1、基于C-N动态共价键的纳米压抑抗蚀剂及其配方技术和应用
[简介]：本技术提供了一种纳米压印抗蚀剂及其配方技术和应用。该抗蚀剂由聚己内酯二醇、官能化的六芳基联咪唑在催化剂的催化条件下与甲苯二异氰酸酯发生加成聚合，制备得到；其中，所述官能化的六芳基联咪唑的分子式如式(Ⅰ)所示，该抗蚀剂在30～60℃、405～450nm，光功率密度≥3mW/cm2的可见光照射下，聚合物网络结构中的六芳基联咪唑单元中的两个咪唑环之间的动态C‑N共价键裂解，转化为具有流动性的低分子量聚合物，避光静置后，聚合物网络结构中的C‑N动态共价键复合，恢复为高聚物，该抗蚀剂既可以避免在高温下衬底与模板的热膨胀系数不一样造成的转印图案移位问题，还可以避免使用对生物体有害的紫外光，压印后的图案表面平整度较好、边缘整齐。
2、用于减少抗蚀剂模型预测误差的系统和方法
[简介]：本文描述了一种用于校准抗蚀剂模型的方法。该方法包括以下步骤：基于抗蚀剂结构的模拟空间图像和抗蚀剂模型的参数来产生抗蚀剂结构的模型化抗蚀剂轮廓；以及基于由量测装置获得的实际抗蚀剂结构的信息，根据模型化抗蚀剂轮廓来预测抗蚀剂结构的量测轮廓。该方法包括：基于所预测的量测轮廓与由量测装置获得的实际抗蚀剂结构的实际量测轮廓的对比来调整抗蚀剂模型的参数。
3、抗蚀剂材料及图案形成方法
[简介]：本技术涉及抗蚀剂材料及图案形成方法。本技术的课题提供为高感度且LWR、CDU经改善的抗蚀剂材料、以及使用其的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂材料，含有：包含下式(1)表示的锍盐的酸产生剂。
4、用于光致抗蚀剂的光刻工艺和极紫外（EUV）光刻工艺
[简介]：提供了用于光致抗蚀剂的光刻工艺和极紫外(EUV)光刻工艺。所述EUV光刻工艺包括以下步骤：使用掩模顺序地对分别位于基底的第一区域至第四区域上的第一光致抗蚀剂区域至第四光致抗蚀剂区域进行光刻图案化。该掩模包括：主区域，主图案被限定在主区域中；第一虚设区域，第一虚设图案被限定在第一虚设区域中；第二虚设区域，多个第二子虚设图案在第二虚设区域中被限定在掩模的对应的拐角处；以及对准区域，对准图案被包括在对准区域中，对准区域相对于第一虚设区域和第二虚设区域与主区域的中心间隔得较远。在光刻图案化的步骤期间，使用掩模将位于基底的第一区域上的对准区域的至少部分暴露于EUV光至少三次。
5、一种用于制备正型抗蚀剂的化合物及其配方技术
[简介]：本技术涉及有机化学合成技术领域，特别是涉及一种用于制备正型抗蚀剂的化合物及其配方技术；配方技术主要包括两个步骤，正丁基锂与3，5‑二氟溴苯发生锂化反应生成3，5‑二氟苯基锂，3，5‑二氟苯基锂再与氯化亚砜进一步反应生成目标产物，两步反应均在N2保护下的低温反应釜中进行；本技术提供的合成反应过程简便，得到副产物少，通过简单的纯化就能得到最终产物，终产物纯度高、收率好。
6、抗蚀剂材料及图案形成方法
[简介]：本技术涉及抗蚀剂材料及图案形成方法。本技术的课题是提供为高感度且LWR、CDU经改善的抗蚀剂材料、以及使用其的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂材料，含有：包含具有由键结于聚合物主链的磺酸*离子与下式(1)表示的锍阳离子构成的盐结构的重复单元a的基础聚合物。
7、抗蚀剂材料及图案形成方法
[简介]：本技术涉及抗蚀剂材料及图案形成方法。本技术的课题提供为高感度且LWR、CDU经改善的抗蚀剂材料、以及使用其的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂材料，含有：包含下式(1)表示的锍盐的酸产生剂。
8、感光性树脂组合物、干膜抗蚀剂、感光干膜及其应用
[简介]：本技术提供了一种感光性树脂组合物、干膜抗蚀剂、感光干膜及其应用。该感光性树脂组合物包括45～60份的碱可溶性树脂、35～50份的光聚合单体、2.5～5份的光引发剂和0.1～0.8份的敏化剂；敏化剂为通式所示的化合物，R1表示亚甲基或羰基，n表示0或1；R2表示苯基，且R2上的任一氢原子可选地被甲氧基、C1‑C10的直链或支链烷基、苯基、苄基或苯氧基所取代。本技术的敏化剂可使产品具有更优的光敏性能和分辨率。而且，基于上述特定重量份的碱可溶性树脂、光聚合单体、光引发剂及敏化剂，本技术的产品综合性能均更优。
9、一种光致抗蚀剂剥离液及其配方技术与应用
[简介]：本技术提供了一种光致抗蚀剂剥离液及其配方技术与应用，属于光致抗蚀剂清洗技术领域。按质量份数计，光致抗蚀剂剥离液包括40.00份‑70.00份的醇醚类溶剂、25.00份‑55.00份的酰胺类溶剂、1.00份‑20.00份的烷醇胺类、0.10份‑2.00份的pH调节剂以及0.01份‑2.00份的金属保护剂。该光致抗蚀剂剥离液为水系不含环境危害型的有机溶剂的剥离液，其能有效抑制Al金属层腐蚀，并且，通过使用pH调节剂，避免了玻璃基板金属配线的腐蚀问题，同时组分中不含表面活性剂，解决了剥离液使用过程中泡沫大的问题。该光致抗蚀剂剥离液的配方技术简单，直接将各成分按配比混合即可。
10、聚合物、抗蚀剂组成物及图案形成方法
[简介]：本技术提供于高能射线下为高感度、高分辨率、高对比度且能形成图案宽的变异(LWR)及图案的面内均匀性(CDU)小的图案的聚合物、抗蚀剂组成物及图案形成方法。一种聚合物，是因曝光而产生酸，且因此酸的作用而改变对于显影液的溶解性的聚合物，其特征为含有下式(A‑1)表示的重复单元、及下式(B‑1)～(B‑4)中的任一者以上表示的重复单元。式中，M‑为非亲核性相对离子，A+为鎓阳离子，n1为1或2的整数，n2为0～2的整数，n3为0～5的整数，n4为0～2的整数，c为0～3的整数。
11、感光树脂组合物及干膜抗蚀剂层压体
12、酰亚胺磺酸酯类光产酸剂、抗蚀剂组合物及其应用、电子组件
13、抗蚀剂材料及图案形成方法
14、抗蚀剂材料及图案形成方法
15、干膜抗蚀剂和感光干膜
16、针对厚光阻抗蚀剂的剥除液
17、对光致抗蚀剂加压的装置和供应光致抗蚀剂的系统
18、光致抗蚀剂底层组合物
19、制造印刷电路板的方法和抗蚀剂层叠件
20、树脂填充袋、保护膜的制造方法和干膜抗蚀剂的制造方法
21、正型抗蚀剂材料及图案形成方法
22、一种感光树脂组合物及干膜抗蚀剂层压体
23、光致抗蚀剂去除组合物、制造半导体装置和封装件的方法
24、将单一液体光致抗蚀剂材料施加到半导体晶片的半导体器件和方法
25、甲基丙烯酸酯类光致抗蚀剂单体的工艺配方技术及生产装置
26、外涂覆的光致抗蚀剂的经涂覆的底层
27、抗蚀剂底层组合物和使用所述组合物形成图案的方法
28、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
29、肟磺酸酯类光产酸剂及其抗蚀剂组合物应用
30、用于去除光致抗蚀剂的剥离剂组合物及使用其的光致抗蚀剂的剥离方法
31、感光干膜抗蚀剂层压体和线路板
32、组合的光抗蚀剂和Si基硬掩模的涂层
33、感光性高分子及包含它的抗蚀剂组合物
34、分子抗蚀剂组成物及图案形成方法
35、抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法
36、用于光致抗蚀剂底层的组合物
37、黑矩阵用颜料分散组合物、黑矩阵用抗蚀剂组合物以及黑矩阵
38、抗蚀剂膜的形成方法
39、光敏树脂组合物、包含其的光致抗蚀剂、包含其的显示装置和光敏树脂组合物低温固化方法
40、硬化型感光性树脂组合物、硬化物、抗蚀剂图案及其制造方法、半导体元件及电子器件
41、正型抗蚀剂材料及图案形成方法
42、与外涂布光致抗蚀剂一起使用的涂料组合物
43、在光致抗蚀剂底层上形成粘合层的方法及包括其的结构
44、半导体器件和使用N2吹扫利用高粘性液体光致抗蚀剂涂覆半导体晶片的方法
45、药液的检查方法、半导体器件的制造方法以及抗蚀剂组合物的检查方法
46、光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
47、从含金属抗蚀剂去除边缘珠的组合物及包括使用组合物去除边缘珠的步骤的形成图案的方法
48、树脂、抗蚀剂组合物和抗蚀图案的制造方法
49、一种石墨抗蚀剂及其配方技术和应用
50、高产酸肟磺酸酯类光产酸剂及其抗蚀剂组合物应用
51、含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物以及包括使用其进行显影步骤的形成图案的方法
52、PNIPAM在制备具有对水和温度响应性的高分辨率电子束抗蚀剂中的应用
53、化学增幅型抗蚀剂组成物、空白光掩膜、抗蚀剂图案的形成方法及高分子化合物的制造方法
54、黑色抗蚀剂用感光性树脂组合物、其制造方法、遮光膜、彩色滤光片、触摸屏及显示装置
55、用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其的光致抗蚀剂的剥离方法
56、新型化合物、抗蚀剂下层膜组合物以及抗蚀剂下层膜
57、由光致抗蚀剂层包围的导电结构元件的厚度测量
58、光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
59、光敏组合物及制造的光致抗蚀剂干膜
60、一种曝光抗蚀剂改性工艺及液相微纳加工设备
61、一种离子型土壤抗蚀剂及其配方技术与应用
62、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
63、包含酰胺化合物的光致抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法
64、感光性树脂组合物和干膜抗蚀剂
65、光致抗蚀剂底层组合物
66、正型抗蚀剂材料及图案形成方法
67、一种感光树脂组合物及感光干膜抗蚀剂层压体
68、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
69、光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
70、一种抗蚀剂组合物及其层压体
71、KrF树脂及其配方技术和化学放大型光致抗蚀剂
72、光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
73、含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物
