1、一种去胶液及其配方技术与应用
[简介]：本技术属于半导体加工技术领域，本技术提供了一种去胶液及其配方技术与应用。本技术的去胶液包括以下重量份的组分：溶剂70～90份，络合剂1～5份，脱水剂5～10份，剥离助剂5～10份，清洗助剂1～3份。本技术制备的去胶液在芯片或光刻胶表面可充分铺展渗透，所有组分的协同作用加快了去胶速度且增强了去胶效果，络合剂和脱水剂的使用可避免金属腐蚀问题。
2、一种去除铜基材表面溢胶的去胶液及其配方技术
[简介]：本申请涉及一种去除铜基材表面溢胶的去胶液及其配方技术，涉及工业清洗剂的领域，去胶液包括以下重量百分比的组分：有机溶剂5~50%，有机胺5~60%，保护剂1~20%，润湿剂0.05~10%，界面活性剂1~15%，余量为水，以上各组分之和为100%。去胶液的配方技术如下：S1、将润湿剂和保护剂加入有机溶剂中，混合均匀，得到A组分；S2、将界面活性和有机胺剂依次加入水中，混合均匀，得到B组分；S3、将A组分缓慢添加至B组分中，混合均匀后制得去胶液。本申请中提供的去胶液，可以有效去除铜基材表面的溢胶，具有较佳的去胶速率，并且对铜基材无腐蚀，在去除溢胶过程中提供很好的保护作用。
3、一种化合物半导体去胶液生产线
[简介]：本技术提供了一种化合物半导体去胶液生产线，包括第一主溶剂罐、第二主溶剂罐、第三主溶剂罐、第一助溶剂罐、第二助溶剂罐、第一表面活性剂罐、第二表面活性剂罐、水罐和搅拌罐，其特征在于：所述搅拌罐的一侧通过导管与第一主溶剂罐、第二主溶剂罐、第三主溶剂罐、第一助溶剂罐、第二助溶剂罐、第一表面活性剂罐和第二表面活性剂罐固定连接。该化合物半导体去胶液生产线，通过在去胶液的生产线中设置抗锈剂罐，且抗锈剂罐的内部盛装有枸橼酸钠溶液，由于枸橼酸钠具有较强的络合性和缓凝性，且枸橼酸钠不与主溶剂、活性剂和助溶剂反应，在去胶液生产并使用后，可与半导体内部金属离子结合，形成很稳定的新的离子。
4、一种光刻胶去胶液及其配方技术和应用
[简介]：本技术提供了一种光刻胶去胶液及其配方技术和应用，所述光刻胶去胶液以重量份数计包括氢氧化季铵0.5‑10份、有机溶剂65‑85份、有机醇胺1‑20份、有机醇0.1‑5份、金属保护剂0.01‑5份和阻蚀剂0.1‑5份。本技术提供的光刻胶去胶液去胶速度快、去胶能力强，在较低温度都能保持去胶性能，而且降低了对金属、硅、氧化硅、钝化等各种底材的腐蚀，延长了工作时间，水溶性好，容易清洗。
5、化学去胶液的配比生产流程
[简介]：本技术涉及化学去胶液的技术领域，特别是涉及化学去胶液的配比生产流程，化学去胶液稳定性好，去胶效果好，对基材的腐蚀性小。包括以下步骤：S1、将主溶剂、助溶剂、表面活性剂以及去离子水提升至高处的过渡罐中，进行临时存放；S2、按照各原料比例将过渡罐中的各种原料经过计量后输送至计量罐中，进行存放；S3、将计量罐中的各溶剂加入到搅拌釜中进行搅拌；S4、搅拌过程中，对搅拌釜内部温度进行控制；S5、搅拌完毕后，将搅拌釜内部混合液排出，经过过滤器后打入至存放罐中，得到化学去胶液。
6、一种中性电解去胶液及其配方技术
[简介]：本技术提供了一种中性电解去胶液的配方技术，其包括以下步骤：S1、按质量比，加入50～70份有机酸钠和6～8份EDTA‑4Na，再加入0.3～0.5份表面活性剂，搅拌3～5小时，搅拌过程温度控制在15～35℃；S2、将上述搅拌好的溶液经过滤芯进行过滤，得到中性电解去胶液。本技术使用方便，成本低，解决了环境污染的问题。本技术绿色环保，制造工艺简单、制造成本低，反应快速，可在50～70℃正常抛光，电压6～12伏。
7、一种去胶液及其配方技术与应用
[简介]：本技术涉及半导体工业用清洗剂领域，尤其涉及一种去胶液及其配方技术与应用。该去胶液包括醇胺化合物、无机碱、水溶性有机溶剂、海藻糖、苯并三唑、渗透剂和水，上述去胶液配方合理，不易挥发，能完全去除光刻胶且不会腐蚀半导体基材。其配方技术包括：依次称取上述配方量的各原料组分，利用气动隔膜泵传送到反应釜中，经过定时循环搅拌使各原料组分混合均匀，采用精密过滤器过滤后即得，经检验合格后利用精密自动灌装机进行灌装。该配方技术全程自动化，不会引入杂质和污染，将其用于去除半导体基材上的光刻胶及其残留物，能达到很好的去除效果，不会对半导体基材产生腐蚀。
8、新型光刻胶去胶液
[简介]：本技术属于晶圆制造技术领域，涉及一种新型光刻胶去胶液，其配方包括：1‑5wt％醇类、10‑30wt％有机醇胺、0.1‑5wt％季铵碱、60‑80wt％醇醚类有机溶剂以及补足余量的去离子水，所述醇醚类有机溶剂包括乙二醇单丁醚、乙二醇单甲醚、丙二醇单丁醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单丁醚中的一种。本技术的新型光刻胶去胶液不仅对光刻胶去胶有良好的选择性，而且相同体积的去胶液处理量更大且稳定。
9、一种半导体制程正性光刻胶去胶液及应用
[简介]：本技术提供了一种半导体制程正性光刻胶去胶液，包含链烷醇胺、金属缓蚀剂、与水混溶的极性有机溶剂、添加剂和水，添加剂为低碳硝基烷烃及其衍生物，低碳硝基烷烃的碳原子数为1～3。该半导体制程正性光刻胶去胶液可以快速去除正性光刻胶层，且去胶液中光刻胶的溶解度增加，处理后的半导体表面无光刻胶残留，且对光刻胶下方的铝层或铜层或铜铝合金层没有腐蚀。
10、一种光刻胶去胶液
[简介]：本技术属于晶圆制造技术领域，涉及一种光刻胶去胶液，其配方包括：1‑30wt％醇类，0.1‑10wt％有机醇胺，0.1‑5wt％季铵碱，60‑90wt％极性非质子有机溶剂以及补足余量的去离子水。本技术的光刻胶去胶液不仅大大提高了去胶速度及去胶能力，而且降低了对金属、钝化层、氧化硅等各种底材的腐蚀；水溶性比较好，去胶过后容易清洗。
11、一种半导体凸块制程用正胶去胶液
12、一种去除AZ光刻胶的去胶液
13、一种去胶液恒温系统
14、一种去胶液及其配方技术
15、一种离子注入后晶片的湿法去胶液及光刻胶去除方法
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