1、半导体传感器器件和制造半导体传感器器件的方法
[简介]： 一种半导体器件包括：半导体材料的衬底1，其具有前侧4和相对的后侧7；位于所述前侧4的布线层5；位于所述后侧7的另外布线层8；以及连接所述布线层5和所述另外布线层8的衬底通孔3。热板24布置在所述衬底...
2、半导体传感器器件和制造半导体传感器器件的方法
[简介]： 本技术的目的在于提供一种实现小型化以及高强度化的半导体传感器装置以及使用半导体传感器装置的电子装置。该半导体传感器装置具有：包围传感器元件（30）周围的中空部件（60）；填充在该中空部件（60）中且覆盖所述传感器元件...
3、半导体传感器装置及使用半导体传感器装置的电子装置
[简介]： 本技术提供了一种廉价且高灵敏度的半导体传感器以及该半导体传感器的制造方法。其中，该半导体传感器包括：多层压电薄膜，层压在半导体基板上；一对电极，形成在所述多层压电薄膜中的至少上下一对的压电薄膜的界面上，用于激...
4、半导体传感器以及半导体传感器的制造方法
[简介]： 本技术涉及一种制作半导体传感器装置10的方法，该半导体传感器装置用于感测物质30且包括条带状半导体区域1，该条带状半导体区域形成在半导体主体12的表面上且在第一端连接到第一导电连接区域3并且在第二端连接...
5、制作半导体传感器装置的方法及获得的半导体传感器装置
[简介]： 一种制造用于感测物质的半导体传感器装置10的方法，所述半导体传感器装置包括多个相互平行的台形半导体区域1，所述台形半导体区域1形成于半导体主体11的表面上并在第一端连接到第一导电连接区域2且在第二端连...
6、制造半导体传感器装置的方法和半导体传感器装置
[简介]： 提供一种可以减小厚度的半导体传感器和一种制造用于半导体传感器的传感器主体的方法。规定当在中心线c中的延伸方向上测量时的重物部分5和附加重物部分3的总长度L1要短于当在中心线c的延伸方向上测量时的支撑物部分7的长...
7、半导体传感器和用于半导体传感器的传感器主体的制造方法
[简介]： 本技术涉及半导体传感器器件的封装及其方法。一种压力传感器（100），包括具有腔（200）的第一外壳（102）。所述压力传感器还包括附接于所述腔的底部的压力感测器件（106）。所述压力传感器还包括位于所述压力感测器件之上的凝胶层...
8、半导体传感器器件的封装及其方法
[简介]： 提供一种半导体传感器器件及其封装方法。一种封装的半导体器件具有由被安装到衬底的覆盖或盖子形成的腔。所述盖子覆盖安装到所述衬底上的一个或多个半导体传感器芯片。所述芯片用凝胶或喷雾被涂覆在涂层上，并且所述盖子用...
9、半导体传感器器件及其封装方法
[简介]： 本技术提供了半导体传感器装置及其封装方法。一种封装有有脚罩的半导体传感器裸片，所述有脚罩具有若干侧壁及带有中心孔的顶部部分。在附着所述罩顶部部分之前将凝胶材料施涂到由所述侧壁形成的腔中，使得其覆盖所述裸片。...
10、半导体传感器装置及其封装方法
[简介]： 一种半导体部件，尤其是为了用作微机电半导体器件诸如压力传感器或加速度传感器中的对于机械应力敏感的部件，具有：半导体衬底1，5，在该半导体衬底的上侧上通过离子注入引入有源区78a，200，该有源区由第一导电类型的材...
11、半导体传感器部件
[简介]： 本技术提供了一种无源式光纤温度半导体传感器，属于光纤传感技术领域，通过在光纤外面紧包光纤绝缘护套，在光纤绝缘护套的外绝缘有若干个硅橡胶制成的复合绝缘裙边；光纤端面镀一层半导体膜片，将镀有半导体膜片一端插...
12、无源式光纤温度半导体传感器
[简介]： 本技术提供了一种无源式光纤温度半导体传感器，属于光纤传感技术领域，通过在光纤外面紧包光纤绝缘护套，在光纤绝缘护套的外绝缘有若干个硅橡胶制成的复合绝缘裙边；光纤端面镀一层半导体膜片，将镀有半导体膜片一端插入一...
13、无源式光纤温度半导体传感器
[简介]： 光电型生化量半导体传感器的封装设计，属于半导体生化传感器中器件封装领域。本技术以机械加工、电路版制作、以及注塑工艺为技术基础，提出了可满足光电型生化量传感器对光照、电气连接、液态环境工作三方面要求的封装设计。光...
