1、金属氧化物异质结光电刺激突触晶体管及其配方技术
[简介]：本技术涉及的金属氧化物异质结光电刺激突触晶体管，其包括衬底、栅电极、介电层、第一有源层、第二有源层、二维电子气层、以及源电极和漏电极，第一有源层为金属氧化物异质结电刺激有源层，第二有源层为金属氧化物异质结光刺激有源层，第一有源层通过电脉冲信号刺激调制源电极和漏电极之间的电导率从而实现基于电刺激调制的突触可塑性，第二有源层在白光或不同波长的光刺激下产生兴奋性突触后电流并实现基于光刺激调制的突触可塑性，集成了光刺激和电刺激调制的突触可塑性于单个晶体管上，结构简单，二维电子气实现较高的载流子迁移率，从而提高突触晶体管的性能，且可运用于可穿戴设备，柔性电子器件等器件上。
2、一种无隧穿氧化层的纳米线型突触晶体管及其配方技术
[简介]：本技术提供了一种无隧穿氧化层的纳米线型突触晶体管及其配方技术，属于面向神经形态计算应用的突触器件领域。所述无隧穿氧化层的纳米线型突触晶体管采用氮化硅和氧化铪双俘获层的设计，使得该电荷俘获型突触器件既可以模拟长时程的突触可塑性，又可以模拟短时程的突触可塑性，从而极大地丰富了突触晶体管的功能。此外通过改变编程方式，即通过一次编程，而后改变电荷俘获位置而不是电荷俘获量的方式，以及无隧穿氧化层和高k/金属栅组合，降低突触器件的操作电压。这种具备低压操作优势和可以模拟多功能突触可塑性的基于电荷俘获机制的突触晶体管有望应用到未来大规模人工神经网络中。
3、一种突触晶体管及其配方技术
[简介]：本技术提供了一种突触晶体管及其配方技术，属于突触晶体管技术领域。本技术提供了一种突触晶体管，包括自下而上依次设置的有源层、绝缘层、栅极、易失电子层、感应电极1、易得电子层、感应电极2和基板；所述有源层为长方体；所述绝缘层包覆于所述有源层顶面的中部和两个相对侧面的中部；所述栅极包覆于所述绝缘层的表面；所述有源层顶面的两端未包覆绝缘层的部分分别设有漏电极和源电极；所述栅极的上表面依次接触设置易失电子层和感应电极1；所述基板的下表面依次接触设置感应电极2和易得电子层；所述栅极和基板之间垂直设置有支撑柱，使易得电子层与感应电极1之间形成空隙。
4、一种突触型薄膜晶体管及其配方技术、运算阵列
[简介]：本技术提供了一种突触型薄膜晶体管及其配方技术、运算阵列，该突触型薄膜晶体管包括：衬底；捕获层，捕获层设置于衬底的一侧；隧穿层，隧穿层设置于捕获层远离衬底的一侧；栅极，栅极设置于衬底远离捕获层的一侧；源极和漏极，源极和漏极设置于隧穿层远离捕获层的一侧；源极和漏极通过隧穿层电连接；捕获层用于在向栅极施加预设电压时，向隧穿层提供载流子。本技术提供的技术方案，可通过控制施加至突触型薄膜晶体管的栅极的电压，实现对突触型薄膜晶体管电导率的精准调节，从而能够实现多级化存储单元，进而极大提高运算阵列的存储容量。
5、一种自选择修饰的互补性光突触晶体管及其配方技术
[简介]：本技术提供了一种自选择修饰的互补性光突触晶体管及其配方技术，属于面向神经形态计算应用的突触器件领域。本技术结合具有高光敏特性的卟啉和具有良好低维输运特性的围栅硅纳米线体系，同时通过利用氮化硅和氧化硅的亲疏水性差异，实现了卟啉在硅纳米线上的富集，从而提高光突触器件的灵敏度。此外针对目前光突触器件只能实现增强特性或者抑制特性的特点，通过卟啉与不同掺杂类型的硅纳米线的相互作用，可以实现具有互补特性的光突触特性，使得其有潜力运用到未来人工视觉神经网络中。
6、一种电解质突触晶体管及其配方技术和应用
[简介]：本技术提供了一种电解质突触晶体管及其配方技术和应用，包括导电沟道和位于所述导电沟道上的石墨炔层，所述石墨炔层上覆盖有电解质。本技术在沟道和电解质之间设置石墨炔层作为浮栅存储层，电解质作为栅极，可阻隔固电解质中的离子与导电沟道接触，避免了离子在沟道中频繁插入/脱离，从而对沟道的晶格结构进行有效保护，使器件具有很好的循环稳定性。同时，本技术的电解质突触晶体管具有非易失性特性，成功模拟了各种具有代表性的突触特性，且在弯曲测试中表现出优异的稳定性和可靠性。
7、一种无机耐高温突触晶体管及其配方技术
[简介]：本技术提供了属于半导体器件技术领域的一种无机耐高温突触晶体管及其配方技术。所述突触晶体管包括衬底、沟道、栅电极、源电极和漏电极，其特征在于，在硅片一侧设置SiO2层作为衬底，衬底上设置沟道，沟道由单分子层的二维半导体MoS2构成，源电极和漏电极分别位于沟道的两端，并与沟道形成欧姆接触，整体位于SiO2层上；硅片另一侧作为栅电极；所述SiO2层中含有可迁移的碱金属离子。所述突触晶体管采用全无机材料，其工作温度范围为150℃?350℃，能实现多种长时程和短时程突触可塑性。与现有技术相比，显著提高了突触晶体管的工作温度，对高温人工智能器件的发展具有重要意义。
