1 一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销及其配方技术
简介：本技术提供的属于半导体技术领域，具体为一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销及其配方技术，包括销杆和销帽，所述销帽连接在销杆的一端，所述销杆和销帽同轴连接，所述销杆和销帽为陶瓷材料一体成型结构，且销帽、销杆均呈圆柱状，所述销帽的外壁直径大于销杆的外壁直径，该半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销的配方技术步骤如下：S1：注入模具；S2：打磨成型。在陶瓷提升销的顶端加宽销帽的直径，使它跟加热器盖板的直径相接近，防止制程过程中有大量气体从销帽跟加热器盖板孔缝隙流入带走一些热量，预防销帽处温度低，晶圆提升销点位置厚度低的问题。
2 一种陶瓷嵌入定位式半导体器件用测试座
简介：本技术涉及一种陶瓷嵌入定位式半导体器件用测试座，包括底座；设置在所述底座上的转接支架；转接支架的上方从下至上依次设有托块、一体式测试片、主体和限位盖板；主体内嵌设有陶瓷定位组件，用于对芯片进行限位；陶瓷定位组件内设有芯片；限位盖板内设有用于容纳芯片通过的通孔；本技术的陶瓷嵌入定位式半导体器件用测试座，测试片的针尖采用钨钢焊接以及测试片一体式对称设计，增强了测试片的针尖与芯片管脚的接触，同时芯片通过第一陶瓷限位块和第二陶瓷限位块形成的四个直角定位及陶瓷顶针的辅助保证接触精度，使其达到理想的接触及测试效果，提高了接触的可靠性和使用寿命，节省了维修维护更换时间成本，测试稳定且测试良率高，提高了生产效率的同时降低了成本。
3 一种环形半导体陶瓷电容器及其制作方法
简介：本技术提供了一种环形半导体电容器及其制作方法，包括半导体电容器瓷体和多个电极；半导体电容器瓷体为环形片结构，其环形内径与直流电机换向器的外径相当，多个电极的数量在3个以上，与所适配的直流电机的电枢数目相等；多个电极均匀覆盖于半导体电容器瓷体的同一环形平面上，各相邻电极之间留有等间距的间隙。本技术对于转速要求较高的直流电机高频高次谐波吸收有良好的效果，并且不会造成电机转速降低；本技术在环形电容瓷体的同一平面或侧面上印刷三个以上电极，电极数目与配套使用的直流电机电枢绕组数目相同。
4 一种钼承烧钵以及半导体陶瓷半导化工艺
简介：本技术提供了一种钼承烧钵以及半导体陶瓷半导化工艺。钼承烧钵为长方体结构，长度方向的两侧面均匀开设有三排透气孔。该半导体陶瓷半导化工艺包括以下步骤：在密闭炉体中充满75％H2+25％N2的还原气体，给加热钼丝通电使其加热到1000‑1100℃；在钼承烧钵中装满待还原产品，在保证安全的前提下打开密闭炉体的一侧炉门，通过推送机构将承烧钵送进密闭炉体内的耐高温炉管中进行半导化。钼具有在高温还原气氛下不变形、耐高温、耐还原气氛不变色、不起皮，强度高的特点，使得半导体陶瓷半导化工艺中采用钼承烧钵替代Al2O3和不锈钢承烧钵，具有明显的改善工艺适应性的特点，长期来看钼承烧钵经济性更高。
5 陶瓷劈刀及其制作方法和半导体封装方法
简介：本技术涉及一种陶瓷劈刀及其制作方法和半导体封装方法。上述陶瓷劈刀的制作方法包括如下步骤：提高陶瓷劈刀半成品，陶瓷劈刀半成品具有倒角；对陶瓷劈刀半成品的倒角外的区域进行激光处理，以在陶瓷劈刀半成品表面形成若干间隔排列的凹槽和凸起，相邻凹槽和凸起的间距为1μm～3μm，相邻凹槽的间距为3μm～12μm，得到陶瓷劈刀。上述陶瓷劈刀的制作方法能够提高焊线的使用寿命和焊线质量。
6 陶瓷劈刀及其制作方法和半导体封装方法
