1 一种场效应晶体管对管测试装置和方法
简介：本申请提供一种场效应晶体管对管测试装置和方法，该装置包括：场效应晶体管对管选择电路，与场效应晶体管对管连接；检测电路，与场效应晶体管对管选择电路连接；控制器，分别与场效应晶体管对管选择电路和检测电路连接，用于控制场效应晶体管对管选择电路与场效应晶体管对管其中一个场效应晶体管导通，还用于控制检测电路对导通的场效应晶体管进行检测。采用本申请提供的测试装置进行场效应晶体管对管参数测试，使得场效应晶体管对管中两个场效应晶体管的测试条件相同，避免了因测试条件不同引起的偏差，提高了测试的准确性。同时，用户只需要预先设置好测试条件，便可以全自动地对场效应晶体管对管进行参数测试，有效提高了测试速度。
2 屏蔽栅场效应晶体管及其形成方法、半导体器件
简介：本技术提供了一种屏蔽栅场效应晶体管及其形成方法、半导体器件。利用牺牲层在沟槽的下沟槽中形成第一介质层，以构成上宽下窄的沟槽，从而在填充电极材料层时可以控制所产生空隙会位于下沟槽部中，避免了空隙的存在而对电极材料层的刻蚀过程造成影响，保障所形成的晶体管器件的性能。此外，本技术提供的形成方法，由于可容许电极材料层中产生有空隙，进而使得沟槽的侧壁可以为垂直或接近垂直的侧壁，有利于实现晶体管器件的尺寸缩减。
3 沟槽型场效应晶体管及其形成方法
简介：本技术提供了一种沟槽型场效应晶体管及其形成方法。通过在终端区中设置沟槽型的终端结构，并使终端结构中的第二介质层具备较大的厚度，以提高器件的耐压能力，从而有利于实现器件尺寸的缩减。并且，针对最靠近元胞区的边界第二沟槽中的第二介质层而言其具体包括薄层部和厚层部，该薄层部可以结合元胞区中的第一介质层的制备工艺同时形成，不仅有利于简化制备工艺，并且还可以缓解元胞区和终端区在交界处的高度差异。
4 一种新型AlGaN基多沟道场效应晶体管
简介：本技术提供了一种新型AlGaN基多沟道场效应晶体管，所述晶体管包括：衬底、AlN缓冲层、背势垒层、多量子阱结构、GaN帽层、源电极、漏电极和栅电极，多量子阱结构为N层铝组分渐变的AlGaN沟道层和设置在每两层铝组分渐变的AlGaN沟道层之间的AlN量子垒层，N≥2。本技术利用极化诱导掺杂，实现了异质结界面处高密度二维电子气或二维空穴气、以及铝组分渐变的AlGaN沟道层内的三维电子气或三维空穴气的结合，有利于器件的高频、大电流应用；利用背势垒实现了更有效的载流子限制作用，有效减小器件漏电，实现器件更好的关态击穿特性和开态大偏压下的电流饱和。
5 一种针对鳍式场效应晶体管制程的新型阱型电阻结构
简介：本技术提供了一种针对鳍式场效应晶体管制程的新型阱型电阻结构，通过对P型衬底进行不同的掺杂，形成不同的区域，例如N阱、P阱和深N阱，并合理设置N阱、P阱和深N阱的相对位置，实现了鳍式场效应晶体管制程中的多种新型阱型电阻结构。
6 拓扑场效应晶体管及其拓扑输运特性的调节方法
简介：一种拓扑场效应晶体管及其拓扑输运特性的调节方法，该拓扑场效应晶体管包含拓扑半导体作为所述拓扑场效应晶体管的沟道材料。本技术提供的拓扑场效应晶体管及其拓扑输运特性的调节方法，充分利用拓扑半导体的拓扑输运特性和半导体属性相结合的特点，能够实现拓扑场效应晶体管的拓扑输运特性的打开和关闭以及拓扑输运特性的连续变化，原理简单，可调控性强，与现代电子工业兼容，具有实际可行性。
7 用于指状结构鳍式场效应晶体管的电性解析版图
简介：本技术提供了一种用于指状结构鳍式场效应晶体管的电性解析版图，涉及集成电路技术领域。电性解析版图包括第一版图和第二版图，第一版图为指状结构鳍式场效应晶体管，指状结构鳍式场效应晶体管的栅极、源极、漏极和基底均为并联，第二版图为用于解析指状结构鳍式场效应晶体管的版图，第二版图的至少部分的栅极、源极或漏极具有个别的金属线连接，第二版图的基底共用，第二版图的至少部分的晶体管可被单独量测，这样，可以将原先要解析的指状结构鳍式场效应晶体管的个别晶体管的电学行为进行拆解和组合，可以完全地解析指状结构鳍式场效应晶体管的电学行为。此版图还可用于校验鳍式场效应晶体管的电路模型，以及其版图效应的加成性是否准确。
8 一种屏蔽栅场效应晶体管及其形成方法
简介：本技术提供了一种屏蔽栅场效应晶体管及其形成方法。该形成方法中，通过在沟槽侧壁上形成保护层，以利用保护层阻挡高密度等离子体工艺对沟槽侧壁造成损伤，防止等离子被注入至沟槽侧壁中，进而有利于保障所制备的屏蔽栅场效应晶体管的器件性能。
9 一种无结型场效应晶体管及其制造方法
简介：一种无结型场效应晶体管，包括无结纳米线，所述无结纳米线包括沿其轴线方向依次定义的源区、沟道区和漏区；环所述沟道区的外周表面全覆盖有栅电介质层，环所述栅电介质层的外周表面全覆盖有栅电极层；由于无结型场效应晶体管源电介质层和漏电介质层分别位于源区的端面和漏区的端面，使得器件在工作时，金属与半导体体硅接触的位置与沟道相距更近，所以源漏电阻降低，从而极大的增大了器件的开态电流，边缘粗糙度造成器件电学特性的波动进一步受到抑制，提高了器件电学特性的稳定性。
10 一种鳍式场效应晶体管及其版图结构
简介：本技术提供了一种鳍式场效应晶体管及其版图结构，包括：衬底；位于衬底上的鳍式结构；位于衬底上且分别覆盖部分鳍式结构的栅极、源极和漏极，源极与鳍式结构上的源极区电连接，漏极与鳍式结构上的漏极区电连接；位于源极上且与源极电连接的第一引出线、位于第一引出线上且与第一引出线电连接的第二引出线，第一引出线的边界和与其相邻的第二引出线的边界之间的距离大于预设距离；位于漏极上且与漏极电连接的第三引出线、位于第三引出线上且与第三引出线电连接的第四引出线，第三引出线的边界和与其相邻的第四引出线的边界之间的距离大于预设距离，从而可以降低引出线的选取难度，提高鳍式场效应晶体管的版图设计效率。
11 抑制可控型采样场效应晶体管负温度特性的器件
12 集成反馈MOS结构的可控型采样场效应晶体管器件
13 基于源场板的单片异质集成Cascode结构场效应晶体管及制作方法
14 双向阻断的单片异质集成Cascode结构场效应晶体管及制作方法
15 异质结场效应晶体管
16 一种具有相同栅源掺杂的场效应晶体管、元胞结构
17 一种芴螺环衍生物及合成方法、基于芴螺环衍生物的有机场效应晶体管存储器及配方技术
18 氧化还原格芳烃及合成方法、基于该氧化还原格芳烃的有机场效应晶体管存储器及配方技术
19 一种肖特基积累层碳化硅横向场效应晶体管及其制作方法
20 一种硅基肖特基积累层和缓冲层横向双扩散场效应晶体管及其制作方法
21 一种硅基结型积累层和缓冲层横向双扩散场效应晶体管及其制作方法
22 一种结型积累层碳化硅横向场效应晶体管及其制作方法
23 垂直结构Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管的配方技术
24 一种鳍式隧穿场效应晶体管结构
25 检测病毒SARS-CoV-2核酸的场效应晶体管传感器及其配方技术和应用
26 场效应功率晶体管及其制作方法
27 一种提高半导体场效应晶体管芯片短路能力的结构及方法
28 一种场效应晶体管丙酮气体传感器及其配方技术
29 一种三维NAND型铁电场效应晶体管存储器及其配方技术
30 一种新型薄层二硫化钼场效应晶体管
31 一种三维铁电场效应晶体管存储单元、存储器及配方技术
32 U形铁电场效应晶体管存储单元串、存储器及配方技术
33 不对称型源漏场效应晶体管及其制造方法
34 一种全共价键石墨烯场效应晶体管及其构筑方法
35 一种超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构
36 一种鳍式场效应晶体管的制造方法
37 一种硅基背栅全石墨烯场效应晶体管的配方技术
38 屏蔽栅场效应晶体管及其配方技术
39 多层二碲化钼场效应晶体管的电子-空穴可逆掺杂方法
40 一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管芯片
41 一种鳍式场效应晶体管及其制造方法
42 一种Fin沟道结构SiC场效应晶体管器件
43 一种亚纳米顶栅电极场效应晶体管的可控配方技术
44 富勒烯单晶纳米线阵列的配方技术及有机场效应晶体管
45 场效应晶体管源漏电阻的提取方法
46 鳍体制造方法、鳍式场效应晶体管及一鳍体结构
47 基于并五苯有机场效应晶体管与PVDF纳米柱相耦合的柔性智能压电传感器
48 图案化有机晶体阵列的配方技术及有机场效应晶体管
49 一种氨基苯并二呋喃二酮基低聚物及其配方技术和应用、有机场效应晶体管
50 有机晶态薄膜的配方技术及有机场效应晶体管
51 纳米场效应晶体管的总剂量辐射试验方法及装置
52 一种二硫化钼纳米带及其配方技术、场效应晶体管的电极材料
53 一种鳍式场效应晶体管及其制作方法、电子设备
54 垂直结构金刚石肖特基结型场效应晶体管及配方技术
55 垂直场效应晶体管器件及其制造方法
56 形成垂直场效应晶体管器件的方法
57 太阳光盲区肖特基背栅金属氧化物半导体场效应光电晶体管
58 激光冲击制备亚纳米级沟道背电极场效应晶体管的方法
59 一种隧穿场效应晶体管结构
60 基于半导体衬底的凹槽型场效应正反馈晶体管及配方技术
61 基于InAs/GaSb异质结的量子阱隧穿场效应晶体管及其配方技术
62 一种基于有机场效应晶体管的二氧化硫传感器及其配方技术
63 一种有机薄场效应晶体管及其配方技术
64 一种铁电电容和铁电场效应晶体管及配方技术
65 金属氧化物半导体场效应晶体管共源共栅的无源动态偏置
66 一种具有相同栅源掺杂的场效应晶体管、元胞结构及配方技术
67 一种有机场效应晶体管及其配方技术
68 一种场效应晶体管及其配方技术和应用
69 沟槽栅场效应晶体管及存储器
70 具有横向蜿蜒栅极的场效应晶体管
71 屏蔽栅场效应晶体管及其形成方法
72 一种激光冲击减小场效应晶体管沟道长度的方法
73 一种鳍式场效应晶体管及其连接件的配方技术
74 显示器中盖板和薄膜场效应晶体管层组装方法、显示器
75 场效应晶体管的金属栅极及方法
76 石墨烯场效应晶体管及其配方技术
77 源漏完全硅金属化的场效应晶体管及其制造方法
78 氮化镓MIS栅控混合沟道功率场效应晶体管及其制造方法
79 场效应晶体管，显示元件，图像显示装置和系统
80 高电子迁移率场效应晶体管及其配方技术
81 垂直型高电子迁移率场效应晶体管及其配方技术
82 一种单层原子沟道鳍式场效应晶体管的配方技术及产品
83 场效应晶体管器件
84 场效应晶体管和半导体器件
85 一种近红外光控双稳态场效应晶体管聚合物及其配方技术与应用
86 一种改善鳍型场效应晶体管栅高均匀性的方法
87 屏蔽栅场效应晶体管及其形成方法
88 屏蔽栅场效应晶体管及其形成方法
89 一种无结场效应晶体管式压力传感器及其配方技术
90 常关型场效应晶体管及其配方技术
91 具有扩散阻挡间隙件部分的场效应晶体管
92 一种自旋场效应晶体管
93 集成互补场效应晶体管的结构及SRAM位单元
94 一种半导体纳米线及场效应晶体管的配方技术
95 一种精确定位鳍式场效应晶体管的原子探针针尖样品配方技术
96 一种用于精确定位制备鳍式场效应晶体管针尖样品的配方技术
97 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法
98 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法
99 一种具有集成续流二极管的GaN纵向场效应晶体管
100 一种金属-氧化物半导体场效应晶体管及其配方技术
101 电路元件以及复合场效应晶体管
102 扩散型场效应晶体管的形成方法
103 避免场效应晶体管少数载流子注入的方法及场效应晶体管
104 一种氧化镓场效应晶体管及其配方技术
105 具有介电层/量子点/介电层结构的发光场效应晶体管及其配方技术
106 场效应晶体管及其配方技术
107 场效应晶体管及其配方技术
108 一种提升并五苯有机场效应晶体管工作性能的方法及结构
109 一种类空气桥型源场板结构的金刚石场效应晶体管
110 具有屏蔽源极的绝缘栅场效应晶体管结构和方法
111 一种双金属功函数栅的可重构场效应晶体管
112 一种源漏外延场效应晶体管栅围电容的建模方法
113 屏蔽栅场效应晶体管及其形成方法
114 隧穿场效应晶体管及其制作方法
115 一种双极性晶体管和场效应晶体管的整合结构及其配方技术
116 多级耦合栅隧穿场效应晶体管及制作方法
117 一种提高发光效率的交流驱动有机发光场效应晶体管及其配方技术
118 一种具有复合缓冲层的氮化镓异质结场效应晶体管
119 一种铁电场效应晶体管、三维存储器及其制作方法
120 一种基于纳米阵列的有机场效应晶体管存储器及其配方技术
121 一种横向场效应晶体管
122 场效应晶体管及其制造方法
123 形成环绕栅极场效应晶体管的方法
124 抑制场效应晶体管开关振荡的控制方法及其二阶模型
125 一种氮化镓基场效应晶体管及其配方技术
126 一种薄膜场效应晶体管结构及制作方法
127 一种基于DNA纳米机器修饰场效应晶体管传感器界面的方法
128 一种隧穿场效应晶体管及其配方技术
129 二维材料场效应晶体管的配方技术
130 一种消除有机场效应晶体管光响应的方法
131 一种浮栅极型场效应晶体管存储器及其制造方法
132 氧化镓场效应晶体管及其配方技术
133 包括纳米片场效应晶体管单元架构的半导体装置及芯片
134 三维悬空环栅结构半导体场效应晶体管器件的配方技术及其产品
135 斜型栅结构氧化镓场效应晶体管及其配方技术
136 一种具有P型埋层的双沟道高耐压氮化镓场效应晶体管
137 一种非对称侧墙结构的纳米片环栅场效应晶体管
138 一种增强型场效应晶体管的形成方法
139 一种改善亚阈值摆幅的纵向隧穿场效应晶体管
140 自氧化方式制备亚10nm沟道的二维薄膜场效应晶体管
141 一种具有亚1nm栅长的二维薄膜场效应晶体管
142 场效应晶体管、制造其的方法和包括其的片上系统
143 一种自实现反相器功能的互补式垂直环栅场效应晶体管
144 场效应晶体管和制造其的方法以及包括其的片上系统
145 鳍式场效应晶体管的截断工艺方法
146 一种铁电材料可重构场效应晶体管
147 一种基于转印技术的平面隧穿场效应晶体管及其配方技术
148 一种基于二硒化钨的离子敏场效应晶体管传感器及其配方技术
149 以羰基硫作为电极改性剂的有机场效应晶体管制备工艺
150 以羰基硫作为界面改性剂的有机场效应晶体管制备工艺
151 增强型的Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管及制作方法
152 鳍式场效应晶体管器件及其形成方法
153 以羰基硫和氨气作为掺杂剂的有机场效应晶体管制备工艺
154 以羰基硫和氮气作为掺杂剂的有机场效应晶体管制备工艺
155 以羰基硫作为掺杂剂的有机场效应晶体管制备工艺
156 一种基于石墨炔的浮栅型有机场效应晶体管存储器及其配方技术
157 增强型场效应晶体管
158 增强型异质结场效应晶体管
159 增强型异质结场效应晶体管
160 （100）晶向金刚石n沟道结型场效应晶体管及其配方技术
161 全固态场效应晶体管及应用其的生物传感器和检测方法
162 一种非对称栅氧结构的纳米片环栅场效应晶体管
163 生物场效应晶体管传感器的差动式感测
164 具有源极镇流的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
165 一种碳纳米管场效应晶体管型传感器及其配方技术
166 一种碳化硅MOS场效应晶体管
167 鳍式场效应晶体管器件及其形成方法
168 一种石墨烯基异质结场效应晶体管、配方技术及其集成电路
169 一种场效应晶体管气体传感器及其阵列配方技术
170 一种石墨烯场效应晶体管及其配方技术和应用方法
171 一种金属氧化物场效应晶体管及其制作方法
172 一种基于有机场效应晶体管的柔性压力传感器及其配方技术
173 一种超级结场效应晶体管及其沟槽的填充方法
174 一种氧化镓基场效应晶体管
175 一种屏蔽栅场效应晶体管及其制造方法
176 一种柔性纳米纤维氧化锌锡的场效应晶体管及其配方技术
177 场效应晶体管的制造方法
178 栅极环绕场效应晶体管
179 基于体硅衬底的新型半导体场效应正反馈晶体管及方法
180 一种铁电场效应晶体管及其配方技术
181 一种栅控双极-场效应复合氮化镓垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管
182 一种栅控双极-场效应复合氮化镓横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
183 碳化硅绝缘栅场效应晶体管栅氧化层的配方技术
184 包括至少一个横向扩散场效应晶体管的半导体结构
185 具有半导体性栅极的场效应晶体管
186 一种大功率增强型场效应晶体管功率放大器
187 GaN基异质结场效应晶体管及制造方法
188 GaN基异质结场效应晶体管及其制造方法
189 GaN基异质结场效应晶体管及制造方法
190 增强型GaN场效应晶体管及其制造方法
191 一种10纳米以下硅基鳍式场效应晶体管的配方技术