8、一种突触晶体管及其配方技术
[简介]：本技术涉及晶体管技术领域，提供了一种突触晶体管及其配方技术。本技术提供的突触晶体管包括从下到上依次设置的基板、栅电极、绝缘层和有源层；所述有源层上设置有源电极和漏电极；所述绝缘层的材料包括固态电解质和纳米纤维。本技术通过在突触晶体管的绝缘层材料中添加纳米纤维，提升了突触晶体管的质子迁移率，进而提升了突触晶体管的突触特性。本技术中的纳米纤维具有独特的载流子传输特性，可以为质子的迁移提供通道，将其与固态电解质用于制备突触晶体管的绝缘层，有利于提高晶体管的突触特性。实施例的结果显示，本技术提供的突触晶体管的质子迁移率有了极大地提升，并且具有优异的低通、高通滤波性能，突触特性明显。
9、掺杂MXene的突触型薄膜晶体管及其配方技术
[简介]：本技术涉及一种掺杂MXene的突触型薄膜晶体管，其包括自下而上依次层叠设置的栅电极、衬底、绝缘层、金属氧化物半导体层、以及源电极和漏电极，绝缘层为掺杂MXene的高介电常数材料绝缘层，相比于传统工艺制作的突触型薄膜晶体管器件，绝缘层中掺杂的MXene带来了丰富的官能团使其有很强的吸引电子的能力，从而使沟道中产生很多电子陷阱，产生了更大的回滞，从而拥有更为优秀的突触特性；绝缘层中掺杂MXene使得突触型薄膜晶体管器件有着更大的弛豫时间，传统的薄膜晶体管的弛豫时间大约为数十毫秒，而掺杂了Mxene的突触型薄膜晶体管的弛豫时间为二百至三百毫秒，与生物突触在一个数量级，因此更适合模拟生物突触。
10、一种突触晶体管及其配方技术
[简介]：本技术提供了一种突触晶体管及其配方技术，属于突触晶体管技术领域。本技术提供的突触晶体管结构中栅极将绝缘层和有源层包裹起来，使得栅极电压能从各个方向对沟道电流进行控制，从而减小了沟道漏电流，降低了器件的功耗；本技术提供的突触晶体管与摩擦纳米发电机相结合，在使用时，外力按压基板，使得易失电子层和易得电子层发生相对滑动，摩擦发电，栅极存在了电信号，随着外力继续按压，漏电极与有源层接触，电路导通，沟道有电信号通过，实现了突触晶体管的自发电，进一步降低了器件的功耗。实验结果表明，本技术提供的突触晶体管的开关电流比为105，PPF(双脉冲易化)为1.87，漏电流为10?9A。
11、仿生突触晶体管及其配方技术
12、一种突触晶体管及其配方技术
13、三端型薄膜晶体管、其配方技术以及光敏神经突触器件
14、一种基于驻极体的突触晶体管及其配方技术
15、光电突触晶体管及其制作方法、神经处理系统
16、一种双层沟道结构的突触晶体管
17、一种光电调控神经突触晶体管及其配方技术
18、基于二维和三维钙钛矿复合结构的突触晶体管及其配方技术
19、一种全包围栅极突触晶体管、配方技术及电路连接方法
20、自驱动摩擦纳米发电突触晶体管
21、一种调节金属氧化物突触晶体管突触可塑性的方法
22、一种纳米线离子栅控突触晶体管及其配方技术
23、基于锂掺杂透明氧化物的突触型薄膜晶体管及其配方技术
24、无机突触晶体管结构与制造方法
25、一种低压多功能电荷俘获型突触晶体管及其配方技术
26、一种近红外光调控突触晶体管及其配方技术
27、一种低功耗神经突触薄膜晶体管及其配方技术
28、铁电石墨烯晶体管及基于它的互补型突触器件和调控方法
29、一种基于有机薄膜晶体管的可拉伸突触及其配方技术
30、一种突触晶体管及其配方技术
31、基于半导体纳米晶体的晶体管型神经突触器件及配方技术
32、自供电多栅极人工突触晶体管的配方技术和触觉学习
33、一种突触晶体管、器件及其制造方法、运算阵列
34、一种基于二维半导体材料的突触晶体管及其配方技术
35、一种基于单电子晶体管的忆阻突触脉冲神经网络电路设计方法
36、神经形态器件中具有多个铁电场效应晶体管的突触阵列
37、基于石墨烯/碳纳米管复合吸收层的人工神经突触晶体管
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,内容都包括具体的配方配比生产制作过程，收费260元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
