1 一种用于电子级铜蚀刻液的制备装置及制备工艺
简介：一种用于电子级铜蚀刻液的制备装置及制备工艺，涉及感光化学技术领域。制备装置包括用于储备原料磷酸的第一储槽、用于储备原料双氧水的第二储槽、用于储备原料超纯水的第三储槽、用于储备原料表面活性剂的第四储槽、混配槽、以及精密过滤器。第一储槽、第二储槽、第三储槽和第四储槽均同混配槽选择性地连通，混配槽的出口同精密过滤器的进口连通。其结构简单，实现了化繁为简，有助于简化生产流程并降低了操作难度，对于提高生产效率具有积极意义。制备工艺，其依托于至本装置，操作简单、易于实施，使整个生产过程更加精简，生产效率得到了提升。
2 一种用于电子级铝蚀刻液的制备装置及制备工艺
简介：一种用于电子级铝蚀刻液的制备装置及制备工艺，涉及感光化学技术领域。制备装置包括用于储备原料硝酸的第一储槽、用于储备原料磷酸的第二储槽、用于储备原料冰醋酸的第三储槽、用于储备原料超纯水的第四储槽、混配槽、以及精密过滤器。第一储槽、第二储槽、第三储槽和第四储槽均同混配槽选择性地连通，混配槽的出口同精密过滤器的进口连通。其结构简单，实现了化繁为简，有助于简化生产流程并降低了操作难度，对于提高生产效率具有积极意义。制备工艺基于制备装置来实现，操作简单、易于实施，使整个生产过程更加精简，生产效率得到了提升。
3 一种用于电子级二氧化硅蚀刻液的制备装置及制备工艺
简介：一种用于电子级二氧化硅蚀刻液的制备装置及制备工艺，涉及光感化学技术领域。制备装置包括用于储备原料氢氟酸的第一储槽、用于储备原料氟化铵的第二储槽、用于储备原料表面活性剂的第三储槽、用于储备原料超纯水的第四储槽、混配槽、以及精密过滤器。第一储槽、第二储槽、第三储槽和第四储槽均同混配槽选择性地连通，混配槽的出口同精密过滤器的进口连通。其结构简单，实现了化繁为简，有助于简化生产流程并降低了操作难度，对于提高生产效率具有积极意义。制备工艺操作简单、易于实施，使整个生产过程更加精简，生产效率得到了提升。
4 一种银蚀刻液组合物
简介：本技术提供了一种银蚀刻液组合物，所述组合物包括无机酸、有机酸、无机盐和余量的离子水，本技术的银蚀刻液蚀刻能力强,具有长时间使用寿命,可有效蚀刻由银或银合金构成的单一膜、或者由所述单一膜和透明导电膜构成的多层膜,不会引起银的残留或残渣,在半导体平面显示等微电子领域具有良好的应用前景。
5 一种高硼硅玻璃蚀刻液及其配方技术和用途
简介：本技术属于高硼硅玻璃蚀刻技术领域，具体涉及一种高硼硅玻璃蚀刻液及其配方技术和用途。所述高硼硅玻璃蚀刻液的原料包括混合酸、氟氢化物、氟硅酸盐、表面活性剂、可溶金属硫酸盐、可溶金属盐酸盐、中间填充物和水，所述高硼酸玻璃蚀刻液的原料之间可形成稳定络合物；所述混合酸包括硫酸、硝酸、磷酸和盐酸，所述表面活性剂为硼砂。该高硼硅玻璃蚀刻液可对高硼硅玻璃进行均匀蚀刻，防眩效果好，可满足光电子领域的需求。
6 一种蚀刻液中金属离子的价态变化的获取方法及装置
简介：本技术提供一种蚀刻液中金属离子的价态变化的获取方法及装置，该方法包括：在石英晶体振荡片上沉积金属材料，得到金属层；采用蚀刻液对所述金属层进行蚀刻；分别获取蚀刻过程中所述石英晶体振荡片的振荡频率的变化量和所述金属层中金属元素的转移电子数的变化量；根据所述振荡频率的变化量获取所述金属元素的质量变化量；根据所述金属元素的质量变化量和所述金属元素的转移电子数的变化量得到所述金属元素的价态变化量。本技术的蚀刻液中金属离子的价态变化的获取方法及装置，能够提高金属离子的价态变化量的准确性。
7 一种TMAH系各向异性硅蚀刻液及其配方技术