192 一种集存算一体的全铁电场效应晶体管
193 一种可擦除全铁电场效应晶体管及其操作方法
194 一种基于Ni3(HITP)2导电MOF薄膜的场效应晶体管的配方技术
195 一种基于GaN的鳍式场效应晶体管器件及其制造方法
196 常关型场效应晶体管及其配方技术
197 一种非对称边墙、垂直堆叠沟道结构的可重构场效应晶体管
198 金属氧化物、场效应晶体管及其制造方法
199 一种基于钙钛矿单晶薄片的垂直结构场效应晶体管
200 一种基于钙钛矿单晶薄片的垂直结构光敏场效应晶体管
201 鳍式场效应晶体管器件及其形成方法
202 包括场效应晶体管的半导体器件
203 一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
204 一种基于有机场效应晶体管的存储器及配方技术
205 垂直场效应晶体管(VFET)器件及其形成方法
206 一种非对称沟道介质环场效应晶体管
207 一种有机共晶场效应晶体管及其配方技术
208 深浅沟槽的金属氧化物半导体场效应晶体管及其配方技术
209 一种适配体修饰石墨烯场效应晶体管抗生素传感器
210 具有独立栅极控制的垂直堆叠互补场效应晶体管装置
211 一种平面互补型隧穿场效应晶体管反相器
212 一种新型场效应晶体管小信号等效电路模型参数提取方法
213 氧化镓场效应晶体管及其配方技术
214 氧化镓场效应晶体管及其配方技术
215 一种p型二维合金化合物半导体光电场效应晶体管及其配方技术
216 一种基于二维Ga2S3纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管及其配方技术
217 负电容场效应晶体管及其工艺方法
218 一种少层有机晶态膜的配方技术及有机场效应晶体管
219 鳍式场效应晶体管器件及其形成方法
220 鳍式场效应晶体管器件和方法
221 二维磁性半导体材料MnIn2Se4的配方技术及在光探测器和场效应晶体管的应用
222 基于多栅极竖直场效应晶体管的单元架构
223 基于锗硅异质结和双栅工艺的少掺杂隧穿场效应晶体管及制作方法
224 一种抗污染场效应晶体管传感器及其配方技术
225 气敏型场效应晶体管装置和气敏型场效应晶体管装置阵列
226 耦合型场效应晶体管
227 形成垂直场效应晶体管器件的方法
228 一种新型铁电场效应晶体管单元及其写入和读取方法
229 一种高频低结温的GaN异质结场效应晶体管
230 一种具有双层侧墙结构的纳米片环栅场效应晶体管
231 一种栅控双极-场效应复合元素半导体基横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
232 一种栅控双极-场效应复合碳化硅横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
233 一种栅控双极-场效应复合碳化硅垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管
234 一种栅控双极-场效应复合元素半导体基垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管
235 用于III-V族金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的沟道层形成
236 一种应用于高灵敏度气体传感器的场效应晶体管
237 一种柔性有机单晶场效应晶体管及其配方技术
238 一种氧化镓结型场效应晶体管
239 一种调控石墨烯场效应晶体管的M形电阻特性曲线方法
240 一种氧化镓垂直结型场效应晶体管及其配方技术
241 1,3,6,8位四取代芘衍生物的合成及其在有机场效应晶体管中的应用
242 一种场效应晶体管的迁移率测量方法
243 一种隧穿场效应晶体管静态随机存储器单元的电路结构
244 一种非对称型的可重构场效应晶体管
245 场效应晶体管配方技术及场效应晶体管
246 场效应晶体管及其配方技术
247 场效应晶体管配方技术及场效应晶体管
248 用于集成电路的子器件场效应晶体管架构
249 背栅控制的栅极抽取和注入场效应晶体管
250 碳化硅平面垂直型场效应晶体管及其制作方法
251 AlGaN/GaN异质结垂直型场效应晶体管及其制作方法
252 具有电荷补偿层和低阻通道的纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法
253 一种拓扑场效应晶体管及其实现方法
254 一种有机半导体材料、配方技术、场效应晶体管器件及其制作方法
255 负电容场效应晶体管及其配方技术
256 负电容场效应晶体管及其配方技术
257 负电容场效应晶体管及其配方技术
258 一种新型的栅极抽取和注入场效应晶体管结构
259 一种基于准零维接触的二维薄膜埋栅场效应晶体管
260 低压屏蔽栅场效应晶体管制作方法
261 以酞菁铁为原料的场效应晶体管的配方技术及应用
262 一种提高基于MoS2薄膜场效应晶体管式气体传感器灵敏度的结构设计
263 常规隧穿场效应晶体管的衬底漏电隔离结构及工艺方法
264 一种基于铪酸钙材料的复杂氧化物场效应晶体管
265 有机场效应晶体管及其配方技术以及生物胺气敏传感器
266 一种隧穿双栅场效应晶体管（T-FinFET）特征漏电压提取方法
267 一种有效增大开态电流的隧穿场效应晶体管
268 鳍式场效应晶体管器件及其制造方法
269 一种纳米片场效应晶体管及其配方技术
270 一种场效应晶体管及其配方技术
271 一种后栅极铁电栅场效应晶体管及其配方技术
272 一种绝缘栅型压电场效应晶体管
273 基于鳍式场效应晶体管的存储器中执行解码的方法和系统
274 断栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极结构及其制造方法
275 栅极制造方法、场效应晶体管形成方法及场效应晶体管
276 一种氧化铪基铁电栅场效应晶体管及其配方技术
277 一种铁电栅场效应晶体管及其配方技术
278 一种基于氧化钨的P型场效应晶体管及其配方技术
279 一种全固态柔性低压有机场效应晶体管及其配方技术
280 无掺杂的L形隧穿场效应晶体管及其配方技术
281 基于隧穿场效应晶体管的半导体生物传感器及其配方技术
282 一种场效应晶体管及其配方技术
283 低功函数导电栅极的金刚石基场效应晶体管及其配方技术
284 形成氧化物的涂布液、制造氧化物膜的方法和制造场效应晶体管的方法
285 界面电荷补偿常关型金刚石基场效应晶体管及其配方技术
286 MOS场效应晶体管及制备的方法、电子设备
287 倒T型隧穿场效应晶体管
288 非平面型场效应晶体管的形成方法
289 器件配方技术、二维材料器件与MoS2场效应晶体管
290 一种基于有机场效应晶体管的日盲区深紫外光探测器
291 包括鳍型场效应晶体管的半导体器件
292 嵌入式场极板场效应晶体管
293 具有电绝缘扩散中断区的鳍式场效应晶体管及其形成方法
294 形成场效应晶体管的方法
295 极化掺杂InN基隧穿场效应晶体管及其制作方法
296 鳍式场效应晶体管及其形成方法
297 一种石墨烯基场效应晶体管硝酸盐传感器
298 一种掩膜图案的形成方法及鳍式场效应晶体管
299 氢终端金刚石基两步法介质层场效应晶体管及其配方技术
300 复合型沟槽式金氧半场效应晶体管及其制造方法
301 一种基于二维材料制备的场效应晶体管
302 背栅场效应晶体管及其制造方法
303 具有P型屏蔽层的AlGaN/GaN异质结垂直型场效应晶体管及其制作方法
304 具有AlGaN/GaN异质结的垂直型场效应晶体管及其制作方法
305 双栅负电容场效应晶体管及配方技术
306 n型掺杂金刚石场板结构的场效应晶体管
307 n型掺杂单晶金刚石场板结构的场效应晶体管的配方技术
308 金刚石溶液栅场效应晶体管系统
309 包括鳍型场效应晶体管的半导体器件及其制造方法
310 鳍式场效应晶体管的形成方法
311 一种通过激光加工顶接触结构有机场效应晶体管的方法
312 非对称表面沟道场效应晶体管的配方技术及功率器件
313 自对准表面沟道场效应晶体管的配方技术及功率器件
314 横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管及其形成方法
315 一种无结型双栅线隧穿场效应晶体管
316 用于形成用于III-V族场效应晶体管的栅极结构的方法
317 结型场效应晶体管制造方法
318 一种基于二维层状材料的雪崩场效应晶体管及测量装置
319 用于垂直传输场效应晶体管的替换金属栅极工艺
320 沟槽型MOS场效应晶体管及方法、电子设备
321 场效应晶体管的制作方法、场效应晶体管及栅极结构
322 开关运行模式中运行的场效应晶体管针对过载电流的保护
323 基于场效应晶体管的太赫兹波探测器的天线设计方法
324 具有二维沟道结构的垂直场效应晶体管
325 基于耦合电容的浮动电平场效应管或晶体管驱动电路
326 沟槽型MOS场效应晶体管及方法、电子设备
327 沟槽型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
328 一种低结温高耐压的GaN异质结场效应晶体管
329 场效应晶体管及配方技术、电子设备
330 基于场效应晶体管的量子点近红外探测器及其配方技术
331 VDMOS垂直栅场效应晶体管性能检测装置
332 基于氧化铝材料内嵌纳米晶的铁电场效应晶体管及配方技术
333 侧栅场效应晶体管太赫兹探测器及其配方技术
334 具有可控电阻的场效应晶体管
335 一种金属半导体场效应晶体管
336 耐辐射线金属氧化物半导体场效应晶体管
337 耐辐射线三维金属氧化物半导体场效应晶体管
338 平面式场效应晶体管
339 场效应晶体管及配方技术、电子设备
340 场效应晶体管、片上系统以及制造其的方法
341 横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
342 常关型氧化镓场效应晶体管结构及配方技术
343 可编织纤维状有机光电场效应晶体管及其配方技术和应用
344 用于在互补场效应晶体管(CFET)器件中并入多种沟道材料的方法
345 场效应晶体管传感器检测测定以及制造和使用其的系统和方法
346 具有高压场效应晶体管和结型场效应晶体管的半导体器件
347 薄膜场效应晶体管阵列结构及显示装置
348 结型场效应晶体管及其制作方法
349 一种场效应晶体管生物传感器及其配方技术
350 一种基于纳米格子分子的有机场效应晶体管存储器及其配方技术
351 作为用于有机场效应晶体管的有机半导体用可溶性光裂解前体的DNTT锍盐及相关化合物
352 一种基于量子点的有机场效应晶体管浮栅型存储器及其配方技术
353 超结金属氧化物场效应晶体管及其制作方法
354 具有栅边缘漏侧部分轻掺杂的4H-SiC金属半导体场效应晶体管
355 隧穿场效应晶体管
356 一种具有高低栅及多凹槽的氮化镓调制掺杂场效应晶体管
357 具有垂直沟道的场效应晶体管及其配方技术
358 低栅极电流结型场效应晶体管器件架构
359 用于场效应晶体管的脉冲驱动的电容检测
360 金氧半场效应晶体管的终端区结构及其制造方法
361 场效应晶体管组件以及用于调整场效应晶体管的漏极电流的方法
362 MOS场效应晶体管及其制造方法
363 一种基于少层氧化亚锡的场效应晶体管及其配方技术
364 一种基于非对称沟道的场效应晶体管太赫兹波探测器
365 一种基于并联对管结构的场效应晶体管太赫兹探测器
366 一种氧化镓场效应晶体管日盲探测器及其制作工艺
367 横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
368 场效应晶体管及其制造方法
369 用于形成鳍式场效应晶体管的方法以及半导体器件
370 一类基于醌式化合物的共轭聚合物及其在场效应晶体管中的应用
371 具有超级结结构的沟槽栅场效应晶体管及其制造方法
372 鳍式场效应晶体管器件及其形成方法
373 屏蔽栅极式金氧半场效应晶体管及其制造方法
374 横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
375 场效应晶体管
376 场效应晶体管及其方法
377 场效应晶体管、其制造方法和使用它的无线通信装置和商品标签
378 场效应晶体管及其方法
379 场效应晶体管及其方法
380 垂直式环绕栅极场效应晶体管的配方技术
381 一种基于积累模式阻变场效应晶体管的与非型存储阵列
382 一种基于反型模式阻变场效应晶体管的与非型存储阵列
383 双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管
384 一种体掺杂金刚石基常关型场效应晶体管及其配方技术
385 一种金刚石基多通道势垒调控场效应晶体管及其配方技术
386 一种基于外延生长半金属的自旋场效应晶体管及配方技术
387 垂直场效应晶体管和包括其的半导体器件
388 具有原子级薄沟道的场效应晶体管
389 用于制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法和金属氧化物半导体场效应晶体管
390 有机发光场效应晶体管的驱动电路及驱动方法、显示装置
391 一种场效应晶体管及其配方技术
392 场效应晶体管及制作方法
393 带栅场板结构的纵向隧穿场效应晶体管
394 金属氧化物半导体场效应晶体管及主板供电器
395 场效应晶体管及其制造方法
396 一种光伏场效应晶体管结构的光敏器件及其制作方法
397 一种波导型光伏场效应晶体管结构的光敏器件及制作方法
398 一种基于光调控的有机场效应多阶晶体管存储器及其配方技术
399 一种具有栅下局部低掺杂的4H-SiC金属半导体场效应晶体管
400 纳米片场效应晶体管中的内间隙壁形成
401 氧化镓场效应晶体管
402 常关型场效应晶体管
403 一种低温环保纳米纤维场效应晶体管的配方技术
404 隧穿场效应晶体管及其形成方法
405 基于Al2O3/SiNx双层栅介质的金刚石场效应晶体管及其配方技术
406 基于氟代二噻吩乙烯衍生物的聚合物与其在有机场效应晶体管中的应用
407 基于有机-无机范德华异质结的双极性场效应晶体管
408 一种电活性含氟聚合物组合物、配制品、膜、电子装置及场效应有机晶体管
409 用于场效应晶体管的电极结构
410 铁电电容器、铁电场效应晶体管以及用于形成包括导电材料和铁电材料的电子装置的方法
411 T型栅Ge/SiGe异质结隧穿场效应晶体管及配方技术
412 基于异质栅介质凹型沟道隧穿场效应晶体管及制作方法
413 具有通过使用钙钛矿薄单晶形成的光敏场效应晶体管
414 一种石墨烯场效应晶体管阵列生物传感器及其配方技术和检测方法
415 一种可用金纳米粒子增强的场效应晶体管生物传感器的配方技术及其检测方法
416 一种非对称型结构的可重构场效应晶体管
417 三维存储器、MOS场效应晶体管及其制作方法
418 一种全包围栅极鳍式场效应晶体管的制作方法
419 一种基于蒽的半导体材料、配方技术及有机场效应晶体管
420 栅极抽取和注入场效应晶体管及其沟道载流子控制方法
421 隧穿场效应晶体管及其形成方法
422 栅极抽取和注入场效应晶体管载流子控制方法
423 一种具有光学栅极的锗沟道场效应晶体管器件及其制造方法
424 一种竖直结构锗沟道场效应晶体管器件的制造方法
425 混合忆阻器/场效应晶体管存储器单元及其信息编码方案
426 一种半导体场效应晶体管及其配方技术
427 带有电荷平衡结构的沟槽栅场效应晶体管及其制造方法
428 计算纳米线场效应晶体管沟道中等离子体波速度的方法
429 一种有机场效应晶体管存储器及该存储器的配方技术
430 一种沟槽MOS场效应晶体管的配方技术
431 具有超级结结构的场效应晶体管及其制造方法
432 一种具有电极相连PIN埋管的GaN场效应晶体管
433 导电膜的制造方法、使用了该制造方法的场效应型晶体管的制造方法及无线通信装置的制造方法
434 一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
435 一种具有源极相连P埋层和漏场板的GaN场效应晶体管
436 形成垂直场效应晶体管的方法以及所得结构
437 场效应晶体管的驱动电路、驱动系统及空调器
438 一种二维半导体材料负电容场效应晶体管及配方技术
439 异质结场效应晶体管及其配方技术
440 液态金属场效应晶体管及其配方技术
441 一种双层栅介质的金刚石场效应晶体管结构及制作方法
442 一种新型平面InAs/Si异质隧穿场效应晶体管及其配方技术
443 超结金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
444 基于隧穿场效应晶体管的脉冲神经元电路
445 具有不同沟道长度的垂直传输鳍式场效应晶体管
446 一种叠层栅钙钛矿场效应晶体管及其配方技术