简介：本技术涉及一种陶瓷劈刀及其制作方法和半导体封装方法。上述陶瓷劈刀的制作方法包括如下步骤：提供陶瓷劈刀半成品；将陶瓷劈刀半成品进行微波处理，得到陶瓷劈刀，其中，微波处理的温度为1200℃～1600℃，升温速率为0.2℃/min～15℃/min，保温时间为0.5h～12h。上述陶瓷劈刀的制作方法利用微波的均匀性、稳定性，对陶瓷劈刀半成品进行表面处理以消除内应力，同时控制微波的处理温度、升温速率、保温时间等参数，获得不同表面粗糙度的劈刀，相对传统的加热处理，能够满足Cu、Au、Ag合金线焊接，且焊线的使用寿命更高。
7 一种氧化铟透明半导体陶瓷的配方技术
简介：本技术涉及一种氧化铟透明半导体陶瓷的配方技术。将含有阳离子型丁二炔表面活性剂PCDA‑C6‑NH3+的硫酸铟溶液置于恒温水浴锅中加热，逐滴加入六亚甲基四胺溶液，滴定结束后陈化得到白色沉淀，沉淀依次进行洗涤、烘干、煅烧，得到氧化铟超细粉末；随后对其预压、冷等静压成型、氧气气氛烧结以及机械加工，得到氧化铟透明半导体陶瓷。优点是：工艺简单，成本较低；以六亚甲基四胺溶液为沉淀剂，并加入阳离子型丁二炔表面活性剂PCDA‑C6‑NH3+，经煅烧获得的氧化铟粉体的烧结活性高，利用该粉体获得的透明陶瓷致密度高，具有较高的应用价值。
8 一种功率半导体模块内部覆铜陶瓷基板的焊接工装及方法
简介：本技术涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种功率半导体模块内部覆铜陶瓷基板的焊接工装及方法。该焊接工装包括：DBC定位板、压块定位板、DBC基板压块和定位销；所述DBC定位板设置有若干个用于安装DCB基板的限位容置槽，所述DBC定位板设置有若干个定位孔，所述DBC定位板的定位孔与其下方的散热底板的定位孔同心设置；所述压块定位板设置有若干个定位孔，所述压块定位板设置有若干个卡槽，每个卡槽与所述限位容置槽对应设置；所述定位销的下部穿装在所述DBC定位板与散热底板之间的定位孔中，所述定位销的上部穿装在所述压块定位板的定位孔中；所述DBC基板压块设置于所述压块定位板的卡槽内，以压紧安装在限位容置槽上的DCB基板。
9 一种半导体陶瓷部件表面有机沉积物的去除方法
简介：本技术提供了一种半导体陶瓷部件表面有机沉积物的去除方法，包括以下步骤：S1、将待清洗的半导体陶瓷部件浸泡于酸洗溶液内进行清洗，然后晾干待用；S2、将经过酸洗后的半导体陶瓷部件放置于高温炉内进行高温焙烧处理，经过升温、保温、降温后，自然冷却至室温；S3、再将经过高温焙烧处理的半导体陶瓷部件使用酸洗溶液再次进行浸泡清洗，再经过水洗、干燥，即可。采用本技术中的去除方法，可保证半导体陶瓷部件的清洗效果，且能够完好的保存部件表面的原始特征，提高陶瓷部件的再生率，延长其重复使用寿命。
10 电荷装载仓容性陶瓷半导体装置及其制造方法
简介：本技术提供了一种电荷装载仓容性陶瓷半导体装置及其制造方法。该装置由设定数量的形状相同的几何片状体的陶瓷半导体结构串联组成，串联过渡体为铝箔或锡箔，每一个几何片状体的陶瓷半导体结构串联的截面附着导电金属电极，侧面刷涂玻璃釉绝缘浆料。本技术通过材料配方技术和工艺，增加异性电荷聚合量，保护角度≥85°，大大的提高了保护半径。闪电电流耐受程度达到150‑400KA。此参数通过国家第三方测试机构的测试验证。在设定保护角度下接闪概率达到100％，减少大约82％的雷电流泄放大地，彻底消除82％的雷电流消除地面保护区域内微电子设备地电位高压反击破坏现象，保护人身安全和设备安全。
11 Lu2O3稀土元素改性耐高温高可靠NTC半导体陶瓷热敏芯片材料
12 Sc2O3稀土元素改性耐高温高可靠NTC半导体陶瓷热敏芯片材料
13 Tm2O3稀土元素改性耐高温高可靠NTC半导体陶瓷热敏芯片材料
14 碳化硅陶瓷及其配方技术和半导体零件
