1、用于光电二极管阵列的电容耦接的硅中介层
[简介]：本提供涉及一种用于光电二极管阵列的电容耦接的硅中介层。所述硅中介层可以包括片上DC阻隔电容器，所述片上DC阻隔电容器包括：第一电连接件和第二电连接件，所述第一电连接件用于耦接至电源电压以及以二维光电二极管阵列形成在第一基板上的多个光电二极管的*极，所述第二电连接件用于耦接至地以及第二基板上的多个跨阻抗放大器的接地输入端；其中，所述片上DC阻隔电容器被配置为在包括所述多个光电二极管和所述多个跨阻抗放大器的多个接收器电路之间共享；并且其中，所述硅中介层包括与所述第一基板和所述第二基板分离的基板。
2、基于门控雪崩光电二极管的光通信接收装置及方法
[简介]：本技术属于光通信技术领域，特别涉及一种基于门控雪崩光电二极管的光通信接收装置及方法，该装置包含：用于探测光信号并将其转换为电信号进行雪崩放大处理的雪崩光电二极管模块，雪崩光电二极管模块提供直流偏执电压的偏置电压模块，及用于通过产生门控信号使雪崩光电二极管交替工作在线性模式与盖革模式下的门控信号模块，通过直流偏执电压和门控信号共同作用来增加雪崩光电二极管盖革工作模式下的增益以探测微弱光信号。本技术实现高灵敏度的光通信接收，可用于低功率、无中继长跨距或大损耗条件下的低误码光纤通信和空间光通信，具有较强实用性。
3、基于半导体光电二极管的高集成度光谱探测系统
[简介]：本技术提供的是一种基于半导体光电二极管的高集成度光谱探测系统，由半导体光电二极管探测阵列、偏置电压电路、跨阻放大器(TIA)阵列、模拟数字(AD)转换电路阵列、光谱重构系统、信息显示系统和光谱响应函数系统组成，可实现结构简单的高性能小型化光谱仪，可广泛应用于光学检测、生物化学分析、工业自动监测、军事侦察、天文研究等领域。
4、一种高响应度的雪崩光电二极管结构
[简介]：一种高响应度的雪崩光电二极管结构涉及雪崩二极管技术领域，解决了低噪声和高倍增增益难以同时实现的问题，二极管结构为纳米线型，包括从下至上顺次设置的GaAs倍增层、窄带隙插入层和吸收层；插入层的材料为GaAs1?xSbx，吸收层的材料为GaAs1?ySby；或者；插入层的材料为IniGa1?iAs，吸收层的材料为InjGa1?jAs；i和x为固定值，吸收层的In或Sb组分由下至上线性递增。且x＞ymin,i＞jmin。本技术通过窄带隙插入层在价带形成空穴阱，捕获空穴，并在插入层和倍增层之间形成强空穴势垒以阻挡空穴，增强了雪崩区的电场强度，提高了倍增因子，降低了噪声。
5、雪崩光电二极管
[简介]：本提供涉及半导体结构，更具体地涉及雪崩光电二极管及制造方法。该结构包括：衬底材料，其具有沟槽，该沟槽具有由该衬底材料构成的侧壁和底部；第一半导体材料，其对沟槽的侧壁和底部加衬里；光敏半导体材料，其设置在第一半导体材料上；以及第三半导体材料，其设置在光敏半导体材料上。
6、一种雪崩光电二极管和光电倍增管探测器
[简介]：本技术提供一种雪崩光电二极管和光电倍增管探测器，涉及辐射探测或弱光探测技术领域，以解决探测器探测效率低的问题。所述雪崩光电二极管包括衬底和入射光抗反射层，衬底包括多个掺杂区，掺杂区是在衬底掺入杂质离子所形成的，掺杂区包括光线入射端P型重掺杂区、N型重掺杂区、P型重掺杂区、P型掺杂区和P型低掺杂区。所述光电倍增管探测器包括多个雪崩光电二极管单元，多个雪崩光电二极管单元并联连接，每一雪崩光电二极管单元均包括淬灭电阻和上述技术方案所涉及的雪崩光电二极管，雪崩光电二极管和淬灭电阻串联连接。本技术提供的雪崩光电二极管和光电倍增管探测器用于辐射探测或弱光探测中。
7、一种窄带响应紫外光电二极管及其配方技术
