1 一种半导体晶圆加工中浆料的定量抽换装置
简介：本技术提供了一种半导体晶圆加工中浆料的定量抽换装置，包括碱液罐、酸液罐、浆料罐、水罐、定量称重装置和PLC控制系统，PLC控制系统包括酸碱比重监控中心，浆料罐还设有电极探测装置和监测棒，电极探测装置和监测棒分别与酸碱比重监控中心电连接，该装置引入了酸碱比重监控中心，酸碱比重监控中心可以根据反馈得到的酸碱浓度、液位和比重等信号对浆料进行调控，使浆料的有效成分处于动态平衡状态，维持了抛光制程加工的稳定性；另外，浆料罐包括振动装置和清洁装置，振动装置使浆料均匀分散，浆料不易包覆在监测棒末端和电极探测装置末端上，增加了对监测棒末端和电极探测装置末端的及时清洁功能，提高了监测棒末端和电极探测装置末端的准确性。
2 一种片式电阻用银导体浆料的银迁移测试方法
简介：本技术涉及本技术提供一种片式电阻用导体浆料银离子迁移测试方法，针对目前电子浆料中银导体浆料在湿润环境下容易产生银离子迁移，且目前银离子迁移的测试方法和手段不成熟的问题，提出了一种固态测试银离子迁移的测试方法，它们分别用于高银含量导体浆料和低银含量导体浆料的测试。论述了不同条件下的银离子迁移的不同形态。分析了银离子迁移机理。讨论了电场、温度、湿度、基材和不纯物对银迁移方式的影响。从而突破了常用银离子迁移测试时受环境影响，迁移时间波动变化大的瓶颈，有效解决了片式电阻在使用过程中的银迁移问题。
3 不锈钢基材用高可焊防起翘厚膜导体浆料及其配方技术
简介：本技术涉及一种不锈钢基材用高可焊防起翘厚膜导体浆料及其配方技术，厚膜导体浆料的特征在于：包括重量百分比为75%~85%的复合导电粉末、1%~5%的复合无铅玻璃粉、及15%~20%的有机载体；所述复合导电粉末为银粉与钯粉或铂粉的混合粉末；所述复合无铅玻璃粉是CaO‑Al2O3‑SiO2‑B2O3‑Li2O系无铅玻璃粉和Bi2O3‑CuO‑MnO2‑Al2O3‑SiO2系无铅玻璃粉的复合粉末。本厚膜导体浆料的可靠性高、稳定性好。
4 一种导体浆料及导体材料
简介：本技术涉及一种导体浆料及导体材料。本技术的导体浆料包含下述重量百分比的组分：银粉20％～40％、石墨烯0.01％～20％、玻璃粉1％～8％、有机载体45％～70％。本技术导体浆料中银含量极低，仅为20％到40％，这打破了传统高银高导的思维束缚，是国产电子材料极限领域的新突破，能有效的为下游企业降低生产成本，提高生存空间；同时，在导体浆料中加入石墨烯，利用石墨烯优良的电学性能弥补降银带来的缺陷。
5 用于氮化铝衬底的无铅铜导体浆料
简介：本技术涉及用于氮化铝(AlN)衬底的无铅铜(Cu)导体浆料，用于以氮化铝(AlN)为衬底的功率负载制造。其特征在于导体浆料由占75—85％(重量比)的Cu金属导电粉，6‑12％(重量比)的玻璃粉，10‑20％(重量比)的有机载体配制而成。本技术特点具有不含铅,可与氮化铝(AlN)衬底具有附着力好，导电性能好的特点。
6 无铅银导体浆料及其制备工艺
简介：本技术涉及太阳能电池正面电极用无铅银导体浆料，包括Ag金属粉、玻璃粉、有机溶剂和添加剂；Ag金属粉占浆料总重的75—85％(重量比)，由两种不同粒度和形状的Ag金属粉组成,第一种球形Ag金属粉粒度为3‑10um,第二种纳米片状Ag金属粉粒度为20‑50nm,玻璃粉占浆料总重的6‑12％，有机载体占浆料总重的10‑20％,添加剂占浆料总重的1‑5％。将固体粉末与有机载体混合研磨，得到所需的无铅银浆料。本技术不含铅,能大大提高电极的导电性能。
