1 半导体结构、自支撑氮化镓层及其配方技术
简介：本技术涉及一种半导体结构、自支撑氮化镓层及其配方技术；包括如下步骤：提供衬底；于衬底上形成氮化物缓冲层；于氮化物缓冲层的表面形成镍层；对镍层进行氮化处理，于氮化处理后的镍层内形成有孔洞。本技术通过在氮化物缓冲层的表面形成镍层，镍层中的部分镍会渗入到位于其下方的氮化物缓冲层内，形成暗色疏松层，导致镍层、氮化物缓冲层与镍层接触的部分及氮化镓层与镍层接触的部分的密实度降低，相互之间的连接性降低，便于在后续半导体结构上形成的氮化镓层的自剥离；通过对镍层进行氮化处理，可以将镍层转变成具有暴露出氮化物缓冲层的孔洞的材料层，更有利于在后续半导体结构上形成的氮化镓层的自剥离。
2 一种氮化镓外延层、半导体器件及其配方技术
简介：本技术提供一种氮化镓外延层、半导体器件及其配方技术，涉及半导体技术领域。本技术的半导体器件包括：半导体衬底、第一缓冲层、第二缓冲层、第三缓冲层、势垒层、钝化层、第一阳极、介质层、第二阳极、*极、保护层、阳极导通金属、*极导通金属和场板层。本技术解决了半导体器件反向漏电大的技术问题。
3 氮化镓外延层、半导体器件及所述半导体器件的配方技术
简介：本技术提供一种氮化镓外延层、半导体器件及所述半导体器件的配方技术，涉及半导体技术领域。本技术的半导体器件包括：半导体衬底、第一缓冲层、后处理层、第二缓冲层；势垒层、钝化层、第一阳极接触孔、第一阳极、介质层、第二阳极接触孔、第二阳极、*极接触孔、*极、保护层、阳极开孔、阳极导通金属、*极开孔、*极导通金属和场板层。本技术解决了当缓冲层为一层时，缓冲层与半导体衬底界面之间存在漏电流的问题。
4 氮化镓基半导体器件及其制作方法
简介：本申请提供一种氮化镓基半导体器件及其制作方法，该氮化镓基半导体器件包括衬底、基于衬底一侧形成的氮化物半导体层以及基于氮化物半导体层远离衬底一侧形成的复合势垒层。其中，该复合势垒层包括至少两组层叠设置的超晶格势垒层，每组超晶格势垒层包括层叠设置的第一势垒层和第二势垒层，该第一势垒层中的Al组分含量高于第二势垒层中的Al组分含量。如此，通过较高Al组分含量的第一势垒层保证沟道的二维电子气浓度，以改善器件导通特性，并利用较低Al组分含量的第二势垒层降低超晶格势垒层的等效压电极化系数，从而减小器件高压下的逆压电形变，以提高器件的可靠性。
5 具有部分氮化镓/硅半导体材料异质结的VDMOS及其制作方法
简介：本技术提出了一种具有部分氮化镓/硅半导体材料异质结的VDMOS及其制作方法，该异质结VDMOS器件主要特点是在外延层上形成部分具有氮化镓材料与硅材料相结合的异质结，在氮化镓材料N+型衬底上外延生长形成掺杂浓度较低的N型氮化镓半导体材料外延层，通过刻蚀掉中间一部分的N型氮化镓外延层，再以该N型氮化镓半导体外延层为基础异质外延生长(或利用键合技术形成)N型硅半导体材料外延层，该结构应用了硅基MOS通道，避免了氮化镓MOS中沟道电阻大的问题；利用氮化镓半导体材料的高临界击穿电场，将器件在曲率半径大的位置的高电场峰引入曲率半径小的位置，提高了器件的纵向电场峰，器件可承担更高的击穿电压。
6 具有部分氮化镓/硅半导体材料异质结的U-MOSFET及其制作方法
简介：本技术提出了一种具有部分氮化镓/硅半导体材料异质结的U‑MOSFET及其制作方法。该U‑MOSFET器件主要特点是将氮化镓材料与硅材料相结合形成异质结，以氮化镓衬底和N型氮化镓外延层整体的凸字型结构表面为基础形成N型硅外延层，N型硅外延层的中间区域刻蚀形成凹槽，凹槽的宽度小于N型氮化镓外延层的宽度，凹槽底部深入N型氮化镓外延层上部中间区域，凹槽深度大于P型基区与N型硅外延层之间PN结的深度；利用氮化镓半导体材料的高临界击穿电场特性，通过击穿点转移将器件槽栅拐角处栅氧的强电场引入氮化镓材料中，抬高了器件的纵向电场峰，有效改善了器件性能。
7 一种栅控双极-场效应复合氮化镓垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管
