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光刻胶配方生产工艺技术及应用

发布时间:2019-12-06   作者:admin   浏览次数:200

1、一种星形四苯基乙烯衍生物分子玻璃、正性光刻胶、正性光刻胶涂层及其应用
 [简介]:本技术提供了一种星形四苯基乙烯衍生物分子玻璃、正性光刻胶、正性光刻胶涂层及其应用。所述星形四苯基乙烯衍生物分子玻璃,具有如下分子结构:。该分子玻璃合成过程简单,适用于工业化生产,四苯基乙烯具有刚性结构的空间立体几何骨架,可以有效地抑制分子的结晶,易于成膜,该分子玻璃在各种极性溶剂中均有好的溶解性,且具有玻璃化温度高,热稳定性好的特点,能够更好的满足光刻工艺的要求。采用旋涂法(Spin?Coating)可制得良好的薄膜,可作为光刻胶与其他的添加剂配合制成正性光刻胶用于光刻。
2、用于移除光刻胶的剥离剂组合物以及使用其剥离光刻胶的方法
 [简介]:本技术涉及用于移除光刻胶的剥离剂组合物以及使用其剥离光刻胶的方法,所述组合物包含:至少一种胺化合物;至少一种选自非质子极性有机溶剂和水的溶剂;质子极性有机溶剂;以及聚醚改性的聚二甲基硅氧烷,所述聚醚改性的聚二甲基硅氧烷在20℃下的动态粘度为25mPa·s至250mPa·s且包含20摩尔%至70摩尔%的包含聚醚类官能团的聚二甲基硅氧烷重复单元。
3、包括新丙烯酸系单体的光刻胶用共聚物和包括其的光刻胶用树脂合成物
 [简介]:一种包括新丙烯酸系单体的光刻胶用共聚物和包括其的光刻胶用树脂合成物。根据本技术的一个实施例的光刻胶用树脂合成物,包括:100个重量单位的以下列化学式3表示的共聚物;0.5到15个重量单位的光酸发生剂;和700到1500个重量单位的溶剂。[化学式3]在该化学式中,R1、R2和R3分别相互独立地表示包括或不包括氢基、醚基(ether?group)、酯基(ester?group)、羰基(carbonyl?group)、缩醛基(acetal?group)、环氧基(epoxy?group)、腈基(nitrile?group)、醛基(aldehyde?group)的C1-30的烷基(alkyl?group)或C3-30的环烷基(cyclo?alkyl?group),R4、R5和R5分别相互独立地表示氢基或甲基(methyl?group),l、m、n和o作为分别表示主锁内重复单位的数目,具有l+m+n+o=l、0≤l/(l+m+n+o)<0.4、0
4、光刻胶喷嘴及利用该喷嘴确定光刻胶喷涂中心的方法
 [简介]:本技术提供了一种光刻胶喷嘴,该喷嘴的内部安装有光纤,外部带有镭射光源,喷嘴侧面开槽,光纤经由槽引出,与镭射光源连接。本技术还提供了利用上述光刻胶喷嘴确定光刻胶喷涂中心的方法,步骤包括:1)在晶圆的中心位置制作对准标记;2)将晶圆传送至涂布工艺单元;3)装上光刻胶喷嘴,移至晶圆上方;4)打开镭射光源,调整光刻胶喷嘴的位置,使镭射光斑位于晶圆对准标记的中心。本技术利用晶圆中心的对准标记和喷嘴射出的镭射光斑来确定光刻胶的喷涂中心位置,不仅精确,而且高效。
5、适合用来除去光刻胶、光刻胶副产物和蚀刻残余物的组合物及其应用
 [简介]:提供了一种不含链烷醇胺的组合物,所述组合物包含:a)至少一种胺,它包括氨基烷基吗啉;b)羟胺;c)有机稀释剂;d)水;e)腐蚀抑制剂;所述组合物的pH大于7。还提供了用所述组合物从基片上除去光刻胶、光刻胶副产物和残余物,以及蚀刻残余物的方法。
6、光刻胶剥离液组合物及光刻胶的剥离方法
 [简介]:本技术涉及一种示出光刻胶剥离效果和防腐效果的光刻胶剥离液组合物及光刻胶剥离方法。更详细地讲,涉及含有N,N-二甲基丙酰胺、Solketal(丙酮缩甘油)、以及有机胺的光刻胶去除用剥离液组合物,该组合物能够替代对环境和人体有害的乙二醇醚(glycol?ether)类化合物。
7、光刻胶和光刻胶图形的优化方法
 [简介]:一种光刻胶和光刻胶图形的优化方法,所述光刻胶包括有用于与金属离子配位键合而生成螯合物的螯合剂。所述优化方法包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底表面涂布有光刻胶层,所述光刻胶层中包含有离散的金属离子;通过曝光显影将掩模版上的图案转移至所述光刻胶层上,形成光刻胶图形;所述光刻胶包括有用于与金属离子配位键合而生成螯合物的螯合剂。相较于现有技术,本技术的光刻胶层中包括螯合剂,使得所述螯合剂与所述金属离子配位键合而生成螯合物,能够有效避免所述金属离子与光刻胶中的聚合物生成不易清除的凝胶并防止在显影时清除不干净而产生缺陷,从而提高半导体器件的成品率。
8、光刻胶喷嘴器件和光刻胶供应系统
 [简介]:本技术提供了包括光刻胶喷嘴器件的光刻胶供应系统的实施例。该光刻胶喷嘴器件包括管,该管包括第一部分、连接至第一部分的曲线部分和连接至曲线部分的第二部分。光刻胶喷嘴器件还包括连接至第二部分的喷嘴。本技术还提供了光刻胶喷嘴器件及光刻胶供应系统。
9、化学增幅型正性光刻胶的敏化剂及其应用
 [简介]:本技术提供了一类可用于化学增幅型正性光刻胶的敏化剂及其在制备化学增幅型正性光刻胶中的应用,该敏化剂包括以三苯胺为电子给体的直链或多支型的苄叉环烷烃酮类双光子染料或以三苯胺为电子给体的直链或多支型的苄叉烷烃酮类双光子染料;该敏化剂中的直链或支链型苄叉(环)烷烃分子结构中都有且仅有三苯胺一种含氮电子给体基团。本技术的特点是敏化剂中的三苯胺基团不会中和生酸剂产生的酸,不抑制酸催化的化学增幅过程,可用于制备化学增幅型正性光刻胶;而且敏化剂具有大的双光子吸收截面,合成简单,成本低廉,可制备用于双光子加工的化学增幅型正性光刻胶;以此敏化剂敏化商用光产酸剂产酸而制备出的光刻胶具有很高的加工分辨率,和很低的加工能量阈值。
10、用于微光刻工艺的多相高硅光刻胶成像方法、多相高硅光刻胶及应用
 [简介]:本技术提供了用于微光刻工艺的多相高硅光刻胶膜成像方法、多相高硅光刻胶及应用,为能使含有聚硅氧烷和聚硅倍氧半烷高硅光刻胶膜膜曝光成像的方法,达到双相、正相或负相成像方式。在双相成像时,光敏酸使辐射区发生交联,催化剂使没有辐射的区域发生交联,介于辐射和没有辐射之间的区域因催化剂失活而不发生交联。在正相成像时,催化剂使没有受到辐射的区域发生交联,在辐射区光敏酸使催化剂失活而不发生交联。在负相成像时,受到辐射的区域在酸的催化下发生交联,不受辐射的区域则不发生交联。
