1、制造纳米SOI晶片的方法及由该法制造的纳米SOI晶片
[简介]：一种无需进行化学机械抛光(CMP)制造具有极好均匀厚度的纳米绝缘体上硅薄膜(SOI)晶片的方法及用该方法制造的晶片。所述方法包括如下步骤：准备一个键合晶片和一个基底晶片，并且至少在所述键合晶片的表面上形成电介体。随后，通过在低电压下把杂质离子注入到所述键合晶片中离开该键合晶片表面预定深度，形成杂质离子注入单元。使键合晶片的电介体与基底晶片彼此接触，以便被结合。随后，实行低温度热处理，以便劈裂键合晶片的杂质离子注入单元。还蚀刻被结合到基底晶片的所述键合晶片的劈裂表面，形成纳米尺度的器件区域。可以通过实行氢表面处理和湿法蚀刻，蚀刻所述劈裂表面。
2、具有用于III-N外延的Si(100)晶片上的Si(111)平面的纳米结构和纳米特征
[简介]：具有第一晶体取向的衬底上的绝缘层上方的鳍部被修改以形成沿着第二晶体取向对准的表面。器件层沉积在鳍部的沿着第二晶体取向对准的表面上。
3、磷化镓晶片纳米级超光滑加工工艺
[简介]：本技术涉及光电子器件的加工方法技术领域，是一种制备蓝色和红色发光二极管(LED)基础材料磷化镓(GaP)晶片的加工工艺。该加工工艺由无蜡粘片、塑性域磨削、研磨、抛光、净化等几个步骤组成，附图1是磷化镓晶片加工工艺流程图；磷化镓晶片是通过水吸附在承片盘上；本技术涉及磷化镓晶片加工过程中使用的专用研磨液、抛光液和清洗液，所述的专用研磨液由：氧化铬微粉、橄榄油、煤油构成；专用抛光液则由重铬酸氨、聚氧乙烯酰胺以及去离子水构成；专用清洗液由：硫酸(H2SO4)、过氧化氢(H2O2)、去离子水(H2O)等构成；当上述加工工艺和专用的研磨液、抛光液和清洗液配合使用时，可以获得无损伤层的、晶格完整的、磷化镓晶体表面，表面粗糙度达到0.5纳米以下，满足制备发光二极管所需的磷化镓晶片表面质量要求，该工艺不仅提高磷化镓晶片的质量，而且大大缩短制备周期，从而节约生产成本，提高生产率。
4、一种可见光光催化剂钨酸铋纳米晶片及其制备方法
[简介]：本技术提供了一种可见光光催化剂钨酸铋纳米晶片，其制备方法包括以下步骤：1)将硝酸铋和甘油在异丙醇溶剂，进行溶剂热反应，经过滤、洗涤、烘干得甘油铋；2)将所得甘油铋均匀分散于钨酸钠水溶液中，调节所得溶液体系的PH值为0-2，然后进行水热反应，经过滤、洗涤、烘干制得纳米钨酸铋。本技术以硝酸铋、甘油、钨酸钠为主要原料，采用两步法制备钨酸铋纳米晶片粉体，涉及的制备工艺设备简单、反应条件温和、能耗小，工艺独特新颖，所得产品钼酸铋钠的晶粒尺寸在20-40nm，可直接用作光催化剂，能在可见光下光催化降解有机污染物。
5、用于纳米孔感测的绝缘体-膜-绝缘体装置的晶片级组装
[简介]：本文中描述了纳米孔装置以及用于组装纳米孔装置的方法，所述纳米孔装置包括一个或多个纳米孔，所述纳米孔可以用于检测分子，诸如核酸、氨基酸(蛋白质)以及类似者。具体地说，一种纳米孔装置包括绝缘层，所述绝缘层减少电噪声并且由此提高集成在所述纳米孔装置内的所述一个或多个纳米孔的感测分辨率。
6、一种单层β相氢氧化镍二维纳米单晶片及其合成方法
[简介]：本技术涉及纳米材料技术领域。该单晶片盐a-b平面生长，尺寸为近100nm，厚度为c-轴方向，大小约为1个晶胞长度。单晶片表面清洁，无须其它衬底生长且可以孤立稳定地存在。单层β-Ni(OH)2二维纳米单晶片采用水热方法制备。将可溶性镍盐溶于无水乙醇中，然后加入强碱溶液，搅拌并让混合溶液在80~200℃反应，冷却后洗涤并干燥。
7、蓝宝石晶片纳米级超光滑加工工艺
