1 NAND存储器的栅极结构形成方法、NAND存储器及光罩掩膜版
简介：本技术涉及NAND存储器的栅极结构形成方法、NAND存储器及光罩掩膜版，涉及半导体集成电路制造工艺，在NAND存储器的栅极结构形成过程中，通过第一道光刻曝光工艺在形成用于形成控制栅极结构的芯轴图形形貌的同时，也形成用于形成外围栅极结构和选择栅极结构的芯轴图形形貌，之后在通过第二道光刻曝光工艺将芯轴图形结构移除的过程中，将用于形成外围栅极和选择栅极结构的区域用光刻胶进行保护以移除控制栅极芯轴膜层，在接下来的栅极结构的刻蚀中，控制栅极通过剩余的侧墙形成，而外围栅极和选择栅极则通过侧墙以及未移除的芯轴图形结构来共同形成，这使得用于形成控制栅极最外围的侧墙关键尺寸不会较大，且削弱层间套准偏差对后续工艺的影响。
2 一种定向自组装和掩膜调控制备半导体纳米结构的方法
简介：本技术提供了一种定向自组装和掩膜调控制备半导体纳米结构的方法，在半导体衬底上形成双层硬掩膜层、光刻堆叠层以及缓冲层，在该缓冲层上旋涂一嵌段共聚物(BCP)层，经退火形成自组装模板图形；然后去除某一嵌段形成光刻图形，并将该图形依次转移到缓冲层、光刻堆叠层以及第二硬掩膜层，在图案化第二硬掩膜层上沉积电介质层后进行平坦化，随后去除第二硬掩膜层，以图案化电介质层为掩膜将图案转移至第一掩膜层和半导体衬底。本技术可以极大地克服现有图形转移过程中因为嵌段共聚物厚度和不同嵌段分子间低的刻蚀选择性导致的定向自组装问题。
3 曝光辅助图形、掩膜版及掩模版与半导体器件的制造方法
简介：本技术提供了一种曝光辅助图形、掩膜版及掩模版与半导体器件的制造方法，所述曝光辅助图形包括至少一圈环绕所述主图形设置的辅助图形，且至少最接近所述主图形的一圈辅助图形的形状与曝光时的光圈形状对应。本技术的技术方案使得工艺窗口增大，进而使得掩膜版上的主图形能够完整地转移到晶圆上。
4 一种基于全硅基掩膜版的薄膜器件的配方技术
简介：本技术属于半导体工艺技术领域，具体为一种基于全硅基掩膜版的薄膜器件的配方技术。本技术方法包括：设计及制备硅基掩膜版，硅基掩膜版包括镀膜掩膜版、刻蚀掩膜版，掩膜版上设计有对准标记；准备器件基底，包括基底的选材、清洗、预处理；在器件基底上制备半导体薄膜；用高精度对准平台装置将半导体薄膜材料与相应掩膜版对准，在半导体薄膜上制备器件。本技术通过全程硅基掩膜版制备薄膜器件，不仅器件刻蚀无污染、成本和工艺简单，而且硅基掩模版具有较高重复使用性、高精度、设计自由灵活度高等优势，可实现薄膜器件的集成。
5 掩膜版、检测光刻机漏光程度的方法
简介：本申请提供了一种掩膜版、检测光刻机漏光程度的方法，涉及半导体制造领域。该方法包括提供一片涂有光刻胶的晶圆和一包括条宽测试图形和全遮光图形的掩膜版；利用掩膜版进行第一次曝光；平移掩膜版，令晶圆表面的部分条宽测试图形被掩膜版上的全遮光图形完全覆盖；进行第二次曝光并显影，显影后的晶圆表面包括重复曝光条宽测试图形和初始曝光条宽测试图形；获取重复曝光条宽测试图形的条宽和初始曝光条宽测试图形的条宽，确定出光刻机的漏光程度；解决了现有检测方法无法既快速又准确地得到光刻机漏光程度的问题；达到了快速准确地测定光刻机漏光程度的效果。
6 硬掩膜的配方技术及半导体器件的制造方法
简介：本技术提供了一种硬掩膜的配方技术，包括：步骤S1：提供一衬底，在所述衬底上方依次堆叠硬掩膜层、第一介质层以及第二介质层；步骤S2：在所述第二介质层的上表面沉积光阻材料形成光阻层，并进行光刻形成图案化的光阻层；步骤S3：以所述图案化的光阻层为掩膜刻蚀第二介质层形成图案化的第二介质层；步骤S4：去除图案化的光阻层；步骤S5：以图案化的第二介质层为掩膜刻蚀所述第一介质层以及硬掩膜层形成硬掩膜图案。即本技术通过增加第二介质层，增大了光刻和干法刻蚀之间可利用空间，同时增大了光刻工艺可调整的空间，也进一步增大了干法刻蚀工艺的可调整的空间，从而实现增大整个工艺窗口的目的。本技术还提供了一种半导体器件的制造方法。