7 半导体装置的平坦化方法及化学机械研磨浆料组合物
简介：本技术实施例描述一种金属表面化学机械研磨技术。在金属化学机械研磨浆料中包含一种络合剂或胶束。在化学机械研磨浆料中包含与氧化剂键结的络合剂，以在组合体的核心形成与氧化剂分子的络合物，例如超分子组合体，且前述氧化剂分子被络合剂分子包围。形成的络合物具有增大的尺寸。
8 浆料组合物、其配方技术和利用其制造半导体装置的方法
简介：提供了一种用于化学机械抛光(CMP)的浆料组合物，其包括用作抛光粒子的富勒醇和氢氧化烷基铵二者的复合化合物。可低成本大量制备展现出优秀抛光特性的所述浆料组合物。还提供了一种制备浆料组合物的方法，其包括：通过使氢氧化烷基铵、过氧化氢和富勒烯反应获得富勒醇复合化合物和未反应的过氧化氢的混合物；通过将过氧化氢分解催化剂粒子加入混合物中去除未反应的过氧化氢；通过过滤从混合物中分离过氧化氢分解催化剂粒子；以及将抛光添加剂加入混合物。还提供了一种制造半导体装置的方法，其包括：提供限定沟槽的图案；在所述图案上形成金属材料膜以填充沟槽；以及所述利用浆料组合物执行金属材料膜的CMP。
9 一种铜导体浆料及其配方技术与应用
简介：本技术涉及一种电机转子材料，具体涉及一种铜导体浆料及其配方技术与应用，属于电动机技术领域。本技术的铜导体浆料包括以下重量百分比的组分：铜粉70％～90％，玻璃粉0～5％，有机载体5％～30％。本技术提供了一种新的铜导体浆料，以本技术的铜导体浆料为原料制得的铜导转子导电性更好，有效提高了铜导转子的质量、性能，且降低能耗、材耗。
10 一种导电浆料及用其制成的半导体装置
简介：本技术提供一种导电浆料及用其制成的半导体装置，包括含一种及以上的微凝胶聚合物的有机载体，导电粉末和玻璃粉。其中微凝胶聚合物为乙烯基吡咯烷酮类微凝胶或者丙烯酰胺类微凝胶，聚乙烯基吡咯烷酮和聚丙烯酰胺类聚合物具有优异的增塑性、成膜性和粘结性，有利于改善导电浆料的印刷性和最终导电装置的光电转换效率。该导电浆料可以用于制备半导体装置，该半导体装置制备过程包括：提供半导体基底；将该导电浆料施加到基底上；通过加热使导电浆料形成稳定的导电结构以作为半导体的电极。用该导电浆料形成的导电结构的图形可以满足栅线边缘干净，线型整齐，窄细栅和大的高宽比的特征，可有效提高半导体装置的效率。
11 一种氧化锌压敏电阻器用铜导体浆料的制备工艺及应用
12 一种半导体器件玻璃钝化层所用浆料及其配方技术
13 厚膜导体形成用粉末组合物以及厚膜导体形成用浆料
14 用于低温多层共烧陶瓷LTCC的填孔导体浆料
15 一种用于不锈钢厚膜电路的导体浆料及其配方技术
16 一种提高固化型铜导体浆料电性能的方法
17 半导体、太阳能电池用印刷掺杂浆料
18 一种用于丝印烧结形成透明导体的浆料和应用
19 化学机械抛光浆料组合物及使用其制作半导体器件的方法
20 用于抛光金属层的浆料组合物及制作半导体装置的方法
21 一种半导体浆料及其配方技术
22 一种用于半导体封装的导电浆料及其配方技术
23 一种可印刷的纳米复合物弹性导体的配方技术、导电浆料和电子织物
24 丝网印刷用金基导体浆料及其配方技术
25 一种无卤型有机聚合物银导体浆料
26 一种环保型太阳能电池正面电极导体浆料及其配方技术