74、抗蚀剂形成用感光性树脂组合物、树脂膜、固化膜和半导体装置
75、黑色抗蚀剂用感光性树脂组合物、硬化膜及其制造方法、彩色滤光片及隔离壁
76、正型抗蚀剂材料及图案形成方法
77、光致抗蚀剂面漆组合物及图案形成方法
78、含碘的酸可裂解化合物、由其衍生的聚合物和光致抗蚀剂组合物
79、抗蚀剂膜的形成方法及抗蚀剂膜
80、光酸产生剂、包括其的光致抗蚀剂组合物及使用光酸产生剂形成图案的方法
81、光致抗蚀剂底层组合物
82、光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
83、化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
84、除去光致抗蚀剂图案化浮渣的原子层清洁
85、抗蚀剂组合物
86、盐和包含其的光致抗蚀剂
87、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
88、感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及印刷线路板的制造方法
89、抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、及抗蚀剂下层膜的形成方法
90、用于干法去除光致抗蚀剂的处理工具
91、盐化合物、抗蚀剂组成物及图案形成方法
92、用于供应光致抗蚀剂的系统和用于管理光致抗蚀剂的方法
93、一种低动态表面张力的高精细抗蚀剂剥离液组合物及其配方技术
94、一种干膜抗蚀剂、感光干膜和覆铜板
95、含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物
96、光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
97、带有抗蚀剂固化膜的陶瓷电路基板及其制造方法以及陶瓷电路基板的制造方法
98、正型抗蚀剂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法
99、感光性树脂组合物及干膜，干膜、图案化的抗蚀剂膜、带铸模基板及镀覆造型物的制造方法
10-0、光致抗蚀剂的干式背侧和斜面边缘清洁
10-1、用于改善中心-边缘之间的台阶差和LER的I-线用负性光致抗蚀剂组合物、及用于改善工艺余裕的I-线用负性光致抗蚀剂组合物
10-2、一种低能量固化的光刻胶、抗蚀剂图案及其配方技术
10-3、抗蚀剂化合物、使用其形成图案的方法和使用其制造半导体器件的方法
10-4、干膜抗蚀剂、电路布线的制造方法、电路布线、输入装置及显示装置
10-5、光敏元件、干膜光致抗蚀剂、抗蚀剂图案、电路板和使用其的显示装置
10-6、光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法
10-7、用于半导体制造的光致抗蚀剂
10-8、黑色抗蚀剂用感光性树脂组合物、其制造方法、遮光膜、彩色滤光片、触摸屏及显示装置
10-9、含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物以及图案形成方法
11-0、用于干法去除光致抗蚀剂的处理工具
11-1、包含二醇结构的抗蚀剂下层膜形成用组合物
11-2、随机性光致抗蚀剂厚度缺陷的预测及计量
11-3、抗蚀剂图案形成方法
11-4、抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法
11-5、包含羧酸酯的组合物的使用方法、包含羧酸酯的光刻组合物及抗蚀剂图案的制造方法
11-6、用于含金属光致抗蚀剂的显影的金属螯合剂
11-7、感光性树脂组合物、永久抗蚀剂、永久抗蚀剂的形成方法、及永久抗蚀剂用固化膜的检查方法
11-8、包含具有氟烷基的有机酸或其盐的抗蚀剂下层膜形成用组合物
11-9、具有双层抗蚀剂的电子束光刻
12-0、黑矩阵用抗蚀剂组合物以及黑矩阵
12-1、黑矩阵用颜料分散组合物、黑矩阵用抗蚀剂组合物以及黑矩阵
12-2、经边缘放置误差预测的光致抗蚀剂设计布局图案邻近校正
12-3、抗蚀剂分配的方法
12-4、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及印刷线路板的制造方法
12-5、吲哚嗪类抗蚀剂的配方技术
12-6、抑制了交联剂的改性的抗蚀剂下层膜形成用组合物
12-7、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法、电子器件的制造方法
12-8、EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物
12-9、光刻图案化工艺和在其中使用的抗蚀剂
13-0、光酸产生剂、光致抗蚀剂组合物、及图案形成方法
13-1、一种抗静电干膜抗蚀剂用聚酯薄膜及其配方技术
13-2、抗蚀剂下层膜形成用组合物
13-3、厚膜抗蚀剂膜形成用抗蚀剂组合物、厚膜抗蚀剂层叠体以及抗蚀剂图案形成方法
13-4、用于光致抗蚀剂底层的涂料组合物
13-5、抗蚀剂底层组合物和使用所述组合物形成图案的方法
13-6、光致抗蚀剂组合物及使用其制造半导体器件的方法
13-7、感光树脂组合物及干膜抗蚀剂
13-8、光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法
13-9、抗蚀剂组合物以及抗蚀剂图案形成方法
14-0、一种耐火型干膜抗蚀剂用聚酯薄膜及其配方技术
14-1、化合物、流平剂、涂布组合物、抗蚀剂组合物和物品
14-2、光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
14-3、使用二芳基甲烷衍生物的抗蚀剂下层膜形成用组合物
14-4、抗蚀剂下层膜形成用组合物
14-5、光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
14-6、肟磺酸酯光酸、含其的抗蚀剂组合物、电子器件及应用
14-7、包含3官能化合物的反应生成物的抗蚀剂下层膜形成用组合物
14-8、树脂、光致抗蚀剂组合物和制造半导体器件的方法
14-9、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、图案形成方法、抗蚀剂膜及电子器件的制造方法
15-0、光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
15-1、感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及印刷线路板的制造方法
15-2、光致抗蚀剂图案修整组合物和修整光致抗蚀剂图案的方法
15-3、包含乙内酰脲化合物的反应产物的抗蚀剂下层膜形成用组合物
15-4、抗蚀剂下层膜形成用组合物
15-5、于抗蚀剂应用中作为光酸生成剂的磺酸衍生化合物
15-6、用于改进光致抗蚀剂涂覆操作的系统、装置和方法
15-7、含钽光致抗蚀剂
15-8、Krf薄膜光刻用负性光致抗蚀剂组合物及其配方技术和应用
15-9、促进粘附的光致抗蚀剂底层组合物
16-0、来自Sn(II)前体的光致抗蚀剂
16-1、一种改性聚酯的配方技术及其在干膜抗蚀剂用聚酯薄膜中的应用
16-2、抗蚀剂下层膜形成用组合物
16-3、用于含金属的抗蚀剂层的原位沉积和致密化处理
16-4、正型感光性树脂组合物、经图案化的抗蚀剂膜的形成方法及经图案化的抗蚀剂膜
16-5、含硅抗蚀剂用固化性树脂组合物、图案形成方法、压印模具的制造方法和半导体装置的制造方法
16-6、EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物
16-7、EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物
16-8、感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及印刷线路板的制造方法
16-9、无DNQ的化学增幅抗蚀剂组合物
17-0、肟磺酸酯化合物、含其的抗蚀剂组合物、电子器件及应用
17-1、一种干膜抗蚀剂组合物
17-2、提高含金属EUV抗蚀剂干式显影性能的涂敷/暴露后处理
17-3、光致抗蚀剂显影剂和制造半导体器件的方法
17-4、极紫外光刻用正型抗蚀剂组合物和极紫外光刻用抗蚀剂图案形成套件
17-5、光致抗蚀剂移除剂组合物
17-6、光致抗蚀剂组合物
17-7、锍盐、光酸产生剂、固化性组合物和抗蚀剂组合物
17-8、酰亚胺磺酸酯光酸、抗蚀剂组合物、电子器件及应用
17-9、一种干膜抗蚀剂层压体、树脂组合物及其配方技术
18-0、制造半导体器件的光致抗蚀剂组合物和方法
18-1、用于图案化辐射光致抗蚀剂图案化的集成干燥工艺
18-2、抗蚀剂组合物及抗蚀剂图案的制造方法以及镀敷造型物的制造方法
18-3、抗蚀剂下层膜形成用组合物
18-4、用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其剥离光致抗蚀剂的方法
18-5、干膜抗蚀剂及其配方技术
18-6、负型抗蚀剂膜层叠体及图案形成方法
18-7、感光树脂组合物及干膜抗蚀剂层压体
18-8、光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
18-9、抗蚀剂下层膜形成用组合物
19-0、感光树脂组合物、感光干膜抗蚀剂和PCB板的制作方法
19-1、肟磺酸酯光产酸剂、含其的抗蚀剂组合物、电子器件及应用
19-2、感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及印刷线路板的制造方法
19-3、化学放大型抗蚀剂组合物及使用该组合物的抗蚀剂膜的制造方法
19-4、抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法
19-5、光致抗蚀剂面漆组合物及图案形成方法
19-6、抗蚀剂剥离液组合物
19-7、用于含金属光致抗蚀剂沉积的表面改性
19-8、抗蚀剂组合物及抗蚀剂图案形成方法
19-9、一种感光性树脂组合物及抗蚀剂层压体