[简介]：本技术涉及光电子器件的加工方法技术领域，尤其是一种制备蓝色发光二极管(LED)氮化镓(GaN)所用的蓝宝石衬底晶片的加工工艺，该加工工艺由粘片、塑性域磨削、研磨、粗抛、精抛、净化等几个步骤组成；本技术还涉及蓝宝石衬底晶片加工过程中使用的专用研磨液、腐蚀液、抛光液和清洗液，所述的专用研磨液由：球状聚晶金刚石微粉、橄榄油、煤油、色拉油构成；专用腐蚀液由：硫酸、磷酸、硝酸构成；专用抛光液则由溶胶型SiO2、聚氧乙烯、橄榄油、醇胺以及去离子水构成；专用清洗液由：三氯乙烷、丙酮、A清洗液、B清洗液构成；当上述加工工艺和专用的研磨液、腐蚀液、抛光液和清洗液配合使用时，可以获得开盒即用的、无损伤层的、晶格完整的、蓝宝石晶体表面，表面粗糙度达到0.2纳米以下，满足氮化镓外延生长所需的本征化蓝宝石衬底表面，不仅提高蓝宝石衬底晶片的质量，而且大大缩短制备周期，从而节约生产成本，又达到提高劳动生产率的目的。
8、一种钼酸铋纳米晶片的制备方法
[简介]：本技术涉及一种钼酸铋纳米晶片的制备方法，属于环保新材料领域，包括有以下步骤：S1在异丙醇溶剂中，硝酸铋和甘油混合液溶剂热反应制得甘油铋；S2将甘油铋均匀分散在七钼酸铵((NH4)6Mo7O24·4H2O)水溶液中，水热反应得到钼酸铋纳米晶片。本技术相对于现有技术的主要优点：本技术的制备钼酸铋是微纳结构材料，微纳尺寸在3?10微米，比表面积大，在溶液体系中可过滤回收，制备简单，温度低，能耗小，可直接用作可见光光催化剂。
9、一种二维纳米氧化锌单晶片的制备方法
[简介]：本技术提出了一种新型的纳米结构半导体材料——超宽超长二维纳米氧化锌单晶片的制备方法，属于半导体纳米材料制备领域。这种二维纳米氧化锌单晶材料是在氧化铅气氛催化下，利用碳粉作为还原剂，在900℃~1000℃的高温下，采用气相—液相—固相(VLS)沉积方法合成的二维纳米结构氧化锌单晶片。所得的纳米氧化锌单晶片的厚度为50~80nm，宽度为50~100μm，长度为4~6mm，宽厚比大于100，是一种典型的二维结构的纳米材料。并且在392nm处存在较强的光致发光峰，在黄绿光波段没有明显的发光峰。该方法在工艺上不同于其它纳米氧化锌结构的制备方法，所制得的纳米氧化锌具有独特的二维结构。
10、一种溶剂热合成纳米氧化铋单晶片的方法
[简介]：本技术提供了一种单晶氧化铋纳米片的制备方法。该方法采用廉价易得的原料，利用油酸和十二烷基苯磺酸钠复合表面活性剂辅助溶剂热合成法，可控合成大量高纯单斜单晶片状纳米氧化铋粉体。具体步骤为：首先，将Bi(NO3)3·5H2O加入到HNO3溶液中，并搅拌至溶解；然后，加入表面活性助剂，并搅拌均匀；在继续搅拌情况下，滴加NaOH溶液来调节pH值；接着加入无水乙醇，并搅拌至完全均匀；之后将上述的混合液转移至密闭容器中，进行溶剂热反应；最后，将所得反应产物用蒸馏水和无水乙醇洗涤、干燥，即可制得纳米氧化铋单晶片。利用上述方法制备单晶氧化铋纳米片的工艺流程短、操作简单，并且产品性能优异。
11、Cu2-xSe纳米晶片的制备方法
[简介]：本技术涉及一种Cu2-xSe纳米晶片的制备方法，其特点是：包括以下制备过程：⑴配制铜前躯体溶液；⑵配制硒前驱体溶液；⑶注入回流，出现Cu2-xSe纳米晶片；⑷对Cu2-xSe纳米晶片进行洗涤、液体脱离，完成本技术Cu2-xSe纳米晶片的制作过程。本技术采用了多元醇为溶剂、乙二胺为还原剂，无机铜盐为先质，易于溶解、对设备要求低，不仅解决了环境污染的问题，并且降低了产品制作成本；本技术常压下通过溶液化学合成的方法，不仅工艺简单、易于控制、排放量少、安全性好，而且制成的Cu2-xSe纳米晶片具有分散性好、形貌均一、结晶度高的特点，利于大规模工业化生产。
12、一种多层纳米晶片的制备方法