简介：本技术提供一种栅控双极‑场效应复合氮化镓垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管。该器件通过采用基区与栅极相连的电极连接方式，代替传统的氮化镓VDMOS中基区与源极短接的电极连接方式。该器件工作在关态时，器件的耐压特性与传统的氮化镓VDMOS的一致。该器件工作在开态时，由于栅极与基区相连，当在栅极接入栅压时，基区也接入一定电压，使得器件寄生的双极型晶体管开启，提供了一个新的导电通道；与此同时，器件的沟道同样能正常开启进行导电。该器件与传统的氮化镓VDMOS器件相比，在保证器件具有相同击穿电压的同时，大幅度提高了器件的导通电流，极大改善了氮化镓晶体管的导通性能。
8 一种栅控双极-场效应复合氮化镓横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
简介：本技术提供了一种栅控双极‑场效应复合氮化镓横向双扩散金属氧化物半导体晶体管。该器件通过采用基区与栅极相连的电极连接方式，代替传统的氮化镓LDMOS中基区与源极短接的电极连接方式。工作在关态时，器件的耐压特性与传统的氮化镓LDMOS的一致，器件的栅极，基区和源极接地，漏极接高电位；工作在开态时，寄生的双极型晶体管开启，提供了一个新的导电通道，沟道同样能正常开启进行导电。该结构采用栅极与基区相连的电极连接方式，与采用传统的氮化镓LDMOS器件相比，在保证器件具有相同击穿电压的同时，大幅度提高器件的导通电流，极大改善氮化镓晶体管的导通性能。
9 p型氮化镓系半导体的制造方法及热处理方法
简介：本技术涉及一种p型氮化镓系半导体的制造方法及热处理方法。本技术提供一种能够使p型掺杂剂以高效率活化的技术。向氮化镓(GaN)衬底注入镁作为p型掺杂剂。在包含氮及氢的气氛中利用来自卤素灯的光照射，将该GaN衬底进行预加热，进而利用来自闪光灯的闪光照射，极短时间内加热至高温。通过在包含氮及氢的气氛中将GaN衬底加热，便可补充已脱离的氮，防止氮缺乏。而且，可一面向GaN衬底供给氢一面进行加热处理。进而，可使GaN衬底中存在的结晶缺陷修复。作为该等结果，可使注入至GaN衬底的p型掺杂剂以高效率活化。
10 氮化镓异质整合在硅基板的半导体结构及其制造方法
简介：一种氮化镓异质整合在硅基板的半导体结构及其制造方法，是在硅(100)基板上制作百纳米级孔洞，再利用湿法刻蚀使硅基板的(111)晶面暴露，并以此(111)晶面作为氮化铝缓冲层和氮化镓的成核表面，且在氮化镓成长时同时通入硅烷以调控硅原子在氮化镓中的掺杂浓度，从而获得理想的氮化镓异质整合在硅基板的半导体结构，借以应用在硅金属氧化物半导体场效应晶体管元件，解决因元件持续微缩所产生的崩溃问题。
11 硅半导体产品和氮化镓产品的混合生产的方法
12 硅半导体产品和氮化镓产品的混合生产的方法
13 一种氮化镓半导体光电化学刻蚀液及加工方法
14 半极性氮化镓半导体构件及其制造方法
15 半极性氮化镓半导体构件及其制造方法
16 串联封装的碳化硅衬底及氮化镓衬底半导体装置
17 氮化镓基半导体器件及其制作方法
18 用于在氮化镓半导体的非活化表面上直接沉积钯的方法
19 一种规模化制备LED用半导体材料氮化镓薄膜的方法
20 一种LED用大尺寸氮化镓半导体片的配方技术
21 一种超柔性氮化镓基金字塔结构半导体器件及其配方技术
22 半导体结构、自支撑氮化镓层及其配方技术
23 半导体结构、自支撑氮化镓层及其配方技术
24 半导体结构、自支撑氮化镓层及其配方技术
25 半导体结构、自支撑氮化镓层及其配方技术
26 半导体结构、自支撑氮化镓层及其配方技术
27 半导体结构、自支撑氮化镓层及其配方技术
28 半导体结构、自支撑氮化镓层及其配方技术
29 氮化镓半导体器件及其配方技术
30 氮化镓半导体器件及其配方技术
31 氮化镓半导体器件及其配方技术
32 氮化镓半导体器件及其配方技术
33 氮化镓半导体器件及其配方技术
34 氮化镓半导体器件及其配方技术
35 氮化镓半导体器件及其配方技术
36 氮化镓半导体器件及其配方技术
37 氮化镓半导体器件及其配方技术
38 氮化镓半导体器件及其配方技术
39 氮化镓半导体器件及其配方技术
40 氮化镓半导体器件及其配方技术
41 氮化镓半导体器件及其配方技术
42 氮化镓半导体器件及其配方技术
43 氮化镓半导体器件及其配方技术
44 氮化镓半导体器件及其配方技术
45 氮化镓半导体器件及其配方技术
46 氮化镓半导体器件及其配方技术
47 氮化镓半导体器件及其配方技术
48 氮化镓半导体器件及其配方技术
49 一种氮化镓基肖特基二极管半导体器件及制造方法
