1、溅射靶用铜合金制热轧板及溅射靶
[简介]： 一种对通过连续铸造法所铸造的铸块进行热轧而成的热轧板，本技术的热轧板由含有0.5～10.0原子％的Ca且剩余部分由Cu及不可避免的杂质所成的铜合金所构成，并且Cu基体中的Cu-α相结晶粒的平均粒径在5～60μm的范围内。
2、溅射靶用铜合金制热轧板及溅射靶
[简介]： 本技术提供一种Cu-Mn合金溅射靶材、Cu-Mn合金溅射靶材的制造方法以及半导体元件，该Cu-Mn合金溅射靶材能够减少由于含有高浓度的Mn、杂质的氧化物等的异物所造成的溅射时的异常放电。该Cu-Mn合金溅射靶材以含有平均浓度5原...
3、Cu-Mn合金溅射靶材、Cu-Mn合金溅射靶材的制造方法以及半导体元件
[简介]： 本技术提供：可稳定且廉价地提供Mo合金溅射靶材的制造方法以及新型的Mo合金溅射靶材，所述Mo合金溅射靶材是低电阻的，耐热性、耐湿性、与基板的密合性优异，适合为电极和布线膜的高密度、高纯度且非磁性的靶材。所述Mo合金溅射...
4、Mo合金溅射靶材的制造方法以及Mo合金溅射靶材
[简介]： 本技术提供一种高纯度铜或高纯度铜合金溅射靶，其纯度为6N以上，且P、S、O、C各成分的含量各自为1ppm以下，其特征在于，粒径0.5微米以上且20微米以下的非金属夹杂物为30000个g以下。本技术的课题在于，使用减少了有害的P、S、C、...
5、高纯度铜或高纯度铜合金溅射靶、该溅射靶的制造方法及高纯度铜或高纯度铜合金溅射膜
[简介]： 本技术提供了一种喷金工艺溅射角设置方式，包括气嘴和多个喷*，气嘴、喷*呈扇形状依次排列，气嘴与两侧的喷*之间的夹角为20-35度。本技术结构、改进简单，但是效果良好，有效的改善了喷金颗粒的均匀性和喷金层的附...
6、喷金工艺溅射角设置方式
[简介]： 本技术实施例提供了一种背金溅射方法，包括：获取晶片的厚度与分步作业次数间的第一对应关系；获取晶片的厚度与溅射设备工作功率间的第二对应关系；根据所述第一对应关系，按照与产品晶片的厚度相对应的作业次数，将整个溅射...
7、背金溅射方法
[简介]： 一种铜钛合金制溅射靶，Ti为3原子%以上且小于15原子%，剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成，其特征在于，靶的面内方向的硬度的偏差标准差为5.0以内，电阻的偏差标准差为1.0以内。本技术提供用于形成半导体用铜钛合金制布...
8、铜钛合金制溅射靶、使用该溅射靶形成的半导体布线以及具备该半导体布线的半导体元件和器件
[简介]： 在将距Al基合金或Cu基合金溅射靶的最表面1mm以内的深度的溅射面法线方向的结晶方位<001>䔳°、<011>䔳°、<111>䔳°、<112>䔳°及<012>䔳°的合计面积率设为P值时，满足下述（1）及或（2）的要件，由此可提高预溅射时以及接着...
9、Al基合金溅射靶及Cu基合金溅射靶
[简介]： 本技术制造含有碱金属的Cu-Ga合金溅射靶。对至少混合了含镓和铜的Cu-Ga合金粉末以及含碱金属的有机物的混合粉末进行烧结，制造碱金属含量为0.01～5质量％的Cu-Ga合金溅射靶。
10、Cu-Ga合金溅射靶的制造方法以及Cu-Ga合金溅射靶
[简介]： 本技术提供能够容易地制造高品质Cu－Ga合金粉末的Cu－Ga合金粉末的制造方法和Cu－Ga合金粉末、以及Cu－Ga合金溅射靶的制造方法和Cu－Ga合金溅射靶。本技术将以85：15～55：45的质量比配合Cu粉末和Ga而成的混合粉末，在非活性气体...
11、Cu－Ga合金粉末的制造方法和Cu－Ga合金粉末、以及Cu－Ga合金溅射靶的制造方法和Cu－Ga合金溅射靶
[简介]： 本技术是一种金属真空溅射装置及溅射方法，该装置包括有棒状金属靶、晶片工装，棒状金属靶的中间位置设置有平衡线圈，平衡线圈与电源连接，在通电情况下，平衡线圈产生附加电磁场，通过附加电磁场影响金属真空溅射系统中的总...
