1 一种晶片加工用胶带及其制造方法
简介：本技术提供了一种晶片加工用胶带及其制造方法，涉及胶带领域，本技术中所用的基材膜的主要目的在于保护半导体晶片免受对半导体晶片的背面进行磨削加工时的冲击，丙烯腈‑丁二烯‑苯乙烯共聚物是一种强度高、韧性好、易于加工成型的热塑型高分子结构材料，然而，其抗冲击强度等性能不足；设置有三聚氰胺甲醛树脂为镀层包覆于所述大理石粉填料表面并经过偶联剂改性使得改性包覆型大理石填料表面致密，表面由亲水性变为疏水性，与丙烯腈‑丁二烯‑苯乙烯共聚物体系的相容性好；同时，通过在丙烯腈‑丁二烯‑苯乙烯共聚物体系中加入改性包覆型大理石填料，可显著提高整体体系的硬度性能，并保持其本身在韧性方面的优势。
2 胶带
简介：本技术胶带包括基体、离型层、形成于基体上离型层一侧的胶粘层以及形成于基体另一侧的半导体层，所述基体包括聚酰亚胺基体层或者导电布或者Nomex纸中的至少一种或者几种的叠合。本方案提供的胶带，通过设置具有半导体层实现了胶带的防火与除静电目的，提供了一种具有一定柔性的功能材料，当然也保持了胶带良好的使用灵活性和便利性。
3 电子部件用胶带及电子部件的加工方法
简介：提供即使对于具有高度大的凸块的半导体晶片亦可充分进行追随，并且可防止在半导体晶片磨削面产生凹痕的电子部件用胶带及电子部件的加工方法。基于本技术的电子部件用胶带(1)具有至少1层树脂层(3)，关于树脂层(3)，储能模量在60℃～80℃的任意温度条件下为10000～200000Pa，熔体流动速率为10～200g/10min。
4 电子部件用胶带及电子部件的加工方法
简介：提供即使对于具有高度大的凸块的半导体晶片而言，亦可以在短时间充分进行追随的电子部件用胶带及电子部件的加工方法。其特征在于，具有至少一层树脂层(3)，关于树脂层(3)，使用纳米压痕机，在依照ISO14577而测定的60℃～80℃的任意温度条件下的压头的压入深度为10000nm～50000nm，树脂层(3)的厚度为50μm～300μm，总厚度为450μm以下。
5 半导体晶片加工用紫外线固化型胶带和半导体芯片的制造方法以及该带的使用方法
简介：一种半导体晶片加工用紫外线固化型胶带和半导体芯片的制造方法以及带的使用方法，该半导体晶片加工用紫外线固化型胶带至少具有基材膜和设置于该基材膜上的紫外线固化型的粘着剂层，其特征在于，在使用特定光源灯的紫外线照射的前后，通过基于JISZ0237的对SUS304的90°剥离试验方法所测定的上述胶带的粘着力的值之比在一定范围内。
6 切割用粘着胶带和半导体芯片的制造方法
简介：一种切割用粘着胶带，其具备基材和层叠于基材上的有机硅系粘着剂层，在将具有用被覆材被覆的多个半导体元件的半导体材料分割成多个半导体芯片时使用，有机硅系粘着剂层以加成反应型有机硅系粘着剂为主剂，且包含光敏铂(Pt)催化剂和针对加成反应型有机硅系粘着剂的交联剂，有机硅胶料与有机硅树脂的质量比为35/65～50/50的范围，具有烯基的有机硅胶料在有机硅胶料和有机硅树脂的合计质量中的含有比率为35质量％以上且50质量％以下的范围。
7 端子保护用胶带及带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法
简介：本技术涉及一种端子保护用胶带(1)，其为在带端子的半导体装置上形成电磁波屏蔽膜的工序中使用的端子保护用胶带(1)，其具有黏弹性层(12)，在黏弹性层(12)的动态黏弹性测定中，50℃下的tanδ值为0.2以上，黏弹性层(12)的厚度为80～800μm。
8 端子保护用胶带及带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法
简介：本技术涉及一种端子保护用胶带，其为在带端子的半导体装置上形成电磁波屏蔽膜的工序中使用的端子保护用胶带(1)，其具有黏弹性层(12)，在黏弹性层(12)的动态黏弹性测定中，50℃下的tanδ值为0.2以上，对于黏弹性层(12)，对圆柱形状的评价用试样于50℃施加10％(36°)的恒定的扭转应变并测定松弛弹性模量时，用[logG(t)max‑logG(t)min]求出的松弛弹性模量波动值X2为0.12以上。
9 一种半导体材料加工用切割胶带及其配方技术
简介：本技术涉及胶带领域，更具体地，本技术涉及一种半导体材料加工用切割胶带及其配方技术。本技术第一方面提供一种半导体材料加工用切割胶带，包括基材层以及胶黏剂层，胶黏层的制备原料包括80～100份烯酸类物质、0.1～10份交联剂；0.05～0.1份引发剂、30～50份多异氰酸酯、80～120份溶剂、5～15份膨胀微球。
10 半导体加工用粘着胶带及半导体装置的制造方法
简介：本技术的技术问题在于提供一种即便使用于DBG或LDBG，也能够抑制芯片龟裂的半导体加工用粘着胶带。作为解决手段的所述半导体加工用粘着胶带为具有基材、设置在该基材的至少一面侧的缓冲层、及设置在该基材的另一面侧的粘着剂层的粘着胶带，所述半导体加工用粘着胶带中，所述缓冲层在23℃下的杨氏模量为10～400MPa、断裂能为1～9MJ/m3，所述基材在23℃下的杨氏模量大于所述缓冲层的杨氏模量。