447 一种MoTe2场效应晶体管及其配方技术和应用
448 一种N型隧穿场效应晶体管及其制作方法
449 一种三层异质结有机场效应晶体管存储器及配方技术
450 一种P型隧穿场效应晶体管及其制作方法
451 场效应晶体管及其应用
452 场效应晶体管、存储记忆体及其应用
453 一种半导体离子敏场效应晶体管ISFET的配方技术
454 低泄漏场效应晶体管
455 外延层及N型鳍式场效应晶体管的配方技术
456 碲锌镉辐射敏感场效应晶体管及其配方技术
457 射频电源中半导体场效应晶体管保护方法及装置
458 一种高性能硅基椭圆栅隧穿场效应晶体管
459 鳍式场效应晶体管结构的形成方法
460 一种鳍式场效应晶体管结构的形成方法
461 垂直隧穿场效应晶体管及其制造方法
462 隧穿式场效应晶体管三维NAND数据单元结构以及其形成方法
463 具有低掺杂漏极的高功率化合物半导体场效应晶体管器件
464 场效应晶体管、生物传感器及其制造方法
465 基于沟道阵列的异质结场效应晶体管及其制作方法和应用
466 利用驻极体调控的场效应晶体管及人造电子皮肤
467 一种负电容场效应晶体管中抑制随机掺杂效应的建模方法
468 应用于有机场效应晶体管的基于吡啶取代吡咯并吡咯二酮的电子传输型聚合物半导体材料
469 一种鳍式沟道的氧化镓基垂直场效应晶体管及其配方技术
470 具有一气隙栅极侧壁间隔件的场效应晶体管及方法
471 垂直金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及其形成的方法
472 一种横向结构的二维材料场效应晶体管及其配方技术和应用
473 栅极环绕纳米片场效应晶体管及其制造方法
474 一种利用碳纳米场效应晶体管的三值SRAM单元电路
475 抗总剂量辐射的功率场效应晶体管及其制造方法
476 一种适用于集成电路的碳化硅平面型功率场效应晶体管
477 瞬态稳定的绝缘体上硅场效应晶体管
478 超薄氧化铝介质层金刚石场效应晶体管及其配方技术
479 具有轻掺杂漏结构的Z型异质结隧穿场效应晶体管及其配方技术
480 优化的L型隧穿场效应晶体管及其配方技术
481 N型鳍式场效应晶体管及其形成方法
482 一种功率型的金属-氧化物半导体场效应晶体管组件
483 屏蔽栅场效应晶体管及其制造方法
484 屏蔽栅场效应晶体管及其制造方法（锤形）
485 屏蔽栅场效应晶体管及其制造方法（柱形）
486 屏蔽栅场效应晶体管及其制造方法（哑铃形）
487 沟槽式栅极功率金属氧化物半导体场效应晶体管的结构
488 一种高抗疲劳性的铁电栅场效应晶体管存储器及制备工艺
489 场效应型晶体管
490 金属有机框架浮栅型有机场效应晶体管存储器及其配方技术
491 一种随形贴合有机场效应晶体管及晶体管阵列和它们的配方技术
492 一种高散热性能双栅氧化镓场效应薄膜晶体管及其配方技术
493 一种聚合物/氧化物复合有机纳晶场效应晶体管气体传感器配方技术
494 一种调节场效应晶体管沟道长度的新方法及其制造工艺
495 基于二维薄膜的超陡亚阈值摆幅场效应晶体管及配方技术
496 具有二极管隔离的堆栈式纳米片场效应晶体管
497 强极化分子及应用其制备的单分子场效应晶体管
498 一种基于MOS场效应晶体管的模拟脉冲神经元的硬件电路及其应用
499 神经形态器件中具有多个铁电场效应晶体管的突触阵列
500 场效应晶体管及其配方技术
501 石墨烯场效应晶体管
502 一种场效应晶体管及其配方技术和晶体管阵列器件
503 低功耗氮化镓基负电容场效应晶体管及配方技术
504 用于形成金属氧化物膜的涂布液，氧化物膜，场效应晶体管及其制作方法
505 氮化碳薄膜场效应晶体管
506 场效应晶体管与检波电路
507 鳍式场效应晶体管及其形成方法
508 场效应晶体管、其制造方法、显示元件、显示设备以及系统
509 具有T形栅极电极的场效应晶体管
510 一种插入倒T形介质层的鳍式场效应晶体管及其配方技术
511 一种叠层式多晶硅场效应晶体管器件的制造方法
512 光交联性聚合物、绝缘膜、平坦化膜、亲疏图案化膜和包含其的有机场效应晶体管器件
513 三维（3D）铁电偶极金属氧化物半导体铁电场效应晶体管（MOSFEFET）系统及相关方法和系统
514 一种3D金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
515 一种制备碳纳米管场效应晶体管的方法
516 一种薄膜场效应晶体管型气体传感器及其配方技术
517 结型场效应晶体管
518 一种二维相变场效应晶体管及其配方技术
519 金属氧化物半导体场效应晶体管
520 一种低欧姆接触场效应晶体管的配方技术
521 一种可控的热焊接法制备高性能场效应晶体管的方法
522 一种基于ZnSnO纳米纤维的场效应晶体管配方技术
523 一种遂穿场效应晶体管及其制造方法
524 基于单层分子半导体薄膜提升有机场效应晶体管器件性能的方法
525 一种表贴金属氧化物半导体场效应晶体管的安装结构
526 用于集成的横向扩散场效应晶体管的连接布置
527 用于电池备用系统的O型环场效应晶体管控制方法及系统
528 一种二硫化钼场效应晶体管及其配方技术
529 一种局域化沟道的场效应晶体管及其配方技术
530 具有单扩散中断的鳍式场效应晶体管及方法
531 垂直场效应晶体管与鞍形鳍式场效应晶体管的集成
532 具有单扩散中断的鳍式场效应晶体管及方法
533 光伏场效应晶体管
534 用改进的垂直鳍片几何形状制作垂直场效应晶体管器件
535 一种MoS2基金属半导体场效应晶体管及其配方技术
536 化合物半导体场效应晶体管栅极长度缩减
537 一种MoS2基量子阱型调制掺杂场效应晶体管及其配方技术
538 屏蔽栅沟槽场效应晶体管的制造方法
539 具有自对准栅极的化合物半导体场效应晶体管
540 一种非对称双栅场效应晶体管结构
541 基于自激励自旋单电子电磁场效应晶体管的费米轻子量子位
542 基于自激励自旋单电子电磁场效应晶体管的相位和费米轻子量子位
543 一种有效抑制双极性电流的双栅隧穿场效应晶体管
544 能够抑制双极效应的隧穿场效应晶体管及配方技术
545 垂直传输鳍场效应晶体管的底部介电隔离方法
546 鳍式场效应晶体管器件和方法
547 一种测量工作状态下的绝缘栅型场效应晶体管结温的方法和装置
548 发光场效应晶体管以及显示面板
549 薄膜晶体管和场效应二极管的配方技术
550 场效应晶体管及其制造方法
551 改善射频开关特性的场效应晶体管结构
552 薄膜晶体管和场效应二极管
553 基于负电容的场效应晶体管、生物传感器及其配方技术
554 垂直双扩散场效应晶体管及其制作方法
555 一种半导体纳米阵列有机场效应晶体管多位存储器及其配方技术
556 一种场效应晶体管式磁传感器、其配方技术与使用方法
557 具有掩埋栅的场效应晶体管及其制造方法
558 一种场效应晶体管及其配方技术
559 低电阻场效应晶体管及其制造方法
560 一种双极性大容量有机场效应晶体管存储器及配方技术
561 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法
562 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法
563 巨磁致电阻器件、磁子场效应晶体管和磁子隧道结
564 巨磁致电阻器件、磁子场效应晶体管和磁子隧道结
565 结型场效应晶体管及其制作方法
566 结型场效应晶体管及其制作方法
567 横向型氮化镓基场效应晶体管及其制作方法
568 场效应晶体管、集成电路及场效应晶体管的配方技术
569 环栅型鳍式场效应晶体管及其制作方法
570 垂直双扩散场效应晶体管及其制作方法
571 场效应晶体管、制造场效应晶体管的方法及电子器件
572 环栅纳米线场效应晶体管及其配方技术
573 场效应晶体管、制造场效应晶体管的方法及电子器件
574 隧穿场效应晶体管及其配方技术
575 隧穿场效应晶体管及其配方技术
576 鳍型场效应晶体管及其配方技术
577 鳍式场效应晶体管及其制作方法
578 环栅纳米线场效应晶体管及其配方技术
579 具有源极控制电极的场效应晶体管、制造方法和电子器件
580 环栅纳米线场效应晶体管及其配方技术
581 三维场效应晶体管及其制作方法
582 超结金属氧化物场效应晶体管
583 垂直双扩散场效应晶体管及其制作方法
584 场效应晶体管的气隙间隙壁
585 垂直双扩散场效应晶体管及其制作方法
586 超结金属氧化物场效应晶体管
587 垂直双扩散场效应晶体管及其制作方法
588 一种石墨烯场效应晶体管量子点光电探测器及其配方技术
589 鳍式场效应晶体管的制作方法
590 具有去耦合沟道的场效应晶体管及其制造方法
591 全包围栅场效应晶体管及其制造方法
592 用于鳍式场效应晶体管的互连结构及其形成方法
593 场效应晶体管的隔离结构及其制作方法
594 基于垂直隧穿的场效应晶体管、生物传感器及其配方技术
595 一种增强型场效应晶体管
596 一种MnWO4纳米板光敏场效应晶体管及其制造方法
597 氧化物或氧氮化物绝缘体膜形成用涂布液，氧化物或氧氮化物绝缘体膜，场效应晶体管及这些的制造方法
598 横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
599 使用互补对的电流注入场效应晶体管装置的低噪声传感器放大器和跨阻抗放大器
600 基于二维硒化镓材料场效应晶体管配方技术
601 具有前侧源极触点和前侧漏极触点的垂直场效应晶体管
602 氧化镓场效应晶体管
603 一种鳍式场效应晶体管及其配方技术
604 具有横向延伸的栅极电介质的高电压场效应晶体管及其制造方法
605 一种基于横向沟道调制的增强型场效应晶体管及其制作方法
606 一种高线性场效应晶体管器件及其制作方法
607 场效应晶体管结构及其配方技术
608 制备半导体结构的方法、半导体结构及场效应晶体管
609 制备半导体结构的方法、半导体结构及场效应晶体管
610 场效应晶体管、其制造方法、使用其的无线通信设备及商品标签
611 降低二维材料场效应晶体管接触电阻的方法
612 鳍式场效应晶体管器件和方法
613 垂直堆叠的环栅纳米线隧穿场效应晶体管及其配方技术
614 一种基于纳米浮栅有机场效应晶体管存储器及配方技术
615 鳍式场效应晶体管及其形成方法
616 载流子浓度调制型高迁移率场效应晶体管及其制造方法
617 铁电场效应晶体管及其配方技术
618 化学敏感场效应晶体管阵列
619 源漏对称可互换的双向隧穿场效应晶体管及其制造方法
620 一种源漏阻变式双向开关场效应晶体管及其制造方法
621 一种利用碳纳米场效应晶体管的三值内容寻址存储器
622 方筒形栅内嵌U形沟道场效应晶体管及其制造方法
623 一种高性能常关型的GaN场效应晶体管及其配方技术
624 场效应晶体管、显示元件、图像显示装置及其制作方法
625 隧道场效应晶体管及其制作方法
626 基于WO3/Al2O3双层栅介质的零栅源间距金刚石场效应晶体管及制作方法
627 基于MoO3/Al2O3双层栅介质的零栅源间距金刚石场效应晶体管及制作方法
628 基于CaF2栅介质的零栅源间距金刚石场效应晶体管及制作方法
629 基于WO3栅介质的金刚石场效应晶体管及制作方法
630 一种新型的GaN异质结场效应晶体管
631 用于场效应晶体管的保护电路
632 具有堆叠的纳米线状沟道的场效应晶体管及其制造方法
633 一种硒化铅纳米棒、配方技术及在场效应晶体管中的应用
634 一种利用碳纳米场效应晶体管的三值脉冲型D触发器
635 一种基于鼓泡法的石墨烯场效应晶体管的配方技术
636 一种n型黑磷场效应晶体管的配方技术
637 一种还原石墨烯电极MoS2场效应晶体管的配方技术
638 鳍式场效应晶体管装置的形成方法
639 提高AlGaN/GaN异质结场效应晶体管线性度的方法
640 一种柔性介电薄膜及由其制备的有机场效应晶体管
641 基于MoO3/Al2O3双层栅介质的金刚石场效应晶体管及制作方法
642 V2O5/Al2O3双层栅介质的金刚石场效应晶体管及制作方法
643 垂直双栅场效应晶体管及自钳位防击穿射频放大器
644 一类含有氟代苯乙烯噻吩结构共轭聚合物及其在场效应晶体管中的应用
645 一种利用碳纳米场效应晶体管的三值可逆计数器
646 使用遂穿场效应晶体管和碰撞电离MOSFET器件的静电放电保护电路
647 非对称栅控鳍式场效应晶体管(FET)(finFET)二极管
648 用于射频应用的主辅场效应晶体管配置
649 一种黑磷场效应晶体管及其配方技术
650 制作垂直堆叠集成的半导体纳米线及其场效应晶体管的方法
651 一种具有高K电荷补偿纵向双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应晶体管
652 一种具有高K电荷补偿纵向双扩散金属氧化物元素半导体场效应晶体管
653 具有三段式埋氧层的半导体场效应晶体管及其制造方法
654 一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
655 高电子迁移率自旋场效应晶体管及其配方技术
656 基于Cr掺杂4H-SiC衬底异质结自旋场效应晶体管及其配方技术
657 采用具有多个沟道结构的场效应晶体管（FET）并且不具有浅沟槽隔离（STI）空隙引起的电短路的半导体器件
658 场效应晶体管及其形成方法
659 鳍式场效应晶体管结构上的选择性SAC覆盖及相关方法
660 场效应晶体管的制造方法及无线通信设备的制造方法
661 金刚石基场效应晶体管的配方技术及场效应晶体管
662 用于鳍式场效应晶体管的源极和漏极形成技术
663 场效应晶体管
664 开态电流增强的纵向隧穿场效应晶体管
665 三维硅纳米线阵列场效应晶体管、生物传感器及配方技术
666 一种鳍式场效应晶体管栅极结构的形成方法
667 金属‑氧化物沟道半导体场效应晶体管的外延层结构
668 采用邻近非对称有源栅极/伪栅极宽度布局的场效应晶体管（FET）器件
669 双角度类梯形截面形状的鳍型场效应晶体管及其评价方法
670 具有隔离区的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
671 异质结遂穿场效应晶体管及其配方技术
672 鳍式场效应晶体管的栅极配方技术及栅极
673 N型隧穿场效应晶体管
674 采用介电材料层以向沟道区域施加应力的鳍式场效应晶体管(FET)(FINFET)
675 基于LRC的GeSn隧穿场效应晶体管及其配方技术
676 一种全打印制备柔性有机场效应晶体管的方法
677 环栅场效应晶体管及其形成方法
678 一种基于提拉法制备一维氧化物纤维场效应晶体管的方法
679 金属氧化物半导体场效应晶体管结构及其制造方法
680 金刚石基场效应晶体管的配方技术
681 半导体结构及其制造方法和高k金属栅鳍式场效应晶体管
682 鳍式场效应晶体管的形成方法
683 用于静电放电或过度电性应力保护的阶梯鳍式场效应晶体管
684 一种顶栅石墨烯场效应晶体管的配方技术
685 氧化镓场效应晶体管的配方技术
686 具有应变沟道的鳍式场效应晶体管
687 帽层结构氧化镓场效应晶体管的配方技术
688 无结型隧穿场效应晶体管及配方技术
689 互补场效应晶体管及其配方技术和像素电路
690 隧穿场效应晶体管及其形成方法
691 一种超结场效应晶体管的制作方法
692 一种基于场效应晶体管结构的pH值传感器件及其制造方法
693 场效应晶体管及其制作方法，显示元件，图像显示装置和系统
694 一种垂直双扩散场效应晶体管及其制作方法
695 隧穿场效应晶体管器件制造方法及隧穿场效应晶体管器件
696 超结金属氧化物场效应晶体管
697 一种场效应晶体管及其配方技术
698 一种氮化镓复合场效应晶体管pH传感器的配方技术
699 一种隧穿场效应晶体管及其配方技术
700 离子敏感场效应晶体管及其配方技术
701 用于垂直传输场效应晶体管的互连
702 基于可动栅极式场效应晶体管的微力传感器及其配方技术
703 具有背对背场效应晶体管的双向开关
704 采用单和双扩散中断以提高性能的鳍式场效应晶体管(FINFET)互补金属氧化物半导体(CMOS)电路
705 一种金刚石基底场效应晶体管配方技术
706 一种氧化镓基底场效应晶体管及其配方技术
707 铁电场效应晶体管、铁电内存与数据读写方法及制造方法
708 半导体结构及其形成方法、鳍式场效应晶体管的形成方法
709 一种基于MOS场效应晶体管的滤波电路及芯片
710 制造用于鳍式场效应晶体管的源极‑漏极接触件的方法
711 低温制备二维柔性离子敏场效应晶体管的方法
712 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
713 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
714 一种铁电场效应晶体管及其配方技术
715 一种铁电场效应晶体管及其配方技术
716 Mn掺杂异质结自旋场效应晶体管的配方技术