50 一种氮化铝复合缓冲层及配方技术及氮化镓基半导体器件
51 氮化镓半导体器件及其制作方法
52 一种纵向型氮化镓基半导体器件及制造方法
53 生长氮化镓的方法、氮化镓外延结构及半导体器件
54 氮化镓半导体器件及其配方技术
55 高迁移率氮化镓半导体器件及其配方技术
56 氮化镓基外延结构、半导体器件及其形成方法
57 一种用于LED的氮化镓基半导体的配方技术
58 一种无荧光粉的白光金字塔阵列氮化镓基半导体发光二极管及其配方技术
59 用于氮化镓半导体晶片的研磨液及其配方技术
60 P型氮化镓及其配方技术、包含其的半导体器件
61 氮化镓半导体器件的配方技术
62 氮化镓半导体器件的配方技术
63 氮化镓半导体器件的配方技术
64 氮化镓半导体器件的配方技术
65 氮化镓半导体器件的配方技术
66 一种纵向型氮化镓基异质结半导体器件及其制造方法
67 具有复合渐变量子垒结构的氮化镓基半导体器件及其制法
68 硅基氮化镓半导体晶片及其制作方法
69 具有倾斜量子垒结构的氮化镓半导体发光二极管及其制法
70 高耐压氮化镓系半导体设备及其制造方法
71 具有垂直结构的氮化镓功率半导体器件
72 p型氮化镓为主的三族氮化物半导体薄膜的薄膜溅镀过程
73 由氮化镓类化合物半导体的制造工序排出的废气的处理方法
74 一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法
75 生长氮化镓基半导体层的方法及用其制造发光器件的方法
76 氮化镓基半导体器件及其制造方法
77 制造氮化镓基半导体发光器件的方法
78 氮化镓系半导体的制造方法、III族氮化物半导体器件及其制造方法
79 制造非极性氮化镓基半导体层的方法、非极性半导体器件及其制造方法
80 一种半导体器件用氮化镓外延的配方技术
81 一种氮化镓基半导体材料外延复合衬底的配方技术
82 一种氮化镓系半导体发光器件外延片的制作方法
83 氮化镓类化合物半导体发光元件及包括该氮化镓类化合物半导体发光元件的光源装置
84 电极结构、氮化镓基半导体器件及其制造方法
85 氮化镓类半导体发光元件、光源和凹凸构造形成方法
86 渐变电子阻挡层的紫外光氮化镓半导体发光二极管
87 一种具有倾斜量子阱结构的氮化镓半导体发光二极管
88 复合式氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法
89 氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法
90 氮化镓基半导体激光器元件和制造氮化镓基半导体激光器元件的方法
91 氮化镓系半导体装置及半导体装置的制造方法
92 氮化镓类化合物半导体发光元件和具有该发光元件的光源
93 一种半导体器件及其氮化镓外延层制作方法
94 包括其中具有一个或多个氮化硅夹层的氮化镓的半导体晶片
95 氮化镓基半导体器件及其制造方法
96 氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED外延片及其生长方法以及包括其的LED显示装置
97 氮化镓基半导体器件及其制造方法
98 氮化镓基半导体器件及其制造方法
99 一种有源区为Ｐ型的氮化镓系半导体发光管
100 氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法
101 一种氮化镓基半导体发光器件的制造方法
102 一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法
103 常关型氮化镓基半导体器件
104 用于半导体衬底上的大面积的基于氮化镓或其它氮化物的结构的应力补偿
105 用于基于氮化镓或其它氮化物的半导体装置的背侧应力补偿
106 一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法
107 带有改良型终止结构的氮化镓半导体器件
108 带有改良型终止结构的氮化镓半导体器件
109 一种氮化镓基Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体ＬＥＤ外延片及其生长方法