20-0、醇化合物、化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
20-1、电子束抗蚀剂组合物
20-2、黑矩阵用颜料分散组合物、黑矩阵用抗蚀剂组合物以及黑矩阵
20-3、黑矩阵用颜料分散组合物、黑矩阵用抗蚀剂组合物以及黑矩阵
20-4、光致抗蚀剂层脱气防止
20-5、Krf薄膜光刻用负性光致抗蚀剂组合物及其配方技术和应用
20-6、用气相注入敏化剂对EUV干式抗蚀剂进行敏化的装置和工艺
20-7、光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
20-8、用于在衬底之上涂覆光致抗蚀剂的方法和装置
20-9、一种光聚合单体，及其组成的高分辨率高附着LDI干膜抗蚀剂
21-0、光致抗蚀剂底层组合物及图案化方法
21-1、移除抗蚀剂层的方法及制造半导体结构的方法
21-2、一种干膜抗蚀剂层压体及其配方技术和应用
21-3、光致抗蚀剂底层组合物及图案化方法
21-4、一种三层干膜抗蚀剂用聚酯薄膜及其配方技术
21-5、光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
21-6、活性能量射线固化性树脂组合物、固化物、绝缘材料和抗蚀剂构件
21-7、聚酯膜、干膜抗蚀剂、聚酯膜的制造方法
21-8、一种干膜抗蚀剂
21-9、含酚性羟基树脂、碱显影性抗蚀剂用树脂组合物、和抗蚀剂固化性树脂组合物、以及含酚性羟基树脂的制造方法
22-0、黑矩阵用颜料分散组合物、黑矩阵用抗蚀剂组合物以及黑矩阵
22-1、含有磺酸盐的含硅EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物
22-2、导电性组合物、抗蚀剂被覆材料、抗蚀剂及抗蚀剂图案的形成方法
22-3、黑矩阵用颜料分散组合物、黑矩阵用抗蚀剂组合物以及黑矩阵
22-4、包含已封端的反应产物的抗蚀剂下层膜形成用组合物
22-5、干膜抗蚀剂组合物及干膜抗蚀剂层压体
22-6、含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物、图案形成方法及硅化合物
22-7、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法、电子器件的制造方法、化合物
22-8、用于金属特征的无光致抗蚀剂形成的电流体动力喷射打印和电镀
22-9、一种具有高解析度和优异附着力的光致抗蚀剂
23-0、感光树脂组合物、干膜抗蚀剂和PCB板的制作方法
23-1、抗蚀剂组合物和抗蚀剂组合物的使用方法
23-2、用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其剥离光致抗蚀剂的方法
23-3、正型感光性组合物及干膜，图案化的抗蚀剂膜、带铸模基板及镀覆造型物的制造方法
23-4、用于增强EUV光刻性能的暴露前光致抗蚀剂固化
23-5、正型感光性组合物及干膜，图案化的抗蚀剂膜、带铸模基板及镀覆造型物的制造方法
23-6、抗蚀剂精细图案形成设备和形成方法
23-7、一种含水性感光树脂及其光致抗蚀剂干膜
23-8、用于半导体制造的光致抗蚀剂
23-9、半导体光致抗蚀剂组成物及使用其形成图案的方法
24-0、电子设备制造用水溶液、抗蚀剂图案的制造方法和器件的制造方法
24-1、EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物
24-2、抗蚀剂下层膜形成用组合物
24-3、利用有机共反应物的干式沉积光致抗蚀剂
24-4、黑矩阵用颜料分散组合物、黑矩阵用抗蚀剂组合物以及黑矩阵
24-5、抗蚀剂剥离方法、抗蚀剂剥离装置以及预处理方法
24-6、含金属抗蚀剂用稀释剂组合物
24-7、抗蚀剂底层组合物和使用所述组合物形成图案的方法
24-8、负型抗蚀剂组合物
24-9、光致抗蚀剂层表面处理、盖层和形成光致抗蚀剂图案的方法
25-0、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法
25-1、一种五层干膜抗蚀剂用聚酯薄膜及其配方技术
25-2、光致抗蚀剂料片缺陷检测系统及其方法
25-3、感光性树脂组合物、抗蚀剂图案的形成方法、以及镀覆造形物的制造方法
25-4、抗蚀剂下层膜形成用组合物
25-5、抗蚀剂组合物
25-6、抗蚀剂剥离液
25-7、包含碱溶性树脂和光产酸剂的负型剥离抗蚀剂组合物以及在基板上制造金属膜图案的方法
25-8、光敏树脂组合物以及使用其的干膜光致抗蚀剂、光敏元件、电路板和显示装置
25-9、着色剂组合物、光敏树脂组合物、光致抗蚀剂、滤色器和液晶显示装置
26-0、感光性树脂组合物、抗蚀剂图案膜的制造方法、及镀敷造形物的制造方法
26-1、光敏树脂层和使用其的干膜光致抗蚀剂、光敏元件
26-2、光可分解化合物、光致抗蚀剂组合物和制造集成电路装置的方法
26-3、半导体光致抗蚀剂组合物及使用组合物形成图案的方法
26-4、化学增幅型光致抗蚀剂
26-5、新颖鎓盐、化学增幅抗蚀剂组成物、以及图案形成方法
26-6、含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物及图案形成方法
26-7、具有多个图案化辐射吸收元素和/或竖直组成梯度的光致抗蚀剂
26-8、用于光致抗蚀剂干式沉积的设备
26-9、下层膜形成用材料、抗蚀剂下层膜及层叠体
27-0、树脂组合物，干膜，干膜、抗蚀剂膜、化合物、产酸剂及N-有机磺酰氧基化合物的制造方法
27-1、负型感光性树脂组合物、感光性抗蚀剂薄膜、图案形成方法、固化膜及制造方法及辊体
27-2、形成光致抗蚀剂图案的方法
27-3、感光化射线性或感辐射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法
27-4、鎓盐化合物、化学增幅抗蚀剂组成物、以及图案形成方法
27-5、抗蚀剂组成物及图案形成方法
27-6、与外涂覆的光致抗蚀剂一起使用的涂料组合物
27-7、抗蚀剂下层膜形成用组合物
27-8、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法
27-9、聚合物及光致抗蚀剂组合物
28-0、抗蚀剂组合物以及抗蚀剂图案形成方法
28-1、用于穿透抗蚀剂镀覆的边缘去除
28-2、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法
28-3、形成屏蔽层的方法与形成光致抗蚀剂层的设备和方法
28-4、一种感光树脂组合物及其干膜抗蚀剂
28-5、光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
28-6、化学放大型感光性组合物、感光性干膜及其制造方法、抗蚀剂膜的制造方法及酸扩散抑制剂
28-7、抗蚀剂下层膜形成用组合物
28-8、利用用于高性能EUV光致抗蚀剂的高EUV吸收剂的衬底表面改性
28-9、包含具有二氰基苯乙烯基的杂环化合物的能够湿蚀刻的抗蚀剂下层膜形成用组合物
29-0、纳米压印用抗蚀剂下层膜形成用组合物
29-1、组合物、抗蚀剂底层膜、抗蚀剂底层膜的形成方法、经图案化的基板的制造方法及化合物
29-2、感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及印刷线路板的制造方法
29-3、光可分解化合物、光致抗蚀剂组合物和制造集成电路装置的方法
29-4、抗蚀剂图案金属化工艺用组合物
29-5、抗蚀剂组合物以及抗蚀剂图案形成方法
29-6、抗蚀剂组合物及抗蚀剂图案形成方法
29-7、抗蚀剂用交联型聚合物
29-8、鎓盐化合物、化学增幅抗蚀剂组成物、以及图案形成方法
29-9、具有低活化能配体或高显影剂溶解性配体的EUV光致抗蚀剂
30-0、光增感化学放大型抗蚀剂材料、图案形成方法、半导体器件、光刻用掩模、纳米压印用模板
30-1、光致抗蚀剂显影剂和使光致抗蚀剂显影的方法
30-2、用投影光学器件实现通过抗蚀剂厚度的倾斜图案化的方法
30-3、感光化射线性或感辐射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法
30-4、抗蚀剂下层膜形成用组合物
30-5、一种光致抗蚀剂
30-6、抗蚀剂组成物及图案形成方法
30-7、滤色器用红色着色组合物、滤色器用红色着色抗蚀剂组合物、滤色器及显示装置
30-8、树脂组合物、混合物、干膜抗蚀剂及相应的元件
30-9、药液、冲洗液、抗蚀剂图案形成方法
31-0、抗蚀剂剥离液组合物、平板显示器基板及其制造方法
31-1、含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物及图案形成方法
31-2、抗蚀剂剥离液高效再生装置和再生方法
31-3、药液、抗蚀剂图案的形成方法、半导体芯片的制造方法、药液收容体及药液的制造方法
31-4、抗蚀剂底层组合物和用该组合物形成图案的方法
31-5、光致抗蚀剂图案修整组合物以及图案形成方法
31-6、感光树脂组合物、干膜抗蚀剂及相应的元件
31-7、利用卤化物化学品的光致抗蚀剂显影
31-8、环氧化合物、抗蚀剂组合物、及图案形成方法
31-9、抗蚀剂组合物
32-0、抗蚀剂组合物纯化品的制造方法、抗蚀剂图案形成方法、及抗蚀剂组合物纯化品
32-1、滤色器用红色着色组合物及其制法、滤色器用红色着色抗蚀剂组合物、滤色器及显示装置
32-2、感光性组合物的制造方法及制备用预混液、感光性组合物、干膜及抗蚀剂膜的制造方法
32-3、包含自由基捕获剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物
32-4、紫外线固化性树脂组合物、彩色滤光片、彩色抗蚀剂和发光装置及它们的制造方法
32-5、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及印刷线路板的制造方法
32-6、增强含金属抗蚀剂的光刻性能的烘烤策略
32-7、黑色抗蚀剂用感光性树脂组合物以及使其硬化而成的遮光膜以及彩色滤光片
32-8、光致抗蚀剂图案修整组合物以及图案形成方法
32-9、单体、光致抗蚀剂用树脂、光致抗蚀剂用树脂组合物以及图案形成方法
33-0、着色组合物以及着色抗蚀剂组合物
33-1、用于极紫外光刻抗蚀剂改善的原子层蚀刻及选择性沉积处理