[简介]：本技术提供了一种多层纳米晶片的制备方法，包括以下步骤：S1,从整张纳米晶片材料上裁切出符合规格大小的纳米晶片；S2,利用机械手将裁切好的纳米晶片吸附并移送到指定位置；S3,在纳米晶片上喷涂胶水；S4,机械手夹取另外一片纳米晶片并放置到喷涂好胶水的纳米晶片上，再施加压力，使两片纳米晶片贴合在一起；S5,根据设定的层数要求，循环步骤S2、步骤S3和步骤S4，直到完成相应层数的纳米晶片的制备。本技术操作简单，良品率高，更加轻薄化，减少人力成本。
13、一种钨酸铋纳米晶片的制备方法
[简介]：本技术涉及一种纳米钨酸铋晶片的制备方法，纳米钨酸铋可用作可见光催化剂，属于环保新材料领域，包括以下步骤：S1在异丙醇溶剂中，硝酸铋和甘油混合液溶剂热反应制得甘油铋；S2将甘油铋均匀分散在偏钨酸铵((NH4)6H2W12O40nH2O))水溶液中，水热反应制得钨酸铋纳米晶片。本技术相对于现有技术的主要优点：本技术制备纳米晶钨酸铋材料的优点是制备工艺备简单，反应温度低，能耗小，钨酸铋的比表面积大，晶粒尺寸可控，材料可见光光催化效能优异。
14、纳米氧化铈的制备方法及其在砷化镓晶片化学机械抛光中的用途
[简介]：本技术涉及超细粉体制备及其应用领域，其制备方法为称取一定量的硝酸铈和六亚甲基四胺(HMT)分别溶于乙醇与蒸馏水中，将两种溶液混合并用电动搅拌器搅拌均匀。其中Ce3+相对于总溶液的浓度范围为0.01~0.05mol/l，HMT与硝酸铈摩尔比在10∶1~40∶1之间，醇水体积比在1∶1~6∶1之间，混合溶液密封好后在70℃~90℃的温度下加热1~2h，取出冷却静置，在室温下陈化1~2小时，过滤，沉淀物经洗涤后，于60~80℃干燥6~10h，即得到纳米CeO2粉体。取制得的粉体配制成抛光液，磨料质量浓度为1%~5wt%，加入氧化剂H2O2在10~20wt%之间，用KOH调节pH至9~11，采用抛光机对砷化镓晶片进行抛光，抛光后表面能达到亚纳米量级的表面粗糙度。
15、使用堆叠晶片技术的基于纳米孔的测序芯片
[简介]：提供一种基于纳米孔的测序芯片。测序芯片包括由第一晶片制成的第一部分。第一部分包括纳米孔单元的阵列。第一部分进一步包括连接到一个或多个纳米孔单元的测量电路，测量电路产生输出测量信号。第一部分进一步包括传输输出测量信号的一个或多个孔。测序芯片进一步包括由第二晶片制成的第二部分，第二部分包括接收输出测量信号的一个或多个对应孔。
16、一种制备具有密堆积结构的纳米超薄晶片的方法
17、一种微纳米级晶片测试探头及制备方法
18、用于将锭线锯切片成晶片中的碳纳米管加强线锯梁
19、纳米结构化金属氧化物或半导体型材料的膜或晶片的方法
20、改善晶片表面的纳米形貌的方法及线锯装置
21、用于半球形晶粒硅和纳米晶粒尺寸多晶硅的单晶片热CVD处理
22、一种γ-Al2O3纳米晶片及其制备方法
23、双面晶片磨具以及工件纳米形貌的估计方法
24、一种超薄晶片纳米级抛光方法
25、晶片级自形成纳米通道及其制造方法
26、使用Ⅳ族纳米颗粒在晶片基底上形成结区
27、纳米空气净化抑菌材料合成晶片在空气净化器中的应用方法
28、用于晶片切片的碳纳米管纤维线
29、柔性染料敏化太阳能电池的纳米晶片光阳极制备方法
30、一种γ?钼酸铋纳米晶片及其制备方法
31、复合纳米磨料、抛光液及其制备方法、玻璃晶片和电子设备
32、利用奇异光束的暗场晶片纳米缺陷检查系统
33、一种纳米晶片促渗仪
34、一种黄金纳米晶片
35、一种具有纳米共晶片层结构的铁磁性形状记忆合金
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,内容都包括具体的生产制作过程，收费260元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
