1 一种铁电场效应晶体管存储器及其制备方法
简介：一种铁电场效应晶体管存储器及其制备方法，铁电场效应晶体管存储器包括：衬底；晶体管栅极结构，晶体管栅极结构设于衬底的表面，包括自下而上依次层叠设置的绝缘层、铁电层和栅电极层；衬底上形成有源极和漏极，且晶体管栅极结构位于源极和漏极之间；源极、栅电极层和漏极上分别连接有金属引线。通过铁电场效应晶体管中的硅化物栅电极对氧化铪基薄膜铁电相的诱导，以提高铁电性，且硅化物栅电极和氧化铪基薄膜能够形成良好的界面从而降低界面缺陷。
2 半导体器件和形成包括铁电场效应晶体管的器件的方法
简介：一种半导体器件包括铁电场效应晶体管(FeFET)，其中，FeFET包括：衬底；源极区域，位于衬底中；漏极区域，位于衬底中；和栅极结构，位于衬底上方并且位于源极区域和漏极区域之间。栅极结构包括：栅极介电层，位于衬底上方；铁电膜，位于栅极介电层上方；和栅电极，位于铁电膜上方。本发明的实施例还涉及形成包括铁电场效应晶体管的器件的方法。
3 一种三维NAND型铁电场效应晶体管存储器及其制备方法
简介：本发明公开了一种三维NAND型铁电场效应晶体管存储器，包括：依次层叠设置的基底层、公共源极层、多个选择晶体管、叠构层，及贯穿叠构层的多个通道；所述多个选择晶体管中的每一个选择晶体管由选择栅电极层的一部分以及栅介质层和第一沟道层组成；所述叠构层包括多层相互交叠排布的隔离层和栅电极层；多个通道设置在所述多个选择晶体管的正上方，每个所述通道的内壁上依次设置有缓冲层、铁电薄膜层、第二沟道层和填充层，第二沟道层的底部与第一沟道层的顶端紧密相连，所述栅电极层与缓冲层、铁电薄膜层和第二沟道层形成多个铁电场效应晶体管串联的存储单元串。该存储器可以提升器件的疲劳性能并改善器件之间的差异性。
4 一种三维铁电场效应晶体管存储单元、存储器及制备方法
简介：一种三维铁电场效应晶体管存储单元、存储器及制备方法，该存储单元包括：栅电极层(4)；所述栅电极层(4)的厚度方向上设置有贯穿的第一通孔(14)；从所述第一通孔(14)的内壁向靠近轴线的方向上，依次覆盖有第一介质层(9)、铁电薄膜层(10)、第二介质层(11)和沟道层(12)；所述第一介质层(9)和第二介质层(11)均为绝缘材质，用于避免所述铁电薄膜层(10)与所述栅电极层(4)和沟道层(12)接触。该存储单元中，铁电薄膜层(10)不与栅电极(4)和沟道层(12)接触，避免了界面反应和元素扩散，从而保证了铁电薄膜层(10)和存储单元的质量和性能，减小了存储器中各存储单元之间的差异性，提高存储器的可靠性。
5 U形铁电场效应晶体管存储单元串、存储器及制备方法
简介：本发明公开了一种U形铁电场效应晶体管存储单元串、存储器及制备方法。该存储单元串，包括由两个第一柱状结构通过第二柱状结构连接而成形成的U形体、分离层(6)和间隔设置的多层的栅电极(4)；每层所述栅电极(4)，用于包围所述U形体；所述分离层(6)，贯穿于所述多层栅电极(4)，且位于所述U形体的开口内，用于隔离所述U形体的两个柱状结构，以使所述U形存储单元串中的存储单元的个数为所述U形存储单元串中的栅电极(4)层数的二倍。其中U形的存储单元串相比于现有技术，在设置同样层数的栅电极下，本发明的存储单元的个数更多，存储密度更高。
6 一种铁电电容和铁电场效应晶体管及制备方法
简介：本发明公开了一种铁电电容，所述薄膜铁电电容包括顺序叠置的衬底、介质层和上电极，所述介质层包括至少一层不定型氧化物薄膜或者多晶氧化物薄膜。本发明所述铁电电容的介质层采用不定型氧化物薄膜或者多晶氧化物薄膜，不再局限于单晶或者多晶的铁电材料，即使是非晶氧化物薄膜材料也可以实现铁电特性。本发明还公开了所述铁电电容的制备方法。本发明还公开了一种铁电场效应晶体管，本发明所述铁电场效应晶体管栅介质层包括至少一层不定型氧化物薄膜或者多晶氧化物薄膜，使得铁电场效应晶体管的栅介质厚度可以降低至2nm以下，且能保持稳定的铁电场效应晶体管特性，同时极大的降低了栅泄漏电流。本发明还公开了铁电场效应晶体管的制备方法。
7 一种铁电场效应晶体管、三维存储器及其制作方法