33-2、抗蚀剂组合物以及抗蚀剂图案形成方法
33-3、着色组合物以及含有其的着色抗蚀剂组合物
33-4、鎓盐化合物、化学增幅抗蚀剂组成物、以及图案形成方法
33-5、黑色矩阵用颜料分散组合物及含有其的黑色矩阵用颜料分散抗蚀剂组合物
33-6、正型抗蚀剂组成物及图案形成方法
33-7、包含二氰基苯乙烯基的能够湿蚀刻的抗蚀剂下层膜形成用组合物
33-8、包含脂环式化合物末端的聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物
33-9、用于光致抗蚀剂底层的涂料组合物
34-0、抗蚀剂剥离液
34-1、一种干膜光致抗蚀剂及其应用
34-2、感光化射线性或放射线性树脂组合物、图案形成方法、抗蚀剂膜及电子器件的制造方法
34-3、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、图案形成方法、抗蚀剂膜及电子器件的制造方法
34-4、光敏树脂组合物和使用该光敏树脂组合物的干膜光致抗蚀剂、光敏元件、电路板和显示器件
34-5、无PAG的正型化学增幅抗蚀剂组合物及使用其的方法
34-6、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法
34-7、包含杂环化合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物
34-8、光致抗蚀剂图案形成方法
34-9、抗蚀剂下层膜形成用组合物
35-0、具有含脂肪族多环结构的有机基团的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物
35-1、聚合物、抗蚀剂组合物、形成有图案的基板的制造方法、以及(甲基)丙烯酸酯及其制造方法
35-2、光致抗蚀剂去除剂
35-3、彩色滤光片用染料分散组合物及彩色滤光片用染料分散抗蚀剂组合物
35-4、光致抗蚀剂用树脂、光致抗蚀剂用树脂的制造方法、光致抗蚀剂用树脂组合物以及图案形成方法
35-5、无抗蚀剂图案化掩模
35-6、漂洗组合物和用其处理光致抗蚀剂材料表面的方法
35-7、彩色滤光片用颜料分散组合物及彩色滤光片用颜料分散抗蚀剂组合物
35-8、感光性树脂组合物、干膜及其制造方法、抗蚀剂膜、带铸模基板及镀覆造型物的制造方法
35-9、含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物及图案形成方法
36-0、抗蚀剂剥离液
36-1、光致抗蚀剂去除剂组合物
36-2、电源芯片生产用硅晶片正性光致抗蚀剂蚀刻设备及工艺
36-3、正型感光性树脂组合物、经图案化的抗蚀剂膜的形成方法、及经图案化的抗蚀剂膜
36-4、聚合物及其制造方法以及抗蚀剂用树脂组合物
36-5、感光化射线性或感辐射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法
36-6、用于形成抗蚀剂下层膜的组合物
36-7、彩色滤光片用颜料分散组合物及彩色滤光片用颜料分散抗蚀剂组合物
36-8、厚膜抗蚀剂组合物和使用该厚膜抗蚀剂组合物的抗蚀剂膜的制造方法
36-9、一种用于UV LED光源打标的感光性树脂组合物及干膜抗蚀剂
37-0、抗蚀剂底层组合物及使用此类组合物的图案形成方法
37-1、抗蚀剂下层膜形成用组合物
37-2、一种光致抗蚀剂的剥离液组合物
37-3、抗蚀剂底层组成物及使用所述组成物形成图案的方法
37-4、厚光致抗蚀剂层计量目标
37-5、正型抗蚀剂组合物和使用该正型抗蚀剂组合物的抗蚀剂图案的制造方法
37-6、光致抗蚀剂下层和形成光致抗蚀剂图案的方法
37-7、光致抗蚀剂去除用组合物
37-8、抗蚀剂组合物
37-9、光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法
38-0、光敏树脂层和使用该光敏树脂层的干膜光致抗蚀剂、光敏元件
38-1、抗蚀剂组合物、其制造方法及包含其的制品
38-2、厚膜用光致抗蚀剂组合物及厚膜光致抗蚀剂图案形成方法
38-3、抗蚀剂组合物以及抗蚀剂图案形成方法
38-4、光致抗蚀剂组合物及其固化物
38-5、半导体光致抗蚀剂组合物和使用其形成图案的方法
38-6、抗蚀剂底层组合物和使用所述组合物形成图案的方法
38-7、锍化合物、化学增幅抗蚀剂组成物、以及图案形成方法
38-8、抗蚀剂组成物及图案形成方法
38-9、一种高附着耐电镀感光干膜抗蚀剂
39-0、光致抗蚀剂组合物和用此类组合物形成抗蚀剂图案的方法
39-1、含硅抗蚀剂下层膜形成用组成物及图案形成方法
39-2、光致抗蚀剂膜的干式室清洁
39-3、聚合物及光致抗蚀剂组合物
39-4、感光性元件、阻挡层形成用树脂组合物、抗蚀剂图案的形成方法以及印刷配线板的制造方法
39-5、药液、药液容纳体、抗蚀剂图案形成方法、半导体芯片的制造方法
39-6、形成用于EUV光刻工艺的抗蚀剂底层膜的涂料组合物
39-7、锍化合物、正型抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案形成方法
39-8、化学增幅抗蚀剂组合物和图案化方法
39-9、光致抗蚀剂剥离组合物和方法
40-0、抗蚀剂和蚀刻建模
40-1、抗蚀剂组合物和图案化方法
40-2、感光性树脂组合物、抗蚀剂图案的形成方法、以及镀覆造形物的制造方法
40-3、用于加速抗蚀剂和蚀刻模型校准的实时调节方法
40-4、干膜抗蚀剂层压体
40-5、抗蚀剂的干式显影
40-6、用于改进抗蚀剂模型预测的系统和方法
40-7、抗蚀剂组合物及抗蚀剂图案的制造方法
40-8、抗蚀剂剥离液组合物
40-9、抗蚀剂组合物和图案化方法
41-0、基于酚醛清漆/DNQ的化学增幅型光致抗蚀剂
41-1、移除抗蚀剂层的方法
41-2、用于预测抗蚀剂变形的方法
41-3、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法
41-4、抗蚀剂下层膜形成用组合物
41-5、一种抗蚀剂下层膜单体和组合物及图案形成方法
41-6、抗蚀剂组合物和图案化方法
41-7、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法
41-8、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法、电子器件的制造方法、树脂
41-9、含碘的热固性含硅材料、含该材料的极紫外线光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物、及图案形成方法
42-0、抗蚀剂组合物以及抗蚀剂图案形成方法
42-1、碘鎓盐、抗蚀剂组合物和图案形成方法
42-2、抗蚀剂垫层组合物和使用所述组合物形成图案的方法
42-3、抗蚀剂下层膜形成用组合物和图案形成方法
42-4、感光性树脂膜、抗蚀剂图案的形成方法及配线图案的形成方法
42-5、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法
42-6、光致抗蚀剂去除剂组合物
42-7、整平剂、电镀液及其在电镀具有光致抗蚀剂限定特征器件中的应用
42-8、一种抗蚀剂下层膜单体和组合物及图案形成方法
42-9、组合物、以及抗蚀剂图案的形成方法和绝缘膜的形成方法
43-0、半导体抗蚀剂组合物及使用组合物形成图案的方法及系统
43-1、用于调整抗蚀剂膜的厚度的系统和方法
43-2、包含硝酸和被保护了的苯酚基的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物
43-3、用于激光烧蚀的负性光致抗蚀剂组合物及其使用方法
43-4、抗蚀剂组合物以及抗蚀剂图案形成方法
43-5、光致抗蚀剂去除剂组合物
43-6、耐氢氟酸性抗蚀剂组合物和使用其得到的基材加工品
43-7、(甲基)丙烯酸酯化合物、聚合物、抗蚀剂材料及(甲基)丙烯酸酯化合物的制造方法
43-8、化合物、墨、滤色器用抗蚀剂组合物、滤色器、热敏转印记录用片材和调色剂
43-9、抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂下层膜和其形成方法、图案形成方法以及化合物及其制造方法
44-0、化合物、包含其的光致抗蚀剂组合物、包含其的光致抗蚀剂图案和用于制备光致抗蚀剂图案的方法
44-1、光致抗蚀剂树脂组合物、膜、颜色转换元件以及电子设备
44-2、用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其剥离光致抗蚀剂的方法
44-3、鎓盐、抗蚀剂组合物和图案形成方法
44-4、抗蚀剂底层组合物和使用所述组合物形成图案的方法
44-5、光致抗蚀剂剥离组合物
44-6、正型干膜抗蚀剂及蚀刻方法
44-7、抗蚀剂组合物
44-8、碱溶性树脂、感光性树脂组合物、感光元件、抗蚀剂图案的形成方法及布线图案的形成方法
44-9、感光性树脂组合物、感光性干膜及其制造方法、抗蚀剂膜、基板及镀敷造形物的制造方法
45-0、光致抗蚀剂用树脂、光致抗蚀剂用树脂的制造方法、光致抗蚀剂用树脂组合物、以及图案形成方法
45-1、EUV图案化抗蚀剂形成方法
45-2、树脂组合物、干膜及干膜、抗蚀剂膜、基板、镀敷造形物制造方法和含氮芳香族杂环化合物
45-3、抗蚀剂组合物及图案化方法
45-4、感光性树脂组合物及其制造方法、抗蚀剂膜、图案形成方法以及电子器件的制造方法
45-5、在抗蚀剂应用中作为光酸产生剂的环状磺酸盐化合物
45-6、光致抗蚀剂组合物及形成光刻图案的方法
45-7、抗蚀剂组合物以及抗蚀剂图案形成方法
45-8、光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法
45-9、光致抗蚀剂组合物、用于制造光致抗蚀剂涂层、经蚀刻的光致抗蚀剂涂层和经蚀刻的含硅层的方法以及制造使用其的器件的方法
46-0、抗蚀剂组合物及抗蚀剂图案形成方法
46-1、化学增幅负型抗蚀剂组合物及抗蚀剂图案形成方法
46-2、抗蚀剂材料分配系统
46-3、聚合性化合物、聚合性组合物、聚合体及光致抗蚀剂用组合物
46-4、抗蚀剂组合物和图案化方法
46-5、用于光致抗蚀剂线粗糙度改善的沟槽蚀刻工艺
46-6、利用了碳氧间双键的抗蚀剂下层膜形成用组合物