11、一种正型光刻胶组合物及正型光刻胶显影工艺
 [简介]:本技术提供了一种正型光刻胶组合物及一种正型光刻胶显影工艺步骤。所述正型光刻胶组合物包含聚合物(A)、光致产酸剂(B)、溶剂以及添加剂,同时所述正型光刻胶组合物还包括了光敏剂(C)和含氮化合物(D),它能够吸收波长为365nm的光能,受激发后,把电子转移给在365nm无吸收的光致产酸剂,使光致产酸剂产酸。同时,本技术所提供的正型光刻胶显影工艺步骤能够利用光刻胶在基片上形成图像。按照本技术所提供的光刻胶组合物在365nm的光辐照形成图像时,感光速度快、分辨率高、线条边缘粗糙度小。
12、一种光刻胶的去除液及光刻胶的去除方法
 [简介]:本技术提供了一种光刻胶的去除液以及使用该去除液进行光刻胶去除的方法,该去除液包括氨和有机溶剂,所述氨为氨气、液氨或者氨与水的混合物,所述有机溶剂为至少具有一个吸电子官能团的有机溶剂,该去除方法可以是通过在线气液混合产生上述去除液,直接应用到带有光刻胶的晶圆表面,进行光刻胶的去除和晶圆表面清洗。本技术采用对衬底材料/衬底金属低/无腐蚀性的有机溶剂,以及氨的性质,提高湿法去胶对光刻胶和聚合物的去除效果的同时,降低对晶圆衬底的腐蚀。可以提高工艺良品率,并为更小的工艺特征尺寸的发展提供了有效的解决方案。
13、一种含有四烷基氢氧化铵的光刻胶去除液及光刻胶的去除方法
 [简介]:本技术提供了一种光刻胶的去除液以及使用该去除液进行光刻胶去除的方法,该去除液包括有机溶剂和四烷基氢氧化铵,所述有机溶剂为至少具有一个吸电子官能团的有机溶剂,该去除方法可以是通过在线气液混合产生上述去除液,直接应用到带有光刻胶的晶圆表面,进行光刻胶的去除和晶圆表面清洗。本技术采用对衬底材料/衬底金属低/无腐蚀性的有机溶剂,以及氨的性质,提高湿法去胶对光刻胶和聚合物的去除效果的同时,降低对晶圆衬底的腐蚀。可以提高工艺良品率,并为更小的工艺特征尺寸的发展提供了有效的解决方案。
14、光刻版图、光刻胶图形及测量光刻胶图形曝光误差的方法
 [简介]:一种光刻版图、光刻胶图形及测量光刻胶图形曝光误差的方法,其中,所述光刻版图包括:第一单元区图形,所述第一单元区图形为矩形;位于所述第一单元区图形四个顶角外侧的四个第一标记图形,所述第一标记图形为“L”形,所述“L”形的两边分别与构成所述第一单元区图形顶角的相邻两边平行;位于所述第一单元区图形的一个顶角和所对应的第一标记图形外侧的第二标记,所述第二标记图形为“十”形,构成所述“十”形的两边分别与所对应的第一标记图形的两边平行。以所述光刻版图形成光刻胶图形时,仅需进行一次测量,即可得到在同一光刻胶层上两次曝光之间的曝光误差,减少了测量步骤,节约了测试时间。
15、光刻胶单体、光刻胶及它们的制备方法、彩色滤光片
 [简介]:本技术实施例提供了一种光刻胶单体、光刻胶及它们的制备方法、彩色滤光片,属于液晶显示领域,以使光刻胶的表面致密平滑,坡度角平缓。所述光刻胶单体具有结构通式I:其中,R1为氢或甲基;R2为氢、甲基、乙基或丙基;R3为H或C1~C6的烷基;n=1~4。
16、联苯取代金刚烷衍生物单分子树脂、正性光刻胶组合物和负性光刻胶组合物
17、一种导电光刻胶及使用该导电光刻胶的OLED电极及制造方法
18、一种无机相变光刻胶和基于无机相变光刻胶的光刻工艺
19、一种光刻胶及光刻胶图案的制作方法
20、树枝状多苯基取代金刚烷衍生物单分子树脂、正性光刻胶组合物和负性光刻胶组合物
21、光刻胶下层聚合物和光刻胶下层组合物及用其图案化的方法
22、一种光刻胶用光敏性寡聚物、其制备方法及负性光刻胶组合物
23、长共轭吩噻嗪衍生物作为增感剂在光刻胶中的应用及光刻胶和滤光片
24、一种光刻胶的制备方法,光刻胶及滤光片
25、一种光刻胶的制备方法,光刻胶及滤光片
26、一种高耐热化学增幅型光刻胶树脂及其光刻胶组合物
27、用于移除光刻胶的剥离剂组合物以及使用其剥离光刻胶的方法
28、一种光刻胶剥离试验一体机及光刻胶剥离方法
29、以气相沉积来沉积的光刻胶及此光刻胶的制造与光刻系统
30、一种光刻胶涂布轨迹的实施方法
31、环保型光刻胶组合物
32、用于注入光刻胶的保护层
33、一种厚光刻胶高均匀性坚膜方法
34、降低电子束光刻时光刻胶粗糙度的方法
35、一种去除AZ光刻胶的去胶液
36、基于SU?8光刻胶的三维微电极制备方法
37、光刻胶的去除方法
38、防腐剂混合物和光刻胶剥离剂组合物
39、感光性树脂组合物、光刻胶层叠体以及它们的固化物(11)
40、一种光刻胶剥离液
41、光刻胶图形的灰化方法
42、具有通过使用正/负光刻胶的双电铸形成的锥形开口的阴影掩模
43、避免光刻胶层图形损伤的方法
44、一种提高光刻胶与金属/金属化合物表面之间粘附力的方法
45、用于制造液晶显示的光刻胶剥离剂组合物
46、一种用于LIGA技术的光刻胶膜与基片的复合结构的制备方法
47、光扩散粉、光扩散粉的制备方法、量子点光刻胶及量子点彩膜
48、接触孔的形成方法
49、具有非典型图案的光刻胶及其蚀刻基材与形成洞的方法
50、一种负性光刻胶树脂组合物配方生产工艺技术
51、一种聚氨酯丙烯酸酯共聚物及其光刻胶组合物
52、一种监测光刻胶粘结层HMDS异常的方法
53、包含聚对羟基苯乙烯类环氧树脂作为成膜树脂的光刻胶组合物
54、含立方烷的丙烯酸酯系成膜树脂和ArF光刻胶配方生产工艺技术和光刻方法
55、导模共振滤光片光刻胶层的优化方法
56、光刻胶图案的形成方法
57、一种无机光刻胶组合物图案化的方法
58、防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法
59、一种厚膜光刻胶清洗液
60、一种加固碳化光刻胶与Si基底结合的凹槽刻蚀方法
61、一种利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法
62、一种光刻胶回刻平坦化方法
63、含倍半萜的成膜树脂及其正性浸没式曝光193nm光刻胶
64、一种tBOC保护的环糊精分子玻璃及其组成的光刻胶组合物
65、彩色光刻胶组合物
66、一种改善光刻胶脱落的方法
67、提高无氮介质抗反射层薄膜与光刻胶粘附力的方法
68、一种光刻胶
69、一种在硅衬底表面涂覆光刻胶的方法
70、一种提高光刻胶灰化率的ICP干式清洗方法
71、含倍半萜内酯成膜树脂及其负性248nm光刻胶
72、一种测量光刻胶折射率的方法
73、一种厚膜光刻胶清洗液及其清洗方法
74、具有低水含量的光刻胶-去膜液的浓缩溶液的生产方法