110 一种氮化镓基Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体ＬＥＤ外延片及其生长方法
111 氮化镓系化合物半导体发光元件
112 氮化镓类半导体激光二极管
113 氮化镓系化合物半导体发光元件
114 氮化镓系化合物半导体发光二极管
115 氮化镓类半导体光元件及其制造方法、外延晶片
116 晶片产品及包含其的氮化镓基半导体光元件
117 制作晶片产品的方法及制作氮化镓基半导体光元件的方法
118 改良正向传导的氮化镓半导体器件
119 外延晶片、氮化镓系半导体器件的制作方法、氮化镓系半导体器件及氧化镓晶片
120 具有复合碳基衬底的氮化镓基半导体器件及其制造方法
121 氮化镓系化合物半导体层的形成和转移方法及基板结构
122 氮化镓系化合物半导体的制造方法
123 氮化镓系化合物半导体的制造方法和半导体发光元件
124 氮化镓系半导体发光元件、制作氮化镓系半导体发光元件的方法、氮化镓系发光二极管、外延晶片及制作氮化镓系发光二极管的方法
125 ｐ型氮化镓基半导体的制作方法、氮化物基半导体器件的制作方法及外延晶片的制作方法
126 具有氮化镓基薄层半导体器件的LED元件
127 碳化硅、氮化镓半导体器件玻璃钝化技术
128 SOI上的氮化镓半导体器件及其制造工艺
129 电子器件的制作方法、外延衬底的制作方法、Ⅲ族氮化物半导体元件及氮化镓外延衬底
130 电子器件的制作方法、外延衬底的制作方法、ＩＩＩ族氮化物半导体元件及氮化镓外延衬底
131 氮化镓基半导体元件、使用其的光学装置及使用光学装置的图像显示装置
132 减少半导体外延位错发生的氮化镓半导体结构及其方法
133 氮化镓半导体元件和发光二极管
134 一种半导体氮化镓外延薄膜衬底的配方技术
135 基于氮化镓的外延晶片和制造基于氮化镓的半导体发光器件的方法
136 氮化镓系化合物半导体发光元件及其制造方法
137 一种氮化镓基半导体光电器件的制作方法
138 一种制备氮化镓基半导体激光器的Ｐ型电极的方法
139 氮化镓系化合物半导体发光元件
140 氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件和灯
141 氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件以及使用该发光元件的灯
142 氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件和使用它的灯
143 制作氮化镓半导体元件中劈裂镜面的方法
144 基于氮化镓生长半导体异质结构的方法
145 基于氮化镓的生长半导体异质结构的方法
146 一种氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的电极
147 氮化镓类化合物半导体发光元件的制造方法及灯
148 氮化镓系化合物半导体发光元件
149 氮化镓类化合物半导体发光元件及其制造方法
150 氮化镓半导体发光元件
151 氮化镓基化合物半导体发光器件
152 氮化镓基化合物半导体发光器件、灯、电子装置以及机器
153 氮化镓基半导体发光二极管及其制造方法
154 氮化镓基半导体发光二极管及其制造方法
155 氮化镓基化合物半导体发光器件及其制造方法
156 氮化镓基化合物半导体发光器件
157 氮化镓基化合物半导体发光器件
158 氮化镓基化合物半导体发光器件
159 新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管
160 碳化硅层的制造方法、氮化镓半导体器件以及硅衬底
161 氮化镓系化合物半导体磊晶层结构及其制造方法
162 氮化镓类半导体元件及其制造方法
163 氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法及氮化镓系化合物半导体激光元件
164 不对称的脊形波导氮化镓基半导体激光器及其制作方法
165 垂直氮化镓半导体器件和外延衬底
166 具有缓冲电极结构的氮化镓半导体芯片
167 氮化镓系半导体的成长方法
168 晶态氮化镓基化合物的生长方法以及包含氮化镓基化合物的半导体器件
169 氮化镓半导体器件及其制造方法
170 氮化镓半导体器件