46-7、包含加成了芳香族乙烯基化合物的含有三芳基二胺的酚醛清漆树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物
46-8、抗蚀剂剥离液
46-9、共聚物和正型抗蚀剂组合物
47-0、感光树脂组合物、抗蚀剂图案的形成方法、镀敷造形物的制造方法及半导体装置
47-1、抗蚀剂图案形成方法
47-2、一种抗蚀剂下层膜单体和组合物及图案形成方法
47-3、感光性元件、阻挡层形成用树脂组合物、抗蚀剂图案的形成方法及印刷线路板的制造方法
47-4、用于形成抗蚀剂图案的树脂组合物和半导体制品的制造方法
47-5、抗蚀剂下层膜形成用组合物
47-6、聚合物主链中包含杂原子的抗蚀剂下层膜形成用组合物
47-7、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法、电子器件的制造方法
47-8、抗蚀剂组合物和抗蚀膜
47-9、光致抗蚀剂剥离剂
48-0、保护组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法
48-1、无光致抗蚀剂光刻、光加工工具及使用VUV或深UV灯的方法
48-2、光致抗蚀剂剥离剂
48-3、新型盐化合物、化学增幅抗蚀剂组合物、及图案形成方法
48-4、一种抗蚀剂下层膜单体和组合物及图案形成方法
48-5、感光性树脂组合物、感光性干膜、图案化抗蚀剂膜、带铸模基板及镀敷造形物的制造方法
48-6、抗蚀剂图案形成方法
48-7、抗蚀剂组合物以及抗蚀剂图案形成方法
48-8、感光性元件、阻挡层形成用树脂组合物、抗蚀剂图案的形成方法以及印刷配线板的制造方法
48-9、锍盐、光产酸剂、固化性组合物和抗蚀剂组合物
49-0、光致抗蚀剂面漆组合物及加工光致抗蚀剂组合物的方法
49-1、包含与缩水甘油基酯化合物的反应生成物的抗蚀剂下层膜形成用组合物
49-2、抗蚀剂图案的制造方法、电路基板的制造方法及触摸面板的制造方法
49-3、彩色滤光片用颜料分散组合物及彩色滤光片用抗蚀剂组合物
49-4、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法、电子器件的制造方法
49-5、一种可直接光描绘成像的抗蚀剂组合物及层压体
49-6、抗蚀剂剥离液
49-7、干膜抗蚀剂用聚酯薄膜
49-8、单体、光致抗蚀剂用树脂、光致抗蚀剂用树脂组合物以及图案形成方法
49-9、颜料分散体、以及使用该颜料分散体的滤色器用抗蚀剂组合物和墨组合物
50-0、抗蚀剂组合物和抗蚀剂膜
50-1、化合物、包含其的光致抗蚀剂组合物、包含其的光致抗蚀剂图案和用于制造光致抗蚀剂图案的方法
50-2、感光性树脂组合物、干膜抗蚀剂
50-3、使用了环式羰基化合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物
50-4、锍盐、光酸产生剂、固化性组合物和抗蚀剂组合物
50-5、用于EUV光刻的有机金属簇光致抗蚀剂
50-6、鎓盐、负型抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案形成方法
50-7、感光性树脂组合物、抗蚀剂图案的形成方法、镀覆成形物的制造方法及半导体装置
50-8、单体、聚合物、负型抗蚀剂组合物、光掩模坯和抗蚀剂图案形成方法
50-9、感光性树脂组合物及干膜，感光性干膜、抗蚀剂膜、带铸模基板及镀覆造型物的制造方法
51-0、包含多种生酸剂化合物的光致抗蚀剂
51-1、抗蚀剂下层膜形成用组合物及使用了该组合物的抗蚀剂图案的形成方法
51-2、抗蚀剂组合物以及抗蚀剂图案形成方法
51-3、导电膜及其制造方法、导电体、抗蚀剂图形的形成方法及层叠体
51-4、鎓盐、化学增幅正型抗蚀剂组合物及抗蚀剂图案形成方法
51-5、抗蚀剂组合物和图案化方法
51-6、具有二硫醚结构的抗蚀剂下层膜形成用组合物
51-7、新的鎓盐、化学放大抗蚀剂组合物和图案化方法
51-8、抗蚀剂下层膜形成用组合物、光刻用下层膜和图案形成方法
51-9、抗蚀剂剥离液
52-0、聚乙烯膜及干膜抗蚀剂
52-1、感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及印刷线路板的制造方法
52-2、由光致抗蚀剂层包围的导电结构元件的厚度测量
52-3、用于评估抗蚀剂显影的方法
52-4、使用光刻法和光致抗蚀剂制造制品的设备和方法
52-5、光致产酸剂和包含其的用于厚膜的化学增幅型正性光致抗蚀剂组合物
52-6、抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、及抗蚀剂下层膜形成方法
52-7、含酸基（甲基）丙烯酸酯树脂、固化性树脂组合物、阻焊剂用树脂材料及抗蚀剂构件
52-8、抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法、以及化合物和树脂
52-9、锍盐、抗蚀剂组合物及图案形成方法
53-0、与光致抗蚀剂一起使用的下层涂料组合物
53-1、盐和包含其的光致抗蚀剂
53-2、抗蚀剂图案形成方法
53-3、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及固体摄像元件的制造方法
53-4、多官能光致产酸剂和包含其的用于厚层的化学增幅型光致抗蚀剂组合物
53-5、一种感光碱溶性树脂及其配方技术及负性抗蚀剂组合物
53-6、抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂下层膜、抗蚀剂图案的形成方法及半导体装置的制造方法
53-7、光致生酸化合物和包含它的光致抗蚀剂组合物，包含光致抗蚀剂的涂覆制品及其制造方法
53-8、抗蚀剂组合物以及抗蚀剂图案形成方法
53-9、单体、聚合物、抗蚀剂组合物和图案化方法
54-0、抗蚀剂剥离液组合物
54-1、抗蚀剂组合物及抗蚀图案形成方法以及化合物及酸扩散控制剂
54-2、抗蚀剂组合物及抗蚀图案形成方法
54-3、抗蚀剂的品质管理方法及得到抗蚀剂的品质预测模型的方法
54-4、包含碱溶性树脂和交联剂的负型剥离抗蚀剂组合物以及在衬底上制造金属膜图案的方法
54-5、树脂组合物、干膜及制造方法、抗蚀剂膜与基板及镀覆造形物的制造方法、巯基化合物
54-6、多触发光致抗蚀剂组合物和方法
54-7、改善了平坦化性的抗蚀剂下层膜形成用组合物
54-8、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法
54-9、化学增幅型光致抗蚀剂组合物、光致抗蚀剂图案和用于制备光致抗蚀剂图案的方法
55-0、碱性显影液可溶性的含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物
55-1、具有羰基结构的含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物
55-2、与光致抗蚀剂一起使用的底层涂料组合物
55-3、图案形成方法和光致抗蚀剂图案外涂层组合物
55-4、抗蚀剂下层膜形成用组合物
55-5、光致抗蚀剂剥离剂
55-6、抗蚀剂垫层组成物和使用所述组成物形成图案的方法
55-7、化学增幅型正型感光性树脂组成物、光致抗蚀剂图案及其形成方法以及电子装置
55-8、包含具有具有脲键的结构单元的聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物
55-9、感放射线性组合物及抗蚀剂图案形成方法
56-0、下层膜形成用材料、抗蚀剂下层膜、抗蚀剂下层膜的制造方法及层叠体
56-1、抗蚀剂下层膜形成用组合物
56-2、一种环保型光致抗蚀剂的配方技术
56-3、光产生装置、具备光产生装置的曝光装置、曝光系统、光产生方法及曝光光致抗蚀剂制造方法
56-4、抗蚀剂下层膜形成用新型聚合物、包含其的抗蚀剂下层膜形成用组合物和利用该组合物制造半导体元件的方法
56-5、图案形成方法、离子注入方法、层叠体、试剂盒、抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂组合物及电子器件的制造方法
56-6、光致抗蚀剂面涂层组合物和处理光致抗蚀剂组合物的方法
56-7、抗蚀剂图案形成方法
56-8、光致抗蚀剂用酚醛树脂组合物及光致抗蚀剂组合物
56-9、正性光致抗蚀剂组合物、使用其的光致抗蚀剂图案和光致抗蚀剂图案的制造方法
57-0、从回收抗蚀剂剥离剂回收二甲基亚砜的方法
57-1、抗蚀剂剥离液组合物
57-2、抗蚀剂组合物及抗蚀图案形成方法
57-3、一种环糊精衍生物型光敏树脂及其配方技术、基于其的抗蚀剂组合物和应用
57-4、黑色颜料分散组合物和包含其的黑色颜料分散抗蚀剂组合物
57-5、光致抗蚀剂去除用剥离液组合物
57-6、抗蚀剂除去用组合物
57-7、抗蚀剂的剥离液
57-8、含有新型多触发单体的抗蚀剂组合物和方法
57-9、利用离子植入的极紫外光光致抗蚀剂的效能改善
58-0、光致抗蚀剂组合物和使用其的光致抗蚀剂膜
58-1、在氮化硅上的光致抗蚀剂图案化
58-2、除去光致抗蚀剂图案化浮渣的原子层清洁
58-3、包含酰胺溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物
58-4、抗蚀剂去除方法以及抗蚀剂去除装置
58-5、正性光致抗蚀剂组合物、由其制造的图案和用于制造图案的方法
58-6、抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、及抗蚀剂下层膜形成方法
58-7、单体、聚合物、抗蚀剂组合物和图案化方法
58-8、化合物、包含化合物的抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法
58-9、用于减少抗蚀剂模型预测误差的系统和方法
59-0、使用了芴化合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物
59-1、抗蚀剂下层膜形成用组合物
59-2、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法
59-3、附有抗蚀剂多层膜的基板及图案形成方法
59-4、与外涂布光致抗蚀剂一起使用的涂料组合物
