的导流筒结构
31、石墨热场的炉底保温装置
32、太阳能光伏产业单晶硅生长热场用石墨材料及其制造方法
33、一种单晶炉的石墨热场
34、直拉单晶炉热场用石墨埚帮
35、CZ直拉法单晶炉石墨热场结构
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,内容都包括具体的配方配比生产制作过程，费用230元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