14、光电型生化量半导体传感器的封装设计
[简介]： 本技术提供一种用于紫外探测的传感器及其制备方法。本技术的半导体传感器由两个电极和位于两个电极之间的氧化锌纳米线并联集成。本技术的这种半导体传感器的制备方法是：首先在第一基片上生长出一层垂直于基片表面的氧化...
15、一种半导体传感器及制备方法
[简介]： 本技术提供一种膜片不易破损并且传感器灵敏度的偏差也小的半导体传感器以及制造方法。在隔着SiO2膜23将Si基板22和Si薄膜24贴合的SOI基板的下表面形成凹部26。Si薄膜24的一部分成为作为感压区域的膜片25。在凹...
16、半导体传感器及其制造方法
[简介]： 本技术提供能够降低外部装置的电路或元件的精度的2端子型半导体传感器装置。基于温度的2端子型半导体传感器装置的输出电压VOUT依赖于2端子型半导体传感器装置的由电阻30及电阻40构成的分压电路的电阻比及温度电压...
17、2端子型半导体传感器装置
[简介]： 本技术涉及半导体传感器，及其在用于检测电子给体或电子受体物种的探测器中的应用。该传感器由绝缘基底1形成，在所述基底的表面上提供了两个电极2，2’和一个半导体敏感元件。该敏感元件由半导体分子材料M1的层和半导体...
18、半导体传感器及其在用于检测电子给体或电子受体物种的探测器中的应用
[简介]： 用于感测物质30的半导体传感器装置10，包括在半导体主体12的表面上形成的台面形状的半导体区11，11’，而包括要被感测的物质30的流体20能够沿着台面形状的半导体区11流动，其中台面形状的半导体区11在纵向...
19、半导体传感器装置、包括这种装置的诊断仪器以及制造这种装置的方法
[简介]： 本技术提供一种互补式金属氧化物半导体感测芯片的封装结构，包括：一个具有上表面及下表面的载板，载板的上表面配置有图案化的金属层；一个互补式金属氧化物半导体感测芯片，其主动面上配置有多个互补式金属氧化物半导体感...
20、互补式金属氧化物半导体传感器封装组件及其制造方法
[简介]： 本技术涉及一种用于检测物质的半导体传感器装置10，该半导体传感器装置10包括至少一个纳米线11，该至少一个纳米线11在半导体实体12的表面上形成，并且在第一端连接到第一导电连接区域13和在第二端连接到第二...
21、半导体传感器装置、包括该装置的诊断仪器及其制作方法
[简介]： 新型光激发场寻址半导体传感器，属于半导体生化传感器中器件设计领域。本技术利用半导体器件物理及其工艺，将敏感膜与电极分立于器件上下两面，并具有寻址功能。其中在p -Si衬底的下表面制备有敏感膜，其四周为局部场氧化层...
22、新型光激发场寻址半导体传感器
[简介]： 一种半导体传感器100，包括：半导体层102，其具有在该半导体层102一侧的接收入射辐射能110的入射表面104和在该半导体层102的另一侧的波纹表面；以及金属层106，其具有波纹表面，该波纹表面与半导体层102的波...
23、利用表面等离子体来增加能量吸收效率的半导体传感器
[简介]： 本技术涉及具有腔罩1和传感器芯片3的半导体传感器器件20及其制造方法。腔罩1包括指向外界6的开口5。传感器芯片3的传感器区4被设置为朝向所述开口5。腔罩1的腔2中的传感器芯片3各面都埋植在弹性橡...
24、具有腔罩和传感器芯片的半导体传感器器件及其制造方法
[简介]： 本技术提供一种封装半导体传感器芯片，其中使传感电路17处在与封装体13大致相同的水平面上或在封装体13的水平面之上。由此，当将传感器侵入在流体中，特别是侵入在液体中时，为了检测流体中的分析物，基本上半导体传感...
25、在液体中使用的封装半导体传感器芯片
[简介]： 本技术提供一种可进一步提高生产率的半导体传感器。在构成静电电容检测型的半导体扩音器、在半导体基板18上形成隔膜电极19和固定电极20的对向电极的扩音器芯片15上，形成埋入半导体的贯通电极26，以连通该半导体基板18的上...
26、半导体传感器
[简介]： 本技术涉及一种对氢气敏感的半导体传感器敏感元件及其制作方法，属半导体传感器气敏元件制造工艺技术领域。该制作方法的特征在于：采用射频溅射工艺在Si100片上制备n-SnO2-x薄膜层，再在二氧化锡层上制备Pd-Ni层，形成Pd...
27、氢半导体传感器气敏元件及其制作方法
[简介]： 一种电镀半导体晶片同时维持所镀薄膜厚度均匀的方法，防止在晶片背面淀积并且防止在后续步骤中污染。在半导体晶片的铝电极上间接形成连接端子，在晶片背面由绝缘体覆盖的情况下进行非电解地电镀。优选的是，所述绝缘体是作...