59-5、锍化合物、抗蚀剂组合物和图案化方法
59-6、光致抗蚀剂组合物和使用其的光致抗蚀剂膜
59-7、抗蚀剂组合物以及抗蚀剂图案形成方法
59-8、两性离子化合物和包括其的光致抗蚀剂
59-9、一种具有良好孔掩蔽功能可直接描绘曝光成像的抗蚀剂组合物
60-0、光致抗蚀剂组合物
60-1、下层膜形成用树脂材料、抗蚀剂下层膜、抗蚀剂下层膜的制造方法及层叠体
60-2、感光性树脂组合物、干膜抗蚀剂及树脂组合物与干膜抗蚀剂的硬化物
60-3、光致抗蚀剂组合物和方法
60-4、一种低泡型高附着性感光干膜抗蚀剂
60-5、与外涂覆的光致抗蚀剂一起使用的涂料组合物
60-6、锍盐、聚合物、抗蚀剂组合物和图案化方法
60-7、化学增幅型光致抗蚀剂组合物和使用其的光致抗蚀剂膜
60-8、黑色基质用颜料分散组合物及含有其的黑色基质用颜料分散抗蚀剂组合物
60-9、抗蚀剂图案形成方法
61-0、去除图案化光致抗蚀剂的方法
61-1、用于化学增幅抗蚀剂组合物的含碘聚合物
61-2、石墨烯改性的干膜光致抗蚀剂及其在印刷线路板中的应用
61-3、正型抗蚀剂膜层合体和图案形成方法
61-4、用于生产底切图案轮廓的负性抗蚀剂配制剂
61-5、抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂下层膜及其形成方法和形成有图案的基板的制造方法
61-6、抗蚀剂亲水化处理剂
61-7、使用包含具有铵基的有机基的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物的半导体装置的制造方法
61-8、光致抗蚀剂组合物、其图案形成方法及应用
61-9、光致抗蚀剂面涂层组合物和处理光致抗蚀剂组合物的方法
62-0、用于控制流体抗蚀剂液滴的布置的系统和方法
62-1、抗蚀剂材料
62-2、化合物、滤色器用抗蚀剂组合物、滤色器、染色纤维和染色方法
62-3、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法、带抗蚀剂膜的空白掩模、光罩的制造方法、电子元件的制造方法
62-4、抗蚀剂组合物和图案形成方法
62-5、光致抗蚀剂剥离剂及光致抗蚀剂剥离方法
62-6、功能构造体制造方法以及光致抗蚀剂处理装置
62-7、正型抗蚀剂组合物、抗蚀剂膜形成方法及层叠体的制造方法
62-8、盐和包含其的光致抗蚀剂
62-9、黑色着色组合物和包含其的黑色着色抗蚀剂组合物
63-0、化学增幅型正型抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案形成方法
63-1、抗蚀剂下层膜形成用组合物
63-2、抗蚀剂环化聚异戊二烯的生产装置
63-3、放射线敏感性树脂组合物及抗蚀剂
63-4、一种高粘附力速显影性干膜抗蚀剂
63-5、光敏化学放大型抗蚀剂（PS-CAR）模型校准
63-6、抗蚀剂组合物和图案化方法
63-7、抗蚀剂下层膜形成用组合物及使用了该组合物的抗蚀剂图案的形成方法
63-8、光酸产生化合物和相关聚合物、光致抗蚀剂组合物以及形成光致抗蚀剂浮雕图像的方法
63-9、锍化合物、抗蚀剂组合物和图案化方法
64-0、用于形成膜密度提高了的抗蚀剂下层膜的组合物
64-1、化学增幅正型抗蚀剂膜层叠体和图案形成方法
64-2、抗蚀剂剥离液组合物
64-3、光酸产生单体、自其衍生的聚合物、包括所述聚合物的光致抗蚀剂组合物
64-4、光致抗蚀剂脱除组合物及利用其的电子元件的制造方法
64-5、一种混凝土抗蚀剂
64-6、水系抗蚀剂剥离液的调制装置以及非水系抗蚀剂剥离液的调制装置
64-7、锍盐、抗蚀剂组合物和图案化方法
64-8、感光性树脂组合物、感光性元件、带抗蚀剂图案的基板的制造方法、以及印刷配线板的制造方法
64-9、具有高分辨率和高纵横比的KrF激光用负性光致抗蚀剂组合物
65-0、负型抗蚀剂组合物及抗蚀图案形成方法
65-1、单体、聚合物和光致抗蚀剂组合物
65-2、干式蚀刻用热反应型抗蚀剂材料、模具的制造方法及模具
65-3、用于负型可显影光致抗蚀剂的计算机建模及模拟的改进方法
65-4、抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、抗蚀剂下层膜形成方法、及抗蚀剂下层膜材料用化合物
65-5、蚀刻用掩蔽抗蚀剂组合物、使用其的基板的制造方法和发光元件的制造方法
65-6、包含含有三芳基二胺的酚醛清漆树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物
65-7、抗蚀剂下层膜形成用组合物
65-8、含有添加剂的含硅极紫外抗蚀剂下层膜形成用组合物
65-9、提高光致抗蚀剂与铜附着力的附着力促进剂及其使用方法
66-0、邻重氮萘醌正性光致抗蚀剂的生产装置
66-1、抗蚀剂剥离液组合物
66-2、光致抗蚀剂去除装置及方法
66-3、抗蚀剂组合物和图案化方法
66-4、抗蚀剂组合物及抗蚀图案形成方法
66-5、使用了溶剂置换法的抗蚀剂图案涂布用组合物的制造方法
66-6、光酸生成化合物和相关聚合物，光致抗蚀剂组合物，和形成光致抗蚀剂浮雕图像的方法
66-7、单体、聚合物和光致抗蚀剂组合物
66-8、与外涂布光致抗蚀剂一起使用的涂料组合物
66-9、化学放大型负性光致抗蚀剂组合物
67-0、锍化合物、抗蚀剂组合物及图案形成方法
67-1、抗蚀剂材料和图案形成方法
67-2、化学增幅型负型抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案形成方法
67-3、抗蚀剂剥离液组合物
67-4、抗蚀剂图案形成方法及抗蚀剂
67-5、能够电镀大尺寸化经光致抗蚀剂限定的特征的铜电镀浴和电镀方法
67-6、光致抗蚀剂面漆组合物和加工光致抗蚀剂组合物的方法
67-7、化学放大型正性光致抗蚀剂组合物和使用它的图案形成方法
67-8、抗蚀剂图案被覆用水溶液以及使用了该水溶液的图案形成方法
67-9、一种石墨烯基混凝土抗蚀剂及其应用
68-0、在利用负性光致抗蚀剂的图案化工艺中LWR改善方法与组合物
68-1、抗蚀剂下层膜形成用组合物、光刻用下层膜、及图案形成方法
68-2、环化聚异戊二烯抗蚀剂的生产装置
68-3、抗蚀剂剥离液和抗蚀剂的剥离方法
68-4、抗蚀剂聚烃类双叠氮聚合物的生产装置
68-5、冲洗组合物、形成抗蚀剂图案的方法以及半导体器件的配方技术
68-6、包含具有乙内酰脲环的化合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物
68-7、酚醛清漆型树脂及抗蚀剂材料
68-8、抗蚀剂剥离液组合物
68-9、热产酸剂及使用其的抗蚀剂组合物
69-0、抗蚀剂图案被覆用水溶液及使用了该水溶液的图案形成方法
69-1、抗蚀剂组合物和图案化方法
69-2、抗蚀剂组合物及抗蚀剂图案形成方法、高分子化合物及共聚物
69-3、含酚羟基树脂及抗蚀剂材料
69-4、抗蚀剂剥离液组合物
69-5、与外涂布光致抗蚀剂一起使用的涂料组合物
69-6、经边缘放置误差预测的光致抗蚀剂设计布局图案邻近校正
69-7、抗蚀剂组合物和图案化方法
69-8、自含有吡唑化合物和双环氧化物的反应产物的铜电镀浴液电镀光致抗蚀剂限定的特征的方法
69-9、抗蚀剂组合物和图案化方法
70-0、抗蚀剂基板预处理组合物和抗蚀剂基板的制造方法
70-1、使用光敏化学品或光敏化学放大抗蚀剂的临界尺寸控制
70-2、无规共聚物、抗蚀剂组合物、滤色器及无规共聚物的制造方法
70-3、包含具有二羟基的有机基的含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物
70-4、聚合物、正型抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案形成方法
70-5、环境稳定的厚膜的化学放大抗蚀剂
70-6、形成抗蚀剂图案的方法
70-7、光致抗蚀剂组合物以及使用其形成精细图案的方法
70-8、一类用于双光子光刻的抗蚀剂及其应用
70-9、正型抗蚀剂组合物、抗蚀剂图案形成方法和光掩模坯
71-0、抗蚀剂的剥离液
71-1、包含含有酰胺基的聚酯的抗蚀剂下层膜形成用组合物
71-2、抗蚀剂剥离液组合物及利用其的抗蚀剂的剥离方法
71-3、包含萘酚芳烷基树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物
71-4、含酚羟基树脂及抗蚀剂材料
71-5、一种水系光致抗蚀剂剥离液及其配方技术
71-6、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法、电子器件的制造方法
71-7、利用选定的蚀刻剂气体混合物以及调整操作变量修整无机抗蚀剂
71-8、与外涂光致抗蚀剂一起使用的涂层组合物
71-9、经注入的光致抗蚀剂的剥离处理
72-0、在利用负性光致抗蚀剂的图案化工艺中LWR改善方法与组合物
72-1、抗蚀剂剥离液组合物
72-2、抗蚀剂组合物及抗蚀图案形成方法
72-3、用于沉积阻挡层以防止光致抗蚀剂中毒的衬底处理方法
72-4、一种可直接描绘曝光成像的抗蚀剂组合物及抗蚀剂层压体
72-5、高分子化合物、负型抗蚀剂组合物、层叠体、图案形成方法及化合物
72-6、用于缩短纳米压印光刻的填充时间的压印抗蚀剂和基材预处理
72-7、包含具有甘脲骨架的化合物作为添加剂的抗蚀剂下层膜形成组合物
72-8、抗蚀剂组合物
72-9、用于在光致抗蚀剂衬底上生成图案的光刻设备
73-0、抗蚀剂下层膜形成用组合物
73-1、抗蚀剂剥离液组合物、显示器基板及其制造方法
73-2、光致抗蚀剂显影液组合物及光致抗蚀剂图案形成方法
73-3、聚合物、正性抗蚀剂组合物以及形成抗蚀剂图案的方法
73-4、光敏化学放大型抗蚀剂（PS-CAR）模拟
73-5、新型锍化合物及其制造方法、抗蚀剂组合物、以及图案形成方法
73-6、光致抗蚀剂图案缩小组合物与图案缩小方法
73-7、与外涂布光致抗蚀剂一起使用的涂料组合物
73-8、高耐热性抗蚀剂组合物以及使用其的图案形成方法
73-9、光致抗蚀剂剥离剂组合物
74-0、聚合物及正性抗蚀剂组合物
74-1、抗蚀剂组合物及抗蚀图案的制造方法
74-2、包含吲哚并咔唑酚醛清漆树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物