75、一种改善光刻胶线条边缘粗糙度的方法
76、一种彩色光刻胶配方生产工艺技术
77、光刻胶喷嘴及其使用方法
78、一种去除半导体工艺中残留光刻胶的剥离液
79、一种利用负性光刻胶制作底栅型FED下板图形的方法
80、用于GPP工艺的光刻胶、制备方法及其光刻工艺
81、光刻胶的处理方法以及半导体器件的制备方法
82、光刻胶的处理方法以及半导体器件的制备方法
83、一种用于光刻胶瓶的导管
84、一种借助悬架光刻胶实现硅通孔互连的方法
85、一种基于光刻胶的跨尺度的多孔炭材料制备方法
86、一种负性光刻胶显影液及其应用
87、图形化光刻胶的形成方法
88、一种利用光刻胶固定柔性材料衬底的方法
89、光刻胶层的去除方法、晶体管的形成方法
90、一种对金属极低腐蚀的光刻胶清洗液
91、一种厚膜光刻胶清洗液及其清洗方法
92、含倍半萜的成膜树脂及其正性干法曝光193nm光刻胶
93、应用光刻胶剥离工艺保护光刻对准标记的方法
94、一种光刻胶回刻平坦化方法
95、光可逆的纳米压印光刻胶及其制备和应用方法
96、一种通孔中光刻胶栓刻蚀量的自动调节方法
97、检测光刻胶缺陷的方法
98、一种光刻胶去除剂
99、一种紫外光固化纳米压印光刻胶配方生产工艺技术
100、深紫外光刻胶用于湿法腐蚀的方法
101、一种基于负性光刻胶的扩散片光刻工艺方法
102、一种以金属玻璃为光刻胶的光刻方法及系统
103、光刻胶配方生产工艺技术与应用
104、一种离子注入后晶片的湿法去胶液及光刻胶去除方法
105、一种酸值可控光敏碱溶性聚氨酯丙烯酸酯树脂及其光刻胶组合物
106、光刻胶的去除方法
107、一种用于MEMS结构的悬架光刻胶平坦化工艺
108、一种光刻胶清洗液
109、一种光刻胶清洗液
110、一种可用于248nm光刻胶的支化型聚对羟基苯乙烯共聚物
111、一种显影后的光刻胶层的对准检测方法
112、一种光刻胶清洗剂组合物
113、一种光刻胶涂布系统及方法
114、一种低蚀刻光刻胶清洗液
115、米级光栅玻璃光刻胶精密涂覆方法
116、一种新型的实时监控光刻胶喷涂系统及工作方法
117、分子玻璃正性光刻胶及其图案化方法
118、聚合物组合物以及包含所述聚合物的光刻胶
119、去除光刻胶的后处理方法及互连层结构的制作方法
120、一种高效剥离光刻胶掩膜的光刻工艺方法
121、一种光刻胶清洗剂组合物
122、一种用于TFT?LCD显示屏的光刻胶剥离剥离液
123、光刻胶用剥离液组合物及其制备和应用
124、光刻胶剥离液制备方法
125、一种高耐热光刻胶组合物及其使用工艺
126、一种选择离子注入的光刻胶厚度方法
127、光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法
128、一种阻焊油墨或光刻胶用光敏性组合物
129、光刻胶组合物和形成光刻图案的方法
130、一种光刻胶回收系统
131、一种可改善涂布覆盖不良的光刻胶瓶
132、一种光刻胶去除方法及半导体生产方法
133、一种光刻胶用剥离液配方生产工艺技术和应用
134、含双酚A骨架结构的分子玻璃光刻胶的制备方法
135、含纳米硅深紫外正性光刻胶及其成膜树脂
136、一种基于光刻胶的MMIC芯片背面划片道制作工艺
137、光酸产生剂及包含该光酸产生剂的光刻胶
138、光刻胶层残留物的清洗方法
139、提高光刻胶抗刻蚀能力的方法
140、一种去除光刻胶的清洗液
141、一种负性光刻胶配方生产工艺技术、使用方法
142、正性光刻胶组成物配方生产工艺技术
143、一种感光树脂、正性光刻胶及应用
144、非离子表面活性剂配方生产工艺技术及用途、光刻胶显影液
145、一种去除石墨烯上光刻胶的方法
146、一种光刻胶组合物及制备方法
147、一种厚膜光刻胶清洗液
148、一种改善光刻胶形貌的方法
149、与外涂光刻胶一起使用的涂料组合物
150、光刻胶剥离液废液的回收方法
151、一种在带光刻胶晶圆上溅射沉积金属的方法
152、一种正性光刻胶的去除方法
153、一种用光刻胶制备碳化硅欧姆电极的方法
154、光刻胶树脂溶液、其制备方法及其保存方法
155、可控清除石墨烯-金属接触区域残留光学光刻胶的方法
156、一种高压去除晶体表面残留光刻胶的方法
157、一种正性光刻胶组合物
158、一种光刻胶图案的形成方法
159、一种三明治夹心型光刻胶牺牲层的制备方法
160、一种高耐热性光刻胶组合物配方生产工艺技术
161、柔性长链多鎓盐光致产酸剂、其制备方法和光刻胶组合物
162、一种耐热性光刻胶组合物
163、一种光刻胶组合物
164、一种以三聚氰胺和腰果酚改性的酚醛树脂为基体的高感光性光刻胶组合物
165、一种用于形成光刻胶保护膜的材料
166、一种紫外正性光刻胶及其高耐热成膜树脂
167、水溶性负性电子束光刻胶及其成像方法
168、BM工艺光刻胶绝缘减少针孔短路的制作方法
169、一种等离子体去除光刻胶的方法
170、光刻胶残渣及聚合物残渣去除液组合物
171、一种通用型光刻胶剥离液及其应用
172、一种剥离液再生工艺段的光刻胶去除方法
173、以光刻胶为栅绝缘层的碳纳米管薄膜晶体管及制作和应用
174、产酸剂和含有它的光刻胶
175、从晶片移除光刻胶的液体过滤
176、阶段性变压精馏塔回收光刻胶剥离液的方法
177、一种彩色滤光片用新型光刻胶配方生产工艺技术
178、一种SU8光刻胶微柱阵列配方生产工艺技术、应用
179、一种提升光刻胶阻挡高能注入能力的方法
180、一种正性光刻胶去胶清洗组合物及其应用
181、半导体器件及光刻胶图案的清洗方法
182、改善光刻胶涂覆过程中晶边缺陷的方法
183、一种碱性光刻胶剥离液
184、一种紫外正性光刻胶
185、一种基于碳纳米管薄膜及光刻胶的柔性压力传感器配方生产工艺技术
186、含四苯基噻酚结构的分子玻璃光刻胶的制备方法
187、去除光刻胶层的方法
188、一种具有多重过滤能力的光刻胶输送系统
189、一种正性光刻胶清洗组合物配方生产工艺技术
190、一种光刻胶剥离液
191、多层薄膜热电堆及采用该多层薄膜热电堆的辐射温度计、多层薄膜热电堆的制造方法
192、光刻胶剥离工艺中改善器件均一性的方法
193、负性含氟光刻胶组合物及用于制备MZI型热-光开关
194、酚聚合物以及包含该酚聚合物的光刻胶
195、一种丙烯酸酯共聚物及其制成的248nm光刻胶组合物
196、一种均匀喷涂光刻胶的方法
197、一种光刻胶保湿系统及其保湿方法
198、一种形成光刻胶组合物