28、半导体传感器以及用于电镀半导体器件的方法
[简介]： 一种电镀半导体晶片同时维持所镀薄膜厚度均匀的方法，防止在晶片背面淀积并且防止在后续步骤中污染。在半导体晶片的铝电极上间接形成连接端子，在晶片背面由绝缘体覆盖的情况下进行非电解地电镀。优选的是，所述绝缘体是作...
29、半导体传感器以及用于电镀半导体器件的方法
[简介]： 本技术涉及半导体传感器及其制造方法，能够在Si衬底上形成电子迁移率高、片电阻比较大的InSb或InAs膜成，从而在工业上提供高灵敏度而且低功耗的优良的元件。在111Si衬底上首先形成由Ga、Al、In、As、Sb、P之中的至少2种或2种...
30、半导体传感器及其制造方法
[简介]： 一种离子敏感传感器设置，包括：具有第一表面的半导体芯片1，该第一表面具有介质敏感区域4和至少一个第一电接触面2，3；和具有第二表面的支架6，该第二表面面向半导体芯片1的第一表面，具有与敏感区域4对齐的开口...
31、具有前侧键合的半导体传感器
[简介]： 一种基于宽带隙半导体传感器的火焰报警器，涉及紫外光辐射火焰报警技术。由火焰传感器1、信号放大电路2、信号转换电路3、信号处理电路4、执行电路5、灭火器6和声光报警器7组成。其特点是火焰传感器1为宽带隙半...
32、一种基于宽带隙半导体传感器的火焰报警器
[简介]： 生物体毛孔孔径半导体传感器属于生物电子学的半导体智能传感器设计技术领域。该传感器的特征在于，它是一片串接在直流回路中的可稳定贴在生物体皮肤上的掺有杂质的半导体。当所述直流回路中采用恒定电流源时，该半导体片的...
33、生物体毛孔孔径半导体传感器
[简介]： 本技术涉及一种对硫化氢气体敏感的半导体传感器气敏元件的制造方法，属半导体传感器气敏元件制造工艺技术领域。该制造方法的特征在于，采用厚膜工艺在氧化铝衬底上制备二氧化锡层，再在二氧化锡层表面制备氧化铜层，形成氧...
34、硫化氢半导体传感器气敏元件的制造方法
[简介]： 本技术涉及一种半导体P、N类型非接触测试传感器，包括壳体以及设置于壳体内部的电荷感应电极，用于感应半导体表面产生的微弱光生电荷；红外激发二极管，用于发光照射到半导体表面；绝缘定位件，电荷感应电极设置于绝缘定...
35、一种半导体P、N类型非接触测试传感器
[简介]： 本技术涉及一种半导体P、N类型非接触测试传感器，包括壳体以及设置于壳体内部的电荷感应电极，用于感应半导体表面产生的微弱光生电荷；红外激发二极管，用于发光照射到半导体表面；绝缘定位件，电荷感应电极设置于绝缘定位件...
36、一种半导体P、N类型非接触测试传感器
[简介]： 本技术提供了一种检测二氧化碳的半导体传感器气敏元件的制造方法，其特征在于，采用厚膜工艺制造掺杂CuO-BaTiO3体系的厚膜气敏元件，掺杂物质包括AgNO3、PdCl4、SrO、La2O3、ZnO、Bi2O3中的一种或几种；该CuO-BaTiO3体系厚膜的...
37、检测二氧化碳的半导体传感器气敏元件的制造方法
[简介]： 本技术提供了一种检测二氧化氮的半导体传感器气敏元件的制造方法，其特征在于，采用超声喷雾热解法在已加工好金电极和氧化钌电阻加热层的石英衬底上制备铟锡氧化物薄膜，而制成的二氧化氮气体传感器气敏元件；超声喷雾热解...
38、检测二氧化氮的半导体传感器气敏元件的制造方法
[简介]： 本技术涉及一种基于溶液变色性色素的半导体挥发性有机化合物传感器，该传感器由标准硅工艺设计制造而成，利用门控横向双极结晶体管作为本技术的核心器件，溶液变色性色素作为本传感器的气体反应薄膜。同时应用该器件工作在...
39、一种基于溶液变色性色素的半导体挥发性有机化合物传感器
[简介]： 本技术提供了一种半导体指纹读取传感器装置，在读取指纹凹凸的传感器的区域旁设置另一传感区域，当手指放置在指纹传感器装置上的时候，检测手指电阻值的R传感器和检测手指电容值的C传感器的两个焊垫和将它们形成一对的接...