15 具有光伏效应的K1-xLnxNb1-xFexO3稀磁铁电半导体陶瓷及其配方技术
16 氧化物(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷及其配方技术
17 一种Al3+掺杂型低红外、低热导率半导体陶瓷材料及其配方技术
18 PTC陶瓷半导体电加热装置
19 PTC陶瓷半导体热源
20 一种一氧化钛半导体陶瓷及其配方技术
21 陶瓷环及具有陶瓷环的半导体反应腔体
22 一种半导体陶瓷覆合铜板打孔下模
23 一种半导体级挤出成型高纯氧化铝陶瓷产品的配方技术
24 双面陶瓷基板的配方技术、使用该方法制备的双面陶瓷基板以及包括其的半导体封装体
25 一种适用于陶瓷材料表面成膜的半导体电热膜的配方技术
26 一种半导体清洗腔陶瓷溶射层的配方技术
27 一种多功能半导体陶瓷材料
28 一种半导体陶瓷材料及其配方技术
29 半导体8寸晶圆制程金属DPS工艺陶瓷聚焦环的再生方法
30 半导体8寸晶元制造薄膜制程的WxZ工艺的陶瓷环状零部件再生方法
31 半导体晶元薄膜制程金属DPS工艺陶瓷气嘴的再生方法
32 一种半导体刻蚀腔体用梯度陶瓷溶射层的配方技术
33 陶瓷铜电路基板及使用了其的半导体装置
34 在高腐蚀性或侵蚀性半导体加工应用中使用的陶瓷材料组件
35 陶瓷金属电路基板及使用了该陶瓷金属电路基板的半导体装置
36 用于高压陶瓷的半导体釉及其配方技术
37 一种用于超精密半导体设备的带腔体陶瓷部件的配方技术
38 一种功率半导体集成式封装用陶瓷模块及其配方技术
39 一种NBT基半导体陶瓷及其配方技术
40 一种氧化亚铜半导体陶瓷材料及其配方技术
41 一种NTC热敏电阻用半导体陶瓷组合物
42 陶瓷电路基板及半导体模块
43 一种用于半导体晶片抛光的陶瓷载盘
44 一种用于半导体传感器的陶瓷基底及其配方技术
45 高频用陶瓷基板及高频用半导体元件收纳封装体
46 一种高极性无铅铁电半导体陶瓷及配方技术
47 一种半导体陶瓷釉
48 一种用于高压陶瓷的半导体釉及其配方技术
49 一种高功率半导体光源激发用玻璃陶瓷及其配方技术和应用
50 用于半导体制造的陶瓷基座的公共端子加热器
51 陶瓷结构体、其制法及半导体制造装置用部件
52 半导体陶瓷组合物以及PTC热敏电阻
53 半导体陶瓷组合物以及PTC热敏电阻
54 用于去除半导体蚀刻腔体陶瓷涂层零件污染物的清洗剂及其制备和应用
55 一种半导体陶瓷材料
56 压电陶瓷及压电半导体试件多样性极化实验系统
57 陶瓷板、该陶瓷板的制造方法以及光半导体装置
58 一种半导体激光器的陶瓷封装装置
59 半导体陶瓷组合物和PTC热敏电阻
60 一种用陶瓷薄膜做基材的薄膜热电半导体器件的制作方法
61 一种改良型半导体陶瓷电容器材料及其配方技术
62 陶瓷金属电路基板以及使用了该陶瓷金属电路基板的半导体装置
63 荧光体陶瓷、封装光半导体元件、电路板、光半导体装置和发光装置
64 一种半导体陶瓷材料
65 一种半导体陶瓷材料
66 一种半导体陶瓷及其配方技术
67 晶界层半导体陶瓷片氧化剂涂覆料及其配方技术
68 钛酸钡类半导体陶瓷、钛酸钡类半导体陶瓷组合物和温度检测用正特性热敏电阻
69 一种应用于半导体等离子体处理装置的陶瓷环
70 陶瓷基板、封装基板、半导体芯片封装件及其制造方法
71 芯片型陶瓷半导体电子部件
72 半导体陶瓷组合物和PTC 热敏电阻器
73 半导体衬底处理装置中包含中央气体喷射器的陶瓷喷头
74 一种钛钇共掺杂氧化锆常温半导体陶瓷材料的配方技术
75 用于半导体制造装置的陶瓷加热器
76 一种六方氮化硼陶瓷材料稳定碳酸银半导体的配方技术
77 一种半导体设备用高纯氧化铝精密陶瓷零件