12、一种金属真空溅射装置及溅射方法
[简介]： 一种Cu-Ga合金，溅射靶、Cu-Ga合金的制造方法以及溅射靶的制造方法。包括多个相，由重量百分比至少为40％、至多为60％的镓Ga以及由铜和无法避免的杂质组成的剩余部分所构成。所述的多个相包括含有重量百分比至少为80％镓Ga...
13、Cu-Ga合金、溅射靶、Cu-Ga合金的制造方法以及溅射靶的制造方法
[简介]： 该Cu合金溅射靶含有以原子%计的Al：1～10%、Ca：0.1～2%，并含有Cu和1%以下的不可避免的杂质作为余量部分。该薄膜晶体管具有：经由密合层接合于玻璃基板的表面的栅电极层、栅绝缘层、Si半导体层、n型Si半导体层、阻挡层、由彼此分离...
14、以阻挡层为构成层的薄膜晶体管以及用于阻挡层的溅射成膜的Cu合金溅射靶
[简介]： 本技术提供了一种制备超高纯铝及超高纯铝合金溅射靶材的方法，包括以下步骤：将材料在200℃～500℃，保温24～48小时空冷至室温；铸锭放入椭圆形模具中，沿X方向进行锻压，变形量达到20%～40%；将铸锭放入圆形模具中，沿Y方向进行锻...
15、一种制备超高纯铝及超高纯铝合金溅射靶材的方法
[简介]： 本技术提供一种Ag-In合金溅射靶，该Ag-In合金溅射靶在形成由Ag-In合金构成的反射电极膜的溅射时，降低异常放电或飞溅的发生。本技术的Ag-In合金溅射靶具有含有0.1～1.5原子％的In且剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成的成分...
16、Ag-In合金溅射靶
[简介]： 本技术其技术方案是一种电子回旋共振等离子体溅射法金属薄膜的制备工艺，其特征是：利用微波ECR等离子休在室混基片上溅射沉积Ti、Au、Cu、Sn、Mo等金属薄膜。本技术的特点是：微波ECR具有等离子体密度高（10<sup>13<sup>~10<s...
17、一种新型溅射法制备金属薄膜的工艺
[简介]： 本技术提供了一种利用溅射沉积金属制备硅纳米线的方法，属于微纳加工领域。首先将（100）单晶硅片清洗、干燥后，利用离子溅射镀膜方法在硅片上沉积金属金；然后在室温下配制氢氟酸和双氧水的混合溶液，将镀金后的硅片正面朝上...
18、一种利用溅射沉积金属制备硅纳米线的方法
[简介]： 一种Cu-Ga合金溅射靶，其为包含22原子％以上且29原子％以下的Ga、其余为Cu及不可避免的杂质的、经熔炼和铸造的Cu-Ga合金溅射靶，其特征在于，具有包含ζ相与γ相的混相的共析组织，所述ζ相为Cu与Ga的金属间化合物相，并且在将所述...
19、Cu-Ga合金溅射靶及其制造方法
[简介]： 得到无裂纹、破裂、无相对密度和Ga浓度的波动的圆筒形Cu-Ga合金溅射靶材。使用热等静压法，在厚度为1.0mm以上且小于3.5mm的圆筒形的包套1中以填充密度为60％以上的方式填充Cu-Ga合金粉末或Cu-Ga合金成型体，进行热等静压，...
20、圆筒形Cu-Ga合金溅射靶材和其制造方法
[简介]： 提供一种溅射中没有裂纹的Fe-Co系合金溅射靶材。该Fe-Co系合金溅射靶材，由下式1：Fe<>X<>-Co<>100-X<><>100-Y<>M<>Y<>...1式中，原子比是0≤X≤100，4≤Y≤28，M元素含有Nb、Ta、Mo、W、Cr和V中...
21、Fe－Co系合金溅射靶材及其制造方法和软磁性薄膜层及使用了它的垂直磁记录介质
[简介]： 提供一种磁记录用软磁性合金，其以at.％比计，100FeFe Co是0～70，并且，以at.％计，含有：10～30％的A从Mo和W所构成的群中选择的一种或两种；0～5％的B从Ti、Zr和Hf所构成的群中选择的一种或两种以上；0～0.5％的C从V、Nb和Ta所...