40、半导体指纹读取传感器装置
[简介]： 本技术提供了一种半导体指纹读取传感器装置，在读取指纹凹凸的传感器的区域旁设置另一传感区域，当手指放置在指纹传感器装置上的时候，检测手指电阻值的R传感器和检测手指电容值的C传感器的两个焊垫和将它们形成一对...
41、半导体指纹读取传感器装置
[简介]： 本技术描述了一种具有气压传感器的半导体封装和用以形成具有气压传感器的半导体封装的方法。例如，一种半导体封装包括多个累积层。在一个或多个累积层中设置腔。气压传感器被设置在多个累积层中并包括所述腔和在所述腔之上...
42、具有气压传感器的半导体封装
[简介]： 本技术的实施方式针对半导体处理系统中以高采样率缓冲来自各种传感器的数据的系统及或方法。此类采样可提供关于诊断系统中导致处理故障的条件的处理的较佳数据。
43、半导体处理系统中的高采样率传感器缓冲
[简介]： 本技术涉及一种氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法、使用该方法的有源操作显示装置和有源操作传感器装置。一种氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法包括：通过在基板上沉积和图案化栅层形成栅极；在所述栅极上依次沉积栅极绝缘...
44、氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法、使用该晶体管的有源操作显示装置和有源操作传感器装置
[简介]： 本技术属于结构与材料变形监测领域，涉及一种半导体薄膜高温变形传感器，由基底层3、绝缘隔离层1、半导体薄膜敏感栅1和信号引出端4构成，所述的半导体薄膜敏感栅3通过信号引出端4连接到与外部测量设备，其特征在于，所述的基...
45、一种半导体薄膜高温变形传感器
[简介]： 本技术的半导体集成电路，在元件阵列14中设置电阻阵列，将特性值分布的平均值与由元件阵列14获得的合成电阻值的中心值关联，用十进制数以‘15’～‘8’的降序设定调整信息生成电路12中与大于上述中心值的合成电阻值对应...
46、半导体集成电路和使用它的光传感器设备
[简介]： 抑制在切换到接收动作时产生的噪声。接收电路10具有：将压电传感器2的接收信号SP及SN放大的放大器15；以及并联连接在压电传感器2的一端和放大器15的一端之间，在切换到接收动作时偏移相位而导通的多个晶体管...
47、接收电路、半导体装置、传感器装置
[简介]： 本技术提供一种背照式互补型金属氧化物半导体影像传感器，在金属层间介质层上形成有厚度为的绝缘介质层，可以使得载片与图形晶片键合时的残留气体在退火后从绝缘介质层中释放，有效防止图形晶片与载片键合退火后的空...
48、背照式互补型金属氧化物半导体影像传感器
[简介]： 本技术提供了一种悬空半导体薄膜结构及传感器单元的制造方法，通过对半导体基底的正面执行P型掺杂工艺，形成第一掺杂层，利用第一掺杂层对于腐蚀液，即对于背面腐蚀工艺具有自停止的阻挡作用，使得半导体薄膜结构悬空基底...
49、悬空半导体薄膜结构及传感器单元的制造方法
[简介]： 本技术提供半导体装置、传感器以及电子设备，该传感器具有该半导体装置。在形成有突起电极的第二基板上层叠形成有贯通电极的第一基板，在贯通电极中具有凹部，突起电极进入并层叠在凹部，突起电极的顶端宽度比凹部的开口宽度...
50、半导体装置、传感器以及电子设备
[简介]： 一种用于热释电红外传感器的半导体封装结构件及其制造方法和传感器。该半导体封装结构件包括导电金属箔、热释电红外传感器模数混合处理集成电路裸片、塑封壳体及用于支承敏感元件的支承部件。热释电红外传感器模数混合处理...
