1、一种薄片晶圆背金层的配方技术及晶体管器件
[简介]：本技术涉及薄片晶圆背金层的配方技术，该方法通过在溅射工艺气体中进一步加入应力控制填充气体，以降低金属合金或金属化合物中的晶格缺陷，从而降低膜层应力。本技术提供的薄片晶圆背金层配方技术，工艺设备简单、过程有效。采用该方法可获得较低应力金属合金或金属化合物膜层，且由于应力控制填充气体不与金属合金或金属化合物粒子发生反应，因而制成膜层的电学性能及结晶特性几乎没有变化，更有利于IGBT等半导体器件的稳定性与可靠性。
2、一种钒酸钇晶体薄片生产工艺
[简介]：本技术创造提供了一种钒酸钇晶体薄片生产工艺，包括钒酸钇(YVO4)晶体生长，将偏钒酸铵（NH4VO3）溶液进行溶解，通过高温进行提纯，接着把氧化钇(Y2O3)通过亚硝酸（HNO2）进行混合溶解，接着把钒酸钇(YVO4)晶体放入进行沉淀，发生反应过程加入氨水产生草酸，接着通过固液分离、离心、洗涤烘干等步骤，本技术创新通过多个步骤对晶体进行操作，从而使得该生产工艺出来的晶体具有较好的精致流程，进一步的通过在最初制作的过程中，也进行多个步骤的混合和反应，再次通过固液分离，等步骤增加晶体整体的纯净度，使其具有更好的吸收效果，使其应用至设备上时，具有更好的实用性。
3、一种铌酸锂晶体薄片生产工艺
[简介]：本技术提供了一种铌酸锂晶体薄片生产工艺，依次包括以下步骤：切条成形，在大片的铌酸锂片上切下小块的铌酸锂晶片，并将之加工成所需的形状；晶片抛光，对铌酸锂晶片的两面进行抛光处理；晶片镀膜，对铌酸锂晶片经过抛光的两面进行镀膜；检测，对镀膜后的铌酸锂晶片进行角度、光洁度以及镀膜的牢固度进行检测，本技术工艺合理，按照工艺依次对铌酸锂晶片进行加工，使铌酸锂晶片能够根据客户需求生产出特定的铌酸锂晶片，使铌酸锂晶片的制作更加方便。
4、一种双碟片增益晶体双键合YAG直流冷却的薄片激光器
[简介]：本技术涉及激光技术领域，提供了一种双碟片增益晶体双键合YAG直流冷却的薄片激光器。采用了左增益晶体、右增益晶体的双薄片晶体结构，左增益晶体、右增益晶体为双键合结构，左泵浦系统、右泵浦系统的光通过转折镜分别聚焦在左增益晶体的右键合层、右增益晶体的左键合层，直流冷却系统冷却左增益晶体的右键合层和右增益晶体的左键合层，谐振腔由一个非球面的抛物反射镜和一个球面镜的双凹镜组成，所述非球面的反射镜和左增益晶体、右增益晶体共轴。该方案双键合、双薄片的结构补偿了因热效应引起的光学畸变提高了输光的光束质量，同时双键合的前键合体有效的抑制了晶体的受激自发辐射，后键合体则保证了晶体的水流直接冷却。
5、一种二硒化钨薄片/氧化锌纳米带结型场效应晶体管光电探测器及其配方技术
[简介]：本技术涉及一种二硒化钨薄片/氧化锌纳米带结型场效应晶体管光电探测器及其配方技术，该光电探测器为纳米材料结型场效应晶体管光电探测器，具体是指将p型的二硒化钨(WSe2)薄片和n型的氧化锌(ZnO)纳米带接触形成p?n结，同时WSe2薄片作为感光材料连接在顶栅电极与ZnO纳米带导电沟道之间。WSe2薄片受光激发产生光生载流子形成导电通道，顶栅电压通过该导电通道施加到p?n结处，调节ZnO纳米带中耗尽区的宽度来实现沟道电导的调节，提高器件的光增益和响应速度。
6、用于薄片晶体的二维定向误差精密测量方法
[简介]：本技术提供了一种用于薄片晶体的二维定向误差精密测量方法，方法中将待测晶体样品固定在吸板上，探测器与X?射线夹角旋转至Bragg角的2倍，利用精密转台对待测晶体样品绕z方向的θ角进行扫描，将待测晶体样品的相位角即绕y方向转动改变直到待测晶体样品的相位角完成360°旋转。采用上述方法可以实现二维定向误差测量；不依赖标准晶体，测量结果精度高；可以得到定向误差大小及方向两方面信息。
7、一种基于双胶合数字编码双折射晶体薄片的结构紧凑型全斯托克斯矢量偏振成像装置