22、磁记录用软磁性合金和溅射靶材以及磁记录介质
[简介]： 本技术提供一种Cu合金薄膜形成用溅射靶及其制造方法，其是作为液晶显示器等显示设备用电极膜等有用的Cu—Mn合金薄膜的制膜所用的溅射靶，溅射时，可减少异常粗大化的团簇粒子，微粒或飞溅的发生少。本技术的Cu合金薄膜形成用...
23、Cu合金薄膜形成用溅射靶及其制造方法
[简介]： 一种溅射靶材，包含一种氧化金属组成物，包括氧化铟、氧化锌及氧化锡，基于铟、锌及锡的原子总含量100at.%计，铟的原子含量范围为60至80at.%，锌的原子含量范围为10至25at.%，锡的原子含量范围为1至20at.%，且锌的原子含量大于...
24、溅射靶材及氧化金属薄膜
[简介]： 本技术提供一种降低晶圆破损率的薄晶圆背面金属溅射方法，该方法适用于在晶圆上生长金属层的工艺，该方法包含以下步骤：1、薄晶圆背面金属溅射工艺开始前预先对晶圆喷射反应气体，使晶圆开始缓慢升温；2、进行薄晶圆背面金属...
25、一种降低晶圆破损率的薄晶圆背面金属溅射方法
[简介]： 本技术涉及靶材生产制备领域，具体而言，涉及硫族金属化合物相变材料溅射靶材的生产方法，按配比准备金属化合物的原料；对原料进行真空熔炼处理，得到金属化合物；将金属化合物进行粉末冶金处理，得到干燥的金属化合物粉末；将...
26、硫族金属化合物相变材料溅射靶材的生产方法
[简介]： 本技术提供原子比的组成式表示为Fe<>a<>-Co<>100-a<><>100-b-c-d<>-Ta<>b<>-Nb<>c<>-M<>d<>0＜a≤80、0≤b≤10、0≤c≤15、5≤b c≤15、2≤d≤20、15≤b c d≤25，M表示选**Mo、Cr和W组成...
27、Fe-Co系合金溅射靶材及其制造方法
[简介]： 一种颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶的制造方法，其特征在于，作为原料粉末，准备含有Cr：50～70原子％、余量为Co的Cr-Co合金粉末、Pt粉末、非磁性氧化物粉末及Co粉末，将上述原料粉末配合、混合成含有非磁性氧化物...
28、颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶的制造方法、及磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶
[简介]： 本技术提供一种薄膜电阻，其含有50％～96％重量的Fe，2％～30％重量的Al，2％～20％重量的N。本技术采用较常见的Fe、Al、N作为薄膜电阻的原材料，并通过控制各成分的重量比例使得制得的薄膜电阻的电阻率覆盖范围广。相对于现有技...
29、一种薄膜电阻、溅射靶材、带电阻金属箔及制备方法
[简介]： 本技术提供一种Ag合金膜，其表现出与纯Ag膜几乎相同水平的低电阻率，且与以往的Ag合金膜相比耐久性具体而言，耐盐水性、耐卤素性及与基板的密合性优异，此外，在通过溅射法使上述Ag合金膜成膜时，溅射时的成膜速度与纯Ag一...
30、用于反射膜和或透射膜、或者用于电气布线和或电极的Ag合金膜、以及Ag合金溅射靶及Ag合金填料
[简介]： 本技术提供一种无需进行电解液的废液处理，可得到与所需粒径一致的金属氢氧化物的高效批量生产金属氢氧化物的制造方法及ITO靶的制造方法。电解槽1内设置有层压疏水性的气体扩散层20a和亲水性的反应层20b而构成的气体...
31、金属氢氧化物的制造方法及ITO溅射靶的制造方法
[简介]： 本技术涉及一种钼钨合金平面溅射靶材尤其涉及一种平面显示器用钼钨合金溅射靶材及其制备方法。所述靶材由80-96.5%钼粉和3.5-20%钨粉制成，其制备方法包括：备料-配粉-机械合金化-装模-冷等静压压制-烧结-热轧-真空退火-...
32、一种平面显示器用钼钨合金溅射靶材及其制备方法
[简介]： 本技术提供了用于在磁记录介质中使用的粘合膜层用CrTi系合金和用于溅射的靶材，以及使用该合金的垂直磁记录介质。该合金是一种CrTi系合金，其具有按原子比计由Cr，Mo，W<>x<>Ti，Ta，Zr<>100-X<>，40≤X≤70表...