7 增大多晶硅栅极硬掩膜去除工艺窗口的方法
简介：本申请提供了一种增大多晶硅栅极硬掩膜去除工艺窗口的方法，包括：提供一半导体衬底，通过预定工艺形成MOSFET器件结构；进行PMOS侧墙形成、P型注入和热退火工艺；沉积锗硅硬掩膜层；利用锗硅光罩通过光刻曝光，打开生长锗硅硬掩膜层的PMOS区域和多晶硅栅极顶部区域；蚀刻锗硅硬掩膜层，在PMOS源漏区域形成U型沟槽，同时刻蚀掉多晶硅栅极顶部的部分锗硅硬掩膜层；将U型沟槽蚀刻成Sigma型沟槽；沉积锗硅；去除多晶硅栅极顶部和侧壁的栅极硬掩膜层；重新生长NMOS侧墙，进行N型注入。通过打开多晶硅顶部，增大锗硅工艺中硬掩膜层去除工艺窗口，避免多晶硅栅极顶部硬掩膜层残留的缺陷。
8 功率半导体器件、其终端结构、掩膜版和配方技术
简介：本技术涉及一种功率半导体器件、其终端结构、掩膜版和配方技术，所述功率半导体器件设有主结，所述终端结构包括终端区，所述终端区包括多个依次环绕于所述主结之外的场限环；所述场限环包括第一传导类型的半导体离子，在远离所述主结的方向上，多个所述场限环的第一传导类型的半导体离子的掺杂浓度依次递减。通过将多个场限环内的第一传导类型的半导体离子的浓度设计为沿远离所述主结的方向依次递减，可以使半导体器件的耐压更加稳定，而且整个终端结构所占的面积大大减小，提高了生产效率，避免了半导体材料的浪费；而且呈一定梯度的离子浓度变化，还有效缓解了电场集中现象，提高了功率器件的反向阻断能力。
9 一种掩膜版及其制作方法
简介：本申请涉及一种掩膜版及其制作方法，该掩膜版包括：基底，基底包括半透光区域；位于半透光区域上的半透光层，半透光层的材质为半导体材料，用于吸收具有预设波长的光。通过这种方式，能够实现掩膜版半透光区域对曝光光线的选择性吸收，进而避免制作薄膜晶体管时半透光区域对应的光阻曝光均一性较差的问题，提高制作出的阵列基板的品质。
10 闪存的制造方法、闪存储器及光罩掩膜版
简介：本技术涉及闪存的制造方法，涉及半导体集成电路制造方法，在闪存的制造过程中，进行CRS工艺时，使用的光罩掩膜版，使进行CRS工艺后半导体衬底上的各场氧化层的第一部分区域内形成一凹槽，并凹槽上方用于在后续工艺中形成闪存的控制栅极，使半导体衬底上的各场氧化层的除第一部分区域之外的第二部分区域内不形成凹槽，以使控制栅极之间的场氧层不被刻蚀掉，后续栅间介质层生长就是平坦的,控制栅极的DEP也是平坦的，对于控制栅极的刻蚀更加容易，所以控制栅极间的均匀性也会更好，大大提高了闪存的性能。
11 一种基于金属掩膜衬底的氮化物LED制作方法
12 一种掩膜版清洗装置及清洗方法
13 一种微电极沉积掩膜的配方技术
14 拼接式掩膜版及其制造方法
15 光配向掩膜版修复方法
16 掩膜版组合和使用掩膜版组合将半导体薄膜图形化的方法
17 一种电阻芯片的制造方法及光掩膜版
18 一种掩膜版传送装置及掩膜版除尘方法
19 掩膜板和电容器阵列、半导体器件及其配方技术
20 掩膜版及其制作方法、半导体器件的形成方法
21 半导体器件、硬掩膜结构及其制造方法
22 一种高精密硅基通孔掩膜版分体图形结构
23 具有改善的热稳定性可用作硬掩膜的含旋涂式无机氧化物的组合物和填充材料
24 用于半导体掩膜板的高精密平板加热装置
25 用于半导体掩膜板涂胶的旋转夹紧卡盘
26 对准光刻掩膜板的方法和在半导体材料的晶圆中制造集成电路的相应工艺