51、用于热释电红外传感器的半导体封装结构件及其传感器
52、用于热释电红外传感器的半导体封装结构件及其传感器
53、增强型半导体-金属复合结构磁场传感器及其制备方法
54、一种半导体微气压传感器测试系统
55、基于半导体氧化物敏感的集成化二氧化碳传感器
56、传感器、半导体基板、和半导体基板的制造方法
57、基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器及其制作方法
58、用于热释电红外传感器的半导体封装结构件及其制造方法和传感器
59、用于热释电红外传感器的半导体封装结构件及其传感器
60、传感器装置及半导体传感元件的安装方法
61、在功率半导体中用于电流传感器的半导体布置
62、半导体物理量传感器
63、照度传感器、使用该照度传感器的电子设备及半导体装置
64、半导体加工工艺传感器及表征半导体加工工艺的方法
65、一种非晶系氧化物半导体的光传感器装置与其制作方法
66、半导体氧化物电信号圆盘传感器
67、半导体氧化物超细纳米粒子在催化发光传感器中的应用及其制备方法
68、半导体热电偶和传感器
69、一种用于声表面波传感器的半导体薄膜的成膜方法
70、一种基于链霉亲和素功能化半导体纳米材料的肿瘤标志物电化学免疫传感器及其制备方法
71、半导体气体传感器
72、半导体气体传感器
73、半导体气体传感器
74、半导体气体传感器
75、半导体气体传感器
76、半导体气体传感器及其制备方法
77、基于半导体的霍尔传感器
78、一种半导体电阻式气体传感器及其制备方法
79、半导体紫外探测传感器及其制备方法
80、提高半导体一氧化碳气体传感器测量精度的方法
81、半导体装置、应变仪、压力传感器及半导体装置的制造方法
82、半导体压力传感器以及半导体压力传感器的制造方法
83、一种双参数、高灵敏度的有机小分子半导体薄膜磁性传感器
84、半导体压力传感器及其制造方法
85、半导体温度传感器
86、半导体磁敏传感器特性演示仪
87、半导体气体传感器及其制造方法
88、一种半导体硅应变片传感器的检测设备
89、功率半导体模块和用于制造与温度传感器一起烧结的功率半导体模块的方法
90、温度补偿半导体气敏传感器
91、具有半导体光源和至少一个传感器的发光装置
92、包括图像传感器的设备、半导体装置及其制造方法
93、半导体装置以及使用其的图像传感器封装
94、一种半导体微纳单晶气敏传感器测试系统
95、半导体元件、光学传感器装置和半导体元件制造方法
96、半导体气体传感器
97、具有集成霍尔传感器的半导体装置
98、带有无线SAW温度传感器的功率半导体模块
99、最小化热噪声的半导体传感器件
100、半导体装置和温度传感器系统
101、基于可见光范围的半导体纳米线的光传感器及其制造方法
102、基于可见光范围的半导体纳米线的光传感器及其制造方法
103、半导体薄膜、气体传感器及其制作方法
104、半导体压力传感器、压力传感器装置、电子设备以及半导体压力传感器的制造方法
105、一种光电传感器半导体制冷装置
106、半导体器件和传感器系统
107、半导体温度传感器
108、双光路半导体吸收型光纤温度传感器
109、一种基于频谱分析的半导体吸收式温度传感器
110、金属氧化物半导体图像传感器
111、互补金属氧化物半导体影像传感器测试辅助装置
112、半导体传感器装置的壳体及其制造方法
113、具有半导体元件的传感器矩阵
114、半导体受光元件和照度传感器
115、氧化物半导体常温氧传感器
116、半导体气敏传感器的定向纳米纤维化三维立体叉指电极的制作方法
117、一种基于波长检测的半导体光纤温度传感器
118、一种半导体光纤温度传感器的探头装置
119、一种基于波长检测的半导体光纤温度传感器
120、用于金属氧化物半导体式传感器银电极和电阻的制备方法
121、半导体压力传感器及其制造方法
122、单光路半导体吸收型光纤温度传感器
123、单光路半导体吸收型光纤温度传感器
124、可集成的非晶态金属氧化物半导体气体传感器
125、具有包含碳纳米管或半导体纳米线的复合隔膜的传感器
126、半导体压力传感器及其制造方法
127、一种改进型半导体光纤温度传感器
128、互补式金属氧化物半导体影像传感器制造方法与制造系统
129、半导体磁性传感器
130、室温锑化铟红外传感器的半导体制冷装置
131、压力传感器及半导体装置
132、半导体气体传感器
133、一种半导体气体传感器
134、半导体气体传感器及其多种气体检测方法
135、半导体气体传感器及其温度补偿方法
136、半导体生物传感器及其制造方法
137、霍尔效应电流传感器系统、半导体倒装器件和引线框架结构
138、半导体压力传感器
139、耦合到微制造生物分子传感器的扫频半导体激光器及与其相关的方法
140、半导体存储器件的晶粒上热传感器
141、半导体压力传感器及其制造方法
142、微机电半导体器件传感器
143、半导体温度传感器特性演示仪
144、一种半导体集成芯片式压力传感器模块校准装置
145、图像传感器及半导体制造工艺
146、金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板
147、大流量全半导体新型尘埃粒子计数器的光学传感器
148、固态噪声抑制电路及互补金属氧化物半导体图像传感器