78 带有变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器及其制造方法
79 半导体陶瓷组合物以及PTC热敏电阻
80 一种半导体热盘上的陶瓷球微调装置
81 一种蜂窝状陶瓷管半导体加热元器件的结构
82 一种微晶板陶瓷管半导体加热元器件的结构
83 一种陶瓷半导体加热元器件的结构
84 一种功率半导体芯片测试用覆铜陶瓷基板
85 陶瓷部件及半导体制造装置用部件
86 一种具有阈开关效应的多铁陶瓷半导体及其制备的方法
87 用于半导体制造装置的陶瓷加热器
88 半导体制造装置用陶瓷加热器
89 一种功率半导体用新型金属-陶瓷绝缘基板
90 陶瓷布线基板、半导体装置、及陶瓷布线基板的制造方法
91 陶瓷半导体及黑管组成的电热锅
92 半导体陶瓷化学镀镍镍电极外沿去除的方法
93 陶瓷转换元件、光电子半导体元件和用于制造陶瓷转换元件的方法
94 半导体装置、陶瓷电路基板及半导体装置的制造方法
95 陶瓷贴片式封装半导体功率器件的老炼装置
96 发热后可增加外围超氧根离子浓度之陶瓷半导体
97 一种用于半导体陶瓷电容的无铅电极银浆料及其配方技术
98 用于半导体加工的玻璃陶瓷基材
99 半导体陶瓷组合物、其制造方法及PTC元件
100 半导体陶瓷组合物的制造方法
101 低成本表面层型半导体陶瓷电容器瓷料的制造方法
102 一种半导体陶瓷电容器电极用银导体浆料及其配方技术
103 NTC热敏电阻用半导体陶瓷组合物
104 陶瓷铜电路基板和使用了陶瓷铜电路基板的半导体装置
105 一种提高玻璃陶瓷电容器交流电压击穿强度的半导体玻璃釉及其配方技术
106 半导体陶瓷外壳封帽的焊接方法
107 室温玻璃到玻璃、玻璃到塑料及玻璃到陶瓷/半导体结合的方法
108 室温下的玻璃到玻璃、玻璃到塑料以及玻璃到陶瓷/半导体的结合
109 带变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器及其制造方法
110 陶瓷构件、半导体制造装置用构件及陶瓷构件的制造方法
111 半导体陶瓷组合物、正温度系数元件和发热模块
112 NTC热敏半导体陶瓷体材料的制作方法
113 钛酸钡系半导体陶瓷及使用其的PTC热敏电阻
114 钎料、钎料膏、陶瓷电路板、陶瓷主电路板及功率半导体模块
115 陶瓷粉末、半导体陶瓷电容器及其制造方法
116 用于半导体陶瓷材料的制造方法、半导体材料及半导体元件
117 半导体陶瓷和层叠型半导体陶瓷电容器
118 一种环保型无铅半导体陶瓷电容电极银浆及其配方技术
119 半导体陶瓷及正温度系数热敏电阻
120 晶界绝缘型半导体陶瓷、半导体陶瓷电容器以及半导体陶瓷电容器的制造方法
121 带变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器及其制造方法
122 半导体陶瓷及其制造方法、以及带变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器及其制造方法
123 陶瓷变换元件、具有它的半导体芯片及其制造方法
124 陶瓷变换元件、具有陶瓷变换元件的半导体芯片和用于制造陶瓷变换元件的方法
125 层叠型半导体陶瓷电容器的制造方法、以及层叠型半导体陶瓷电容器
126 一种半导体设备中黑色Y2O3陶瓷涂层制造方法
127 用于压力接触结构的陶瓷热沉材料、使用其的半导体模块和用于制造半导体模块的方法
128 半导体红外陶瓷涂料
129 堇青石质陶瓷及使用其的半导体制造装置用部件
130 陶瓷材料、半导体制造装置用构件、溅射靶材及陶瓷材料的制造方法
131 陶瓷材料、层叠体、半导体制造装置用构件及溅射靶材