27 一种用于碳化硅的低损伤离子注入方法及注入掩膜结构
28 半导体器件及其制造方法和掩膜板
29 半导体器件及其制造方法和掩膜板
30 相移空白掩膜和相移光掩膜
31 掩膜版及其制作方法
32 掩膜版及其制作方法
33 掩膜版及其制作方法
34 掩膜版及其制作方法
35 组合掩膜版、半导体器件及其形成方法
36 一种掩膜版及其制造方法
37 一种掩膜版差异的检测方法
38 一种掩膜版及其制造方法
39 低密度分立硅锥的无掩膜配方技术和所制备的分立硅锥
40 一种去除栅极多晶硅上二氧化硅硬掩膜层的方法
41 一种金属掩膜板的制作方法
42 一种选择区域外延的图形化掩膜制备及二次生长界面优化方法
43 一种金属掩膜板的制作方法和金属掩膜板
44 高耐蚀刻性旋涂式碳硬掩膜组合物以及利用该组合物的图案化方法
45 一种像素掩膜板及其制作方法
46 一种大面积玻璃衬底上倒梯形截面光刻胶掩膜的配方技术
47 一种抑制自掺杂的双层掩膜工艺
48 光掩膜及半导体装置的形成方法
49 图形化的掩膜层及其形成方法
50 用于形成字线的掩膜版、半导体存储器件以及测试结构
51 半导体存储器件及其制造方法和掩膜版
52 硬掩膜的自限性平坦化
53 多重图形化掩膜的配方技术
54 一种光刻掩膜版和光刻掩膜版缺陷的修复方法
55 掩膜版高精度遮挡半导体芯片门极图形真空镀薄膜加工工艺
56 一种掩膜图形缺陷的修复方法
57 用于后段制程的牺牲的非晶硅硬掩膜
58 掩膜层结构、半导体器件及其制造方法
59 一种金属掩膜版制造工艺及其制造装置
60 一种掩膜板及其制作方法
61 包含有监测图形的掩膜版以及监测方法
62 用于高压器件的低成本的掩膜还原方法及器件
63 利用光刻掩膜抬离法实现光学镀膜的方法
64 使用重叠掩膜减少栅极高度变化的方法
65 一种去除栅极硬掩膜层的方法
66 掩膜版版图以及形成半导体结构的方法
67 衰减相移掩膜及其制造方法
68 一种多重图形化掩膜层的结构及制作方法
69 一种制备OLED器件的掩膜板配方技术
70 一种高效剥离光刻胶掩膜的光刻工艺方法
71 去除半导体基片掩膜层的方法
72 有机发光二极管显示面板的像素排列结构及掩膜板
73 一种多重图形化掩膜层的形成方法
74 一种多重图形化掩膜的配方技术
75 改进多重图形化掩膜层的方法
76 一种掩膜板夹持机构
77 掩膜版异物清除方法及掩膜版异物清除装置
78 掩膜感知布线及所产生的设备
79 制备布图设计的方法、光掩膜、半导体器件及其制造方法
80 硬掩膜层的制作方法、层间介质层的制作方法及半导体器件
81 光掩膜、半导体器件的制作方法及半导体器件
82 设计和制造光学微影掩膜的方法及系统
83 光掩膜版、半导体器件的制作方法、半导体器件及存储芯片
84 一种半导体器件终端的平边结构、制造工艺及光掩膜板
85 一种半导体器件终端环的拐角结构、制造工艺及光掩膜板
86 掩膜的沉积方法、掩膜及半导体器件的刻蚀方法
87 TiN复合硬掩膜、用于形成互连层结构的硬掩及互连层的制作方法
88 一种掩膜板支撑装置和清洗掩膜板的方法
89 离子注入掩膜方法及碳化硅肖特基二极管制造方法
90 以碳纳米管为掩膜制备鳍形结构的方法
91 以碳纳米管为掩膜制备FinFET的方法
92 光掩膜、薄膜晶体管元件及制作薄膜晶体管元件的方法
93 一种UV固化油墨及使用该油墨制备掩膜板的方法
94 多种类硅化物掩膜层的形成方法
95 一种金属硬掩膜层及铜互连结构的配方技术
96 一种金属硬掩膜层及铜互连结构的配方技术
97 用于光刻工艺的掩膜及其制成的图形
98 掩膜版及显微镜读取关键尺寸的方法