199、一种双重改性环氧丙烯酸酯及其光刻胶
200、柔性光刻胶软模板配方生产工艺技术
201、一种光刻胶组合物配方生产工艺技术
202、光刻胶及显示面板
203、光刻胶组合物以及使用该组合物的金属图案的形成方法
204、改善光刻胶与基底粘附度的光刻方法
205、一种改进光刻胶粘结性的结构及其方法
206、包含聚对羟基苯乙烯类氧杂环丁烷树脂作为成膜树脂的光刻胶组合物
207、用于液晶显示器制造工艺的包含伯烷烃醇胺的光刻胶剥离组合物
208、一种以环三磷腈为结构骨架的支化大分子及其制备光刻胶组合物
209、一种单宁酸基多官环氧树脂配方生产工艺技术和制备的可碱水显影负性光刻胶
210、防止光刻胶结晶的方法
211、琥珀酰亚胺改性的环氧丙烯酸树脂配方生产工艺技术、负性光刻胶组合物
212、一种光刻胶图形的制备方法
213、用于光刻胶粘合剂中的单体的定量分析方法
214、一种改进的环保水系光刻胶剥离液
215、一种光刻胶图案制备方法和阵列基板制备方法
216、能够得到90nm以下Trench及Hole图形的ArF光刻胶配方生产工艺技术与应用
217、一种新型厚层光刻胶涂覆方法
218、光刻胶层重做的方法以及栅极的形成方法
219、利用光刻胶制备石墨烯/石墨图案的方法
220、含纳米硅聚酰胺紫外正性光刻胶及其成膜树脂
221、溶菌酶二维纳米薄膜作为光刻胶的应用
222、光刻胶两次图案化
223、一种用于厚膜光刻胶的高容量显影液组合物
224、用于氧化硅化学气相沉积光刻胶平坦化的方法
225、用于GPP工艺的光刻胶、制备方法及其光刻工艺
226、包括含光致生酸剂的端基的聚合物、光刻胶及制备方法
227、无残留光学光刻胶石墨烯FET的制备及原位表征方法
228、一种光刻胶管路设计
229、含有重氮基团的高分子感光剂配方生产工艺技术与光刻胶组合物
230、一种去除残留光刻胶的方法
231、光刻胶组合物
232、光敏性碱可溶性树脂、其制备方法及彩色光刻胶
233、一种增强显影后光刻胶粘附性的方法
234、一种利用光刻胶固化作用减少阱邻近效应的制程
235、高粘度光刻胶的涂布方法、光刻方法
236、一种聚醚类化合物、其制备方法及光刻胶组合物
237、一种光刻胶组合物配方生产工艺技术
238、光刻胶折射率的测定方法
239、去除光刻胶层的方法
240、一种光刻胶组合物
241、光刻胶薄膜的制作方法
242、适用于GPP二极管制造的负性光刻胶
243、光刻胶组合物
244、一种光刻胶、制备方法及其光刻工艺
245、利用热显影增强电子束光刻胶对比度的制备高密度平整图形的方法
246、用于半导体制造的感光膜清洗液
247、光刻胶成膜树脂配方生产工艺技术
248、光刻胶组合物配方生产工艺技术、OLED阵列基板配方生产工艺技术
249、一种用于光刻胶组合物的化合物
250、一种光刻胶模板及图案化ZnO纳米棒阵列的制备方法
251、一种TFT?LCD屏制造过程中光刻胶的去除方法
252、制备光刻胶?还原的氧化石墨烯的复合导电材料的方法
253、一种多晶硅太阳能电池酸腐制绒用光刻胶的去除方法
254、一种光刻胶清洗剂
255、光刻胶图案的修整方法
256、一种测量ITO玻璃基板上光刻胶厚度的方法
257、改善快闪存储器制作工艺中光刻胶涂布缺陷的方法
258、去除晶片上的光刻胶层的方法
259、一种低扩散ArF光刻胶用高分子光敏剂PAG及其应用
260、一种光刻胶水基硅片清洗液配方生产工艺技术
261、一种负性光刻胶显影液
262、光刻胶组合物
263、低污染型光刻胶组合物
264、一种去除光刻胶的清洗液
265、一种厚膜光刻胶清洗剂
266、包含离子性化合物的光刻胶
267、一种高精度光刻胶面形控制方法
268、解决光刻胶导致的球状缺陷的方法
269、一种在疏水绝缘层表面涂布光刻胶的方法
270、一种丙烯酸酯共聚物及包含其的光刻胶组合物
271、一种光刻胶回刻蚀工艺中改善晶圆表面颗粒缺陷的方法
272、颜料分散液配方生产工艺技术、彩色光刻胶
273、掩膜板及其制作方法、光刻胶层的曝光方法
274、一种用于旋涂粘稠光刻胶的旋涂仪卡盘系统
275、具有光刻胶掩模预处理的等离子体工艺
276、光刻胶回收系统
277、光刻胶的去除方法
278、一种基于双层光刻胶的光子晶体闪烁体制备方法
279、含倍半萜的成膜树脂及其正性248nm光刻胶
280、无需光刻胶的带电粒子束图案化
281、一种光刻胶组合物
282、去除光刻胶残留的方法及半导体器件的制造方法
283、光刻胶的胶瓶盖子及胶瓶
284、化学增幅型正性光刻胶、制备方法及其在双光子精细加工中的应用
285、具有对酸不稳定的基团的共聚物,光刻胶组合物、涂覆的基材以及形成电子器件的方法
286、光刻胶图案形成方法及压印模具
287、一种UV感光负性纯丙光刻胶配方生产工艺技术
288、一种利用紫外线照射光刻胶来缩小硅栅线宽的方法
289、一种改性聚氨酯丙烯酸酯共聚物、光刻胶配方生产工艺技术
290、一种交联型丙烯酸酯类共聚物及其光刻胶
291、防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法
292、一种光刻胶剥离液及其应用
293、包含多酰胺组分的光刻胶
294、一种去除光刻胶残留物的清洗液
295、一种以环三磷腈为结构骨架的分子玻璃光刻胶组合物
296、光刻胶和方法
297、用作等离子注入的掩蔽层的光刻胶的去除方法
298、超厚光刻胶的刻蚀方法
299、含倍半萜内酯成膜树脂及其正性干法曝光193nm光刻胶
300、一种表面活性剂及用于彩色滤光片负性光刻胶的显影液
301、调节光刻胶层厚度值的方法和系统
302、一种光刻胶组合物
303、一种基于负光刻胶的高密度空心微针阵列及其制造工艺
304、一种光刻胶组合物配方生产工艺技术和应用
305、光刻用清洁组合物以及采用该组合物形成光刻胶图案的方法
306、用于光刻法中的光刻胶清洁组合物及其用于处理衬底的方法
307、重氮树脂、光刻胶组合物及其配制方法
308、去除光掩模光刻胶的方法
309、一种量子点材料、量子点光刻胶配方生产工艺技术
310、一种不用光刻胶的全加成线路板制作方法
311、一种光刻胶清洗液
312、碱可溶树脂配方生产工艺技术、光刻胶组合物
313、化学增幅型高分辨率含硅I-线紫外光刻胶及其成膜树脂
314、一种负性光刻胶
315、光刻胶组合物、彩色滤光片以及显示面板
316、光刻胶组合物和形成光刻图案的方法
317、一种显示屏光刻胶剥离液