33、用于在磁记录介质中使用的粘合膜层用CrTi系合金，使用其获得的用于溅射的靶材和垂直磁记录介质
[简介]： 本技术提供了一种利用铜铟镓硒合金溅射靶材生产铜铟镓硒薄膜的方法，包括以下步骤：以铜铟镓硒合金作为靶材在基底上溅射形成第一贫铜层；以铜铟镓硒合金作为靶材在第一贫铜层上溅射形成富铜层；以铜铟镓硒合金作为靶材在富...
34、一种利用铜铟镓硒合金溅射靶材生产铜铟镓硒薄膜的方法
[简介]： 本技术提供了一种利用铜铟镓硒合金旋转溅射靶材生产铜铟镓硒薄膜的方法，包括以下步骤：以铜铟镓硒合金旋转溅射靶材作为靶材在基底上溅射形成第一贫铜层；以铜铟镓硒合金旋转溅射靶材作为靶材在第一贫铜层上溅射形成富铜...
35、一种利用铜铟镓硒合金旋转溅射靶材生产铜铟镓硒薄膜的方法
[简介]： 一种溅射靶材，包含铟、第一金属、第二金属，及氧，基于铟、第一金属及第二金属的原子总含量以100at.%计，铟的原子含量范围为10至20at.%，第一金属的原子含量范围为60至80at.%，第二金属的原子含量范围为10至20at.%，其中，第一金...
36、溅射靶材及导电金属氧化物薄膜
[简介]： 本技术提供了一种表面溅射铁离子膜的医用可降解镁合金材料，该医用可降解镁合金材料为用纯镁和镁合金材料，以压铸、锻造，或是机械加工方式获得的骨钉、骨板或骨支架，在其表面通过磁控溅射机溅射出一层铁离子膜。本技术还提...
37、表面溅射铁离子膜的医用可降解镁合金材料及制备工艺
[简介]： 本技术提供一种溅射用铜铟合金靶材，其中，铜的质量百分比含量为37.0~45.5％，铟的质量百分比含量为54.5~63.0%。本技术还提供上述溅射用铜铟合金靶材的制备方法，其包括以下步骤：（1）配料；（2）冶炼；（3）定向凝固；（4）切割；（5）热...
38、一种溅射用铜铟合金靶材及其制备方法
[简介]： 提供一种在磁性记录介质中使用的并且具有低饱和磁通密度的软磁性膜层用合金和溅射靶材料。所述合金包含选**Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Ni、Cu、Al、B、C、Si、P、Zn、Ga、Ge和Sn组成的组中的一种或多种，以及余量的Co和Fe；...
39、具有低饱和磁通密度并且用于磁性记录介质的软磁性膜层用合金以及溅射靶材料
[简介]： 一种以冷喷涂方法制备的难熔金属旋转溅射靶材，采用冷喷涂方法制备难熔金属旋转溅射靶材，基管为不锈钢管，喷涂用难熔金属粉纯度≥99.95%，粒度：150～500目，冷喷涂喷嘴进口处工作气压力为2～3Mpa，温度300～500℃；工作气加热到5...
40、一种以冷喷涂方法制备的难熔金属旋转溅射靶材
[简介]： 本技术提供了一种钼钠合金旋转溅射管形靶材的制备工艺，包括如下步骤：1）备料：所用粉末为钼粉、钼酸钠粉末；粉末的物理性质为：钼粉的Mo含量≥99.95%，粒度3~5μm；钼酸钠粉，钼酸钠含量≥99.0%，粒度20~40μmμm；2）配粉：将钼粉、钼酸...
41、一种钼钠合金旋转溅射管形靶材的制备工艺
[简介]： 一种高纯度铜铬合金溅射靶，其含有0.1～10重量％的Cr，其余为Cu和不可避免的杂质，其特征在于，在该靶表面中，对随机选择的5处100μm见方范围的Cr析出粒子数进行计数，计数的Cr析出粒子最多的部位与最少的部位的计数之差小于40...
42、高纯度铜铬合金溅射靶
[简介]： 一种高纯度铜锰合金溅射靶，其含有0.05～20重量％的Mn，除添加元素以外，其余部分为Cu和不可避免的杂质，该靶的特征在于，含有0.001～0.06重量ppm的P和0.005～5重量ppm的S，并且，还含有Ca和Si，且P、S、Ca、Si的合计量为0.01～20重量...