[简介]：本技术提供了一种基于双胶合数字编码双折射晶体薄片的结构紧凑型全斯托克斯矢量偏振成像装置，包括：光谱滤光器(1)、成像镜头(2)、数字编码双折射晶体薄片一(3)、数字编码双折射晶体薄片二(4)、偏振片薄片(5)、光强探测器(6)。利用双折射晶体材料的双折射效应，采用微钠光学加工方法分别在两片双折射晶体薄片进行不同深度的数字编码，通过胶合方式形成一个整体，并与偏振片薄片及光强探测器集成，形成结构紧凑、功能全面的全斯托克斯矢量偏振成像装置。本技术无需使用微偏振片阵列，结构简单，加工和集成要求低，易于批量化生产；对环境要求低，性能稳定，实时性好。可广泛应用于天文偏振成像、生物组织检测和医学诊断、遥感成像及目标探测等领域。
8、一种微米级薄片状锆钛酸铅晶体的配方技术
[简介]：本技术提供了一种微米级薄片状锆钛酸铅晶体的配方技术，涉及压电陶瓷领域。本技术采用熔盐法制备具有片状<001>择优取向的钛酸铋铅晶体作为前驱体，通过拓扑化学反应使该前驱体晶体与PbO、ZrO2按摩尔比1：7~7.2：4混合，再将混合后的粉体与NaCl按质量比0.5~1.5：1混合，在850℃~1050℃保温1~4小时，最后通过热去离子水洗涤和酸洗，除去烧成物中的NaCl和Bi2O3，从而获得微米级薄片状锆钛酸铅（Pb(Zr0.5Ti0.5)O3）晶体。本技术制备的锆钛酸铅晶体具有钙钛矿结构，其微观形貌为薄片状，具有较大的径厚比和高取向度。制备过程稳定性强，成功率高，有利于作为高取向度的锆钛酸铅织构陶瓷的种晶。
9、一种薄片微纳米(K,Na)NbO晶体及其配方技术
[简介]：本技术提供了一种薄片微纳米(K，Na)NbO晶体的配方技术，包括如下步骤：(1)将一定量的乙二醇作为溶剂，依次加入一定量的KOH、NaOH、NbO以及表面活性剂，用玻璃棒缓慢搅拌至溶质全部溶解；(2)溶解后的混合液放在磁力搅拌器上搅拌一定时间，倒入水热釜中，在一定温度下水热一段时间后，离心、洗涤、稀盐酸浸泡、烘干得到薄片微纳米(K，Na)NbO晶体粉末。本技术以乙二醇为溶剂，降低了传统水热法所需的矿化剂浓度，并且提高体系的稳定性，通过改变不同的条件，所得的产物都是以薄片微纳米(K，Na)NbO晶体粉末为主，该晶体直径为0.2?2μm，属于微米级。
10、用于薄片晶体的二维定向误差精密测量系统
[简介]：本技术提供了一种用于薄片晶体的二维定向误差精密测量系统，系统中X?射线源照射至单色器后获得单色光射向利用支架固定的待测晶体样品，支架绕位于铅垂方向的Z轴、与Z轴垂直的位于水平向的Y轴的转动，支架在垂直于Y轴的方向上直线位移，待测晶体样品的待测晶面与Y轴垂直。采用上述测量系统可以实现二维定向误差测量；不依赖标准晶体，测量结果精度高；可以得到定向误差大小及方向两方面信息。
11、MoS2纳米薄片双栅场效应晶体管/超级电容器复合器件及其配方技术
12、用硅单晶薄片制造晶体管的方法
13、一种导模法生长3"×9"大尺寸薄片状氧化铝单晶体的工艺方法
14、表面安装晶体振子以及基板薄片
15、一种非穿通型绝缘栅双极晶体管薄片背面制作工艺
16、一种用硅单晶薄片制造晶体管的方法
17、一种硅单晶薄片氧化单面预扩散制造晶体管的方法
18、一种硅单晶薄片预扩散单面减薄制造晶体管的方法
19、高效低成本薄片晶体硅太阳能电池片工艺
20、圆柱状薄片晶体与带孔晶体侧面曲面复合方法
21、施主薄片及其制造方法、及制造晶体管和显示器的方法
22、薄膜晶体管、显示器及其制造方法、及施主薄片制造方法
23、在晶体带的枝状晶薄片生长期间现场扩散掺杂剂杂质的方法
24、硅单晶薄片制造晶体管的方法
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,内容都包括具体的生产制作过程，收费200元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