717 Cr掺杂异质结自旋场效应晶体管及其配方技术
718 蓝宝石衬底的Fe掺杂自旋场效应晶体管及其制造方法
719 基于4H-SiC衬底异质结自旋场效应晶体管及其制造方法
720 半导体结构及其形成方法、鳍式场效应晶体管的形成方法
721 一种层状二硫化钼场效应晶体管及其配方技术和应用
722 场效应晶体管和半导体结构
723 包括鳍式场效应晶体管的半导体器件及其形成方法
724 具有多沟道长度的垂直场效应晶体管器件
725 鳍式场效应晶体管及其形成方法
726 隧穿场效应晶体管及其配方技术
727 金属氧化物及场效应晶体管
728 一种石墨烯场效应晶体管及其配方技术
729 一种超薄膜及基于其的有机场效应晶体管传感器的配方技术
730 垂直场效应晶体管
731 一种多聚酞菁化合物、有机场效应晶体管及其配方技术
732 具有串联连接的增强模式栅极区域和耗尽模式栅极区域的异质结场效应晶体管器件
733 2，6-二(2-萘基)蒽在制备场效应晶体管中的应用
734 一种铁电场效应晶体管及其配方技术
735 金刚石基背栅型氢终端场效应晶体管及其配方技术
736 垂直隧穿场效应晶体管及其形成方法
737 一种基于自对准工艺的石墨烯场效应晶体管制造方法
738 自支撑超薄柔性高性能有机薄膜场效应晶体管及其配方技术
739 鳍式场效应晶体管及其形成方法
740 隧穿场效应晶体管及其形成方法
741 垂直场效应晶体管及其制造方法
742 鳍式场效应晶体管(FINFET)中的源极/漏极区及其形成方法
743 一种散热性好的Ga2O3基金属氧化物半导体场效应晶体管及其配方技术
744 有机半导体材料组合物和有机场效应晶体管的半导体层及其配方技术
745 离子敏感场效应晶体管及其形成方法
746 一种具有双凹陷AlGaN势垒层的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管
747 一种制备半导体薄膜场效应晶体管器件的方法
748 基于高k栅介质的大面积二硫化钼场效应晶体管及其制备
749 鳍式场效应晶体管
750 标称栅极宽度鳍式场效应晶体管(FinFET)与具有更大栅极宽度的装置的整合
751 一种场效应晶体管及其配方技术
752 一种场效应晶体管及其配方技术
753 复合源场板电流孔径异质结场效应晶体管
754 一种制备高性能半导体场效应晶体管器件的方法
755 用于场效应晶体管的经组合源极与基极触点
756 一种宽禁带III-V CMOS应变场效应晶体管
757 电流再利用型场效应晶体管放大器
758 一种铁电场效应晶体管模型的建立方法和系统
759 一种III-V CMOS型异质结场效应晶体管
760 一种低压p型氧化物纳米纤维场效应晶体管的配方技术
761 一种制备复合物场效应晶体管的方法
762 一种III-V CMOS型赝配异质结场效应晶体管
763 金刚石基常关型场效应晶体管及其配方技术
764 N型场效应薄膜晶体管及其制作方法、CMOS反相器及其制作方法
765 一种沟槽栅金属氧化物场效应晶体管及其制造方法
766 一种肖特基栅场效应晶体管及其配方技术与应用
767 负电子压缩率-超陡亚阈斜率场效应晶体管及其配方技术
768 一种金属掺杂氧化锌纳米纤维场效应晶体管的配方技术
769 一种自阻挡层结构的有机场效应晶体管存储器及其配方技术
770 一种具有多凹陷缓冲层的4H-SiC金属半导体场效应晶体管
771 基于黑磷的具有高开关比低亚阀值摆幅的场效应晶体管
772 一种高迁移率沟道双纳米线场效应晶体管及其配方技术
773 一种鳍式场效应晶体管及其配方技术
774 场效应晶体管、显示元件、图像显示装置和系统
775 一种锗硅沟道鳍式场效应晶体管及其配方技术
776 场效应晶体管、存储元件、显示元件和装置及系统的制法
777 用于制造场效应晶体管的方法
778 超陡平均亚阈值摆幅鳍式隧穿场效应晶体管及其配方技术
779 一种基于Ni催化制备石墨烯电极MoS2场效应晶体管的方法
780 一种基于聚合物掺杂半导体纳米粒子的有机场效应晶体管存储器
781 低栅漏电容的纵向场效应晶体管及其制造方法
782 一种顶栅石墨烯场效应晶体管及其配方技术
783 具有非松弛应变通道的场效应晶体管
784 场效应晶体管及其制作方法
785 隧穿场效应晶体管及其制造方法
786 鳍式场效应晶体管及其形成方法
787 一种顶发射白光量子点场效应晶体管器件及其配方技术
788 一种增强型氮化物场效应晶体管及其配方技术
789 制作隧穿场效应晶体管的方法
790 一种氧化镓基金属-氧化物半导体场效应晶体管及其配方技术
791 带保护二极管的场效应晶体管
792 层结构竖直场效应晶体管及其制造方法
793 制备垂直有机场效应晶体管的方法及垂直有机场效应晶体管
794 鳍式场效应晶体管及其制造方法
795 通过EMK-测量对于反极性保护-金属氧化物半导体场效应晶体管进行保护
796 一种无结型场效应晶体管
797 高击穿电压场效应晶体管及其制作方法
798 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法
799 基于PET柔性衬底的背栅黑磷场效应晶体管及配方技术
800 一种通过快速退火提高有机场效应晶体管迁移率的方法
801 场效应晶体管、其制造方法、显示元件、显示设备和系统
802 具有至2D材料有源区的接触件的场效应晶体管
803 一种III‑V族环栅场效应晶体管及其配方技术
804 一种槽栅增强型AlGaN/GaN异质结场效应晶体管
805 一种具有部分P型GaN帽层的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管
806 一种具有部分本征GaN帽层的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管
807 一种阶梯p‑GaN增强型AlGaN/GaN异质结场效应晶体管
808 一种槽栅增强型MIS结构AlGaN/GaN异质结场效应晶体管
809 垂直堆叠的纳米线场效应晶体管
810 基于异靛蓝衍生物的电子传输型聚合物及有机场效应晶体管
811 包括场效应晶体管的半导体器件
812 一种光调控的垂直自旋场效应晶体管及配方技术
813 一种碳纳米管束场效应晶体管阵列及其制造方法
814 结型场效应晶体管及其制作方法
815 一种制造鳍式金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
816 用于在硅衬底上制备高电子迁移率场效应晶体管的方法
817 一种在硅衬底上制备高电子迁移率场效应晶体管的方法
818 纵向调制掺杂氮化镓基场效应晶体管结构及其制作方法
819 基于柔性石墨烯场效应晶体管结构的多级太赫兹调制器
820 鳍式场效应晶体管及其制造方法
821 一种增强光提取率的QLED场效应晶体管及其配方技术
822 一种环栅场效应晶体管及其配方技术
823 一种鳍式场效应晶体管金属图案的配方技术
824 具有微腔结构的顶发射QLED场效应晶体管及配方技术
825 鳍片型场效应晶体管
826 用于制造鳍式场效应晶体管和浅沟槽隔离件的方法
827 真空管场效应晶体管阵列及其制造方法
828 鳍片型场效应晶体管
829 鳍型场效应晶体管及其制造方法
830 鳍式场效应晶体管结构及其制造方法
831 鳍式场效应晶体管及其形成方法
832 一种低导通电阻氢终端金刚石场效应晶体管及其配方技术
833 一种倒T型埋栅结构的二维材料场效应晶体管及其制造方法
834 一种基于金-黑磷烯的负微分电阻场效应晶体管及其制备
835 一种改良的鳍式场效应晶体管及其制作方法
836 一种新型鳍式场效应晶体管及其制作方法
837 鳍式场效应晶体管及其制造方法
838 一种UV光前处理制备氧化铟/氧化铝纳米纤维场效应晶体管的方法
839 一种垂直结构量子点发光场效应晶体管及配方技术
840 光子增强的场效应晶体管和集成电路
841 光子增强的场效应晶体管和集成电路
842 光调制的半导体场效应晶体管和集成电路
843 光调制的场效应晶体管和集成电路
844 光调制的具有分离栅结构的场效应晶体管和集成电路
845 光调制的场效应晶体管和集成电路
846 光子增强的场效应晶体管和集成电路
847 光调制的场效应晶体管和集成电路
848 光调制的场效应晶体管和集成电路
849 光子增强的场效应晶体管和集成电路
850 场效应晶体管、显示元件、图像显示装置以及系统
851 鳍式场效应晶体管结构及其制造方法
852 鳍式场效应晶体管器件
853 二氟连二噻吩类聚合物及其配方技术与其在场效应晶体管中的应用
854 多栅极隧道场效应晶体管（TFET）
855 鳍式场效应晶体管器件
856 Ge场效应晶体管（FET）和制造方法
857 一种基于离子液体栅的单分子场效应晶体管
858 一种三维环栅半导体场效应晶体管的配方技术
859 场效应晶体管以及包括该场效应晶体管的半导体器件
860 鳍式场效应晶体管及其制造方法
861 一种槽型栅功率场效应晶体管
862 金属氧化物半导体场效应晶体管
863 一种砷化镓基异质结遂穿场效应晶体管
864 一种硅基异质结遂穿场效应晶体管
865 一种硅基遂穿场效应晶体管结构
866 一种环栅结构场效应晶体管及其配方技术
867 高功率和高频率异质结场效应晶体管
868 隧穿场效应晶体管及其制作方法
869 一种沟槽式场效应晶体管及其制造方法
870 一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
871 场效应晶体管制造方法及场效应晶体管
872 顶发射量子点发光场效应晶体管及其配方技术
873 双栅极生物敏感场效应晶体管及阈值校准方法
874 一种隧穿场效应晶体管配方技术及其隧穿场效应晶体管
875 一种基于氧杂稠环类的有机场效应晶体管材料及其合成方法和应用
876 具有可调功函数的场效应晶体管叠层
877 一种场效应晶体管及其制作方法
878 一种场效应晶体管及其制作方法
879 铁电电容器、铁电场效应晶体管及在形成包含导电材料与铁电材料的电子组件时使用的方法
880 一种场效应晶体管及其制作方法
881 鳍片型场效应晶体管装置
882 隧穿场效应晶体管及其制造方法
883 一种硫化物场效应晶体管及其配方技术
884 一种隧穿场效应晶体管及其制作方法
885 鳍式场效应晶体管及其制造方法
886 鳍式场效应晶体管及其形成方法
887 场效应晶体管及其制造方法,显示元件,显示装置,系统
888 鳍式场效应晶体管及其形成方法
889 鳍式场效应晶体管及其形成方法
890 鳍式场效应晶体管及其形成方法
891 具有双栅极的III族氮化物场效应晶体管
892 一种浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器
893 一种低功耗高性能锗沟道量子阱场效应晶体管
894 用于运行金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
895 制造自对准垂直场效应晶体管的方法和微电子结构
896 鳍式场效应晶体管及其形成方法
897 场效应晶体管及其制造方法
898 具有低泄漏电流的无结折叠I形栅场效应晶体管
899 功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
900 场效应晶体管结构及其制作方法
901 具有优化性能和增益的场效应晶体管
902 一种氧化铟纳米纤维场效应晶体管电学性能的调控方法
903 半导体器件以及形成场效应晶体管的方法
904 鳍场效应晶体管
905 场效应晶体管，显示元件，图像显示装置以及系统
906 外延再生长异质结构纳米线的横向隧道场效应晶体管
907 一种氮化鎵基异质结场效应晶体管结构
908 一种氮化鎵基异质结耐击穿场效应晶体管结构
909 一种双栅InGaAs PMOS场效应晶体管
910 复合型场效应晶体管及其配方技术、控制器
911 鳍式场效应晶体管的制造方法
912 鳍式场效应晶体管的形成方法
913 一种基于量子点有机场效应晶体管光敏存储器及其配方技术
914 鳍式场效应晶体管(FINFET)器件结构及其形成方法
915 一种自组装膜优化的n型有机场效应晶体管的配方技术
916 一种SiC基沟槽型场效应晶体管及其配方技术
917 利用氧化层与氮化层依序包覆电极部的场效应晶体管及其制造方法
918 隧道场效应晶体管
919 一种双栅极鳍式场效应晶体管形成方法及其结构
920 一类氮杂并五苯类有机场效应晶体管材料的合成及应用
921 一种有机场效应晶体管及其配方技术
922 一种基于负电容的环栅场效应晶体管及其制作方法
923 三维鳍式隧穿场效应晶体管
924 包括鳍型场效应晶体管结构的半导体器件
925 一种类Fin结构III-V族半导体场效应晶体管及其配方技术
926 垂直场效应晶体管
927 用于形成n-型氧化物半导体膜的涂布液、n-型氧化物半导体膜制造方法和场效应晶体管制造方法
928 异质结碳纳米管场效应晶体管及其配方技术
929 场效应晶体管和半导体器件
930 基于隧穿场效应晶体管（TFET）的高密度和低功率时序
931 集成有耗尽型结型场效应晶体管的器件及其制造方法
932 用于制造鳍式场效应晶体管和半导体器件的方法
933 鳍式场效应晶体管及其制造方法
934 集成有结型场效应晶体管的器件及其制造方法
935 集成耗尽型结型场效应晶体管的器件
936 结型场效应晶体管及其制造方法
937 具有衬层的鳍型场效应晶体管
938 一种石墨烯基场效应晶体管及其配方技术
939 集成有结型场效应晶体管的器件及其制造方法
940 集成有结型场效应晶体管的器件及其制造方法
941 具有含氮的氧化物薄膜的场效应晶体管器件及其配方技术
942 氧化物薄膜的场效应晶体管器件及其配方技术
943 一种基于多稠环类的场效应晶体管材料及其配方技术和应用
944 鳍式场效应晶体管器件及其制造方法
945 一种Ω型顶栅结构的鳍式场效应晶体管及其配方技术
946 鳍式场效应晶体管及其制造方法
947 用于与多级存储器器件集成的具有多级栅极电极的场效应晶体管
948 一种鳍式场效应晶体管及其制造方法
949 一种介孔石墨烯制备工艺及基于介孔石墨烯场效应晶体管生物传感器
950 鳍式场效应晶体管隔离结构及其制造方法
951 场效应晶体管及其制造方法
952 鳍式场效应晶体管及其制造方法
953 一种鳍式场效应晶体管及其配方技术
954 非易失性存储器的非对称传输场效应晶体管
955 非易失性存储器的非对称传输场效应晶体管
956 鳍式场效应晶体管结构及其制造方法
957 鳍式场效应晶体管及其制造方法
958 包含沟道高级寄生元件的场效应晶体管小信号等效电路模型
959 一种提高开态电流的隧穿场效应晶体管
960 沟槽栅场效应晶体管及制造方法
961 一种倒梯形顶栅结构鳍式场效应晶体管及其配方技术
962 一种鳍式场效应晶体管及其配方技术
963 鳍式场效应晶体管及其形成方法
964 具有二维分布的场效应晶体管单元的场效应晶体管
965 具有环路分布的场效应晶体管单元的场效应晶体管
966 鳍式场效应晶体管及其配方技术
967 鳍式场效应晶体管及其制造方法
968 一种具备场效应晶体管功能的透射电镜样品台载样区
969 基于互补电流场效应晶体管装置的参考产生器和电流源晶体管
970 场效应晶体管、显示元件、图像显示装置、和系统
971 过饱和电流场效应晶体管和跨阻抗MOS装置
972 基于互补电流场效应晶体管装置的低噪声跨阻抗放大器
973 多级式且前馈补偿的互补电流场效应晶体管放大器
974 一种基于核壳型簇星状结构聚合物有机场效应晶体管存储器及其配方技术
975 一种纳米柱结构有机场效应晶体管存储器及其配方技术
976 场效应晶体管
977 一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
978 场效应晶体管结构及其制造方法
979 一种增加开态电流的隧穿场效应晶体管
980 双异质氮化镓基场效应晶体管结构及制作方法
981 一种增加电流开关比的隧穿场效应晶体管
982 具有双栅极的鳍式场效应晶体管及其制造方法
983 调控材料载流子浓度的方法、场效应晶体管和制造方法
984 全包围栅极鳍式场效应晶体管结构制作方法
985 一种黑磷场效应晶体管及其制造方法
986 基于石墨烯场效应晶体管的太赫兹探测器及其配方技术
987 隧穿场效应晶体管及其配方技术
988 一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法
989 一种二维材料异质结场效应晶体管、其配方技术和晶体管阵列器件
990 一种半导体场效应晶体管及其制造方法
991 一种气氛可控多器件场效应晶体管密封测试装置
992 一种场效应晶体管的制作方法及场效应晶体管
993 场效应晶体管、显示元件、图像显示装置、和系统
994 一种基于有机场效应晶体管的湿度传感器及其配方技术
995 一种场效应晶体管的配方技术
996 场效应晶体管及其制作方法
997 具有掺杂的隔离绝缘层的鳍式场效应晶体管