74-3、用于激光烧蚀的负性光致抗蚀剂组合物及其使用方法
74-4、自含有咪唑和双环氧化物化合物的反应产物的铜电镀浴电镀光致抗蚀剂限定的特征的方法
74-5、抗蚀剂剥离液组合物
74-6、感光性元件、层叠体、抗蚀剂图案的形成方法和印刷配线板的制造方法
74-7、含氟化合物、活性聚合引发剂、含氟聚合物、含氟聚合物的制造方法及抗蚀剂组合物
74-8、感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及触摸面板的制造方法
74-9、纳米粒子‑聚合物抗蚀剂
75-0、抗蚀剂剥离液组合物及使用其的抗蚀剂剥离方法
75-1、光致生酸剂、包含所述光致生酸剂的光致抗蚀剂以及包含所述光致抗蚀剂的经涂覆的制品
75-2、聚合物及正型抗蚀剂组合物
75-3、抗蚀剂图案形成方法和抗蚀剂材料
75-4、光掩模坯、抗蚀剂图案形成方法和光掩模的制造方法
75-5、光致抗蚀剂面漆组合物和加工光致抗蚀剂组合物的方法
75-6、抗蚀剂组合物和干膜
75-7、防止光致抗蚀剂显影剂蚀刻的缓冲层
75-8、放射线敏感性树脂组合物、抗蚀剂图案形成方法和酸扩散控制剂
75-9、高分子化合物、正型抗蚀剂组合物、层叠体及抗蚀剂图案形成方法
76-0、酸产生剂化合物和包含所述化合物的光致抗蚀剂
76-1、抗蚀基材、抗蚀剂组合物及抗蚀图案形成方法
76-2、光致抗蚀剂成分浓度测定装置及浓度测定方法
76-3、抗蚀剂图案被覆用涂布液及图案的形成方法
76-4、抗蚀剂组合物、抗蚀剂图案形成方法、产酸剂成分以及化合物
76-5、干膜抗蚀剂、电路布线的制造方法、电路布线、输入装置及显示装置
76-6、抗蚀剂剥离液组合物及利用其的抗蚀剂的剥离方法
76-7、抗蚀剂组合物
76-8、抗蚀剂组合物和干膜
76-9、抗蚀剂剥离液组合物
77-0、彩色抗蚀剂或有机膜剥离液组合物
77-1、用于制备抗蚀剂下层膜的聚合物，含有其的组合物及使用该组合物制造半导体装置的方法
77-2、抗蚀剂组合物、抗蚀图案形成方法、及用于其的多酚化合物
77-3、紫外线照射装置、抗蚀剂图案形成装置、紫外线照射方法及抗蚀剂图案形成方法
77-4、负型抗蚀剂组合物和图案形成方法
77-5、具有浮动保护剂的光刻抗蚀剂
77-6、聚合物及正性抗蚀剂组合物
77-7、光致抗蚀剂组合物和方法
77-8、与外涂布光致抗蚀剂一起使用的涂料组合物
77-9、化学增幅型正型抗蚀剂组合物和图案形成方法
78-0、彩色抗蚀剂剥离液组合物
78-1、化学增幅型正型抗蚀剂组合物和图案化方法
78-2、新型肟酯衍生物化合物、包含其的光聚合引发剂及光致抗蚀剂组合物
78-3、与外涂布光致抗蚀剂一起使用的涂料组合物
78-4、树脂、抗蚀剂组合物和抗蚀图案的制造方法
78-5、在抗蚀剂应用中作为光酸生成剂的磺酸衍生化合物
78-6、热酸产生剂以及光致抗蚀剂图案修整组合物和方法
78-7、使用双频电容耦合等离子体(CCP)以EUV抗蚀剂进行的沟槽和孔图案化
78-8、自含有α氨基酸和双环氧化物的反应产物的铜电镀浴电镀光致抗蚀剂限定的特征的方法
78-9、抗蚀剂组合物和图案化方法
79-0、酸不稳定超支化共聚物和相关联的光致抗蚀剂组合物以及形成电子器件的方法
79-1、阳离子聚合性抗蚀剂下层膜形成用组合物
79-2、一种纳米压印抗蚀剂
79-3、芴衍生物、包含其的光聚合引发剂及光致抗蚀剂组合物
79-4、感光性元件、阻挡层形成用树脂组合物、抗蚀剂图案的形成方法以及印刷配线板的制造方法
79-5、光致抗蚀剂组合物、包括光致抗蚀剂组合物的经涂布衬底和形成电子装置的方法
79-6、耐蚀刻性优秀的I线用负性光致抗蚀剂组合物
79-7、灵敏度增强的光致抗蚀剂
79-8、一种光致抗蚀剂组合物及其用途
79-9、使用新型鎓盐的化学增幅型负型抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案形成方法
80-0、化合物、抗蚀剂组合物及使用其的抗蚀图案形成方法
80-1、正型光致抗蚀剂组合物
80-2、嵌段共聚物和相关光致抗蚀剂组合物以及形成电子装置的方法
80-3、抗蚀剂剥离液组合物、平板显示器基板及其制造方法
80-4、结构上的光致抗蚀剂图案制作工艺
80-5、聚合物及正型抗蚀剂组合物
80-6、抗蚀剂剥离液
80-7、图案形成方法、抗蚀剂图案、电子器件的制造方法及上层膜形成用组合物
80-8、抗蚀剂剥离液组合物及使用其的抗蚀剂剥离方法
80-9、光致抗蚀剂组合物
81-0、用于形成半导体图案的KrF激光用负性光致抗蚀剂组合物
81-1、热酸产生剂以及光致抗蚀剂图案修整组合物和方法
81-2、包含具有长链烷基的环氧基加成体的抗蚀剂下层膜形成用组合物
81-3、自铜电镀覆浴液电镀覆光致抗蚀剂限定的特征的方法
81-4、抗蚀剂图案涂布用组合物
81-5、抗蚀剂剥离液组合物、平板及其制造方法和显示装置
81-6、从金属板上除去抗蚀剂膜的方法及经蚀刻的金属板的制造方法
81-7、包含具有碳酸酯骨架的水解性硅烷的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物
81-8、抗蚀剂剥离液
81-9、用于制备抗蚀剂下层膜的聚合物，含有其的组合物及使用该组合物制造半导体装置的方法
82-0、抗蚀剂剥离液
82-1、化学增幅型正型抗蚀剂组合物和图案形成方法
82-2、屏障过滤器及过滤方法、光刻用药液纯化品的制造方法以及抗蚀剂图案形成方法
82-3、抗蚀剂组合物及抗蚀图案的制造方法
82-4、用于确定抗蚀剂变形的方法
82-5、光致抗蚀剂组合物和方法
82-6、抗蚀剂剥离液
82-7、抗蚀剂下层膜的形成方法
82-8、抗蚀剂组合物及抗蚀图案的制造方法
82-9、光碱产生剂以及包含其的光致抗蚀剂组合物
83-0、聚倍半硅氧烷树脂组合物及包含其的遮光用黑色抗蚀剂组合物
83-1、送液性得到改善的光刻用药液及包含其的抗蚀剂组合物
83-2、上层膜形成用组合物、图案形成方法、抗蚀剂图案及电子器件的制造方法
83-3、光致抗蚀剂剥离液
83-4、包含含有乙烯基或(甲基)丙烯酰氧基的聚硅氧烷的抗蚀剂图案涂布用组合物
83-5、含有含长链烷基的酚醛清漆的抗蚀剂下层膜形成用组合物
83-6、抗蚀剂下层膜形成用组合物用添加剂及包含该添加剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物
83-7、抗蚀剂下层膜形成用组合物
83-8、光致抗蚀剂组合物及制造薄膜晶体管基板的方法
83-9、抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液、抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的制造方法及抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的收容容器以及使用这些的图案形成方法及电子元件的制造方法
84-0、抗蚀剂下层膜形成用组合物
84-1、化学增幅型正型抗蚀剂干膜、干膜层合体和制备层合体的方法
84-2、光致抗蚀剂图案形成方法
84-3、抗蚀剂剥离剂组合物、平板显示器的制法及平板显示器
84-4、含三芳基甲烷类色素的彩色滤光片用着色组合物及含有其的抗蚀剂组合物
84-5、图案形成方法、上层膜形成用组合物、抗蚀剂图案及电子元件的制造方法
84-6、化学放大正型抗蚀剂组合物和图案化方法
84-7、一种干膜光致抗蚀剂
84-8、光致抗蚀剂组合物和形成电子装置的相关方法
84-9、光致抗蚀剂组合物及使用其制造显示基板的方法
85-0、磺酸衍生物化合物、光产酸剂、抗蚀剂组合物、阳离子聚合引发剂和阳离子聚合性组合物
85-1、两步光致抗蚀剂组合物以及方法
85-2、用于解耦合光致抗蚀剂的扩散和溶解性切换机制的手段
85-3、用于液晶显示面板的黑色矩阵光致抗蚀剂组合物
85-4、一种干膜抗蚀剂层压体
85-5、带有有机硅结构的聚合物、负型抗蚀剂组合物、光固化性干膜和图案化方法
85-6、抗蚀剂除去装置以及抗蚀剂除去方法
85-7、光致抗蚀剂组合物和形成电子装置的相关方法
85-8、抗蚀剂图案被覆用涂布液
85-9、光致抗蚀剂外涂层组合物
86-0、含有具有苯基生色团的硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物
86-1、含有包含丙烯酰胺结构和丙烯酸酯结构的聚合物的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物
86-2、抗蚀剂树脂及其制造方法
86-3、半导体装置的制造方法及光致抗蚀剂
86-4、单体、聚合物、抗蚀剂组合物和图案化方法
86-5、基板处理装置以及抗蚀剂剥离装置
86-6、抗蚀剂上层膜形成用组合物和使用它的半导体装置的制造方法
86-7、抗蚀剂上层膜形成用组合物及使用该组合物的半导体装置的制造方法
86-8、液态光致抗蚀剂用苯乙烯马来酸酐改性树脂的合成方法
86-9、图案化光致抗蚀剂的去除
87-0、图案形成方法、抗蚀剂图案及电子元件的制造方法
87-1、含氟热分解性树脂、抗蚀剂组合物、滤色器保护膜用组合物、抗蚀膜及滤色器保护膜
87-2、涂布于抗蚀剂图案的含有聚合物的涂布液
87-3、干膜抗蚀剂用保护膜和感光性树脂叠层体
87-4、具有改进的硅钝化的半水性光致抗蚀剂或半导体制造残余物剥离和清洁组合物
87-5、一种感光干膜抗蚀剂
87-6、包含具有亚芳基的聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物
87-7、抗蚀剂下层膜形成用组合物以及使用该组合物的抗蚀剂图案的形成方法
87-8、负性抗蚀剂组合物和其中的多官能聚合物
87-9、一种具有良好孔掩蔽功能的干膜抗蚀剂及其层压体
88-0、包含芳香族羟甲基化合物反应而得的酚醛清漆树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物
88-1、化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的收容容器及其用途
88-2、光可破坏淬灭剂和相关光致抗蚀剂组合物以及装置形成方法
88-3、用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其剥离光致抗蚀剂的方法