99 一种金属硬掩膜层及铜互连结构的配方技术
100 一种金属硬掩膜层及铜互连结构的配方技术
101 一种掩膜板及液晶面板
102 在GaAs纳米线侧壁利用纳米环作为掩膜生长量子点的方法
103 用于MOFET的掩膜层级减少
104 半导体芯片的版图图层设计方法及其掩膜板
105 半导体芯片的版图图层设计方法及其掩膜板
106 一种去除硬质掩膜结构中缺陷的方法
107 一种掩膜板及其制造方法
108 使用有机平面化掩膜切割多条栅极线
109 互连结构中形成图案化金属硬掩膜的方法
110 一种用于缩小金属硬掩膜层的关键尺寸的方法
111 多重图形化的掩膜层及其形成方法
112 多重图形化的掩膜层的形成方法、半导体结构
113 自对准多重图形化的掩膜层及其形成方法
114 金属硬掩膜层配方技术以及半导体制造方法
115 硬掩膜层结构及其制造方法和半导体器件制造方法
116 MEMS封帽硅片的多硅槽形成方法及其刻蚀掩膜结构
117 一种制备球状光刻胶掩膜的方法
118 一种使用金属硬掩膜提高ＳＴＩ特性的方法
119 一种利用上掩膜实现高性能铜互连的方法
120 一种利用上掩膜实现高性能铜互连的方法
121 通过用基于等离子的掩膜图案化工艺形成沟道半导体合金
122 藉由氮化物硬掩膜层及氧化物掩膜形成信道半导体合金
123 一种利用上掩膜实现高性能铜互连的方法
124 一种利用上掩膜实现铜互连的方法
125 无定形碳硬掩膜层的形成方法及刻蚀方法
126 一种利用上掩膜实现高性能铜互连的方法
127 一种低应力金属硬掩膜层的配方技术
128 采用硬掩膜形成隔离沟槽的方法
129 用于形成自对准通孔的T形金属硬掩膜
130 无定形碳处理方法及采用无定形碳作为硬掩膜的刻蚀方法
131 杂质层形成方法、曝光用掩膜及固体摄像装置的制造方法
132 定义光阻图案倒线规则的模型、掩膜布局、半导体基板及方法
133 高功率半导体激光器阵列掩膜装置
134 带通道截止沟槽的双栅极氧化物沟槽MOSFET及三或四掩膜工艺
135 通过利用衬底图案化的无掩膜工艺的位错和应力管理以及设备制造方法
136 减少光刻胶掩膜倒塌或移位的方法
137 用三个或四个掩膜制备的氧化物终止沟槽MOSFET
138 用于半导体器件设计的掩膜数据的波前工程
139 轻掺杂漏形成方法及形成轻掺杂漏时应用的掩膜
140 用于薄膜电阻器生产的硬掩膜
141 三掩膜形成屏蔽栅极沟槽场效应晶体管的方法及器件
142 光掩膜层及其形成方法
143 一种查找缺陷掩膜版的方法
144 利用金属催化剂制备多晶硅掩膜的方法及利用它制造半导体元件的方法
145 硬掩膜层刻蚀方法
146 一种用于半导体工艺中的掩膜
147 具有单掩膜预定栅极沟槽和触点沟槽的高密度沟槽金属氧化物半导体场效应管
148 图案修正方法、曝光掩膜、半导体器件及其制造方法
149 光刻掩膜以及光刻方法
150 掩膜层的形成方法及刻蚀方法
151 制造掩膜版的方法
152 光掩膜图形的形成方法及光掩膜层
153 三态掩膜以及用其制造半导体器件的方法
154 掩膜板的检测方法
155 光掩膜、薄膜晶体管元件及制作薄膜晶体管元件的方法
156 基于纳米掩膜制备技术的电化学制备纳米阵列结构材料方法
157 掩膜只读存储器的制造方法
158 掩膜只读存储器的制造方法
159 半导体装置和光掩膜
160 可减少掩膜数目的具有静电放电电路保护的半导体功率组件
161 可减少掩膜数目的具有静电放电电路保护的半导体功率组件
162 可减少掩膜数目的具有静电放电电路保护的半导体功率组件
163 掩膜图案校正方法、半导体装置制造方法和半导体装置
164 用于制造半导体晶片的外围遮光型掩膜结构及其制造方法