998 一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
999 多阈值电压鳍式场效应晶体管及其形成方法
1000 一种基于石墨烯的场效应晶体管生物传感器及其配方技术
1001 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法
1002 鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构及其形成方法
1003 鳍式场效应晶体管（FINFET）器件结构及其形成方法
1004 隧穿场效应晶体管及其配方技术
1005 场效应晶体管寄生电阻和沟道参数的提取方法
1006 包括场效应晶体管的功率半导体电路
1007 一种垂直沟道的柔性有机发光场效应晶体管及其配方技术
1008 一种混合沟道的柔性有机发光场效应晶体管及其配方技术
1009 一种隧穿场效应晶体管及其制作方法
1010 在块体鳍式场效应晶体管沟道中产生拉伸应变
1011 具有与半导体鳍自对齐的栅电极的场效应晶体管
1012 有机场效应晶体管及配方技术、电子电路
1013 具有微纳孔结构有机场效应晶体管传感器及其制作和应用
1014 一种MOS场效应晶体管
1015 鳍式场效应晶体管的形成方法
1016 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1017 CMOS图像传感器的双鳍形场效应晶体管
1018 CMOS图像传感器的鳍式场效应晶体管的制作方法
1019 场效应晶体管及其制造方法、阵列基板及其制造方法以及显示面板
1020 包括鳍式场效应晶体管的可调谐存储器单元的结构和方法
1021 利用碳纳米场效应晶体管实现的三值静态随机存储单元
1022 原子尺度下动态观测III-V族场效应晶体管栅介质失效的方法
1023 一种垂直结构GaN基增强型场效应晶体管及其制造方法
1024 一种坚固的功率半导体场效应晶体管结构
1025 纵型场效应晶体管以及电力转换装置
1026 一种非对称双栅无结场效应晶体管
1027 一种新型P+侧墙无结场效应晶体管
1028 具有主体下拉的场效应晶体管
1029 具有背势垒的AlGaN/GaN极化掺杂场效应晶体管及制造方法
1030 具有场板的AlGaN/GaN极化掺杂场效应晶体管及制造方法
1031 一种半导体场效应晶体管及其制作方法
1032 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1033 隧道场效应晶体管及其制作方法
1034 一种二维材料场效应晶体管及配方技术
1035 真空纳米管场效应晶体管及其制造方法
1036 一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法
1037 一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法
1038 真空纳米管场效应晶体管及其制造方法
1039 一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法
1040 多屏蔽沟槽栅极场效应晶体管
1041 一种新型常关型III-V异质结场效应晶体管
1042 一种新型增强型III-V异质结场效应晶体管
1043 基于钕掺杂的钛酸铋薄膜的铁电场效应晶体管及配方技术
1044 具有有凹口的台面的场效应晶体管结构
1045 一种有机分子螺旋生长薄膜场效应晶体管及其配方技术和应用
1046 一种印刷制作有机场效应晶体管的方法
1047 一种高质量MIS结构的AlNGaN基场效应晶体管及其配方技术
1048 包括场效应晶体管的半导体器件及制造半导体器件的方法
1049 场效应晶体管
1050 包括场效应晶体管的开关及集成电路
1051 交错型隧穿场效应晶体管
1052 场效应晶体管的配方技术及利用其制备的场效应晶体管
1053 减小顶栅石墨烯场效应晶体管欧姆接触的方法
1054 一种具有双高栅的4H-SiC金属半导体场效应晶体管的配方技术
1055 隧穿场效应晶体管及其制造方法
1056 一种具有双高栅的4H-SiC金属半导体场效应晶体管
1057 一种AlGaN/GaN基场效应晶体管及其配方技术
1058 一种肖特基结隧穿场效应晶体管
1059 一种超薄沟道凹槽隧穿场效应晶体管
1060 一种新型非对称双栅隧穿场效应晶体管
1061 一种三明治结构双栅垂直隧穿场效应晶体管
1062 具有抬高的有源区域的场效应晶体管及其制造方法
1063 一种双极性聚合物场效应晶体管及其配方技术与应用
1064 沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法
1065 一种提高场效应晶体管式气体传感器选择性的方法
1066 稳定的以气体为绝缘层的纳米线场效应晶体管及配方技术
1067 半导体器件和具有包括热生长部分和沉积部分的场电介质的沟槽场板场效应晶体管
1068 一种提高场效应晶体管式气体传感器灵敏度的方法
1069 多层鳍式场效应晶体管装置
1070 场效应晶体管以及用于运行场效应晶体管的方法和控制器
1071 鳍式场效应晶体管及其制造方法
1072 鳍式场效应晶体管的形成方法
1073 鳍式场效应晶体管的形成方法
1074 场效应晶体管以及配方技术
1075 鳍式场效应晶体管的形成方法
1076 用于增强的开状态和关状态性能的带有阈值电压切换的基于铁电的场效应晶体管
1077 基于碳化硅衬底的石墨烯场效应晶体管阵列的配方技术
1078 包括场效应晶体管的半导体器件
1079 一种抑制关态电流的隧穿场效应晶体管
1080 基于新型High-K材料的GeSn沟道场效应晶体管
1081 一种有机摩擦场效应晶体管、晶体管阵列及其配方技术
1082 氮化镓场效应晶体管的制作方法及氮化镓场效应晶体管
1083 氮化镓场效应晶体管的制作方法及氮化镓场效应晶体管
1084 具有垂直结构的氮化镓场效应晶体管器件的制作方法
1085 氮化镓场效应晶体管的制作方法
1086 氮化镓场效应晶体管及其制造方法
1087 氮化镓异质结场效应晶体管的制作方法
1088 氮化镓场效应晶体管的制作方法
1089 双栅极石墨烯场效应晶体管及其制造方法
1090 石墨烯场效应晶体管及其制造方法
1091 金属氧化物半导体场效应晶体管
1092 鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构
1093 一种双栅极鳍式场效应晶体管的配方技术
1094 坚固的功率半导体场效应晶体管结构
1095 包括场效应晶体管的半导体装置
1096 横向扩散场效应晶体管及其制造方法
1097 横向扩散场效应晶体管及其制造方法
1098 纳米线场效应晶体管（FET）器件及其制造方法
1099 一种有机场效应晶体管存储器最小存储深度的计算方法
1100 一种基于掺杂噻吩异靛的有机薄膜场效应晶体管及其配方技术
1101 一种多孔结构有机场效应晶体管光敏存储器及其配方技术
1102 一种隧穿场效应晶体管及其配方技术
1103 一种带有电致变色薄膜的光敏有机场效应晶体管
1104 鳍式场效应晶体管的形成方法
1105 一种温度控制开关的有机异质结光敏场效应晶体管及其配方技术
1106 鳍式场效应晶体管的形成方法
1107 鳍式场效应晶体管的形成方法
1108 沉积氧化物薄膜的方法、有机场效应晶体管及其配方技术
1109 基于GeSn材料的铁电场效应晶体管及其配方技术
1110 基于InAs材料的铁电隧穿场效应晶体管及其配方技术
1111 基于InAs材料的铁电场效应晶体管及其配方技术
1112 基于GeSn材料的铁电隧穿场效应晶体管及其配方技术
1113 单个基板上的互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管和隧道场效应晶体管(TFET)
1114 鳍状场效应晶体管及其配方技术
1115 鳍状场效应晶体管及其配方技术
1116 用于制造具有鳍型场效应晶体管的半导体器件的方法
1117 一种辐射敏感场效应晶体管及其配方技术
1118 带有3D鳍式场效应晶体管结构的分裂栅非易失性存储器单元及其制作方法
1119 场效应晶体管的配方技术和场效应晶体管
1120 场效应晶体管的配方技术和场效应晶体管
1121 定向单壁碳纳米管阵列为沟道的场效应晶体管及制作方法
1122 结型场效应晶体管
1123 多阈值电压场效应晶体管及其制造方法
1124 场效应晶体管及场效应晶体管的配方技术
1125 一种螺环小分子浮栅型有机场效应晶体管存储器及其配方技术
1126 一种用于离子检测的有机场效应晶体管及其检测方法
1127 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1128 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1129 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1130 鳍式碳纳米管场效应晶体管及其配方技术
1131 用于读取P型场效应晶体管(PFET)传递栅极存储器位胞元的基于PFET的读出放大器，和相关存储器系统和方法
1132 集成齐纳二极管的场效应晶体管
1133 用于采用P型场效应晶体管(PFET)写入端口的存储器位胞元的字线负升压写入辅助电路和相关系统及方法
1134 采用P型场效应晶体管(PFET)‑显性评估电路以减少评估时间的动态标签比较电路以及相关系统和方法
1135 丝网印刷型自参比-石墨烯场效应晶体管生化传感器
1136 一种场效应晶体管及制作方法
1137 一种三维结构的柔性有机场效应晶体管
1138 一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法
1139 基于筛状电极的垂直有机场效应晶体管
1140 半导体结构、形成方法以及场效应晶体管
1141 半导体结构、形成方法以及场效应晶体管
1142 一种大开关比场效应晶体管的配方技术
1143 一种双栅结构的光敏有机场效应晶体管及其配方技术
1144 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
1145 石墨烯场效应晶体管及其形成方法
1146 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1147 鳍式场效应晶体管的形成方法
1148 柔性场效应晶体管及其配方技术
1149 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1150 一种调控半导体纳米线场效应晶体管阈值电压的方法
1151 鳍式场效应晶体管的形成方法
1152 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1153 鳍式场效应晶体管的形成方法
1154 场效应晶体管的半导体材料堆叠的上表面的多层钝化
1155 一种石墨烯自对准顶栅场效应晶体管器件的配方技术
1156 鳍部掺杂方法及鳍式场效应晶体管的制作方法
1157 具有半导体鳍结构的隧穿场效应晶体管
1158 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1159 具有半导体鳍结构的隧穿场效应晶体管
1160 具有互连结构的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构
1161 垂直真空密封碳纳米管场效应晶体管及其制造方法
1162 全密封真空纳米管场效应晶体管及其制造方法
1163 AlGaN/GaN异质结场效应晶体管及其配方技术
1164 一种基于GaN半导体材料异质结场效应晶体管结构的太赫兹波空间外部调制器
1165 鳍型场效应晶体管的鳍及其配方技术
1166 鳍式场效应晶体管及其配方技术
1167 基于GaAsBi-Ga(In)AsN材料的交错型异质结隧穿场效应晶体管
1168 一种隧穿场效应晶体管及其制造方法
1169 功率场效应晶体管(FET)、预驱动器、控制器和感测电阻器的集成
1170 鳍式场效应晶体管的形成方法
1171 鳍式场效应晶体管的形成方法
1172 鳍式场效应晶体管的形成方法
1173 MoS2纳米薄片双栅场效应晶体管/超级电容器复合器件及其配方技术
1174 一种场效应晶体管源漏电阻的提取方法
1175 鳍式场效应晶体管的形成方法
1176 鳍式场效应晶体管的形成方法
1177 包括堆叠的纳米片场效应晶体管的装置
1178 鳍式场效应晶体管的形成方法
1179 鳍式场效应晶体管的形成方法
1180 一种隧穿场效应晶体管数字标准单元的版图结构设计方法
1181 功率金属氧化物半导体场效应晶体管
1182 鳍式场效应晶体管的形成方法
1183 鳍式场效应晶体管
1184 形成鳍片式场效应晶体管装置的方法
1185 鳍片式场效应晶体管装置
1186 隧穿场效应晶体管及其制造方法
1187 鳍型场效应晶体管中栅边缘粗糙度效应的电路仿真方法
1188 鳍型场效应晶体管中鳍边缘粗糙度效应的电路仿真方法
1189 一种基于有机场效应晶体管的湿度传感器及其配方技术
1190 以胶带为基底构建大面积、柔性、可穿戴的有机纳米线场效应晶体管阵列的方法
1191 鳍式场效应晶体管的形成方法
1192 一种悬臂梁结构的震动传感有机场效应晶体管及其配方技术
1193 一种P沟道场效应晶体管抗单粒子效应加固电路
1194 一种低关态电流隧穿场效应晶体管
1195 无栅AlGaN/GaN场效应晶体管传感器及其配方技术
1196 一种隧穿场效应晶体管及其制作方法
1197 具有脱氧栅极堆叠件的多栅极场效应晶体管
1198 无栅AlInN/GaN场效应晶体管传感器及其配方技术
1199 用于鳍式场效应晶体管的源极/漏极区及其形成方法
1200 具有互连结构的鳍式场效应晶体管(FINFET)器件结构
1201 具有停止层的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构及其形成方法
1202 隧穿场效应晶体管及其配方技术
1203 用于使用隧道场效应晶体管的密集电路的装置、方法和系统
1204 基于La基栅的LaAlO3/SrTiO3异质结场效应晶体管及制作方法
1205 基于场效应晶体管的太赫兹波探测器
1206 一种柔性低电压有机场效应晶体管及其配方技术
1207 隧道场效应晶体管及其制造方法
1208 一种双层异质结型有机场效应发光晶体管及其配方技术
1209 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1210 一种高质量MIS结构的GaN基场效应晶体管及其配方技术
1211 一种制备三维环栅结构半导体场效应晶体管器件的方法
1212 一种隧穿场效应晶体管的配方技术
1213 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1214 一种制备柔性碳纳米管场效应晶体管的方法
1215 氮化物半导体场效应晶体管
1216 薄膜场效应晶体管及其制作方法、液晶显示器
1217 互补场效应晶体管及其配方技术
1218 鳍式场效应晶体管的制作方法
1219 场效应晶体管及其配方技术
1220 一种氮化镓场效应晶体管及其制作方法
1221 一种可编织线状有机单晶场效应晶体管及其配方技术与应用
1222 一种量子点发光场效应晶体管及其配方技术
1223 一种应用于场效应晶体管半导体材料的二维复合氢氧化物微米晶体及其制备工艺
1224 量子点发光场效应晶体管及其配方技术
1225 一种氮化铟（InN）基场效应晶体管及其配方技术
1226 隧穿场效应晶体管以及制造此类晶体管的方法
1227 具有优化的混合漏极接触的场效应晶体管及其制造方法
1228 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1229 一种N型鳍式场效应晶体管及制造方法
1230 一种P型鳍式场效应晶体管及制造方法
1231 具有带偏移半导体源极/漏极衬垫的高迁移率场效应晶体管
1232 隧穿场效应晶体管及其制造方法
1233 双宽度鳍式场效应晶体管
1234 一种n型有机场效应晶体管的配方技术
1235 一种使用等离子体交联技术制备有机场效应晶体管介电层的方法
1236 场效应功率晶体管的金属化结构
1237 一种基于迭片电极的有机薄膜场效应晶体管及其配方技术
1238 隧穿场效应晶体管及其制造方法
1239 具有突变隧穿结的FD‑GOI隧穿场效应晶体管及配方技术
1240 具有突变隧穿结的SSOI隧穿场效应晶体管及配方技术
1241 具有突变结的UTB‑SOI隧穿场效应晶体管及配方技术
1242 结型场效应晶体管的仿真模型及仿真方法
1243 一种氮化镓异质结场效应晶体管及其形成方法
1244 具有突变隧穿结的UTB‑SOI隧穿场效应晶体管及配方技术
1245 隧穿场效应晶体管及其配方技术
1246 高K金属栅极结构、鳍式场效应晶体管及其制作方法