318、包含缩醛和缩酮作为溶剂的光刻胶组合物
319、厚光刻胶背面斜入射光刻工艺的三维光强分布模拟方法
320、高含氟芳香-脂肪负性光刻胶及用于制备聚合物波导器件
321、一种避免光刻胶沾污的二维材料器件制造方法
322、利用光刻胶沉积金属构形的方法
323、一种用于厚膜光刻胶的清洗液
324、防止污渍的光刻胶剥离剂组合物及平板显示器基板的制法
325、一种减少光刻胶剥离工艺对器件性能影响的方法
326、大面积且尺寸可控的基于SU-8光刻胶的纳米流体通道制作方法
327、光刻胶去除方法、金属线刻蚀方法以及集成电路制造方法
328、正型光刻胶清除液组合物
329、光刻胶组合物、形成图案的方法和薄膜晶体管衬底的制法
330、I线光刻胶组合物以及使用该组合物形成精细图案的方法
331、光刻胶的处理方法以及半导体器件的制备方法
332、紫外厚膜光刻胶及其成膜树脂
333、具有微型锥孔的SU-8光刻胶薄膜及制备方法和应用
334、一种光刻胶清洗剂组合物
335、一种半导体上纳米级尺寸光刻胶的剥离方法
336、光刻胶剥离剂废液回收系统及其方法
337、一种实现光刻胶微结构的方法
338、树枝状聚合物类正性光刻胶树脂配方生产工艺技术与应用
339、无限选择性的光刻胶掩膜蚀刻
340、一种金属低刻蚀的光刻胶剥离液及其应用
341、光刻胶的涂胶工艺
342、一种二硝基二苯胺重氮树脂、含有该树脂的光刻胶组合物配方生产工艺技术
343、一种光刻胶瓶
344、防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法
345、光刻胶剥离液组合物
346、光酸产生剂及包含该光酸产生剂的光刻胶
347、一种光刻胶黏附性的检测方法
348、高掺杂注入光刻胶的剥离工艺
349、含碱性香豆素结构的聚合物树脂及其光刻胶组合物
350、二氧化硅光刻胶掩膜制备黑硅的方法
351、一种用于光刻胶厚度摆动曲线测试的硅片及制作方法
352、具有金属保护的光刻胶剥离液组合物
353、一种AMOLEED显示屏用光刻胶剥离液组合物
354、STI的制作工艺、沟槽的刻蚀方法和光刻胶的处理方法
355、金属层光刻胶重涂方法以及光刻方法
356、一种针对PDMS芯片转印的光刻胶模板加工方法
357、光刻胶去除工艺的测试方法
358、带有拉链状机构的光刻胶及方法
359、光刻胶组合物
360、多层结构的微部件及固化的SU8光刻胶薄片的加工方法
361、光刻胶涂覆方法及涂布机
362、一种废旧光刻胶制备锂离子电池电极材料的方法
363、一种丙烯酸正性光刻胶配方生产工艺技术
364、一种电子束曝光单层光刻胶制作Y型栅的方法
365、去除高剂量离子注入后的光刻胶层的方法
366、一种耐刻蚀性的酚醛系正型光刻胶
367、光刻胶去除的后处理方法及半导体器件的制作方法
368、一种负性化学放大光刻胶及其成像方法
369、一种去除聚酰亚胺柔性电极制备过程中光刻胶的方法
370、一种厚膜光刻胶清洗液
371、用于形成绿色光刻胶的组成物及使用其的彩色滤光片
372、一种基于1,4二取代柱[5]芳烃衍生物的单分子树脂、正性光刻胶及其应用
373、一种高能离子注入后光刻胶的去除方法
374、一种光刻胶层的图案化方法及半导体器件的制作方法
375、一种硫系相变无机光刻胶的两步显影法
376、光刻胶去除方法
377、一种用于OLED阵列制造的正性光刻胶
378、光刻胶去除方法
379、用于铜膜的光刻胶组合物
380、一种低温光刻胶重工剥离液及其应用
381、一种光刻胶及其制作方法、使用方法
382、碱溶性树脂、包含其的感光性树脂组合物、彩色滤光片及光刻胶
383、一种光刻胶、微纳温湿敏感智能器件配方生产工艺技术
384、改善光刻胶涂覆过程中晶边缺陷的方法
385、一种环保型紫外正性光刻胶的制备方法
386、光刻胶的去除方法
387、基于化学增强光刻胶及电子束曝光的掩模版的制造方法
388、光刻胶组合物、形成图案的方法和制造半导体器件的方法
389、光刻胶组合物和制造图案化器件的方法
390、负型光刻胶剥离剂组合物
391、用于CIS行业的正性厚膜光刻胶
392、一种改善敏感光刻胶形貌的复合型掩模版及其制作方法
393、一种光刻胶配方生产工艺技术和应用以及光刻方法
394、一种有效防止光刻胶污染掩膜板的曝光机
395、一种光刻胶清洗液
396、一种去除光刻胶的水系剥离液组合物
397、光刻胶去除用剥离液组合物
398、一种高精度光刻胶的制备方法
399、光分解碱、含其的光刻胶组合物配方生产工艺技术
400、改善光刻胶表面粗糙度的方法
401、用于从半导体基板去除光刻胶的剥离组合物
402、一种改善高深宽比光刻胶形貌的结构和方法
403、一种采用光刻胶作保护层的LED白光芯片
404、一种高精度半导体用3D打印式负性光刻胶的制备方法
405、一种光刻胶,含有其的像素化光致发光彩膜及其用途
406、一种光刻胶布胶方法
407、一种用于光波导制作的光刻胶组合物及其固化方法
408、用于改善的器件集成的光刻胶剥离方法
409、双光子聚合光刻胶、其制备方法及其固化方法
410、一种紫外正型光刻胶
411、一种光刻胶树脂的制备方法
412、一种厚光刻胶膜厚度的非接触式光学测量方法
413、一种低蚀刻的去除光刻胶残留物的清洗液
414、一种双光子聚合有机硅光刻胶组合物及其固化方法
415、一种光刻胶清洗液
416、同时进行的光刻胶表面的亲水改性和金属表面准备:方法、系统和产品
417、新型光刻胶、其制备方法、应用和医用材料表面的改性方法
418、光刻胶去除方法
419、以四苯基呋喃、四苯基吡咯、四苯基噻吩和五苯基吡啶为核的分子玻璃光刻胶
420、一种表面具有纳米孔结构的光刻胶配方生产工艺技术
421、用于制造包含光刻胶的光致发光垫的光电器件的方法
422、颜料分散体系及其制作方法与彩色光刻胶
423、光刻胶组合物及彩色滤光片的制作方法
424、一种高力学强度的光刻胶
425、在制备密集型微阵列结构过程中简便去除SU-8光刻胶的方法
426、含纳米硅紫外厚膜正性光刻胶及其成膜树脂
427、一种光刻胶以及曝光方法
428、光刻胶组合物
429、光刻胶层的形成方法
430、深沟槽工艺中光刻胶层的形成方法
431、基于光刻胶的临时键合及去键合的方法
432、磺酰光酸产生剂和包含该磺酰光酸产生剂的光刻胶
433、利用化学增幅型光刻胶组合物进行小沟槽图案化的方法
434、一种光刻胶剥离液
435、一种测试光刻胶层对离子注入阻挡能力的方法