[简介]：本技术提供一种窄带响应紫外光电二极管及其配方技术，包括衬底层，设置于衬底层上的半导体层，设置于GaN层上的多孔GaN层；设置于多孔GaN层上的MoO3层，GaN层和MoO3层上还设置有金属触点层。本技术通过在衬底层上沉积GaN薄膜；对制备的GaN薄膜进行清洗，并用离子液刻蚀，形成多孔GaN层；并在多孔GaN层表面热蒸发MoO3层。本技术利用多孔GaN材料作为紫外光吸收层，降低材料缺陷，同时增强紫外光吸收；窄带响应紫外光电二极管响应带宽仅10nm，且只在355～380nm紫外波段产生响应，外量子效率和响应度在紫外区370nm处取得峰值，并具有高紫外/可见抑制比，非常适用于要求窄带响应的应用场合。
8、一种高灵敏度的有机光电二极管及其所构成的阵列，以及该有机光电二极管的配方技术
[简介]：本技术涉及一种高灵敏度的有机光电二极管，其包括光敏层，其中所述光敏层为本体异质结结构，即(i)包括一种给体材料D1与一种受体材料A1；以及给体材料D2?Dn；并且所述给体材料D2?Dn的能隙，大于给体材料D1的能隙和/或受体材料A1的能隙；或者(ii)包括一种给体材料D1与一种受体材料A1；以及受体材料A2?An；并且所述受体材料A2?An的能隙，大于给体材料D1的能隙和/或受体材料A1的能隙。光敏层中新组分的加入有效减少了本体异质结能隙内杂质缺陷态密度，抑制了光生电荷的陷阱辅助复合通道，增强了外量子效率，减小了暗电流，进而提高了器件的比探测率。本技术还涉及其组成的阵列以及相关的配方技术。
9、具有钉扎光电二极管的集成光学传感器
[简介]：本提供的实施例涉及具有钉扎光电二极管的集成光学传感器。集成光学传感器由钉扎光电二极管形成。半导体衬底包括具有第一导电类型的第一半导体区域，该第一半导体区域位于第二半导体区域与第三半导体区域之间，第二半导体区域具有与第一导电类型相对的第二导电类型，第三半导体区域具有第二导电类型。第三半导体区域与第二区域相比更厚、更少掺杂并且更深地位于衬底中。第三半导体区域包括硅和锗。在一个实现方式中，第三半导体区域内的锗具有至少一个浓度梯度。在另一实现方式中，第三半导体区域内的锗浓度是基本恒定的。
10、包括多个二极管的光电器件的制造方法
[简介]：本技术涉及一种光电器件的制造方法，包括以下步骤：a)形成有源二极管堆叠(100)，所述有源二极管堆叠(100)包括相反导电类型的第一半导体层(103)和第二半导体层(107)；b)形成包括多个基本控制单元(CTRL)的集成控制电路(200)，每个基本控制单元包括至少一个MOS晶体管(M1)；c)在步骤a)和b)之后，将所述集成控制电路(200)转移到所述有源二极管堆叠(100)的上表面；和d)在步骤c)之后，形成沟槽(130)，所述沟槽垂直延伸穿过集成控制电路(200)，并出现在第一层(103)之中或之上，并界定多个像素，每个像素包括二极管和基本控制单元(CTRL)。
11、具有集成的光电二极管的垂直腔面发射激光器
12、光电二极管的击穿电压测试
13、一种用于光电雪崩二极管C-V曲线的测量装置及测量方法
14、包括光电二极管阵列的光传感器
15、新型光电二极管结构、配方技术及电路结构
16、一种发光二极管、光电模块及显示装置
17、对图像感测光电二极管与相位检测光电二极管进行模拟合并读出的图像传感器
18、一种雪崩光电二极管和光电倍增管探测器
19、一种多合一发光二极管调光电路
20、一种CdSe量子点、及其配方技术和光电导二极管
21、一种波导型Ge/Si雪崩光电二极管及配方技术
22、一种基于SiC和二硒化钨异质结的光电二极管及其配方技术
23、一种发光二极管、光电模块及显示装置
24、一种蓝光光电二极管及其配方技术
25、一种光电二极管
26、一种雪崩光电二极管探测装置
27、具有多个光电二极管的高动态范围成像像素
28、基于多周期布拉格反射镜的雪崩光电二极管及其配方技术
29、CIS光电二极管及其制作方法
30、一种具有光电二极管效应的AZO薄膜器件及其配方技术
31、SPAD光电二极管控制电路
32、石墨烯/双层碲烯/硼烯范德华异质结光电二极管器件
33、一种蓝绿光增强型的硅基雪崩光电二极管
34、具有硅光电二极管的检测装置
35、光电二极管和/或PIN二极管结构