1247 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1248 一种化学场效应晶体管气敏传感器及其制造方法
1249 4H-SiC金属半导体场效应晶体管及其制作方法
1250 鳍式场效应晶体管的形成方法
1251 4H-SiC金属半导体场效应晶体管及其制作方法
1252 一种具有部分下沉沟道的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管的配方技术
1253 场效应晶体管
1254 场效应晶体管
1255 异质结高电子迁移率自旋场效应晶体管及制造方法
1256 异质结高电子迁移率自旋场效应晶体管及制造方法
1257 异质结高电子迁移率自旋场效应晶体管及制造方法
1258 超结金属氧化物半导体场效应晶体管
1259 纵向隧穿场效应晶体管
1260 基于GeSn-SiGeSn材料的II型异质结隧穿场效应晶体管
1261 基于InAsN‑GaAsSb材料的交错型异质结隧穿场效应晶体管
1262 基于GaAsN‑GaAsSb 材料的II型异质结隧穿场效应晶体管
1263 基于SiGeSn-GeSn材料的II型异质结隧穿场效应晶体管
1264 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1265 一种组合物及含有该组合物的有机半导体场效应晶体管和其配方技术
1266 互补电流场效应晶体管装置及放大器
1267 鳍式场效应晶体管的形成方法
1268 一种石墨烯场效应晶体管及其制作方法
1269 鳍式场效应晶体管（FINFET）器件结构的鳍上的保护层
1270 具有可控端到端临界尺寸的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件及其形成方法
1271 鳍式场效应晶体管（FinFET）器件结构
1272 一种抗单粒子辐射的场效应晶体管及其配方技术
1273 热电子过激励隧道场效应晶体管及其制造和操作方法
1274 一种柔性薄膜场效应晶体管曲率测量传感器
1275 涂布液、场效应晶体管、显示元件、图像显示装置和系统
1276 场效应晶体管驱动器
1277 一种石墨烯场效应晶体管的配方技术
1278 一种有源层及其配方技术、有机场效应晶体管和阵列基板
1279 基于有机场效应晶体管的多晶硅浮栅存储器及其配方技术
1280 结型栅场效应晶体管(JFET)、半导体器件及其制造方法
1281 鳍式场效应晶体管的形成方法
1282 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1283 纳米线场效应晶体管及其形成方法
1284 氮化镓基低漏电流固支梁场效应晶体管倒相器及配方技术
1285 氮化镓基低漏电流固支梁场效应晶体管传输门及配方技术
1286 氮化镓基低漏电流悬臂梁开关场效应晶体管混频器
1287 硅基低漏电流悬臂梁场效应晶体管混频器
1288 硅基低漏电流固支梁栅金属氧化物场效应晶体管或非门
1289 氮化镓基低漏电流悬臂梁场效应晶体管倒相器及配方技术
1290 氮化镓基低漏电流固支梁开关场效应晶体管或非门
1291 氮化镓基低漏电流悬臂梁场效应晶体管传输门及配方技术
1292 氮化镓基低漏电流悬臂梁开关场效应晶体管或非门
1293 鳍式场效应晶体管的形成方法
1294 硅基低漏电流固支梁栅场效应晶体管差分放大器
1295 硅基低漏电流固支梁场效应晶体管混频器
1296 硅基低漏电流悬臂梁栅场效应晶体管差分放大器
1297 氮化镓基低漏电流固支梁开关场效应晶体管混频器
1298 硅基低漏电流悬臂梁栅金属氧化物场效应晶体管或非门
1299 鳍式场效应晶体管结构及其制作方法
1300 鳍式场效应晶体管的形成方法
1301 鳍式场效应晶体管结构及其制作方法
1302 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1303 用于隧穿场效应晶体管的截止状态寄生漏电减少
1304 半悬浮石墨烯场效应晶体管配方技术
1305 一种多孔结构隧穿层有机场效应晶体管存储器及其配方技术
1306 金属氧化物半导体场效应晶体管器件
1307 源费米滤波器场效应晶体管
1308 用于处理载体的方法、载体和分裂栅极场效应晶体管结构
1309 有机场效应晶体管的生物安全柔性光敏传感器及配方技术
1310 一种高亮度多色彩的有机发光场效应晶体管及其配方技术
1311 一种机械结构的震动传感有机场效应晶体管及其配方技术
1312 超结结构及其刻蚀方法及具有该超结结构的场效应晶体管
1313 具有p沟道金属氧化物半导体传输门晶体管的鳍式场效应晶体管静态随机存取存储器器件
1314 N沟道场效应晶体管中的应力
1315 化合物半导体场效应晶体管
1316 鳍式场效应晶体管的结构和形成方法
1317 面向生物分子检测的二硫化钼场效应晶体管的制作方法
1318 在制造金属-绝缘体-半导体场效应晶体管中使用的方法
1319 化学敏感场效应晶体管传感器
1320 场效应晶体管的配方技术和场效应晶体管
1321 结型场效应晶体管及其制作方法
1322 半导体器件、鳍式场效应晶体管及其形成方法
1323 用于运行用于操控场效应晶体管结构的驱动电路的方法
1324 准绝缘体上硅场效应晶体管器件的制作方法
1325 鳍式场效应晶体管的形成方法
1326 降低GaN极化掺杂场效应晶体管欧姆接触电阻的方法
1327 半导体器件、鳍式场效应晶体管及其形成方法
1328 场效应晶体管和相关的故障检测装置
1329 具有无掺杂本体块的鳍式场效应晶体管
1330 具有共形氧化物层的鳍式场效应晶体管及其形成方法
1331 三维结构的氢终端金刚石场效应晶体管生物传感器及其配方技术
1332 鳍式场效应晶体管(FINFET)器件结构及其形成方法
1333 金刚石基双层绝缘栅介质场效应晶体管及其配方技术
1334 鳍式场效应晶体管(FinFET)器件及其形成方法
1335 鳍式场效应晶体管（FinFET）器件及其形成方法
1336 碳纳米管三维鳍状场效应晶体管及其配方技术
1337 场效应晶体管和其制造方法及显示器
1338 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1339 一种具有三凹陷结构的场效应晶体管及其配方技术
1340 具有Γ栅和凹陷缓冲层的场效应晶体管及其配方技术
1341 一种有机场效应晶体管、其配方技术及应用
1342 包括鳍式场效应晶体管的集成电路器件及其形成方法
1343 N型鳍式场效应晶体管的形成方法
1344 自激励自旋单电子电磁场效应晶体管、配方技术及应用
1345 N型鳍式场效应晶体管的形成方法
1346 鳍式场效应晶体管的形成方法
1347 鳍式场效应晶体管的形成方法
1348 垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管及加工方法
1349 一种鳍式场效应晶体管的制造方法
1350 场效应晶体管构造及将场效应晶体管编程为至少三种不同编程状态中的一者的方法
1351 一种去除鳍式场效应晶体管中掺磷碳化硅薄膜缺陷的方法
1352 场效应晶体管的配方技术和场效应晶体管
1353 一种鳍式场效应晶体管的配方技术
1354 有机场效应晶体管气体传感器及其配方技术
1355 一种有机场效应晶体管气体传感器及其配方技术
1356 包括伪结构的鳍式场效应晶体管半导体器件及其制造方法
1357 一种鳍式场效应晶体管的形成方法
1358 一种隧穿场效应晶体管及配方技术
1359 用于高迁移率场效应晶体管的优化缓冲层
1360 一种应用于光/电双控有机场效应晶体管的本体异质结
1361 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1362 一种双层修饰的高性能有机场效应晶体管及其修饰方法
1363 鳍式场效应晶体管器件的制造方法
1364 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1365 高介电常数栅介质复合沟道场效应晶体管及其配方技术
1366 隧道场效应晶体管及其制造方法
1367 一种基于锗纳米线场效应晶体管的生物传感器、方法及应用
1368 一种超陡平均亚阈摆幅隧穿场效应晶体管及配方技术
1369 纳米线场效应晶体管的形成方法
1370 场效应晶体管
1371 场效应晶体管、场效应晶体管制造方法和射频器件
1372 双栅双极石墨烯场效应晶体管及其制作方法
1373 超陡平均亚阈摆幅纳米线隧穿场效应晶体管及配方技术
1374 隧穿场效应晶体管及其制作方法
1375 柔性碳纳米管薄膜场效应晶体管及其配方技术
1376 高性能的鳍式场效应晶体管
1377 金属氧化物半导体场效应晶体管电容‑电压特性修正方法
1378 一种用于制备鳍式场效应晶体管的方法
1379 摩擦电子学场效应晶体管及应用其的逻辑器件和逻辑电路
1380 一种三值碳纳米场效应晶体管逐次逼近模数转换器
1381 场效应晶体管的制作方法
1382 场效应晶体管的制作方法
1383 隧道场效应晶体管及其制造方法
1384 隧穿场效应晶体管及其形成方法
1385 一种低电阻沟槽型金属氧化物半导体场效应晶体管及其自对准工艺
1386 用于控制结型场效应晶体管的电路布置和方法
1387 场效应晶体管
1388 采用隧道场效应晶体管的集成电路及其制造方法
1389 一种基于铁电场效应晶体管的电流灵敏放大器
1390 多层隧穿结三维隧穿场效应晶体管的配方技术
1391 抗辐射鳍型沟道双栅场效应晶体管及其配方技术
1392 一种无结型多掺杂场效应晶体管
1393 一种氮化镓基场效应晶体管及其配方技术
1394 场效应晶体管开关电路
1395 隧穿场效应晶体管及其配方技术
1396 一种具有高开态电流的N型隧穿场效应晶体管
1397 场效应晶体管的制造方法
1398 用于沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）中的低米勒电容的较厚的底部氧化物
1399 常断结型场效应晶体管以及互补电路
1400 一种金属-氧化物半导体场效应晶体管的结构和制造方法
1401 平面型场效应晶体管及制造方法、电荷保持
1402 全包围栅场效应晶体管及其制造方法
1403 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1404 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1405 场效应晶体管及其配方技术
1406 一种基于铁电场效应晶体管的差分放大电路
1407 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1408 P型鳍式场效应晶体管及其形成方法
1409 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1410 N型鳍式场效应晶体管及其形成方法
1411 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1412 N型鳍式场效应晶体管及其形成方法
1413 一种具有双凹陷缓冲层的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管
1414 垂直隧穿场效应晶体管及其配方技术
1415 一种石墨烯场效应晶体管结构及其大规模制作工艺
1416 鳍式场效应晶体管及其制造方法
1417 鳍式场效应晶体管、鳍结构及其制造方法
1418 使用锗纳米线的场效应晶体管结构
1419 一种可控阵列纳米线及其场效应晶体管的配方技术
1420 沟槽型场效应晶体管及其制造方法
1421 一种具有电场集中效果增强开态电流的隧穿场效应晶体管
1422 图案化鳍式场效应晶体管（FINFET）器件的多个部件的方法
1423 鳍式场效应晶体管的结构和形成方法
1424 鳍式场效应晶体管及其鳍的制造方法
1425 鳍式场效应晶体管、鳍结构及其制造方法
1426 一种场效应晶体管结构和形成方法
1427 一种石墨烯场效应晶体管生物传感器的配方技术
1428 分裂栅功率半导体场效应晶体管
1429 沟槽栅功率半导体场效应晶体管
1430 场效应晶体管构造及存储器阵列
1431 隧穿场效应晶体管及其配方技术
1432 形成鳍式场效应晶体管的方法
1433 形成鳍式场效应晶体管的方法
1434 量子点场效应晶体管及制作方法、阵列基板和检测装置
1435 制造有机场效应晶体管的方法、实现该方法的喷嘴及装置
1436 鳍式场效应晶体管半导体装置及其制造方法
1437 一种低操作电压有机场效应晶体管及其配方技术
1438 制造具有多个鳍高度的鳍式场效应晶体管的系统和方法
1439 鳍式场效应晶体管及其源漏区的制造方法
1440 鳍上外延沟道、鳍式场效应晶体管的制造方法
1441 一种具有局部背势垒的氮化镓基功率异质结场效应晶体管
1442 场效应晶体管、边缘结构及相关制造方法
1443 设计基于鳍式场效应晶体管（FINFET）的电路的方法及其实施系统
1444 利用高压场效应晶体管子电路模型描述自热效应的方法
1445 PTSL工艺方法、鳍式场效应晶体管的制造方法
1446 一种大功率场效应晶体管的漏极偏置电路
1447 鳍式场效应晶体管、鳍及其制造方法
1448 一种调控石墨烯场效应晶体管磁滞行为的方法
1449 基于介质调制的复合源场板异质结场效应晶体管
1450 直角栅场板异质结场效应晶体管及其制作方法
1451 鳍式场效应晶体管及其制造方法
1452 用于制造鳍片场效应晶体管器件的方法和鳍片场效应晶体管器件
1453 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
1454 一种互补隧穿场效应晶体管及其制作方法
1455 一种鳍式场效应晶体管的制造方法
1456 一种鳍式场效应晶体管的制造方法
1457 一种鳍式场效应晶体管的制造方法
1458 基于深N阱工艺隔离隧穿场效应晶体管的配方技术
1459 一种隧穿场效应晶体管的配方技术
1460 体接触型金属氧化物半导体场效应晶体管设备
1461 低输入电容功率半导体场效应晶体管及其自对准制作方法
1462 鳍式场效应晶体管的形成方法
1463 三栅石墨烯鳍式场效应晶体管及其制造方法
1464 III-V族化合物半导体纳米线、场效应晶体管以及开关元件
1465 双栅石墨烯鳍式场效应晶体管及其制造方法
1466 具有阶梯缓冲层结构的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管
1467 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1468 具有坡形栅极的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管及制作方法
1469 隧穿场效应晶体管及其制造方法
1470 一种有机场效应晶体管及其在紫外光传感中的应用
1471 一种双栅极场效应晶体管电容的测试方法
1472 场效应晶体管、显示元件、图像显示装置和系统
1473 场效应晶体管、显示元件、图像显示装置和系统
1474 一种鳍式场效应晶体管鳍部的制作方法
1475 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1476 一种具有复合栅介质层的氮化镓基异质结场效应晶体管
1477 通过自对准工艺制备石墨烯顶栅场效应晶体管器件的方法
1478 一种采用自对准工艺制作石墨烯场效应晶体管器件的方法
1479 鳍式场效应晶体管及其制造方法
1480 鳍式场效应晶体管及其制造方法
1481 鳍式场效应晶体管及其制造方法
1482 用于运行化学敏感的场效应晶体管的方法
1483 用于运行化学敏感的场效应晶体管的方法
1484 一种制备纳米尺度场效应晶体管的方法
1485 包括鳍形场效应晶体管的集成电路器件及其形成方法
1486 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1487 金属氧化物金属场效应晶体管（MOMFET）
1488 鳍式场效应晶体管的制造方法
1489 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1490 混合相场效应晶体管
1491 具有较小版图面积的环栅场效应晶体管及其配方技术
1492 一种嵌入层异质结隧穿场效应晶体管及其配方技术
1493 一种锗纳米线场效应晶体管及其配方技术
1494 基于分子受体的化学场效应晶体管
1495 一种具有负离子注入钝化层的场效应晶体管
1496 基于分子受体的化学场效应晶体管
1497 场效应晶体管和方法
1498 多层场效应晶体管及其制造方法
1499 无结场效应晶体管及其配方技术
1500 金属源漏接触、场效应晶体管及其配方技术
1501 射频横向双扩散场效应晶体管制作方法