149、像素传感器结构以及半导体结构的制造方法
150、半导体压力传感器及其制造方法、半导体装置和电子设备
51、焊料电路板的制造方法
52、焊料电路板的制造方法
53、一种具有断差结构的电路板的制作方法
54、利用激光形成电路板的盲孔的方法
55、具有辨识码的电路板及其制法
56、粘接膜、使用了该粘接膜的多层印制电路板、及该多层印制电路板的制造方法
57、叠置的多层电路板
58、电路板的制造方法
59、制造焊接电路板的方法
60、电子装置的电路板固定结构
61、热辐射印刷电路板及其制造方法、包括该热辐射印刷电路板的背光单元和液晶显示设备
62、改善印刷电路板上的电路之间的隔离的方法
63、一种隔离开关的印刷电路板固定装置
64、聚酯基材用树脂组合物、使用其的干膜以及印刷电路板
65、抗静电模块及具有该抗静电模块的电路板
66、优化的印刷电路板
67、自动调整平行度的软式印刷电路板假接治具
68、一种柔性印刷电路板的折弯装置
69、工具机钻设电路板槽孔的方法
70、覆铜层压板及其制备方法和包括该覆铜层压板的印刷电路板
71、由多个印刷电路板区域组成的印刷电路板及制造方法
72、电池座及具有此电池座的电路板
73、印刷电路板和印刷电路板的制造方法
74、印刷电路板的连接部件及连接结构
75、印刷电路板的连接部件及连接结构
76、改进的电路板切割机结构
77、制备光电混合电路板的方法
78、一种印刷电路板远场辐射限制的判断方法
79、抗压力线性电路板的制造方法及其制成品
80、一种配置电容的方法、电子设备及印刷电路板
81、嵌入式印刷电路板、多层印刷电路板以及它们的制造方法
82、用于精细电路形成的印刷电路板的制造方法
83、电子电路板的制造方法
84、在装配电路板时对产品变换进行识别的方法
85、接纳电子模块的适配器框架和框架及附着到电路板的框架
86、具有散热性能的多层电路板及其制作方法
87、布锡于印刷电路板用的固定框及组合式固定装置
88、布锡于印刷电路板用的网板
89、焊点应力削减结构以及包括所述结构的印刷电路板
90、各向异性导电片及其制造方法和用于电路板的检查设备
91、制造印刷电路板的方法
92、电路板的容纳盒
93、多层印刷电路板的制造方法和基板保持具以及遮挡板
94、印刷电路板、印刷电路板的制造方法以及电子设备
95、用于改善电子部件特别是印刷电路板的印制导线的抗蚀性的方法
96、用于测试电路板的设备和方法以及用于该设备和方法的测试探头
97、用于制造印刷电路板的方法及其应用以及印刷电路板
98、埋入片式器件的印刷电路板及其制造方法
99、软硬电路板的夹持框架
100、印刷电路板用的基材
151、光传感器、半导体器件和液晶面板
152、光传感器、半导体器件和液晶面板
153、光传感器、半导体器件和液晶面板
154、一种半导体器件的选择性刻蚀方法及BSI图像传感器制作方法
155、带有多种检测传感器和保护装置的半导体激光器模块
156、带有多种检测传感器和保护装置的半导体激光器模块
157、一种半导体反射型光纤温度传感器
158、具有改良性能的大型互补金属氧化物半导体图像传感器像素
159、半导体器件、温度传感器和制造半导体器件的方法
160、判别人体与触摸式电极有无接触的半导体器件和触摸式传感器
161、具有半导体压力测量换能器的压力传感器
162、半导体温度传感器
163、半导体光传感器装置
164、半导体光传感器
165、半导体压力传感器及其制造方法
166、半导体压力传感器及其制造方法
167、半导体封装，制造半导体封装的方法，以及用于图像传感器的半导体封装模块
168、用于维持微细结构体的结构体、半导体装置、TFT驱动电路、面板、显示器、传感器及它们的制造方法
169、半导体压阻式传感器及其操作方法
170、静电电容式半导体物理量传感器及其制造方法
171、半导体反射型光纤温度传感器及其传感装置
172、一种半导体反射型光纤温度传感器及其传感装置
173、光半导体封装及其制造方法、具有该封装的光电传感器
174、一种半导体臭氧传感器测量电路
175、一种半导体臭氧传感器测量电路
176、具有温度传感器的功率半导体模块
177、具有外围沟槽电容器的互补金属氧化物半导体图像传感器
178、互补金属氧化物半导体图像传感器
179、半导体受光器与UV传感器设备
180、半导体基板及其制造方法、制造半导体器件的方法以及制造图像传感器的方法
181、半导体应变传感器
182、基于N型金属氧化物半导体管结构的微电场传感器
183、基于P型金属氧化物半导体管结构的微电场传感器
184、利用有机涂层制造半导体图象传感器的方法
185、传感器半导体装置及其制法
186、利用半导体化合物的NO检测以及检测NO的传感器和器件
187、检测半导体动态量传感器的方法
188、互补式金氧半导体影像传感器的制作方法
189、频率传感器和半导体装置
190、化合物半导体图像传感器
191、半导体电化学传感器
192、半导体光传感器及携带式终端
193、电流传感器、逆变器电路以及具有其的半导体器件
194、电流传感器、逆变器电路以及具有其的半导体器件
195、互补金属氧化物半导体技术中的线性图像传感器
196、利用半导体基板的力传感器
197、用于封闭式半导体器件模块的光学传感器系统和检测方法
198、气敏层含有机异质结的有机半导体气体传感器