11 半导体加工用粘着胶带及半导体装置的制造方法
12 一种PET基材粘合胶带生产用分切装置
13 粘着胶带及半导体装置的制造方法
14 粘着胶带及半导体装置的制造方法
15 背面研磨用粘着胶带
16 粘着胶带及半导体装置的制造方法
17 半导体加工用胶带
18 一种半导体晶圆加工用胶带及其配方技术
19 用于将保护胶带贴附至半导体晶片的装置和方法
20 一种利用导电金属胶带结合电化学解吸附制备立体彩色敏化薄膜的方法
21 半导体晶片表面保护用胶带和半导体晶片的加工方法
22 切割用粘着胶带、切割用粘着胶带的制造方法以及半导体芯片的制造方法
23 半导体加工用胶带
24 接合膜、晶片加工用胶带、接合体的制造方法及接合体
25 半导体加工用粘着胶带以及半导体装置的制造方法
26 半导体加工用粘着胶带以及半导体装置的制造方法
27 具有底侧树脂和焊料触点的无胶带引线框封装体
28 片材、胶带及半导体装置的制造方法
29 胶带及半导体装置的制造方法
30 半导体晶片加工用胶带和半导体晶片的加工方法
31 抗电浆胶带以及半导体封装的制程方法
32 胶粘薄膜、切割胶带一体型胶粘薄膜、多层薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置
33 半导体晶片表面保护用胶带
34 半导体晶片表面保护用胶带和半导体晶片的加工方法
35 切割用粘着胶带和半导体芯片的制造方法
36 半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带和半导体晶片的磨削加工方法
37 使用多阶推顶器从胶带剥离半导体芯片的系统及方法
38 在等离子体切割期间通过晶片框架支撑环冷却的切割胶带热管理
39 半导体晶片表面保护用胶带和半导体晶片的加工方法
40 半导体晶片加工用胶带和半导体晶片的加工方法
41 切片胶带和剥离方法
42 切割用粘着胶带以及半导体芯片的制造方法
43 带有切割胶带的芯片接合薄膜以及半导体装置的制造方法
44 薄膜状胶粘剂、切割胶带一体型薄膜状胶粘剂以及半导体装置的制造方法
45 薄膜状胶粘剂、切割胶带一体型薄膜状胶粘剂以及半导体装置的制造方法
46 半导体晶片加工用胶带
47 半导体装置的制造方法、片状树脂组合物及切割胶带一体型片状树脂组合物
48 膜状胶粘剂、带有膜状胶粘剂的切割胶带、半导体装置的制造方法、及半导体装置
49 半导体加工用粘合胶带
50 底部填充片、背面研削用胶带一体型底部填充片、切割胶带一体型底部填充片及半导体装置的制造方法
51 切割胶带一体型粘接片、使用切割胶带一体型粘接片的半导体装置的制造方法及半导体装置
52 切割胶带
53 于薄膜框架晶圆应用中利用部分预固化UV离型切割胶带的激光与等离子体蚀刻的晶圆切割
54 半导体晶片加工用胶带的制造方法以及半导体晶片加工用胶带
55 高压条件下具有增强可靠性的粘胶剂及使用该粘胶剂用于半导体封装的胶带
56 半导体晶片表面保护用胶带和使用了该胶带的半导体晶片的制造方法
57 半导体晶片表面保护用胶带及半导体晶片的制造方法
58 晶片加工用胶带
59 半导体晶片表面保护用胶带
60 半导体加工用划片胶带
61 半导体器件加工用粘合胶带
62 在切割胶带上施加有底部填料膜的预切割的晶片
63 晶片加工用胶带和使用其的半导体加工方法
64 晶片加工用胶带
65 晶片加工用胶带
66 晶片加工用胶带
67 芯片保持用胶带、工件保持方法和半导体装置制造方法
68 半导体晶片表面保护用胶带
69 粘合薄膜以及半导体晶片加工用胶带
70 薄片状粘接剂及晶片加工用胶带
71 用于使经切分的半导体裸片与裸片贴胶带分离的系统
72 半导体封装用多功能胶带和用该胶带制造半导体元件的方法
73 胶带粘贴装置及粘贴方法
74 胶带粘贴装置、固定装置以及固定方法
75 保护胶带剥离方法及使用该方法的装置
76 用于制造供半导体生产使用的胶带的装置和方法
77 保护胶带的切断方法及保护胶带切断装置
78 粘合片、与切割胶带一体化的粘合片以及半导体的制造方法
79 粘合片、与切割胶带一体化粘合片以及半导体的制造方法
80 粘合片、与切割胶带一体化粘合片以及半导体的制造方法
81 粘合片、与切割胶带一体化粘合片以及半导体的制造方法
82 粘合片、与切割胶带一体化的粘合片以及半导体的制造方法
83 用于制作半导体晶圆的感压胶带
84 半导体晶片加工用粘合剂和胶带
85 陶瓷半导体针灸治疗胶带
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,完整内容都包括具体的配方配比和生产工艺制作过程。收费260元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