132 陶瓷材料、层叠体、半导体制造装置用构件及溅射靶材
133 一种高强度半导体封装陶瓷材料及其制作方法
134 半导体陶瓷元件及其制造方法
135 带有变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器
136 一种半导体纳米晶复合硫系玻璃陶瓷材料及其配方技术
137 一种钛酸钡基半导体陶瓷欧姆电极浆料用超细球形银粉的配方技术
138 半导体陶瓷组合物及其配方技术、PTC元件和加热模块
139 半导体陶瓷以及正特性热敏电阻
140 一种半导体设备用氧化铝陶瓷及制备工艺
141 陶瓷烧结体及采用其的半导体装置用基板
142 一种钛酸钡基半导体陶瓷的高能球磨配方技术
143 半导体陶瓷以及正特性热敏电阻
144 半导体陶瓷以及正特性热敏电阻
145 半导体陶瓷以及正温度系数热敏电阻
146 半导体陶瓷及正特性热敏电阻
147 玻璃－陶瓷基绝缘体上半导体结构及其制造方法
148 钛酸钡系半导体陶瓷组合物及PTC热敏电阻
149 玻璃-陶瓷基绝缘体上半导体结构及其制造方法
150 半导体激光器用新型氮化铝陶瓷载体倾斜端面制作方法
151 铋酸钡系负温度系数半导体陶瓷及其配方技术
152 一种钛酸锶钡半导体陶瓷的配方技术
153 半导体制造设备预先洁净反应室组件表面陶瓷涂布
154 制造半导体陶瓷组成物的工艺以及采用半导体陶瓷组成物的加热器
155 制造半导体陶瓷组成物/电极组件的工艺
156 芯片型半导体陶瓷电子元器件
157 半导体陶瓷组合物
158 陶瓷件及其制造方法及半导体加工设备
159 形成陶瓷氧化硅类涂层的方法，生产无机基材的方法，形成陶瓷氧化硅类涂层的试剂，和半导体器件
160 半导体陶瓷材料及ＮＴＣ热敏电阻
161 陶瓷窑道余热回收半导体温差发电方法及装置
162 半导体陶瓷粉末、半导体陶瓷及层叠型半导体陶瓷电容器
163 半导体陶瓷材料
164 制备n型氧化锌半导体透明陶瓷的方法
165 配置来测试封装半导体装置的高温陶瓷插座
166 电纺丝法制备陶瓷基半导体纳米纤维气敏传感器的方法
167 低温共烧陶瓷基板及其制作方法以及半导体封装装置
168 半导体陶瓷组合物及其配方技术
169 半导体陶瓷组分及其生产方法
170 半导体陶瓷组合物及其配方技术
171 半导体陶瓷组合物及其配方技术
172 半导体装置和模块以及连接半导体芯片到陶瓷基板的方法
173 应用于半导体照明的玻璃陶瓷及其配方技术
174 带可变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器及其制造方法
175 半导体陶瓷、层叠型半导体陶瓷电容器、半导体陶瓷的制造方法、层叠型的半导体陶瓷电容器的制造方法
176 在基于氧化锡的半导体陶瓷中使用B*O*以减小其中的漏电流并可稳定其电性能
177 半导体加工装置用陶瓷覆盖部件
178 半导体陶瓷组分
179 稀土掺杂的含半导体量子点透明玻璃陶瓷发光材料及其配方技术
180 锰酸镧系负温度系数半导体陶瓷及其配方技术
181 一种用于焊接、封装半导体芯片与引出线的陶瓷焊接模
182 一种可低温烧结的NTC热敏半导体陶瓷及其配方技术
183 半导体陶瓷组合物及其配方技术
184 半导体陶瓷组合物及其配方技术
185 制备用于变阻器的包含金属氧化物的半导体陶瓷的方法
186 包含高应变玻璃或玻璃陶瓷的绝缘体上半导体结构
187 半导体器件中作为低K膜的多孔陶瓷材料
188 陶瓷加热器、晶片加热装置以及半导体基板的制造方法
189 由半导体陶瓷制成的NTC热敏电阻元件
190 半导体材料加工设备中的氧化钇涂覆的陶瓷部件及该部件的制造方法
191 具有耐腐蚀层的陶瓷制品、结合了该陶瓷制品的半导体加工设备以及制造陶瓷制品的方法