199、一种气敏层采用弱外延有机半导体薄膜气体传感器
201、垂直滤色片传感器组及其制造所用的半导体集成电路制造方法
202、垂直滤色片传感器组及其制造所用的半导体集成电路制造方法
203、用于半导体器件和系统的电流传感器
204、半导体传感器件及其制造方法
205、制作互补型金属氧化物半导体图像传感器的方法
206、制造半导体构件的方法和半导体构件尤其是薄膜传感器
207、半导体光电传感器
208、互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法
209、包括多位存储单元和温度收支传感器的半导体器件
210、一种三层结构的半导体光电角度传感器
211、湿度传感器及包括其的半导体装置
212、一种互补式金属氧化层半导体磁传感器
213、互补型金属氧化物半导体图像传感器的制造方法
214、互补式金属氧化物半导体图像传感器
215、半导体器件、磁传感器及物理量传感器
216、一种半导体臭氧传感器温度补偿电路及其补偿方法
217、互补式金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法
218、利用旋转对称式广角透镜获得复合图像的方法及其成像系统以及以硬件方式进行图像处理的互补金属氧化物半导体图像传感器
219、具有两个半导体层的像素、图像传感器及图像处理系统
220、半导体力学量传感器
221、半导体化学传感器
222、直热式半导体酒精传感器
223、半导体图像传感器模块及其制造方法
224、半导体图像传感器模块及其制造方法
225、半导体图像传感器模块及其制造方法
226、半导体感光器件所用图像传感器及使用它的图像处理装置
227、半导体压力传感器及其制造方法
228、基于半导体激光器跳模特性的气体测量方法及其传感器
229、半导体器件、其制作方法以及固态图像传感器件
230、一种半导体激光内腔光微流生物传感器
231、半导体激光内腔光微流生物传感器
232、半导体热电偶型微波功率传感器
233、红外响应改进的多层半导体基体以及其上形成的图像传感器
234、基于一维半导体纳米结构的光电传感器及其制作方法
235、半导体晶片载体映射传感器
236、半导体动态量传感器
237、具有气隙的浅沟槽隔离结构、采用该浅沟槽隔离结构的互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法
238、半导体图像传感器模块及制备方法、相机及其制备方法
239、半导体装置、磁传感器和磁传感器单元
240、半导体装置、磁传感器和磁传感器单元
241、互补式金属氧化物半导体图像传感器及其制作方法
242、互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法
243、半导体加速度传感器装置及其制造方法
244、电流放大的对数极式互补金氧半导体影像传感器
245、可消除像素噪声的对数极式互补式金氧半导体影像传感器
246、互补式金属氧化物半导体图像传感器的布局结构
247、制造适合于图象传感器的半导体装置的方法
248、互补式金属半导体影像传感器的结构及其制造方法
251、基于原位传感器的半导体处理工序控制
252、基于原位传感器的半导体处理工序控制
253、半导体加速度传感器
254、半导体加速度传感器
255、用半导体工艺制作平面式气体传感器基底的方法
256、半导体设备和温度传感器电路校准方法
257、光激活纳米氧化物半导体气敏传感器
258、半导体基图像传感器
259、互补金属氧化物半导体图像传感器的自动曝光控制方法
260、自适应互补金属氧化物半导体图像传感器读出电路系统
261、CMOS图像传感器及其形成方法、半导体器件形成方法
262、CMOS图像传感器及其形成方法、半导体器件形成方法
263、CMOS图像传感器及其形成方法、半导体器件形成方法
264、用于分立功率半导体器件的共源共栅电流传感器
265、包括具有受限电流密度的氧化钒传感器元件的半导体器件
266、半导体图像传感器IC的制造方法
267、电容性动态量传感器和半导体器件
268、半导体加速度传感器件及其生产方法
269、采用掺杂半导体层作为布线的半导体加速度传感器
270、用于图像传感器的半导体器件
271、互补金属氧化物半导体图像传感器的数字图像处理方法及装置
272、一种交叉敏感自抑制的一器二元半导体气体传感器系统
273、互补型金属氧化物半导体图像传感器的制造方法
274、互补型金属氧化物半导体图像传感器的制造方法
275、半导体式气体传感器及其制造方法
276、互补金属氧化物半导体影像传感器的制造方法
277、互补金属氧化物半导体图像传感器及其图像信号检测方法
278、互补金属氧化物半导体图像传感器像素电路及结构和操作
279、半导体加速度传感器及其制备方法
280、一种半导体温差传感器
281、互补金属氧化物半导体图像传感器及用其的图像传感方法
282、图像传感器半导体器件
283、互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法
284、半导体压力传感器
285、具有隔膜的半导体压力传感器
286、制造具有无等离子体损坏的光电二极管的互补金属氧化物半导体图像传感器的方法
287、制造具有无等离子体损坏的光电二极管的互补金属氧化物半导体图像传感器的方法