简介：本申请提供一种铁电场效应晶体管、三维存储器及其制作方法，所述铁电场效应管和三维铁电存储器的结构，均包括铁电材料，采用铁电材料的极化状态表示数据。由于极化翻转具有极高的速度，可以在几个纳秒内完成，因此，本发明提供的场效应晶体管或三维存储器能够实现很快的速度；同时由于极化翻转所需的电压很低，不需要电荷泵等外围电路的辅助，因此，铁电场效应管和三维铁电存储器具有更低的能耗。另外，与现有技术中的闪存和DRAM等存储器基于电荷进行存储的原理不同，本发明提供的三维存储器依靠极化进行存储，具有更强的抗辐射能力，并且能够提高铁电存储器的存储密度，解决当前三维存储器的操作电压高以及反复擦写能力低的问题。
8 一种铁电场效应晶体管及其制备方法
简介：本发明公开了一种铁电场效应晶体管，包括：衬底层、栅绝缘层、第一缓冲层、中间介质层、第二缓冲层、栅电极层、源电极及漏电极；衬底层设置有源极区、漏极区和绝缘覆盖区，其中源极区与漏极区间隔设置；源极区上设置有源电极，漏极区上设置有漏电极，且绝缘覆盖区由下至上依次层叠设置栅绝缘层、第一缓冲层、中间介质层、第二缓冲层及栅电极层。该晶体管通过增加第一缓冲层和第二缓冲层，一方面缓冲层的沉积可起到界面诱导作用，并且由于晶格匹配度相当，可避免引起较大的晶格畸变；另一方面在第一缓冲层和第二缓冲层的加持作用，有利于生成元素掺杂的铁电薄膜并对铁电薄膜的铁电性起到促进作用。
9 一种集存算一体的全铁电场效应晶体管
简介：本发明涉及一种集存算一体的全铁电场效应晶体管，包括基底、源电极、漏电极、栅电极和铁电凸块，所述源电极和漏电极通过铁电凸块相隔离地设置于基底上，栅电极和源电极、漏电极隔离设置，所述基底由具有畴壁导电特性的铁电材料制成。与现有技术相比，本发明从根本上解决了铁电体的高度集成化的问题。
10 一种可擦除全铁电场效应晶体管及其操作方法
简介：本发明涉及一种可擦除全铁电场效应晶体管及其操作方法，所述场效应晶体管包括基底、源电极、漏电极、栅电极、铁电凸块和衬底，所述源电极和漏电极通过铁电凸块相隔离地设置于基底上，栅电极和源电极、漏电极隔离设置，所述栅电极设置于铁电凸块的上方，所述基底由具有畴壁导电特性的铁电材料制成，所述基底与铁电凸块的电畴极化方向均与栅电极平面法线方向存在夹角不为0并且使所述电畴在源漏电极的连线方向上有分量。与现有技术相比，本发明具有能够实现亚阈值摆幅接近为零，并大幅度降低系统的静态功耗等优点。
11 一种p型二维合金化合物半导体光电场效应晶体管及其制备方法
12 一种新型铁电场效应晶体管单元及其写入和读取方法
13 一种绝缘栅型压电场效应晶体管
14 基于氧化铝材料内嵌纳米晶的铁电场效应晶体管及制备方法
15 可编织纤维状有机光电场效应晶体管及其制备方法和应用
16 铁电电容器、铁电场效应晶体管以及用于形成包括导电材料和铁电材料的电子装置的方法
17 神经形态器件中具有多个铁电场效应晶体管的突触阵列
18 三维（3D）铁电偶极金属氧化物半导体铁电场效应晶体管（MOSFEFET）系统及相关方法和系统
19 铁电场效应晶体管及其制备方法
20 铁电场效应晶体管、铁电内存与数据读写方法及制造方法
21 一种铁电场效应晶体管及其制备方法
22 一种铁电场效应晶体管及其制备方法
23 一种铁电场效应晶体管及其制备方法
24 一种铁电场效应晶体管模型的建立方法和系统
25 铁电电容器、铁电场效应晶体管及在形成包含导电材料与铁电材料的电子组件时使用的方法
26 基于钕掺杂的钛酸铋薄膜的铁电场效应晶体管及制备方法
27 基于GeSn材料的铁电场效应晶体管及其制备方法
28 基于InAs材料的铁电场效应晶体管及其制备方法
29 一种基于铁电场效应晶体管的电流灵敏放大器
30 一种基于铁电场效应晶体管的差分放大电路
31 一种具有电场集中效果增强开态电流的隧穿场效应晶体管
32 一种基于规整性碳纳米管条纹阵列的铁电场效应晶体管及其制备方法
33 具有铁电场效应晶体管存储器阵列的设备及相关方法
34 具有铁电场效应晶体管存储器阵列的设备及相关方法
35 摩擦电场效应晶体管
36 基于ZnO纳米线阵列的压电场效应晶体管的构建方法
37 一种纳米线共振压电场效应晶体管的制作方法
38 一种基于半导体纳米材料的铁电场效应晶体管及其制备方法
39 铁电场效应晶体管存储器件结构及制备方法
40 铁电场效应晶体管及其制备方法
41 具有成分分级的铁电材料的铁电场效应晶体管及其制造方法
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