43、高纯度铜锰合金溅射靶
[简介]： 本技术提供一种溅射用铜镓合金靶材，其中，铜的质量百分比含量为38.0~68.0%，镓的质量百分比含量为32.0~62.0%。本技术还提供上述溅射用铜镓合金靶材的制备方法，其包括以下步骤：（1）配料；（2）冶炼；（3）定向凝固；（4）切割；（5）热...
44、一种溅射用铜镓合金靶材及其制备方法
[简介]： 本技术提供一种耐氧化性和密接性优异，电阻小触摸屏传感器用Cu合金配线膜。触摸屏传感器用Cu合金配线膜，含有从Ni、Zn和Mn所构成的群中选择的合金元素的至少一种，合计量0.1～40原子％含，余量是Cu和不可避免的杂质。另外触摸屏...
45、触摸屏传感器用Cu合金配线膜及其制造方法和触摸屏传感器及溅射靶
[简介]： 本技术涉及真空离子溅射金属镀膜电极领域，具体涉及一种真空离子溅射金属铋膜电极的制备方法、电极及应用。本技术方法按顺序包括如下步骤：1真空溅射金属靶材的制备：将金属铋或金属铋合金加工成直径55-57mm，厚度0.5-3mm...
46、一种真空离子溅射金属铋膜电极的制备方法、电极及应用
[简介]： 本技术提供了一种用于垂直磁记录介质的软磁性合金，其在室温展现低饱和磁通密度，并且具有在高温小的饱和磁通密度下降。该合金包含，按原子％计，Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Ni、Cu、Al、B、C、Si、P、Zn、Ga、Ge和Sn中的一种或两种...
47、在垂直磁记录介质上的软磁性薄膜层中使用的合金，溅射靶材，以及具有软磁性薄膜层的垂直磁记录介质
[简介]： 本技术提供了一种用于垂直磁记录介质的软磁性合金，相对于室温的饱和磁通密度，其在高温具有高饱和磁通密度。该合金包含按原子％计的：一种或多种具有57至71的原子数的镧系元素；Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta和B中的一种或两种以上，或...
48、在垂直磁记录介质上的软磁性薄膜层中使用的合金，溅射靶材，以及具有软磁性薄膜层的垂直磁记录介质
[简介]： 一种高纯度铜锰合金溅射靶，含有0.05～20重量%的Mn，剩余部分为Cu和不可避免的杂质，其特征在于，该靶的Mn浓度的面内波动CV值为3%以下。这样，通过向铜中添加适当量的Mn元素并且减小溅射靶的面内波动，能够形成均匀性优良的...
49、高纯度铜锰合金溅射靶
[简介]： 一种高纯度铜锰合金溅射靶，含有0.05～20重量%的Mn，C为2重量ppm以下，剩余部分为Cu和不可避免的杂质，其特征在于，溅射该靶而在晶片上成膜时，C、或者选自Mn、Si、Mg中的至少一种元素、或者包含C和选自Mn、Si、Mg中的至少一种元素...
50、高纯度铜锰合金溅射靶
[简介]： 一种高纯度镧，其特征在于，除稀土元素和气体成分以外的纯度为5N以上，α射线计数为0.001cphcm2以下。一种高纯度镧的制造方法，其特征在于，将除气体成分以外的纯度为4N以下的粗镧金属的原料在450～700℃的浴温下进行熔盐电解...