436、废光刻胶回收再生系统与方法
437、光刻胶图案的修正方法及刻蚀方法
438、一种用于柔性基板的FPD/TP正性光刻胶
439、一种厚膜光刻胶清洗液
440、无需光刻胶或干蚀刻而形成图案化硬掩膜(RFP)的工艺顺序
441、判断孔深和孔径形貌是否正常的方法
442、一种新型有机光刻胶剥离液及其制备工艺
443、含倍半萜内酯的成膜树脂及其正性浸没式曝光193nm光刻胶
444、自动控制光刻胶厚度的方法和系统
445、一种去除碳基薄膜表面光刻胶的方法及应用
446、包含氨基甲酸酯组分的光刻胶
447、一种去除光刻胶底膜的工艺方法
448、制造半导体器件的方法以及半导体制造机
449、一种有效去除LED芯片光刻胶的剥离液及其剥离方法
450、一种光刻胶的清洗剂组合物
451、一种光刻胶背面曝光工艺
452、一种用于TFT?LCD光刻胶高效清洗剂
453、用于光刻胶的热致酸生成剂
454、低释气性光刻胶组合物
455、一种光刻胶的清洗液
456、一种光刻胶清洗组合物
457、一种控制光刻胶溅射的涂胶机系统
458、pH响应型聚合物配方生产工艺技术以及光刻胶组合物
459、一种大面积玻璃衬底上倒梯形截面光刻胶掩膜的制备方法
460、光刻胶的涂布方法
461、一种光刻胶清洗剂组合物
462、光刻胶的形成方法
463、通过使用正型光刻胶进行二次图案化而制造高密度柱结构的方法
464、一种纳米压印光刻胶表面改性剂
465、一种光刻胶做厚的方法
466、具有键合至产酸剂的感光剂的新光刻胶
467、一种应用于金属剥离的单层正性光刻胶光刻方法
468、光刻胶配方生产工艺技术
469、光刻胶去除方法及半导体器件制作方法
470、鸡蛋清稀薄蛋白作为光刻胶的应用
471、一种能够用于90~60nm半导体制程的ArF光刻胶配方生产工艺技术与应用
472、光刻胶厚度异常的检测方法
473、重新形成光刻胶图形的方法
474、颜料分散剂、颜料分散液、彩色光刻胶及其制备和应用
475、适于与外涂敷的光刻胶一起使用的涂料组合物
476、形成对称的光刻胶图形的方法
477、涂胶机光刻胶管理系统
478、一种用于后栅工艺的光刻胶去除方法
479、一种光刻胶剥离方法
480、负性光刻胶、悬浊液及该悬浊液的配制方法
481、一种去除IBE刻蚀后图形边缘粘附物及光刻胶的方法
482、一种去除光刻胶的溶液及其应用
483、一种光刻胶及刻蚀方法
484、一种光刻胶及其应用方法
485、超声提高SU-8光刻胶与金属基底界面结合强度的方法
486、一种用负性光刻胶制作背照式影像传感器深沟槽的方法
487、活动硬掩模的等离子体刻蚀过程中的原地光刻胶剥离
488、一种光刻胶清洗液
489、一种TFT液晶显示器返修制程中的光刻胶剥离方法
490、一种氟代苯乙烯单体、含氟共聚物及在248nm深紫外光刻胶中的应用
491、光刻胶形貌表征方法
492、作为硅槽刻蚀掩膜的光刻胶的光刻方法
493、彩色光刻胶组成物及其介电常数损失率的检测方法
494、一种光刻胶清洗剂组合物
495、半导体晶圆的表面处理方法、避免光刻胶残留的方法
496、一种光刻胶剥离液及其应用
497、双重光刻胶结构及其处理方法
498、新型共聚物和含有该共聚物的光刻胶组合物
499、对浸渍光刻胶具有选择性的有机抗反射涂层蚀刻方法
500、一种光刻胶剥离液
501、用于与外涂的光刻胶一起使用的涂料组合物
502、一种同时形成一维和二维光刻胶图形的方法
503、一种用于彩色光刻胶的流平剂
504、防止晶圆正面和背面污染的光刻胶收集杯结构
505、用于去除含有背部晶圆金属化层的光刻胶剥离液
506、一种用于TFT?LCD光刻胶组合物
507、光敏共聚物,包含所述光敏共聚物的光刻胶,和形成一种电子器件的方法
508、一种厚膜光刻胶清洗剂
509、一种光刻胶填充式金属互连结构及其制造方法
510、用于剥离光刻胶的智能液体
511、一种厚膜光刻胶清洗剂
512、防止光刻胶剥落的方法
513、光致酸生成共聚物和相关的光刻胶组合物、涂覆的基材以及形成电子器件的方法
514、双重光刻胶及其处理方法
515、光刻胶图形的形成方法、晶体管栅极的形成方法
516、深N阱工艺去除光刻胶的方法
517、一种光刻胶清洗液
518、含倍半萜内酯成膜树脂及其正性248nm光刻胶
519、基于负性光刻胶和掩膜移动曝光工艺的微透镜阵列制备方法
520、树脂和包含其的光刻胶组合物
521、防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法
522、一种新型的光刻胶剥离液及其应用工艺
523、一种光刻胶清洗液
524、一种通过正负光刻胶复合显影制备微纳米流体系统的方法
525、延长光刻胶有效使用寿命的方法
526、用于PZT印刷头制造的作为间隙充填物的光刻胶材料的使用
527、高含氟负性光刻胶及其在聚合物光波导器件中的应用
528、光刻胶清洗剂
529、光刻胶的去除方法
530、一种光刻胶组合物配方生产工艺技术
531、产酸剂和含有其的光刻胶
532、一种提高光刻胶曝光精度的方法
533、一种光刻胶用显影液配方生产工艺技术和应用
534、光刻胶和方法
535、含纳米硅深紫外负性增幅型光刻胶及其成膜树脂
536、光刻胶组合物配方生产工艺技术和构图方法
537、无抗水表面涂层的浸没式光刻胶的显影方法
538、减小光刻胶图案特征尺寸的方法
539、改善光刻胶固化后变形及半导体器件保护层曝光的方法
540、光刻胶的涂覆方法
541、含巯基的低倍多聚硅氧烷化合物及其紫外光刻胶组合物以及压印工艺
542、正性光刻胶用显影液及光刻工艺中的显影方法
543、除去负性光刻胶的方法
544、一种用于去除钛镍银表面蚀刻残留光刻胶的剥离液组合物
545、含羟基的烃基双环胍光碱产生剂的环保型光刻胶组合物
546、一种RF MEMS器件光刻胶牺牲层的释放方法
547、一种光刻胶的清洗液
548、一种同时形成一维和二维光刻胶图形的方法
549、用于液晶显示器制造工艺的包含伯烷烃醇胺的光刻胶剥离组合物
550、一种多层负性光刻胶模具制作方法
551、基于SU-8厚光刻胶的三维圆滑曲面微结构的制作方法
552、一种分散剂及彩色颜料液、光刻胶
553、感旋光性树脂组成物、及应用其的彩色光刻胶结构和显示器
554、一种包含聚对羟基苯乙烯类聚合物和丙烯酸酯共聚物的光刻胶组合物
555、一种改善硅片周边光刻胶形貌的方法
556、用于硅衬底湿法刻蚀的直接光刻胶掩膜的光刻工艺方法