171 氮化镓半导体装置的封装
172 一种检测氮化镓基半导体发光二极管结温的方法
173 一种提高氮化镓(GaN)基半导体材料发光效率的方法
174 氮化镓基化合物半导体器件
175 氮化镓化合物半导体发光元件及其制造方法
176 反射性正电极和使用其的氮化镓基化合物半导体发光器件
177 氮化镓基半导体层叠结构、其制造方法以及采用该层叠结构的化合物半导体和发光器件
178 氮化镓基半导体器件
179 基于氮化镓的化合物半导体多层结构及其制造方法
180 基于氮化镓的化合物半导体发光器件
181 基于氮化镓的化合物半导体多层结构及其制造方法
182 新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管及其生产工艺
183 改善氮化镓基半导体发光二极管欧姆接触的合金方法
184 氮化镓基Ⅲ-V族化合物半导体发光器件及其制造方法
185 氮化镓基半导体器件及其制造方法
186 基于氮化镓半导体的紫外线光检测器
187 氮化镓半导体衬底及其制造方法
188 氮化镓半导体衬底和蓝色发光器件
189 氮化镓系化合物半导体的外延结构及其制作方法
190 制造氮化镓半导体发光器件的方法
191 氮化镓类化合物半导体装置
192 一种多电极氮化镓基半导体器件的制造方法
193 氮化镓系化合物半导体发光元件及其窗户层结构
194 氮化镓(GaN)类化合物半导体装置及其制造方法
195 以氮化镓为基底的半导体发光装置及其制造方法
196 氮化镓系化合物半导体的磊晶结构及其制作方法
197 氮化镓类化合物半导体的干法刻蚀方法
198 氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED的发光装置及其制造方法
199 氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法
200 氮化镓半导体激光器
201 氮化镓系列化合物半导体元件
202 生产氮化镓膜半导体的生产方法以及综合生产方法
203 III族氮化物半导体晶体的制造方法、基于氮化镓的化合物半导体的制造方法、基于氮化镓的化合物半导体、基于氮化镓的化合物半导体发光器件、以及使用半导体发光器件的光源
204 基于氮化镓的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体装置的制造方法
205 制造氮化镓半导体层和相关结构的方法
206 一种非结晶与多晶结构的氮化镓系化合物半导体的成长方法
207 氮化镓化合物半导体制造方法
208 利用始于沟槽侧壁的横向生长来制造氮化镓半导体层
209 通过掩模横向蔓生制作氮化镓半导体层的方法及由此制作的氮化镓半导体结构
210 氮化镓基化合物半导体器件的制作方法
211 氮化镓基化合物半导体器件及其制作方法
212 有关氮化镓的化合物半导体器件及其制造方法
213 氮化镓序列的复合半导体发光器件
214 碳化硅与氮化镓间的缓冲结构及由此得到的半导体器件
215 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法
216 氮化镓系化合物半导体发光器件
217 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件
218 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件及其制造方法
219 氮化镓系Ⅲ-Ｖ族化合物半导体器件及其制造方法
220 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法
221 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件
222 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件
223 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,完整内容都包括具体的配方配比和生产工艺制作过程。收费260元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