51、垂直磁记录介质中的软磁性薄膜层用合金和溅射靶材
52、垂直磁记录介质中的软磁性薄膜层用合金和溅射靶材
53、金属铝硅铜溅射工艺方法
54、真空溅射多层金属电极圆片瓷介电容器及其制备方法
55、Cu-Ga合金溅射靶及其制造方法
56、溅射靶制造用焊接合金及使用其制造的溅射靶
57、Co-Cr-Pt-B型合金溅射靶及其制造方法
58、一种真空离子溅射光纤镀钯合金装置
59、一种真空离子溅射光纤镀钯合金装置
60、导电性膜形成用银合金溅射靶及其制造方法
61、导电性膜形成用银合金溅射靶及其制造方法
62、Fe-Al型合金溅射靶
63、金属溅射膜与利用其的金属粉末
64、显示装置或半导体装置用Al合金膜、具备Al合金膜的显示装置或半导体装置、以及溅射靶
65、Cu-Mn合金溅射靶材、使用其的薄膜晶体管配线以及薄膜晶体管
66、导电性膜形成用银合金溅射靶及其制造方法
67、磁记录用软磁性合金、溅射靶材及磁记录介质
68、高纯度镧的制造方法、高纯度镧、包含高纯度镧的溅射靶和以高纯度镧为主要成分的金属栅膜
69、高纯度镧的制造方法、高纯度镧、包含高纯度镧的溅射靶和以高纯度镧为主要成分的金属栅膜
70、一种双面溅射金属层减小硅圆片翘曲的结构
71、柔性金属基底双靶共溅射连续镀制梯度金属陶瓷膜层方法
72、Al合金膜、具有Al合金膜的配线结构以及Al合金膜的制造中使用的溅射靶
73、磁记录介质的籽晶层用合金及溅射靶材
74、一种真空溅射镀膜用硅铝合金中空旋转靶材的制备方法
75、高纯度镧的制造方法、高纯度镧、包含高纯度镧的溅射靶和以高纯度镧作为主要成分的金属栅膜
76、一种溅射靶材用钼铌合金板的制备方法
77、磁记录用软磁性合金、溅射靶材及磁记录介质
78、翻新含有铜和铟的合金溅射靶
79、将溅射源和偏压功率频率施加到工件上的金属等离子体汽相沉积和再溅射的设备
80、Al基合金溅射钯及其制造方法
81、借助于阴极溅射用合金涂覆基材
82、一种金属电阻膜用Ni-Cr-Si溅射靶材的制造方法
83、一种银合金溅射靶的制造方法
84、热等静压生产平板显示器用钼合金溅射靶材的方法
85、一种无铜环保镜合金溅射专用靶材
86、预防物理气相沉积溅射工艺过程中金属靶材被击穿的方法
87、氧化物陶瓷溅射靶及其制备方法和所用的钎焊合金
88、一种氧化物陶瓷溅射靶及其制备方法和所用的钎焊合金
89、光伏吸收层溅射镀膜的铜镓合金旋转靶材及制备方法
90、磁记录介质用软磁性合金、溅射靶材以及磁记录介质
91、CrTi系合金及溅射用靶材、垂直磁记录介质、以及它们的制造方法
92、Cu－Ga合金以及Cu－Ga合金溅射靶
93、Al基合金溅射靶
94、半导体及太阳能溅射靶材行业用钨钛合金靶材的制备方法
95、镍合金溅射靶、Ni合金薄膜及镍硅化物膜
96、Cu-In-Ga-Se四元合金溅射靶
97、金属混合真空溅射合金靶材材料及其制作方法及用途
98、Al基合金溅射靶
99、Al基合金溅射靶
100、一种FeCoTaZr系合金溅射靶材及其制造方法
101、溅射靶材用钨钛合金板的制备方法
102、溅射靶材用钨钛合金板的制备方法
103、在Co或Co合金相中分散有氧化物相的溅射靶、包含Co或Co合金相和氧化物相的磁性体薄膜及使用该磁性体薄膜的磁记录介质
104、热辅助记录用磁记录介质所使用的Ag合金热扩散控制膜和热辅助记录用磁记录介质、溅射靶
105、金属溅射的单丝或多丝HPPE纱线
106、金属氧化物-金属复合溅射靶
107、AI基合金溅射靶
108、Al基合金溅射靶
109、光记录介质用铝合金反射膜以及用于形成该反射膜的溅射靶材
110、Cu-In-Ga-Se四元合金溅射靶
111、包含Cu-Ga合金的溅射靶的制造方法
112、铝合金反射膜、反射膜层叠体及汽车用灯具、照明设备以及铝合金溅射靶
113、一种光刻套准标记的保护装置及金属溅射工艺方法
114、用于垂直磁记录介质中软磁性膜层的CoFeNi-系合金和溅射靶材料
115、Cu-Ga合金溅射靶及其制造方法