557、一种涂光刻胶系统及其胶黏度的在线测量方法
558、光刻胶图案的制备方法
559、一种光刻胶组合物和一种LED表面制备荧光层的方法
560、光刻胶移除方法
561、光刻胶涂布方法
562、高深宽比结构的光刻胶填充方法
563、一种彩色光刻胶组合物
564、减少光刻胶掩膜倒塌或移位的方法
565、光致酸生成共聚物和相关的光刻胶组合物、涂覆的基材以及形成电子器件的方法
566、一种增大光刻胶光栅掩模占宽比的加工方法
567、一种用于规模批量化纸基检测芯片加工的光刻胶
568、一种光刻胶的涂胶工艺
569、一种采用光刻胶作保护层的LED发光芯片及其制作方法
570、电子束光刻胶组合物及制备方法
571、光刻胶剥离剂组合物
572、一种量子点光刻胶配方生产工艺技术、量子点彩膜的制备方法
573、一种酸扩散抑制剂配方生产工艺技术与光刻胶组合物
574、一种光刻胶清洗剂及清洗方法
575、一种在光刻胶刻蚀过程中表面演化模拟的哈希快速推进方法
576、一种耐刻蚀的光刻胶配方生产工艺技术和应用以及光刻方法
577、一种改善半导体制造中光刻胶倒胶的方法
578、用于光刻胶的热致酸生成剂
579、一种光刻胶去除剂
580、光刻胶剥离剂
581、光刻胶去除方法和光刻工艺的返工方法
582、一种光刻胶去胶液
583、解决光刻胶不足的钝化层蚀刻方法
584、一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法
585、一种红色彩膜光刻胶
586、新型光刻胶去胶液
587、利用光刻胶凹刻图案及表面改性的金属网类型透明导电膜制造方法及由此制造而成的透明导电膜
588、一种光刻胶组合物、彩色滤光片配方生产工艺技术
589、光刻胶组合物、金属图案以及阵列基板的制备方法
590、含芴的感光性树脂、其制备方法及具有其的光固化组合物和光刻胶
591、一种EUV光刻胶配方生产工艺技术与应用
592、改善高深宽比图形不一致和提高光刻胶形貌陡度的方法
593、一种焦深DOF大于或等于300nm的半导体ArF光刻胶树脂及其应用
594、负性光刻胶及其应用
595、一种提高光刻胶胶层与电铸金属层界面结合力的方法
596、通过重复曝光改进光刻胶形貌的方法
597、一种有效防止光刻胶污染掩膜板的曝光方法
598、光刻胶组合物及彩色滤光片
599、光刻胶配方生产工艺技术
600、用于脱气减少和带外辐射吸收的新光刻胶添加剂
601、感光性组合物与光刻胶
602、一种巯基-烯纳米压印光刻胶及其使用方法
603、一种光刻胶膜的制备方法
604、用于电子束、深UV和极UV光刻胶的具有有机共配体的金属过氧化合物
605、碱溶性树脂、包含其的感光性树脂组合物、彩色滤光片及光刻胶
606、光刻胶去除方法及铝制程工艺方法
607、依靠光刻胶辅助形成Y型栅金属介质空洞的方法
608、产酸剂和含有其的光刻胶
609、根据光刻胶厚度使用处理器改变写入射束的输送剂量的图案产生器及相关方法
610、一种2英寸芯片光刻胶剥离用花篮
611、一种用于光刻胶组合物的化合物
612、一种具有分量和挤压功能的光刻胶桶
613、一种具有温度监控功能的光刻胶桶
614、光刻胶显影剂
615、一种生物基光固化聚氨酯及其制备的光刻胶
616、图案化光刻胶、自对准多重图案、半导体器件及制造方法
617、光刻胶与显影液的恒温控制系统
618、光刻胶工艺工具及其清洗用的杯状清洗盘和方法
619、一种光刻胶用树脂的制备方法
620、光致酸生成剂、光刻胶、以及形成电子器件的方法
621、染料分散体系配方生产工艺技术、彩色光刻胶、彩色滤光片
622、光固化树脂组合物、滤光片和光刻胶
623、一种表面等离子体光刻中小分子光刻胶的干法显影方法
624、光刻胶图案修剪方法
625、一种双层光刻胶形成图形的方法
626、一种光刻胶组合物
627、一种光刻胶显影液
628、一种用于GPP工艺中混合玻璃粉用负性光刻胶组合物
629、一种水性光刻胶剥离液
630、一种正性光刻胶用显影液配方生产工艺技术和应用
631、具有荧光效应的碳纳米点光刻胶及其成像方法
632、含倍半萜的成膜树脂及其负性248nm光刻胶
633、一种光刻胶清洗剂
634、减小光刻胶图形线宽粗糙度的方法
635、正性光刻胶
636、降低离子注入层光刻胶剥离风险的方法
637、光刻胶的去除方法
638、一种减少光刻胶中毒的通孔介电阻挡层的制作方法
639、光刻胶的去除方法
640、负性含氟光刻胶组合物及用于制备聚合物光波导器件
641、双敏感光刻胶的方法和组成
642、一种光刻胶清洗剂
643、一种Array板光刻胶的剥离方法
644、一类硫鎓盐键合苯多酚型分子玻璃光刻胶配方生产工艺技术和应用
645、在光刻胶图案上涂覆的组合物
646、光刻胶组合物和使用其制造显示基板的方法
647、一种延长光刻胶有效使用时间的方法
648、可聚合寡聚物和光刻胶组合物
649、碱可溶性树脂及其制作方法、感光性树脂组合物、光刻胶
650、一种以SU-8光刻胶和PDMS为基材的微流控芯片键合方法
651、光刻胶填充深孔的方法
652、提高7350光刻胶热稳定性的方法
653、一种光刻胶的去除方法
654、一种用于半导体晶圆的光刻胶清洗液
655、一种用于芯片的光刻胶剥离液、制备方法及去胶工艺
656、基于SU-8光刻胶的纳米流体系统自支撑结构的制作方法
657、一种正性光刻胶组合物的制备方法
658、用于图案化EUV掩模上的光刻胶层的光刻系统和方法
659、光刻胶内袋
660、采用光刻胶剥离制备斜坡状边缘金属膜的工艺方法
661、含重氮基团的感光剂、光刻胶组合物与其制备方法
662、电子束正性光刻胶Zep 520掩蔽介质刻蚀的方法
663、激光热刻蚀有机光刻胶配方生产工艺技术
664、一种光刻胶模具的制备工艺
665、耐高温透明厚膜光刻胶及在制备LED荧光粉层中的应用
666、一种基于双层光刻胶工艺的二维材料场效应管制造方法
667、离子注入工艺后的光刻胶层的去除方法
668、一种制作光刻胶厚度和关键尺寸关系曲线的方法
669、光刻胶组合物
670、光刻胶及其使用方法
671、含磺酰胺的光刻胶组合物及其使用方法
672、与外涂光刻胶一起使用的涂料组合物
673、光刻胶显影液
674、一种光刻胶侧墙角度的预测及改善方法
675、防止光刻胶层脱落的方法
676、光刻胶处理方法
677、喷涂光刻胶的方法
678、光刻胶图案的形成方法和阵列基板的制造方法
679、基于光刻胶隔膜的微型超级电容及其制作方法