27 凹槽自流平导体浆料及其使用方法
28 高温共烧陶瓷厚膜导体浆料
29 一种晶硅太阳能用背铝导体浆料的配方技术
30 化学机械抛光浆料、化学机械抛光的方法及半导体结构的制造方法
31 一种低银含量晶体硅太阳能电池背面电极用银导体浆料
32 一种太阳能铝导体浆料及其配方技术
33 树脂组合物、导电性铜浆料及半导体装置
34 伸缩性导体组合物、伸缩性导体形成用浆料、具有由伸缩性导体组合物构成的配线的服装及其制造方法
35 一种半导体气敏元件气敏浆料的配方技术
36 一种中高温厚膜电路导体浆料及其配方技术
37 用于化学机械抛光的浆料组合物、其制法、抛光方法、制造半导体器件的方法和抛光设备
38 一种纳米银导体浆料
39 一种太阳能铝导体浆料及其配方技术
40 节能环保耐高温型远红外线保健半导体发热浆料
41 树脂组合物、铜浆料及半导体装置
42 一种抗氧化铜导体浆料的配方技术
43 一种半导体气敏元件气敏浆料的配方技术
44 树脂组合物、导电性树脂组合物、粘合剂、导电性粘合剂、电极形成用浆料、半导体装置
45 导电性铜浆料、导电性铜浆料固化膜和半导体装置
46 一种稀土掺杂半导体红外辐射厚膜电子浆料及其配方技术
47 铝-锡浆料及其在制造可焊电导体中的用途
48 一种用于氮化铝衬底的无铅厚膜导体浆料
49 多孔半导体层、多孔半导体层用浆料及染料敏化太阳能电池
50 一种纳米低银含晶硅太阳能用背银导体浆料的配方技术
51 磨料颗粒、抛光浆料和使用其的半导体装置的制造方法
52 一种用于电子陶瓷流延生片印刷的高温导体浆料
53 无铅银导体浆料的配方技术
54 无铅银导体浆料
55 一种用于半导体陶瓷电容的无铅电极银浆料及其配方技术
56 一种贱金属导体浆料配方技术
57 浆料成分、硫化物半导体膜、太阳能电池及其形成方法
58 一种半导体陶瓷电容器电极用银导体浆料及其配方技术
59 在半导体装置的制造中用于细线条高纵横比丝网印刷的导电浆料
60 用于具有局部打开的通孔的背面钝化的电池的铝导体浆料
61 包含铅-钒基氧化物的厚膜浆料及其在半导体装置制造中的用途
62 导电浆料、半导体装置用电极、半导体装置及半导体装置的制造方法
63 厚膜电路用导体浆料、应用该浆料的厚膜电路板及其制造方法
64 包含基于铋的氧化物的厚膜浆料及其在半导体器件制造中的用途
65 包含基于铋的氧化物的厚膜浆料及其在半导体器件制造中的用途
66 包含铋-碲-氧化物的厚膜浆料及其在制造半导体器件中的用途
67 包含铋-碲-氧化物的厚膜浆料及其在制造半导体器件中的用途
68 太阳能电池正面电极用银包铜导体浆料及其配方技术
69 一种硅太阳能电池铝导体浆料
70 一种太阳能电池背面电极用银导体浆料
71 接合用浆料及半导体元件与基板的接合方法
72 导体浆料附着力测试剥离角度控制设备
73 化学机械抛光浆料组合物及使用其制造半导体器件的方法
74 晶硅太阳能电池正面电极用银导体浆料及其配方技术
75 一种基于大功率LED芯片贴装用环保型银导体浆料及其配方技术
76 多层高温共烧陶瓷厚膜导体钨浆料及其配方技术
77 一种钛酸钡基半导体陶瓷欧姆电极浆料用超细球形银粉的配方技术
78 包含铅-碲-锂-钛-氧化物的厚膜浆料以及它们在制造半导体装置中的用途
79 包含铅‑碲‑锂‑氧化物的厚膜浆料以及它们在半导体装置制造中的用途
80 包含铅-碲-硼-氧化物的厚膜浆料以及它们在制造半导体装置中的用途