116、镍合金溅射靶及镍硅化物膜
117、高纯度铒的制造方法、高纯度铒、包含高纯度铒的溅射靶以及以高纯度铒为主要成分的金属栅膜
118、防止铝合金溅射沉积时粘片的方法
119、铜或铜合金溅射靶材包装件
120、铝或铝合金溅射靶材包装件
121、铜或铜合金溅射靶材的清洗方法
122、铝或铝合金溅射靶材的清洗方法
123、显示装置用Al合金膜、显示装置和溅射靶
124、由一种硅基合金制造一种溅射靶的方法、溅射靶及其应用
125、用于光伏应用的硫属元素化物合金溅射靶及其制造方法
126、显示装置、其所使用的Cu合金膜和Cu合金溅射靶
127、用于在垂直磁记录介质中的软磁膜层的合金溅射靶材及其制备方法
128、A1基合金溅射靶材的制造方法
129、高磁通量的钴铁基合金磁性溅射靶材及其制造方法
130、溅射设备及制造金属化结构的方法
131、Al-基合金溅射靶及其制造方法
132、Al-Ni-La-Cu系Al-基合金溅射靶及其制造方法
133、一次离子束轰击溅射发射极预挂液态金属的方法
134、金属系溅射靶材
135、ZnO基粉末-金属复合溅射靶材及其制备方法
136、一种由纯金属拼接的平面溅射靶
137、一种由纯金属拼接的平面溅射靶
138、高稳定高精度高阻值金属膜电阻器及其溅射镀膜工艺方法
139、用在塑材上溅射金属中定位的夹具
140、一种溅射镀膜用高硅含量硅铝合金靶材及其制备方法
141、高纯度镧、包含高纯度镧的溅射靶以及以高纯度镧为主成分的金属栅膜
142、高纯度镧、包含高纯度镧的溅射靶以及以高纯度镧为主成分的金属栅膜
143、由高熔点金属合金、高熔点金属硅化物、高熔点金属碳化物、高熔点金属氮化物或高熔点金属硼化物这些难烧结物质构成的靶及其制造方法以及该溅射靶-背衬板组件及其制造方法
144、Ag-基合金溅射靶
145、多孔叠层金属或合金溅射靶材的制备方法
146、Ag基合金溅射靶及其制造方法
147、Al-Ni-La-Si体系Al-基合金溅射靶及其制备方法
148、具有均匀无序晶体学取向的细晶无带的难熔金属溅射靶、薄膜制备方法及基于薄膜的器件和由器件制造的产品
149、溅射金属膜机台
150、Al-Ni-B系合金溅射靶材
151、高密度难熔金属和合金溅射靶
152、高密度难熔金属和合金溅射靶
153、通过微波烧结制备高密度陶瓷和金属陶瓷溅射靶
154、金属溅射低温制备结晶TiO2膜的方法
155、超高纯NiPt合金和包括该合金的溅射靶
156、脆性金属合金溅射靶及其制造方法
157、显示装置用Al合金膜、显示装置以及溅射靶材
158、特别用于溅射靶、管状阴极等的制造的基于铜-铟-镓合金的镀膜材料
159、Al-Ni-La体系Al-基合金溅射靶及其制备方法
160、AI-基合金溅射靶及其制备方法
161、Co—Fe—Zr系合金溅射靶材及其制造方法
162、溅射靶、溅射反应器、形成铸锭及形成金属体的方法
163、溅射靶、溅射反应器、形成铸锭及形成金属体的方法
164、Sb-Te基合金烧结体溅射靶
165、Cu-Mn合金溅射靶及半导体布线
166、表面溅射有Ti-Ta-C-O复合膜的医用TiNi形状记忆合金及其制备方法
167、作为用于垂直磁记录的溅射靶的具有或不具有氧化物的Ni-X、Ni-Y和Ni-X-Y合金
168、含有高熔点金属的烧结体溅射靶
169、光记录介质用半透明反射膜和反射膜、以及用于形成这些半透明反射膜和反射膜的Ag合金溅射靶
170、光记录介质用半透明反射膜和反射膜、以及用于形成这些半透明反射膜和反射膜的Ag合金溅射靶
171、具有高各向异性合金和氧化物化合物的组合物的磁介质和溅射靶
172、一种采用共溅射沉积法制备碲化铋合金薄膜的方法
173、多组分合金溅射靶及其制备方法
174、光学信息记录介质用银合金反射膜为此的银合金溅射靶和光学信息记录介质
175、光学信息记录介质用银合金反射膜为此的银合金溅射靶以及光学信息记录介质
176、磁介质中的软磁衬层和基于软磁合金的溅射靶
177、微粒发生少的含Mn铜合金溅射靶