1502 射频横向双扩散场效应晶体管及其制作方法
1503 半导体器件、结型场效应晶体管和垂直场效应晶体管
1504 阶梯栅介质双层石墨烯场效应晶体管及其配方技术
1505 一种双层石墨烯隧穿场效应晶体管及其配方技术
1506 一种具有复合钝化层结构的场效应晶体管
1507 具有复合沟道层的氮化镓基增强型异质结场效应晶体管
1508 抑制输出非线性开启的隧穿场效应晶体管及其配方技术
1509 一种阻变栅隧穿场效应晶体管及配方技术
1510 鳍式场效应晶体管及其鳍的制造方法
1511 垂直隧道场效应晶体管
1512 一种有机单晶场效应晶体管及其配方技术
1513 鳍式场效应晶体管的形成方法
1514 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1515 一种反错层型异质结共振隧穿场效应晶体管及其配方技术
1516 一种深能级杂质隧穿场效应晶体管及其配方技术
1517 一种跨骑型异质结共振隧穿场效应晶体管及其配方技术
1518 一种具有P型GaN岛的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管
1519 具有埋栅结构的氮化镓基增强耗尽型异质结场效应晶体管
1520 鳍式场效应晶体管的形成方法
1521 控制鳍式场效应晶体管器件鳍片尺寸的方法
1522 一种隧穿场效应晶体管及其制作方法
1523 一种具有局部帽层的氮化镓基异质结场效应晶体管
1524 一种芯?壳场效应晶体管及其配方技术
1525 一种抗单粒子效应的N沟道场效应晶体管及其制作方法
1526 一种具有电偶极层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管
1527 一种氮化镓基增强型异质结场效应晶体管
1528 具有异质结构沟道的场效应晶体管
1529 一种无结场效应晶体管及其配方技术
1530 一种在大尺寸Si衬底上制备高电子迁移率场效应晶体管的方法
1531 N型鳍式场效应晶体管及其形成方法
1532 基于接触起电的背栅场效应晶体管
1533 隧道场效应晶体管、其制造方法以及开关元件
1534 鳍式场效应晶体管及其假栅的制造方法
1535 一种环栅场效应晶体管及其配方技术
1536 半导体元件及多栅极场效应晶体管
1537 场效应晶体管堆栈电压补偿
1538 基于悬空栅极场效应晶体管的多功能传感器及其配方技术与应用
1539 氮化物系场效应晶体管及其制造方法
1540 一种增强型AlGaN/GaN异质结场效应晶体管
1541 具有场效应晶体管的半导体器件
1542 一种增强型MIS结构AlGaN/GaN异质结场效应晶体管
1543 鳍型场效应晶体管装置及其形成方法
1544 一种柔性有机离子敏场效应晶体管的配方技术
1545 一种石墨烯场效应晶体管太赫兹波调制器及其配方技术
1546 一种沟槽型绝缘栅场效应晶体管及其制造方法
1547 场效应晶体管和用于生产场效应晶体管的方法
1548 场效应晶体管和用于生产场效应晶体管的方法
1549 回形多叉指场效应晶体管及其配方技术
1550 多层柔性平面内嵌迭片电极及其配方技术与在有机场单晶场效应晶体管中的应用
1551 非对称替代金属栅场效应晶体管及其制造方法
1552 一种场效应晶体管TSP参数的提取方法
1553 场效应晶体管的具有基脚的栅极结构
1554 场效应晶体管SOA曲线的验证平台及测试方法
1555 隧穿场效应晶体管及隧穿场效应晶体管的配方技术
1556 场效应晶体管及形成场效应晶体管的方法
1557 鳍式场效应晶体管的形成方法
1558 鳍式场效应晶体管的形成方法
1559 结型场效应晶体管及其制造方法
1560 垂直双扩散场效应晶体管及其制作方法
1561 具有多个注入层的高压场效应晶体管
1562 具有多个阈值电压的本征沟道平面型场效应晶体管
1563 具有多个阈值电压的鳍式场效应晶体管
1564 无结场效应晶体管及其形成方法
1565 金属氧化物半导体场效应晶体管射频开关器件的配方技术
1566 一种超薄大尺寸有机小分子单晶片层及其高质量底栅顶接触场效应晶体管的配方技术
1567 鳍式场效应晶体管的制造方法
1568 用于高电压场效应晶体管的扩展漏极结构
1569 一种鳍式场效应晶体管及其制造方法
1570 一种高边横向双扩散场效应晶体管
1571 一种基于二维半导体材料的低压场效应晶体管
1572 接触插塞、MOS、鳍式场效应晶体管，及其形成方法
1573 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1574 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1575 一种基于规整性碳纳米管条纹阵列的铁电场效应晶体管及其配方技术
1576 沟槽屏蔽连接结型场效应晶体管
1577 带有张应变薄膜应变源的双栅场效应晶体管及其配方技术
1578 结型场效应晶体管及其配方技术
1579 鳍式场效应晶体管的形成方法
1580 鳍式场效应晶体管的形成方法
1581 一种鳍式场效应晶体管的形成方法
1582 鳍式场效应晶体管的形成方法、MOS晶体管的形成方法
1583 一种栅控垂直双扩散金属?氧化物半导体场效应晶体管
1584 一种AlGaN/GaN异质结场效应晶体管
1585 具有可活动的栅极的场效应晶体管红外传感器
1586 场效应晶体管和包括多个场效应晶体管的气体检测器
1587 一种SOI功率LDMOS场效应晶体管的结构及其制造方法
1588 一种单极型有机发光场效应晶体管
1589 一种双极型有机发光场效应晶体管
1590 场效应晶体管
1591 具有铁电场效应晶体管存储器阵列的设备及相关方法
1592 具有铁电场效应晶体管存储器阵列的设备及相关方法
1593 鳍式场效应晶体管装置及其制造方法
1594 场效应晶体管及其制造方法
1595 一种鳍片场效应晶体管及其制作方法
1596 场效应晶体管工作点状态重置电路、方法及其OLED显示器
1597 氮化镓场效应晶体管
1598 场效应晶体管及其制造方法
1599 鳍式场效应晶体管SRAM的结构和方法
1600 隧穿碳纳米管场效应晶体管及其制造方法
1601 具有SiGe沟道的鳍式场效应晶体管及其形成方法
1602 鳍式场效应晶体管的形成方法
1603 场效应晶体管的接触蚀刻停止层
1604 4H-SiC金属半导体场效应晶体管
1605 鳍片式场效应晶体管及其制造方法
1606 场效应晶体管液体传感器及其配方技术
1607 抑制输出非线性开启的隧穿场效应晶体管及配方技术
1608 一种硅纳米线隧穿场效应晶体管及其制作方法
1609 基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及制作方法
1610 分离式多栅极场效应晶体管
1611 高压场效应晶体管器件
1612 一种判别背栅石墨烯场效应晶体管器件失效的方法
1613 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1614 低功耗薄背栅石墨烯场效应晶体管的配方技术
1615 制造有机场效应晶体管的方法和有机场效应晶体管
1616 鳍式场效应晶体管器件的鳍结构的形成方法
1617 鳍式场效应晶体管器件的鳍结构的形成方法
1618 一种测试器件群场效应晶体管及其测试器件群测试方法
1619 鳍式场效应晶体管的形成方法
1620 隧道场效应晶体管及其制作方法
1621 鳍式场效应晶体管的形成方法
1622 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1623 一种基于CMOS制造工艺的Si基场效应晶体管环形太赫兹探测器天线
1624 一种垂直型场效应晶体管直流特性和电容特性仿真方法
1625 一种带功率修正的场效应晶体管降压式LED驱动电路
1626 具有积累效应的场效应晶体管及其生产方法
1627 具有可变带隙沟道的隧穿场效应晶体管
1628 具有袋状部的P隧穿场效应晶体管器件
1629 利用具有隧穿场效应晶体管(TFET)的电路实施的复用器逻辑功能
1630 鳍型场效应晶体管及其制造方法
1631 用于形成金属氧化物膜的涂布液、金属氧化物膜、场效应晶体管和制造场效应晶体管的方法
1632 一种鳍式场效应晶体管的制造方法
1633 一种场效应晶体管的配方技术
1634 一种含氟石墨烯修饰层有机场效应晶体管的配方技术
1635 离子敏感场效应晶体管及其配方技术
1636 离子敏感场效应晶体管及其制备工艺
1637 一种基于CMOS制造工艺的Si基场效应晶体管太赫兹探测器天线
1638 一种碳纳米场效应晶体管编码器
1639 MOS场效应晶体管及其制造方法
1640 场效应晶体管
1641 具有存储器功能的场效应晶体管及其三维集成方法
1642 功率场效应晶体管以及对应封装、系统及制造方法
1643 具有埋置阱区和外延层的场效应晶体管器件
1644 沟槽场效应晶体管及其形成方法
1645 无掺杂GeSn量子阱的金属氧化物半导体场效应晶体管
1646 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1647 自对准双重图形化方法及鳍式场效应晶体管的制作方法
1648 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1649 例如用于功率场效应晶体管的栅极、源极及漏极触点的用于功率装置的绝缘顶部侧凸块连接
1650 异质结场效应晶体管
1651 具有SiGeSn沟道的鳍式场效应晶体管及其形成方法
1652 具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管及其形成方法
1653 具有GeSn沟道的鳍式场效应晶体管及其形成方法
1654 具有SiGeSn沟道的鳍式场效应晶体管及其形成方法
1655 具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管及其形成方法
1656 具有GeSn源漏的鳍式场效应晶体管及其形成方法
1657 背栅式离子敏感场效应晶体管
1658 场效应晶体管及其配方技术
1659 带有源应变源的GeSnn沟道隧穿场效应晶体管
1660 双轴张应变GeSnn沟道隧穿场效应晶体管
1661 绝缘栅型场效应晶体管及该晶体管的制造方法
1662 压应变GeSnp沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
1663 一种基于石墨烯场效应晶体管的配方技术
1664 一种隧穿场效应晶体管及其配方技术
1665 绝缘材料用树脂组合物、绝缘墨液、绝缘膜及使用该绝缘膜的有机场效应晶体管
1666 使用心轴氧化工艺形成鳍式场效应晶体管半导体设备的鳍部的方法
1667 鳍式场效应晶体管的形成方法
1668 石墨烯异质结构场效应晶体管
1669 场效应晶体管及半导体装置
1670 制造鳍式场效应晶体管器件的方法
1671 一种场效应晶体管的配方技术及相应场效应晶体管
1672 一种氮化镓基场效应晶体管的T型栅的制作方法
1673 沟槽栅功率场效应晶体管
1674 带有绝缘埋层的沟槽栅功率场效应晶体管
1675 鳍式场效应晶体管的形成方法
1676 带有源漏应变源的GeSnn沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
1677 双轴张应变GeSnn沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
1678 鳍式场效应晶体管的形成方法
1679 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1680 调节汽车系统中薄膜场效应晶体管屏幕背光亮度的方法
1681 场效应晶体管及其配方技术
1682 采用石墨烯的场效应晶体管及其配方技术
1683 实现沟槽场效应晶体管源极接触槽自对准结构的方法
1684 鳍式场效应晶体管的钝化和晶面形成
1685 用于隧穿场效应晶体管(TFET)的异质袋状件
1686 纵向超结金属氧化物场效应晶体管
1687 鳍式场效应晶体管的形成方法
1688 鳍式场效应晶体管的形成方法
1689 鳍式场效应晶体管的形成方法
1690 制备准SOI源漏场效应晶体管器件的方法
1691 具有被改造以用于背栅偏置的沟道芯部的场效应晶体管及制作方法
1692 确定GaN异质结场效应晶体管栅下势垒层应变的方法
1693 具有柔性基底的石墨烯场效应晶体管及其配方技术
1694 一种全环栅CMOS场效应晶体管和配方技术
1695 具有被改造以减少漏电流的沟道芯部的场效应晶体管及制作方法
1696 鳍式场效应晶体管的形成方法
1697 隧穿场效应晶体管及其形成方法
1698 用于鳍型场效应晶体管的复合硬掩模
1699 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1700 VDMOS场效应晶体管及其形成方法
1701 鳍式场效应晶体管的形成方法
1702 基于自对准埋栅结构的二维材料场效应晶体管的制造方法
1703 带外延生长的合并源/漏的多鳍场效应晶体管及制造方法
1704 用于制造场效应晶体管器件的方法
1705 基于离子敏感场效应晶体管的生物传感器阵列
1706 场效应晶体管、显示元件、图像显示装置、和系统
1707 场效应晶体管、显示元件、图像显示装置、和系统
1708 一种用在双极型集成电路中的高速结型场效应晶体管
1709 双极型垂直场效应晶体管
1710 肖特基栅场效应晶体管温升和热阻测量方法及装置
1711 主辅栅分立控制U形沟道无掺杂场效应晶体管
1712 一种对场效应晶体管进行建模的方法及电路仿真方法
1713 一种二硫化钼-硒化镉量子点混合场效应光晶体管及其制造方法
1714 一种二硫化钼-氧化锌量子点混合场效应光晶体管及其制造方法
1715 一种石墨烯场效应光晶体管及其制造方法
1716 一种氮化硼-氧化锌量子点混合场效应光晶体管及其制造方法
1717 一种氮化硼-硒化镉量子点混合场效应光晶体管及其制造方法
1718 一种三面源隧穿场效应晶体管及其配方技术
1719 绝缘栅场效应晶体管装置及其制作方法
1720 一种垂直结构的隧穿场效应晶体管及其配方技术
1721 一种基于垂直结构隧穿场效应晶体管的生物传感器及其配方技术
1722 一种基于隧穿场效应晶体管的生物传感器及其配方技术
1723 一种隧穿场效应晶体管及其配方技术
1724 一种基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及其配方技术
1725 用于操控场效应晶体管的装置
1726 基于蜿蜒线形沟道离子敏感场效应晶体管的生物传感器
1727 一种实时测量耗尽型场效应晶体管瞬态温升和热阻方法
1728 场效应晶体管、半导体器件及其制造方法
1729 一种鳍式场效应晶体管及其配方技术
1730 一种隧穿场效应浮栅晶体管及其制造方法
1731 一种结调制型隧穿场效应晶体管及其配方技术
1732 一种有机场效应晶体管及其配方技术
1733 一种有机场效应晶体管及其配方技术
1734 鳍式场效应晶体管的形成方法
1735 摩擦电场效应晶体管
1736 一种具有有机场效应晶体管性质的材料及其配方技术
1737 隧穿场效应晶体管及其形成方法
1738 近源栅近漏栅分立控制型无掺杂场效应晶体管
1739 一种用于制备GaN异质结场效应晶体管的外延结构及生长方法
1740 无结型隧穿场效应晶体管及其形成方法
1741 半栅极控制源极肖特基势垒型隧穿场效应晶体管
1742 场效应晶体管以及半导体装置
1743 场效应晶体管
1744 半导体合金鳍片场效应晶体管及其形成方法
1745 包括不对称硅化物结构的场效应晶体管及相关器件
1746 P型鳍式场效应晶体管的形成方法
1747 一种BCD工艺中集成结型场效应晶体管的方法
1748 基于薄膜场效应晶体管的液晶显示屏
1749 提高三维场效应晶体管驱动电流的方法
1750 用于生物分子传感器以及其它应用的纳米级场效应晶体管
1751 隧穿场效应晶体管
1752 一种集成结型场效应晶体管的自举电路及自举方法
1753 鳍式场效应晶体管及其形成方法、半导体器件
1754 鳍式场效应晶体管的形成方法
1755 隧穿场效应晶体管及其形成方法
1756 基于场效应晶体管结构的气体传感器及其配方技术
1757 具有结型场效应晶体管的三维可变电阻存储器件及其驱动方法
1758 超薄膜场效应晶体管传感器及其应用
1759 应变沟道鳍式场效应晶体管及其制作方法
1760 非对称平面栅超级结金属氧化层半导体场效应晶体管及其制作方法
1761 一种复合机制的条形栅隧穿场效应晶体管及其配方技术
1762 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1763 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1764 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1765 具有超陡亚阈值摆动的隧道场效应晶体管(TFET)