81 一种半导体芯片贴装用环保型银导体浆料及其配方技术
82 用于电子元件电极的镍铜导体浆料及其制作工艺
83 再循环从半导体处理工艺、特别是从化学机械抛光工艺中产生的含浆料的废水的再循环方法和装置
84 一种印刷电路板用导体浆料及其配方技术
85 一种纳米银导体浆料及其配方技术
86 氧化铝基板使用的厚膜导体浆料及其配方技术
87 无铅可耐焊全银导体浆料
88 银厚膜浆料组合物及其在光伏电池导体中的用途
89 用于太阳能电池电极的导体浆料
90 晶片接合用树脂浆料、使用该浆料的半导体装置的制造方法及半导体装置
91 制造铜互连的阻挡层抛光的CMP浆料组合物、使用其的抛光方法及通过其制造的半导体器件
92 太阳能电池正面电极用无铅银导体浆料及其制备工艺
93 太阳能电池正面电极用银导体浆料及其制备工艺
94 用于硅太阳能电池的导体浆料和栅极
95 一种环保型硅太阳能电池正面栅线电极银导体浆料
96 含碳银导体浆料的配方技术
97 用于陶瓷基底的导体浆料和电路
98 一种耐高温抗氧化无铅镍导体浆料及其配方技术
99 从半导体晶片制造工艺再生废浆料的再生工艺和再生系统
100 基于半导体芯片粘结用低温烧结型导电浆料及其制备工艺
101 铜导体浆料、导体电路板和电子部品
102 晶片接合用树脂浆料、半导体装置的制造方法及半导体装置
103 用于形成钨图案的浆料组合物以及使用其制造半导体器件的方法
104 纳米半导体金属氧化物浆料组合物及其制备工艺
105 制造半导体器件的方法、由此获得的半导体器件和适合该方法中使用的浆料
106 导体浆料、多层陶瓷基板以及多层陶瓷基板的制造方法
107 用于抛光半导体晶片的CMP浆料及使用该浆料的方法
108 化学机械研磨浆料、化学机械研磨法及半导体装置的制法
109 用于金属膜的CMP浆料、抛光方法以及制造半导体器件的方法
110 检测用于形成半导体器件的浆料的方法
111 铜银合金导体浆料及其配方技术
112 用于半导体浅沟隔离加工的化学机械抛光浆料组合物
113 用于抛光半导体薄层的氧化铈浆料
114 CMP浆料、抛光方法和半导体器件的制造方法
115 用于CMP的浆料、抛光方法及半导体器件的制造方法
116 用于化学机械抛光的浆料、抛光方法及半导体器件的制造方法
117 CMP用浆料、抛光方法和半导体器件的制造方法
118 半导体研磨浆料精制用原材料、半导体研磨浆料精制用模块和半导体研磨浆料的精制方法
119 化学机械研磨用浆料组合物、利用它的半导体元件的表面平坦化方法以及浆料组合物的选择比控制方法
120 导电用复合铜粉及复合铜导体浆料的配方技术
121 用于氮化铝衬底的无铅厚膜导体浆料组合物
122 一种有机金导体浆料
123 半导体晶片抛光浆料供应量的控制
124 适用于半导体化学机械抛光的金属氧化物浆料的配方技术
125 适用于半导体化学机械抛光的金属氧化物浆料的配方技术
126 用于氮化铝衬底的厚膜导体浆料组合物
127 汽车玻璃用的厚膜导体浆料及其施加方法
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,完整内容都包括具体的配方配比和生产工艺制作过程。收费260元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