88-4、烷撑二醇单烷基醚的分离回收方法、抗蚀剂组合物处理废液的再利用方法和抗蚀剂组合物处理液的循环使用方法
88-5、具有含脂肪族多环结构的有机基团的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物
88-6、感光性元件、层叠体、永久掩模抗蚀剂及其制造方法以及半导体封装体的制造方法
88-7、具有卤代磺酰基烷基的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物
88-8、抗蚀剂组合物和使用该抗蚀剂组合物的导电图案的制造方法
88-9、增加光致抗蚀剂分配系统中再循环和过滤的方法和设备
89-0、于抗蚀剂应用中作为光酸生成剂的磺酸衍生化合物
89-1、光刻图案化工艺和在其中使用的抗蚀剂
89-2、炉缸整体造衬工艺用原位抗蚀剂及其配方技术和应用
89-3、包含具有含卤素的羧酸酰胺基的水解性硅烷的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物
89-4、用于除去光致抗蚀剂残渣和/或聚合物残渣的组合物
89-5、与经外涂布的光致抗蚀剂一起使用的涂层组合物
89-6、光掩模坯、抗蚀剂图案形成方法和光掩模的制造方法
89-7、抗蚀剂剥离剂组合物和利用其剥离抗蚀剂的方法
89-8、彩色滤光片用红色颜料分散抗蚀剂组合物
89-9、用于精确光致抗蚀剂轮廓预测的模型
90-0、电子束抗蚀剂组合物
90-1、物质组合物以及由其制成的分子抗蚀剂
90-2、含酚羟基树脂、制法、感光性或固化性组合物、抗蚀材料、涂膜、固化物、及抗蚀剂下层膜
90-3、含有包含封端异氰酸酯结构的聚合物的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物
90-4、光致抗蚀剂图案修整组合物和方法
90-5、添加剂以及包含该添加剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物
90-6、抗蚀剂剥离剂组合物
90-7、能够湿式除去的含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物
90-8、负性显影剂相容性的光致抗蚀剂组合物及使用方法
90-9、芳香族锍盐化合物、光产酸剂、抗蚀剂组合物、阳离子聚合引发剂和阳离子聚合性组合物
91-0、增强离子植入的抗蚀剂去除的等离子体干式剥离预处理
91-1、新型β-肟酯芴化合物、包含其的光聚合引发剂和光致抗蚀剂组合物
91-2、化学增幅型负型抗蚀剂组合物、光固化性干膜、配方技术、图案化方法和电气/电子部件保护膜
91-3、提高了再生收率的光致抗蚀剂高沸点剥离废液再生方法
91-4、抗蚀剂下层膜形成用感光性组合物及抗蚀剂下层膜
91-5、含有芳香族乙烯基化合物加成的酚醛清漆树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物
91-6、抗蚀剂剥离剂组合物
91-7、抗蚀剂下层膜形成用组合物
91-8、表面活性剂、涂料组合物和抗蚀剂组合物
91-9、利用光二聚化学作用的光致抗蚀剂和使用该光致抗蚀剂的有机发光二极管显示器的制造方法
92-0、生酸剂化合物和含有其的光致抗蚀剂组合物
92-1、含有具有多核苯酚的酚醛清漆树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物
92-2、光致抗蚀剂组合物
92-3、感光树脂组合物、抗蚀剂层压体及它们的固化产物(7)
92-4、一种封闭抗蚀剂及其配方技术和用途以及热镀金属材料
92-5、厚膜负性光致抗蚀剂剥离剂组成成分
92-6、新型丙烯酸类单体、聚合物和包含该聚合物的抗蚀剂组合物
92-7、色素化合物、墨、滤色器用抗蚀剂组合物和热敏转印记录用片材
92-8、抗蚀剂剥离剂
92-9、光酸发生剂及含有它的抗蚀剂组合物
93-0、用于抗蚀剂底层膜的组合物、使用组合物的图案形成方法及包括图案的半导体集成电路装置
93-1、用于除去厚膜抗蚀剂的剥离和清除组合物
93-2、微细凹凸结构体、干式蚀刻用热反应型抗蚀剂材料、模具的制造方法及模具
93-3、高密合性抗蚀剂下层膜形成用组合物
93-4、用于润湿预处理以进行贯通抗蚀剂金属电镀的方法和装置
93-5、含有添加剂的含硅极紫外抗蚀剂下层膜形成用组合物
93-6、感光树脂组合物、其抗蚀剂层压体和固化产物(1)
93-7、永久掩模抗蚀剂用感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法和印刷配线板的制造方法
93-8、感光树脂组合物、其抗蚀剂层压体和固化产物(2)
93-9、含有含苯基吲哚的酚醛清漆树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物
94-0、光敏丙烯酸AED树脂和包括它的负性光致抗蚀剂组合物及其配方技术
94-1、感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法以及印刷配线板的制造方法
94-2、喷墨打印的抗蚀剂
94-3、抗蚀剂剥离液的再生方法以及再生装置
94-4、着色化合物及包含所述着色化合物的墨、滤色器用抗蚀剂组合物和热转印记录用墨片
94-5、一种含N-苯基马来酰亚胺光敏丙烯酸树脂的合成及其在负性光致抗蚀剂中的应用
94-6、印刷抗蚀剂用活性能量线固化型树脂组合物、抗蚀图案的形成方法、层压体及印刷电路板
94-7、聚合物组合物、包含该聚合物组合物的光致抗蚀剂以及包含该光致抗蚀剂的涂覆制品
94-8、色素化合物、墨、热敏转印记录用片材和滤色器用抗蚀剂组合物
94-9、含有具有杂环的共聚树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物
95-0、抗蚀剂密合性提高剂和铜配线制造方法
95-1、抗蚀剂组合物
95-2、光致生酸化合物和包含它的光致抗蚀剂组合物,包含光致抗蚀剂的涂覆制品及其制造方法
95-3、抗蚀剂膜清洗组合物
95-4、负性工作厚膜光致抗蚀剂
95-5、用于光刻的清洗剂、抗蚀剂图案形成方法及半导体器件制造方法
95-6、化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液、化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的收容容器、以及使用其的图案形成方法、电子元件的制造方法及电子元件
95-7、包含多种生酸剂化合物的光致抗蚀剂
95-8、高分子化合物、光致抗蚀剂用树脂组合物、及半导体的制造方法
95-9、具有砜结构及胺结构的含硅抗蚀剂下层膜形成组合物
96-0、光致抗蚀剂剥离液组合物
96-1、用于局部镀覆的预处理方法、用于铝材料的局部镀覆方法和用于镀覆铝材料的抗蚀剂
96-2、抗蚀剂下层膜形成用组合物
96-3、抗蚀剂剥离液组合物及使用其制造TFT阵列基板的方法
96-4、模具、抗蚀剂积层体及其制造方法以及凹凸结构体
96-5、新的丙烯酸类单体、聚合物以及包含该聚合物的抗蚀剂组合物
96-6、抗蚀剂剥离组合物及利用该抗蚀剂剥离组合物剥离抗蚀剂的方法
96-7、用于3D抗蚀剂轮廓模拟的光刻模型
96-8、抗蚀剂剥离剂
96-9、三嗪化合物、颜料分散助剂、颜料分散体和抗蚀剂组合物
97-0、光致抗蚀剂剥离和清洁组合物、其配方技术及其用途
97-1、光刻用共聚物及其制造方法、抗蚀剂组合物以及基板的制造方法
97-2、酞菁颜料及包含酞菁颜料的颜料分散体、墨和滤色器用抗蚀剂组合物
97-3、抗蚀剂组合物和用于形成图案的方法
97-4、抗蚀剂剥离液的再生方法以及再生装置
97-5、包含含有羰基的多羟基芳香环酚醛清漆树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物
97-6、具有酯基的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物
97-7、使用溶剂显影用形成含硅抗蚀剂下层膜的组合物的半导体装置的制造方法
97-8、用于形成抗蚀剂下层膜的组合物
97-9、光致抗蚀剂组合物
98-0、光敏共聚物,包含所述共聚物的光致抗蚀剂以及由其形成的制品
98-1、抗蚀剂下层膜形成用组合物和图案形成方法
98-2、新型鎓盐化合物、由它衍生出的酸增强剂及含有它的抗蚀剂组合物
98-3、颜料分散体以及包含该颜料分散体的滤色器用黄色抗蚀剂组合物和墨组合物
98-4、光致抗蚀剂剥离剂
98-5、抗蚀剂下层组合物、图案形成方法以及包括该图案的半导体集成电路装置
98-6、感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及触控面板的制造方法
98-7、感光树脂组合物、抗蚀剂层压体及它们的固化产物(5)
98-8、光酸发生剂及含有该光酸发生剂的抗蚀剂组合物
98-9、用于负显影的含保护羟基的光致抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法
99-0、用于从包括氮化钛的表面剥离光致抗蚀剂的组合物和方法
99-1、包含酰胺组分的光致抗蚀剂
99-2、含有磺酸*盐的含硅EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物
99-3、一种抗蚀剂剥离液及其应用
99-4、生酸剂化合物和包含其的光致抗蚀剂
99-5、化学增幅型抗蚀剂组合物,使用化学增幅型抗蚀剂组合物的抗蚀剂膜,涂布抗蚀剂的掩模坯,形成光掩模和图案的方法,以及制造电子器件的方法和电子器件
99-6、抗蚀剂剥离液的调和方法和调和装置
99-7、光酸发生剂以及包含该光酸发生剂的抗蚀剂组合物
99-8、光致抗蚀剂用树脂组合物、光致抗蚀剂以及液晶设备的制造方法
99-9、新的丙烯酸类单体、聚合物以及包含该聚合物的抗蚀剂组合物
10-00、光致生酸剂、包含所述光致生酸剂的光致抗蚀剂以及包含所述光致抗蚀剂的经涂覆的制品
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,内容都包括具体的配方配比生产制作过程，费用380元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