680、一种光刻胶组合物和形成光刻图案的方法
681、防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法
682、一种分子量窄分布的丙烯酸酯类共聚物及其光刻胶组合物
683、光刻胶组合物
684、一种用于AMOLED负性光刻胶显影液
685、一种聚碳酸酯作为电子束光刻胶材料的应用
686、两次曝光的光刻胶沉积和金属剥离方法
687、光刻胶图形的修正方法
688、包含含有包括磺酰胺官能团的重复单元的聚合物的顶涂层组合物,含有其的光刻胶组合物及其使用方法
689、改善岛状光刻胶剥落的方法
690、光刻胶涂覆监控方法
691、一种光刻胶
692、与外涂光刻胶一起使用的涂料组合物
693、一种光刻胶三维刻蚀过程模拟的改进快速推进方法
694、含硅I-线紫外正性光刻胶及其成膜树脂
695、一种晶圆背孔光刻胶填充方法
696、一种相变光刻胶配方生产工艺技术
697、一种金属低刻蚀光刻胶剥离液
698、光敏化合物梯度光刻胶
699、磺酰光酸产生剂和包含该磺酰光酸产生剂的光刻胶
700、图形化光刻胶层的形成方法、晶圆级芯片封装方法
701、钝化光刻胶表面的方法以及光刻方法
702、用于形成铜基配线的光刻胶剥离剂组合物
703、一种防止在金属层上形成光刻胶孔洞的方法
704、光刻胶台阶图形制作方法
705、一种改善阱注入前光刻胶残留的方法
706、减少光刻胶中毒现象的方法
707、具有药剂回收系统的光刻胶涂布机
708、感旋光性树脂组成物、及应用其的彩色光刻胶结构和显示器
709、一种高效光刻胶剥离液及其应用
710、光刻胶单体碳刚性骨架结构2-取代-2-金刚烷醇的工业化生产方法
711、降低光刻胶层在等离子体浸没式离子注入中降解的方法
712、一种悬架结构光刻胶的涂胶方法
713、一种光刻胶组合物及彩色滤光片
714、微电机系统制造工艺中聚酰亚胺刻蚀后去除光刻胶的方法
715、一种基于RAFT聚合法制备248nm深紫外光刻胶成膜树脂
716、光刻胶边缘洗边数据测量系统及测量监控方法
717、用于监测光刻胶保存时间的方法和系统
718、一种负性含氟聚碳酸酯光刻胶组合物及用于制备光学开关
719、一种纳米压印光刻胶配方生产工艺技术
720、一种光刻胶剥离液
721、一种光刻胶防止更换出错并安全运输保护瓶
722、刻蚀超厚非感光性光刻胶的刻蚀方法
723、回收废光刻胶剥离剂的方法
724、表面活性添加剂和包含该表面活性添加剂的光刻胶组合物
725、一种侦测图形底部光刻胶残留的缺陷检测方法
726、光刻胶图案修整方法
727、一种制备球状光刻胶掩膜的方法
728、光刻胶质量检测方法
729、制备光刻胶-石墨烯量子点的发光复合体系的方法
730、SU8光刻胶中冠状动脉血管支架倒模模具的飞秒激光微加工方法
731、光刻返工后残留光刻胶的去除方法
732、与外涂光刻胶一起使用的涂料组合物
733、光刻胶、离地剥离的方法和TFT阵列基板的制作方法
734、一种半导体制程正性光刻胶去胶液及应用
735、一种光刻胶
736、防腐剂混合物和负型光刻胶剥离剂组合物
737、一种光刻胶监控方法
738、一种利用光刻胶以及低温等离子刻蚀制备黑硅的方法
739、厚铝刻蚀工艺中光刻胶的去除方法
740、基于正性光刻胶的镍阳模具制作方法
741、一种移除光刻胶的方法
742、一种改善光刻胶剥离缺陷的方法
743、一种大分子结构光敏剂配方生产工艺技术和用该光敏剂制备的光刻胶
744、光刻胶剥离方法
745、光刻胶去除方法和光刻工艺返工方法
746、一种用于玻璃钝化整流芯片工艺中不含光敏剂的光刻胶组合物及其应用
747、一种染料单体及彩色光刻胶
748、离子注入层光刻胶膜厚的优化方法
749、一种光刻胶组合物、像素墙及制备方法和电润湿显示器件
750、一种基于PCDL型聚氨酯丙烯酸酯制备的光刻胶组合物
751、一种以支化型光敏聚苯乙烯马来酸酐为基体树脂的光刻胶组合物
752、一种环保光刻胶清洗液配方生产工艺技术
753、用于深紫外光的光刻胶组合物以及制造半导体器件的方法
754、改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法
755、一种RF MEMS器件双层光刻胶牺牲层的制备方法
756、一种耐高温黄变的碱可溶性OC负性光刻胶
757、制备高比表面积的光刻胶-石墨烯材料的复合体系的方法
758、一种大口径薄膜衍射透镜光刻胶微结构的制备方法及工装
759、一种酸性光刻胶剥离液
760、光刻胶图形的形成方法
761、用于半导体封装工艺的负性光刻胶
762、光致酸生成剂、光刻胶、涂覆的基材以及形成电子器件的方法
763、一种用于显示面板和半导体领域的水基型光刻胶剥离液
764、一种KMPR光刻胶用KOH显影液
765、一种新型光刻胶喷胶方法
766、一种光刻胶配方生产工艺技术
767、一种应用于OGS触摸屏的光刻胶及其光刻工艺
768、用于检测光刻胶的材料和制造半导体器件的方法
769、一种光刻胶厚胶坚膜方法
770、一种改善光刻胶封装工艺的方法及光刻机系统
771、光刻胶
772、利用光刻胶支撑层无损转移并图案化石墨烯的方法及应用
773、一种减少光刻胶中毒的方法
774、一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法
775、光刻胶组合物配方生产工艺技术
776、测试片及其制造方法和光刻胶缺陷的检测方法
777、一种光刻胶粘附剂、制备方法及使用方法
778、一种生物基成膜树脂及其制备的光刻胶
779、含双酚A骨架结构的分子玻璃光刻胶配方生产工艺技术和应用
780、一种应用于双光束激光的光刻胶
781、一种双重响应型可降解光刻胶配方生产工艺技术和使用方法
782、光刻胶去除剂组合物
783、一种杂环多官光致产酸剂配方生产工艺技术和制得的化学增幅型光刻胶
784、彩色光刻胶组合物
785、去除光刻胶显影后残留缺陷的方法
786、EUV用感光性光刻胶微细图案形成用显影液组合物
787、一种彩色光刻胶组合物和彩色滤光片配方生产工艺技术
788、一种光刻胶清洗液
789、光刻胶及光刻方法
 
  以上为本套技术的目录及部分简要介绍,内容都包括具体的生产制作过程,收费380元,购买或咨询可联系:微信/电话:13510921263



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