178、钌合金磁介质和溅射靶
179、高纯度Ru合金靶及其制造方法以及溅射膜
180、光学信息记录介质的银合金反射膜所用的银合金溅射靶和光学信息记录介质
181、钌合金溅射靶
182、光记录介质、溅射靶和偶氮金属螯合物染料
183、光盘及Cu合金记录层用溅射靶
184、使用基于钽合金的溅射靶的增强晶种层的淀积
185、增强的含氧化物溅射靶合金组合物
186、金属双层结构体及其制造方法以及使用该方法的溅射靶材的再生方法
187、AI-Ni-稀土类元素合金溅射靶
188、溅射蚀刻金属层所用窗口保护器
189、铜合金薄膜、铜合金溅射靶和平板显示器
190、烧结用Sb-Te系合金粉末及其制造方法和烧结该粉末得到的烧结体溅射靶
191、增强型溅射靶合金成分
192、用于制造金属玻璃膜的溅射靶及其制造方法
193、用于溅射铝-钕合金的组合件
194、含碳的溅射靶合金组合物
195、含多组分氧化物的增强的溅射靶合金组合物
196、Sb-Te系合金烧结体溅射靶
197、银合金反射膜、溅射目标及使用该膜的光学信息记录介质
198、增强的溅射靶合金组合物
199、可变式四磁控管阵列，特别适用于多步骤工艺以在溅射反应器中形成金属阻挡层
200、织构化晶粒粉末冶金钽溅射靶
251、溅射玻璃镀膜用镍基变形合金靶材
252、溅射玻璃镀膜用镍基变形合金靶材
253、一种生长具有金字塔形貌特征的钴薄膜的磁控溅射方法
254、铝或铝合金溅射靶
255、一种离子束溅射法制备金黄色装饰薄膜的方法及薄膜
256、一种防止微波反应溅射台靶中毒的金属靶装置
257、离子溅射渗金属工艺
258、一种提高磁控溅射工艺制备金属薄膜与基底结合力的方法
259、掺杂类金刚石涂层的多离子束溅射沉积技术
260、真空磁控溅射贵金属薄膜镀制设备
261、一种中频反应磁控溅射铟锡合金靶
262、一种在钛合金表面磁控溅射TiMo薄膜的制备方法
263、一种纯铜表面磁控溅射制备耐磨抗电蚀合金层的方法
264、磁控溅射金属银镀覆纺织面料形成图案的方法
265、镁合金表面磁控溅射铝钛复合涂层及其工艺方法
266、磁光合金溅射靶
267、耐久的溅射金属氧化物镀层
268、耐久的溅射金属氧化物镀层
269、一种用于贵重金属镀膜的磁控溅射靶
270、用射频磁控溅射法在金属托槽表面附着掺氮TiO2-xNx薄膜的方法
271、一种在镁合金表面磁控溅射TiN薄膜的工艺
272、高功率磁控溅射对穿硅通孔金属化的应用
273、溅射靶用镍基镍铜铬锰系电阻合金
274、溅射法沉积难熔金属碳化物纳米晶
275、铝合金减摩层软锡相颗粒更细的PVD轴瓦磁控溅射工艺
276、一种磁控溅射Co-Cr-Ta合金靶的制造方法
277、一种磁控溅射Fe-Co合金靶的制造方法
278、金属基抗菌贴片及其采用磁控溅射法制预成型体的工艺
279、一种冷却金属镓靶中频孪生磁控溅射装置
280、金属带材的磁控溅射真空抛光的方法和设备
281、金属带材的磁控溅射真空抛光的方法和设备
282、铝基绝缘氧化磁控溅射金属化电路板
283、铝基板磁控溅射金属化电路板及LED照明器件
284、一种磁控溅射镀膜用低熔点金属与背板加工工艺
285、单靶磁控溅射Cu1-xCrx合金薄膜的方法
286、超薄金属氧化物膜的反应溅射沉积方法
287、一种用于反应直流磁控溅射的锌钼金属镶嵌靶
288、合金靶材磁控溅射法制备CoSi2薄膜的方法
289、硅器件芯片背面银系溅射金属化
290、滚落式双阴极平面磁控溅射金属膜电阻镀膜装置
291、金属合金氧化物的中性溅射薄膜
292、采用中频反应磁控溅射铟锡合金靶制备ITO膜的方法及系统
293、耐久的金属合金氧化物溅射薄膜
294、真空磁控溅射泡沫金属化机
295、真空磁控溅射泡沫金属化机
296、金属合金氧化物的溅射薄膜
297、对向异材磁控溅射靶制备合金薄膜工艺方法
298、金红石疏水薄膜的强化直流磁控溅射制备方法
299、多弧—磁控溅射真空离子镀金设备
300、用于与射频反应溅射的钛-钨和金微电路互连的抗电迁移的金属化结构