192 双金属与陶瓷组成的功率半导体及其制造方法
193 同轴封装半导体激光器陶瓷插针
194 具有基于非陶瓷的窗口框架的半导体封装
195 半导体生产系统用的陶瓷加热器
196 半导体生产系统用的陶瓷加热器
197 半导体生产系统用的陶瓷加热器
198 半导体陶瓷芯片型电子被动组件的制作方法
199 空穴传导型半导体陶瓷制冷材料及其配方技术
200 电子传导型半导体陶瓷制冷材料及其配方技术
201 半导体陶瓷电容器瓷片半导化工艺方法
202 陶瓷及其制造方法、以及电介质电容器、半导体装置及元件
203 陶瓷及其制造方法、以及电介质电容器、半导体装置及元件
204 陶瓷膜及其制造方法 、以及铁电体电容器、半导体装置及其他元件
205 陶瓷及其制造方法、以及电介质电容器、半导体装置及元件
206 晶界层半导体陶瓷电容器制造方法
207 陶瓷接合体、其制造方法以及半导体晶片用陶瓷结构体
208 半导体工艺设备中的含铈氧化物的陶瓷部件与涂层
209 中低温烧结半导体陶瓷及其液相配方技术
210 半导体陶瓷、用于去磁的正温系统热敏电阻器、去磁电路以及制造半导体陶瓷的方法
211 在半导体加工设备中的氧化锆增韧陶瓷组件和涂层及其制造方法
212 制造SrTiO*晶界层半导体陶瓷电容器的方法
213 具有负电阻温度系数的半导体陶瓷和负温度系数热敏电阻
214 半导体陶瓷和正温度系数热敏电阻
215 用于半导体处理设备的陶瓷件
216 陶瓷膜及其制造方法和半导体装置及压电元件
217 陶瓷膜及其制造方法和半导体装置及压电元件
218 陶瓷的制造方法及其制造设备以及半导体器件和压电元件
219 半导体陶瓷材料和使用它的电子元器件
220 具有正电阻温度系数的单片半导体陶瓷电子元件
221 钛酸钡半导体陶瓷粉末和叠层的半导体陶瓷器件
222 含碳的氮化铝烧结体以及用于半导体制造/检测设备的陶瓷基材
223 由半导体陶瓷制成的单片电子元件
224 单片半导体陶瓷电子元件
225 半导体陶瓷及用其制造的器件
226 圆台形半导体陶瓷诱导电体高能燃油点火电极
227 半导体陶瓷电容器的基片生产工艺
228 钛酸钡粉末、半导体陶瓷和半导体陶瓷电子元件
229 半导体陶瓷及由其制得的电子元件
230 半导体陶瓷和使用该半导体陶瓷的半导体陶瓷元件
231 钛酸钡半导体陶瓷
232 半导体陶瓷组合物和使用该组合物的半导体陶瓷元件
233 半导体陶瓷组合物和使用该组合物的半导体陶瓷元件
234 钛酸钡系半导体陶瓷
235 正特性半导体陶瓷的制造方法
236 采用单层陶瓷基板的芯片大小组件半导体
237 半导体陶瓷
238 氮化硅陶瓷电路基片及使用该陶瓷基片的半导体器件
239 中低温烧结半导体陶瓷和配方技术
240 具有正电阻温度系数的半导体陶瓷合成物及其制造方法
241 陶瓷片型半导体二极管及其制造方法
242 一种正温度系数半导体陶瓷电极的制造方法
243 陶瓷半导体针灸治疗胶带
244 一种PTC半导体陶瓷组合物及其制造方法
245 半导体陶瓷的组成
246 半导体陶瓷组合物
247 一种钛酸锶系半导体陶瓷组合物及所制造的电容器
248 制造半导体陶瓷电容器的方法
249 一种钛酸锶系半导体陶瓷电容器的制造方法
250 多层陶瓷线路板和半导体组件
251 半导体陶瓷材料*极的放电灯装置
252 高温正温度系数热敏半导体陶瓷材料及其制造方法
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,完整内容都包括具体的配方配比和生产工艺制作过程。收费260元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