1766 具有嵌入式硅锗源漏区域的场效应晶体管中邻近效应的减少
1767 垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的测试方法
1768 隧道场效应晶体管及其形成方法
1769 用于鳍式场效应晶体管的浅沟槽隔离结构的形成方法
1770 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1771 离子敏感场效应晶体管及其配方技术
1772 鳍式场效应晶体管结构及其制作方法
1773 金属氧化物半导体场效应晶体管
1774 形成本地化的绝缘体上硅鳍式场效应晶体管的方法和结构
1775 鳍式场效应晶体管器件的制造方法
1776 场效应晶体管装置及其制造方法
1777 超结沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管及其配方技术
1778 性能增强的背面感测生物场效应晶体管
1779 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1780 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1781 于金属氧化物半导体场效应晶体管中形成遮蔽栅极的方法
1782 气体辅助型有机场效应晶体管传感器及其配方技术与应用
1783 用于鳍式场效应晶体管的鳍形状及其形成方法
1784 场效应晶体管
1785 借助于气敏场效应晶体管测量气体参数的方法和控制设备
1786 高压场平衡金属氧化物场效应晶体管
1787 用于高压场平衡金属氧化物场效应晶体管的端接结构及其配方技术
1788 隧穿场效应晶体管的制造方法
1789 隧穿场效应晶体管及其制造方法
1790 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1791 具有功能化栅电极和基电极的纳米柱场效应和结型晶体管
1792 鳍型场效应晶体管及其制造方法
1793 用于鳍式场效应晶体管器件的后栅极隔离区域形成方法
1794 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1795 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1796 半导体器件和鳍式场效应晶体管的形成方法
1797 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1798 缩小尺寸的共振隧穿场效应晶体管
1799 具有未掺杂的漏极未覆盖环绕区的隧穿场效应晶体管(TFET)
1800 场效应晶体管及其形成方法
1801 具有阶梯氧化物的金属氧化物半导体场效应晶体管
1802 氮化物半导体器件的电极构造及其制造方法以及氮化物半导体场效应晶体管
1803 带有InAlP盖层的Ge沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
1804 氮化物半导体器件的电极结构和氮化物半导体场效应晶体管
1805 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1806 带有InAlP盖层的GeSn沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
1807 一种碳基场效应晶体管及其配方技术
1808 具有延伸的栅极介电层的金属氧化物半导体场效应晶体管
1809 具有共形的金属栅极电极和栅极电介质界面的氮掺杂的非平面Ⅲ‑Ⅴ族场效应晶体管
1810 CMOS架构的隧穿场效应晶体管（TFET）以及制造N型和P型TFET的方法
1811 CMOS架构的隧穿场效应晶体管(TFET)以及制造N型和P型TFET的方法
1812 具有共形的金属栅极电极和栅极电介质界面的氮掺杂的非平面Ⅲ‑Ⅴ族场效应晶体管
1813 一种石墨烯场效应晶体管及其配方技术
1814 薄膜场效应晶体管及其驱动方法、阵列基板、显示装置
1815 一种自对准石墨烯场效应晶体管及其配方技术
1816 包括石墨烯沟道的隧穿场效应晶体管
1817 高迁移率鳍型场效应晶体管及其制造方法
1818 一种聚合物模板的制作方法及其在有机场效应晶体管中的应用
1819 基于导电纳米带电极的微纳单晶场效应晶体管及配方技术
1820 制造场效应晶体管的方法和设备
1821 一种大功率场效应晶体管铝-金键合过渡片的配方技术
1822 场效应晶体管、边缘结构及相关制造方法
1823 一种场效应晶体管
1824 一种高鲁棒性的P型对称横向双扩散场效应晶体管
1825 用于鳍状场效应晶体管的金属栅极和栅极接触件结构
1826 一种无结型纵向隧穿场效应晶体管
1827 一种无结型横向隧穿场效应晶体管
1828 用于信号放大的具有双栅极生物场效应晶体管的系统和方法
1829 垂直隧穿场效应晶体管单元
1830 利用替代沟道材料形成鳍式场效应晶体管装置的方法
1831 一种结型场效应晶体管的制造方法
1832 多栅极场效应晶体管的形成方法
1833 高电子迁移率场效应晶体管及其制作方法
1834 包括鳍式场效应晶体管的静态随机存取存储器单元
1835 小平面式鳍式场效应晶体管
1836 鳍式场效应晶体管的形成方法
1837 P型鳍式场效应晶体管及其形成方法
1838 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1839 场效应晶体管以及制造该场效应晶体管的方法
1840 一种多层双栅石墨烯场效应的晶体管及其配方技术
1841 与鳍式场效应晶体管技术兼容的器件结构
1842 III族氮化物半导体叠层衬底和III族氮化物半导体场效应晶体管
1843 包括场效应晶体管（FET）的半导体结构及其方法
1844 场效应晶体管、包含所述晶体管的装置及其形成和使用方法
1845 鳍式场效应晶体管的形成方法
1846 一种功率场效应晶体管器件的结构
1847 制造有机场效应晶体管的方法和有机场效应晶体管
1848 一种新型有机场效应晶体管材料的配方技术
1849 鳍式场效应晶体管的形成方法
1850 鳍式场效应晶体管的形成方法
1851 场效应晶体管以及包括其的半导体器件和集成电路器件
1852 采用并五苯作为栅绝缘层钝化的C60有机场效应晶体管
1853 金属氧化物场效应管和双极性晶体管的混合共源共基电路
1854 具有不同鳍宽的鳍式场效应晶体管的制作方法
1855 垂直非均匀掺杂沟道的短栅隧穿场效应晶体管及配方技术
1856 一种隧穿场效应晶体管
1857 用于保护氮化镓场效应晶体管的栅极的驱动器电路的系统和设备
1858 导电薄膜、用于形成导电薄膜的涂布液、场效应晶体管、以及用于生产场效应晶体管的方法
1859 有机半导体薄膜、有机半导体元件以及有机场效应晶体管
1860 用于化合物半导体场效应晶体管的过电压保护器件
1861 用于沟槽功率绝缘栅场效应晶体管的自对准工艺方法
1862 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1863 功率场效应晶体管
1864 鳍式场效应晶体管的形成方法
1865 场效应晶体管及其制造方法
1866 一种用于场效应晶体管的单一手性单壁碳纳米管的分离方法
1867 具有分布式光发射的有机发光二极场效应晶体管
1868 含硫族元素有机化合物与其制造方法、有机半导体材料、有机半导体膜及有机场效应晶体管
1869 具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法
1870 鳍式场效应晶体管的栅极堆叠件
1871 一种带有p型氮化镓埋层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管
1872 采用鳍式场效应晶体管工艺的同质结二极管结构
1873 金属氧化物薄膜场效应晶体管的配方技术
1874 有机薄膜场效应晶体管的配方技术
1875 鳍式场效应晶体管牺牲栅极的制作方法
1876 高压场效应晶体管及其制作方法
1877 包括场效应晶体管结构的集成电路及其制造和操作方法
1878 氮化物半导体外延晶片以及场效应型氮化物晶体管
1879 氮化物半导体外延晶片以及场效应型氮化物晶体管
1880 一种高可靠性P型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管
1881 一种耗尽型功率场效应晶体管及其配方技术
1882 场效应晶体管和形成晶体管的方法
1883 鳍式场效应晶体管的形成方法
1884 鳍式场效应晶体管的制作方法
1885 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1886 异质结型场效应晶体管用的外延晶片
1887 具有低密勒电容的金氧半场效应晶体管器件及其制作方法
1888 一种双栅自旋场效应晶体管
1889 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1890 鳍式场效应晶体管的形成方法
1891 CMOS晶体管及其形成方法、鳍式场效应晶体管及其形成方法
1892 混合鳍式场效应晶体管
1893 一种带有极化掺杂电流阻挡层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管
1894 一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管
1895 一种旁栅石墨烯场效应晶体管的配方技术
1896 用于应力优化的鳍式场效应晶体管布局
1897 一种提高有机场效应晶体管性能的方法
1898 具有凸起漏极结构的场效应晶体管的系统和方法
1899 一种绝缘栅场效应晶体管及其制作方法
1900 鳍式场效应晶体管的制作方法
1901 用于异质结构的场效应晶体管的屏蔽罩
1902 鳍式场效应晶体管的制作方法
1903 用于垂直隧道场效应晶体管单元的系统和方法
1904 一种III-V族半导体纳米线阵列场效应晶体管
1905 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1906 纳米线场效应晶体管
1907 常断型异质结场效应晶体管
1908 超浅结半导体场效应晶体管的配方技术
1909 射频横向双扩散场效应晶体管及其制造方法
1910 一种独立栅控制的无结纳米线场效应晶体管
1911 射频横向双扩散场效应晶体管及其制造方法
1912 射频横向双扩散场效应晶体管及其制造方法
1913 具有低密勒电容的金氧半场效应晶体管器件及其制作方法
1914 纳米线的制造方法、纳米线场效应晶体管的制造方法
1915 鳍式场效应晶体管的形成方法
1916 射频横向双扩散场效应晶体管及其制造方法
1917 有机场效应晶体管
1918 带双扩散的条形栅隧穿场效应晶体管及其配方技术
1919 形成金属氧化物薄膜的涂布液、金属氧化物薄膜、场效应晶体管和制造场效应晶体管的方法
1920 形成金属氧化物薄膜的涂布液、金属氧化物薄膜、场效应晶体管和制造场效应晶体管的方法
1921 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1922 一种功率场效应晶体管的结构与配方技术
1923 条形栅调制型隧穿场效应晶体管及其配方技术
1924 一种高迁移率III-V族半导体MOS场效应晶体管
1925 一种结型场效应晶体管及其配方技术
1926 鳍式场效应晶体管的形成方法
1927 鳍式场效应晶体管芯片及其制造方法
1928 场效应晶体管的栅电极
1929 聚噻吩薄膜场效应晶体管及其制作方法
1930 鳍部的制作方法、鳍式场效应晶体管及其制作方法
1931 一种多栅极高压场效应晶体管
1932 一种考虑浅沟槽隔离的场效应晶体管模型参数修正方法
1933 一种结型场效应晶体管及其配方技术
1934 场效应晶体管结构以及相关的射频开关
1935 具有混合沟道材料的场效应晶体管
1936 石墨烯场效应晶体管
1937 薄膜场效应晶体管阵列基板及其制造方法、显示装置
1938 射频横向双扩散场效应晶体管及其制造方法
1939 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
1940 包括结型场效应晶体管的半导体器件及其制造方法
1941 一种混合结构场效应晶体管及其制作方法
1942 源场板异质结场效应晶体管及其制作方法
1943 鳍型场效应晶体管的制造方法
1944 一种有机场效应晶体管的制作方法
1945 射频横向双扩散场效应晶体管及其制造方法
1946 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1947 一种鳍片型场效应晶体管及其制作方法
1948 纳米线场效应晶体管器件
1949 面结型场效应晶体管及其制造方法
1950 半导体结构和形成场效应晶体管的方法
1951 一种有机双极型场效应晶体管及其配方技术
1952 一种全单壁碳纳米管场效应晶体管及其配方技术
1953 场效应晶体管及其制造方法
1954 鳍式场效应晶体管及其制造方法
1955 一种碳纳米管场效应晶体管有源层的配方技术
1956 一种金属氧化物薄膜场效应晶体管有源层的配方技术
1957 半圆窗形鳍式场效应晶体管及其制造方法
1958 一种鳍片场效应晶体管的配方技术
1959 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1960 垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管器件制造方法
1961 包括石墨烯的电极结构以及具有其的场效应晶体管
1962 一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管
1963 用于场效应晶体管的结构和方法
1964 一种场效应晶体管结构及其制作方法
1965 一种制造场效应晶体管的方法
1966 金刚石金属-绝缘体-半导体结构场效应晶体管及制备法
1967 隧穿场效应晶体管
1968 一种具有背电极结构的氮化镓基异质结场效应晶体管
1969 一种鳍片场效应晶体管的配方技术
1970 一种鳍片场效应晶体管的配方技术
1971 结型场效应晶体管及其制造方法
1972 具有改进的硅化物厚度均匀性的金属氧化物半导体场效应晶体管集成电路和其制造方法
1973 鳍式场效应晶体管的形成方法
1974 基于ZnO纳米线阵列的压电场效应晶体管的构建方法
1975 一种兼具反向导通的异质结构场效应晶体管及其制作方法
1976 集成晶胞的掩埋场环场效应晶体管植入空穴供应通路
1977 一种金属氧化物半导体场效应晶体管及制造方法
1978 一种锗锡隧穿场效应晶体管及其配方技术
1979 鳍式场效应晶体管及其制造方法
1980 形成鳍部的方法和形成鳍式场效应晶体管的方法
1981 一种薄膜场效应晶体管阵列基板及其制造方法
1982 具有双功函数金属栅的互补场效应晶体管及其制造方法
1983 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1984 鳍式场效应晶体管及其形成方法
1985 场效应晶体管装置、用于感测变形的设备和方法
1986 包括使用常通场效应晶体管的逆变器模块的功率转换器
1987 深度耗尽沟道场效应晶体管及其配方技术
1988 鳍式场效应晶体管及其制造方法
1989 一种制备量子点场效应晶体管列阵的方法
1990 一种无结场效应晶体管
1991 一种双栅鳍型场效应晶体管及其制造方法
1992 沟槽场效应晶体管的制作方法
1993 一种抗闩锁N型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管
1994 一种横向扩散场效应晶体管结构和制作方法
1995 一种鳍式场效应晶体管及其形成方法
1996 横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
1997 隧道场效应晶体管
1998 鳍式场效应晶体管及其制造方法
1999 III族氮化物金属绝缘体半导体场效应晶体管
2000 有机场效应晶体管及其制造方法
2001 鳍式场效应晶体管栅极氧化物
2002 鳍式场效应晶体管（FinFET）器件的图案化工艺
2003 鳍式场效应晶体管(FINFET)器件的切割掩模图案化工艺
2004 一种高压结型场效应晶体管
2005 具有垂直鳍状件的鳍式场效应晶体管及其形成方法
2006 用于确定化学敏感场效应晶体管的测量值的方法和装置
2007 抗变化的金属氧化物半导体场效应晶体管
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