简介：本技术涉及一种TMAH系各向异性硅蚀刻液及其配方技术，所述蚀刻液包括18～25％重量份电子级四甲基氢氧化铵，3～10％重量份电子级四乙基氢氧化铵，1.3～2.8％重量份添加剂，0.01～0.2％重量份表面活性剂和剩余组分高纯水，上述各组分重量份总和为100％，其中所述添加剂包括1～2％重量份挥发剂和0.3～0.8％重量份催化剂，所述催化剂包括0.1～0.3％重量份调整蚀刻速度的催化剂、0.2～0.5％重量份改善硅表面平整度的催化剂。其配方技术包括在混配釜中加入电子级四甲基氢氧化铵、在不断搅拌条件下加入电子级四乙基氢氧化铵、添加剂、表面活性剂和余量水，并循环过滤3h以上。本技术制备的一种TMAH系各向异性硅蚀刻液具有较好的蚀刻精细度、蚀刻速率及蚀刻后硅片表面平整度。
8 一种选择性硅蚀刻液
简介：本技术属于集成电路电子化学品领域，具体涉及一种选择性硅蚀刻液及使用方法。所述选择性硅蚀刻液用于选择性去除p型硅基底上的未掺杂硅，组成包括硝酸（或硝酸与硝酸盐混合物）、亚硝酸盐、氢氟酸或氢氟酸盐、硅添加剂、硼添加剂及溶剂。该蚀刻液利用硝酸盐和亚硝酸盐将硅氧化成二氧化硅；利用氢氟酸将二氧化硅蚀刻去除；硅添加剂用以调节硅的蚀刻速率；硼添加剂抑制蚀刻液对p型硅的蚀刻，使蚀刻液对未掺杂硅相对于p型硅有更快的蚀刻速率。
9 电子液晶屏幕清洁用蚀刻液
简介：本技术提供一种电子液晶屏幕清洁用蚀刻液，属于液晶屏幕清洁技术领域，按重量百分比计，包括25‑30%双氧水，5‑10%氢氟酸，1‑5%磷酸，5‑10%表面活性剂，1‑3%净水剂，余量的高纯水；其配方技术，包括步骤：先准确称量各组份，在反应釜中加入高纯水，再加入表面活性剂、双氧水，进行50‑70min搅拌后，加入氢氟酸，再搅拌50‑70min后，加入磷酸搅拌120‑140min，最后加入净水剂，搅拌25‑35min，检测合格后即得电子液晶屏幕清洁用蚀刻液。有益效果是比同款产品清洁能力强，清洗时间短，清洁更有效，而且属于环保型产品。
10 一种硅晶圆的蚀刻液
简介：本技术提供了一种硅晶圆的蚀刻液，主要成分包括电子级硝酸、电子级氢氟酸、电子级硫酸、电子级磷酸、电子级醋酸、表面活性剂、超纯水。其中，硝酸作为氧化剂，将硅氧化成硅的氧化物；氢氟酸作为溶解剂，将硅的氧化物溶解、去除，实现对硅晶圆的蚀刻；硫酸可以提高溶液粘度，稳定反应速率，不改变蚀刻形貌，增加蚀刻均匀性；磷酸也可以提高溶液粘度，提高传质阻，降低蚀刻速率，不改变蚀刻形貌；醋酸作为稀释剂，降低硝酸的电离度，抑制硝酸的氧化能力，降低反应速率，影响蚀刻后的表面形貌；表面活性剂降低溶液的表面张力，改善硅晶圆蚀刻后的表面形貌。本蚀刻液的蚀刻速率稳定可控、蚀刻表面均匀平整。
11 一种蚀刻液组合物及其氮化钽薄膜的湿法刻蚀方法
12 一种蚀刻液组合物及其镍铬硅薄膜的湿法刻蚀方法
13 一种银蚀刻液
14 一种用于TFT‑LCD铜蚀刻液的生成处理方法
15 一种用于ITO-Ag-ITO导电薄膜的低黏度蚀刻液及其配方技术
16 一种微电子用多层金属膜蚀刻液及其应用
17 纳米银蚀刻液、制备图案化的纳米银导电膜的方法及触控传感器
18 金属氧化物蚀刻液组合物及蚀刻方法
19 金属氧化物蚀刻液组合物及蚀刻方法
20 一种电子印刷线路板蚀刻液
21 一种用于氧化物材料体系的蚀刻液及其蚀刻方法和应用
22 微电子用超纯氟铵系列蚀刻液的配方技术
23 一种含铜蚀刻液的处理方法
24 一种液相法生产高纯电子级氟化铵蚀刻液的方法
25 蚀刻液及电子元件制造方法
26 应用于蚀刻液循环再生设备的“1+1”保护系统
27 用于多晶体“碳头料”硅碳分离的蚀刻液及其配方技术
28 氯化铵蚀刻液的充氧装置
29 蚀刻液组合物
30 电子移印机专用钢模凹版蚀刻液
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,完整内容都包括具体的配方配比和生产工艺制作过程。收费260元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