165 保护半导体免受脉冲激光处理损害的薄牺牲掩膜
166 有机电致发光元件制程中的光刻掩膜板的清洗方法及装置
167 一次掩膜光刻同时定义有机薄膜晶体管源漏栅电极的方法
168 一种检测掩膜版设计规则的方法
169 基于负性光刻胶的栅极注入掩膜层的配方技术
170 一种无掩膜半导体外延片制作方法
171 隔离环基层、隔离环基层掩膜版及隔离环基层形成方法
172 用于大马士革工艺的光刻掩膜板
173 轻掺杂区形成方法及形成轻掺杂区时应用的掩膜
174 浅沟槽隔离区、浅沟槽隔离区掩膜版及浅沟槽隔离区制造方法
175 改善掩膜关键尺寸趋势的制造方法
176 一种改进型栅极多晶硅掩膜层去除方法
177 使用低温沉积含碳硬掩膜的半导体基材制程
178 利用三道掩膜制造液晶显示装置用下基板的方法
179 闪存装置制造中用于多晶硅-1定义非临界互补掩膜方法
180 半导体器件的制造方法和用于该方法的掩膜
181 增透硬掩膜组合物和该组合物的使用方法
182 增透硬掩膜组合物和该组合物的使用方法
183 增透硬掩膜组合物和该组合物的使用方法
184 半导体器件的制造方法以及半导体晶片分割掩膜的形成装置
185 利用钨作为牺牲硬掩膜制造半导体器件的方法
186 平板型掩膜板ROM器件
187 用于半导体器件制造的掩膜图案及其形成方法、和制造有精细图案的半导体器件的方法
188 掩膜图案及其形成方法、涂料组合物的配方技术、和制造半导体器件的方法
189 光刻用硫化物半导体掩膜
190 用于旋涂抗反射涂层/硬掩膜材料的含硅组合物
191 抗反射硬掩膜及其应用
192 利用复合掩膜进行反应离子深刻蚀二氧化硅的方法
193 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法和用于该面板的掩膜
194 掩膜式只读存储器的信息写入方法
195 制作半导体器件的方法和生成掩膜图样的方法
196 一种形成暨测试一相移掩膜的方法
197 使用内存字线硬掩膜延伸部的集成电路制造方法
198 用于使位线不会短路的存储器装置的硬掩膜方法
199 一种掩膜式只读存储器工艺与元件
200 半导体制造装置、制造方法及掩膜位置确定装置
201 无掩膜光子电子点格栅阵列光刻机
202 无掩膜光子电子点格栅阵列光刻机
203 改进的三维掩膜编程只读存储器
204 基于nF开口的三维掩膜编程存储器
205 半导体装置及其制造方法和印刷掩膜
206 生成掩膜数据的方法、掩膜、以及制造半导体器件的方法
207 扁平单元结构的掩膜只读存储器制造方法
208 氧化羰基铁光刻掩膜版
209 使用衰减相移反射掩膜在半导体晶片上形成图案的方法
210 使用衰减相移反射掩膜在半导体晶片上形成图案的方法
211 使用反射掩膜的集成电路
212 掩膜式只读存储器的编码方法
213 制造高密度掩膜型只读存储器的方法
214 利用单一程序化掩膜定义掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法
215 半导体集成电路器件配方技术,其光掩膜和它的配方技术及掩膜胚
216 光掩膜及其曝光方法
217 用于轴外照明的标度掩膜板
218 光掩膜及其制造方法
219 钨丝做掩膜二次质子轰击垂直腔面发射激光器
220 掩膜只读存储器
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,完整内容都包括具体的配方配比和生产工艺制作过程。收费260元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