288、半导体压力传感器及其制造方法
289、象限模式互补型金属氧化物半导体摄象成象传感器
290、互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法
291、互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法
292、单片双芯或多芯半导体激光气体传感器、制作及使用方法
293、化合物半导体磁阻式光电传感器
294、半导体压力传感器
295、电容式半导体压力传感器
296、由温度传感器和时基电路构成的半导体温度计
297、一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统
298、具有小尺寸光学黑区的互补金属氧化物半导体图像传感器
299、互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法
300、薄膜类型的半导体压力传感器
301、互补金属氧化物半导体图像传感器的噪声补偿模数转换器
302、互补金属氧化物半导体图像传感器的噪声补偿模数转换器
303、平板夹心结构的半导体式气体传感器及其制造方法
304、互补金属氧化物半导体图像传感器的像素
305、具有图像传感器的半导体器件和这种器件的制造方法
306、半导体霍尔传感器
307、一种半导体压力传感器
308、互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法
309、互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法
310、互补金属氧化物半导体图像传感器
311、互补金属氧化物半导体图像传感器和相关的操作方法
312、互补金属氧化物半导体图像传感器及其操作方法
313、互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法
314、半导体图象传感器及其制造方法
315、半导体图象传感器的结构及其制造方法
316、用于半导体基化学传感器的红外热成象筛选技术
317、互补金属氧化物半导体图像传感器
318、互补金属氧化物半导体图像传感器
319、互补金属氧化物半导体图像传感器
320、半导体激光自混频干涉式传感器
321、一种采用Z－元件的半导体三端传感器
322、以半导体激光二极管为光源的光电传感器
323、互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法
324、互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法
325、互补金属氧化物半导体图像传感器模块及其制造工艺
326、互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块
327、形成在半导体基片上的磁传感器
328、具有壳体的半导体气体传感器和测量气体浓度的方法
329、半导体激光驱动电路及光电传感器
330、单片彩色金属氧化物半导体图像传感器及相邻行读出方法
331、半导体器件、温度传感器和包括该温度传感器的电子设备
332、半导体型三轴加速度传感器
333、互补金属氧化物半导体图像传感器件的结构及其制造方法
334、锑－铟系化合物半导体磁阻式电流传感器
335、锑－铟系化合物半导体磁阻式电流传感器及电流传感方法
336、半导体压力传感器及其制造方法
337、互补金属氧化物半导体图像传感器
338、互补型金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法
339、半导体混成传感器
340、互补金属氧化物半导体图像传感器
341、半导体器件的制造方法以及加速度传感器
342、半导体压力传感器
343、半导体臭氧传感器
344、减小了传感器板弯曲的半导体加速计
345、一种互补金属氧化物半导体图像传感器及其驱动方法
346、批量生产的半导体薄膜压力传感器及其制造方法
347、具有双复位系统的金属氧化物半导体型放大图象传感器
348、半导体集成电容性加速度传感器及其制造方法
349、半导体加速度传感器的制造方法
350、使用半导体气体传感器检测气体的装置和方法
351、半导体加速度传感器
352、半导体加速度传感器
353、半导体加速度传感器
354、半导体加速度传感器
355、光二极管互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法
356、半导体电阻应变称重传感器
357、带光检部的面发光半导体激光器及制造法和用它的传感器
358、面发光半导体激光器的制造方法及采用该激光器的传感器
359、半导体压力传感器及其制造方法
360、有机半导体图像传感器
361、半导体加速度传感器
362、半导体加速度传感器
363、高稳定半导体氢敏传感器
364、半导体压力传感器
365、线性半导体结型温度传感器
366、偶对称组合半导体结型温度传感器
367、高稳定性节能型半导体气敏传感器
368、热稳定半导体式气体传感器
369、半导体钾离子传感器
370、半导体钙离子传感器
371、梁膜结构的半导体压力传感器