36、超深光电二极管的制作方法
37、光电二极管和/或PIN二极管结构
38、光电二极管成像阵列的读出电路和应用方法
39、一种基于二极管反馈的跨阻放大器及光电传感器
40、一种多孔GaN窄带紫外光电二极管及其配方技术
41、一种利用分子束外延制备雪崩光电二极管的方法
42、基于布拉格反射镜的波导型Ge/Si雪崩光电二极管及配方技术
43、一种量子阱雪崩光电二极管
44、一种发光二极管、光电模块及显示装置
45、一种雪崩光电二极管及其配方技术
46、一种超级差分跨阻放大器结构及光电二极管连接方法
47、一种基于雪崩光电二极管阵列的读出电路和光电探测器
48、像素阵列中使用可重新配置的光电二极管进行高电压生成
49、一种光电二极管及其制作方法以及显示屏
50、一种雪崩光电二极管
51、一种补偿反射镜集成的全反射式单行载流子光电二极管
52、化合物以及包括其的膜、光电二极管、有机传感器和电子设备
53、基于光电二极管的显示屏色彩测量系统及其测试方法
54、用于运行光电二极管的方法
55、空穴传输材料及其制作方法以及有机光电二极管
56、带有光电二极管放大电路的PCB板及减小直流因素的方法
57、一种带导光结构的光电二极管及其制作方法
58、一种双掺杂谐振腔单行载流子光电二极管
59、一种光电二极管回收熔炉
60、一种自由运行模式下的负反馈雪崩光电二极管
61、一种具有光电二极管效应的双钙钛矿薄膜器件及其配方技术和应用
62、基于雪崩光电二极管的图像感测器
63、获取光电二极管的击穿电压的电路及方法
64、基于雪崩光电二极管的光模块的信号强度校准方法及装置
65、光电二极管及其配方技术
66、一种基于量子碳膜的异质结光电二极管结构及制作方法
67、一种光电二极管输出光电耦合器引脚剪切系统
68、一种高速高响应度的硅基光电二极管及其配方技术
69、单电子传输雪崩光电二极管结构及制作方法
70、CMOS光电二极管及集成外围电路的CMOS光电二极管的制造方法
71、一种雪崩光电二极管的制造方法
72、通讯用光放大器与光电二极管探测器集成元件及配方技术
73、一种光电二极管阵列β粒子计数探测器
74、一种光电二极管加工用夹
75、包含取代光电二极管的光圈以获得增加的光通过量的光学感测系统和装置
76、光调制幅度控制器中的可配置激光监控光电二极管
77、基于量子阱二极管的同质集成光电子装置
78、具有集成旁路电容器和光电二极管的包含多通道的集成电路
79、多通道集成制冷单光子雪崩光电二极管器件
80、组合物、有机光电二极管以及显示装置
81、用于制造具有发光二极管的光电子器件的方法
82、一种光电二极管存放设备
83、基于NiFe2O4/SiC紫外光电二极管及配方技术
84、一种表面吸附锂离子的范德华异质结光电二极管器件结构
85、光电二极管波长控制方法及光电二极管
86、一种负反馈型单光子雪崩光电二极管及其制作方法
87、用于使用偏振和相位检测光电二极管获得三维形状信息的装置和方法
88、一种光电二极管及显示屏
89、一种雪崩光电二极管及其制作方法
90、一种硅光电二极管阵列贝塔粒子计数探测器
91、光电驱动雪崩二极管忆阻器件及其制作方法
92、包括光电二极管的电子装置
93、一种宽光谱响应的雪崩光电二极管及其制作方法
94、具有单片集成的光电二极管的垂直腔面发射激光器装置
95、一种低电容的高速光电二极管及其配方技术
96、一种紫外光电二极管及其配方技术
97、一种光电二极管制造用胶体快速注入装置
98、一种三台面结构的雪崩光电二极管及其制造方法
99、光电二极管波长控制方法及装置
100、智能高灵敏光耦隔离芯片传感前端用的光电雪崩二极管
101、基于甲胺铅溴单晶的同质结光电二极管和三极管及其配方技术
102、包括薄膜晶体管和有机光电二极管的图像传感器阵列器件
103、一种基于TMDCs横向PIN同质结的光电二极管及配方技术
104、紫外光电二极管及其配方技术
105、制造至少一种拉伸应变的平面光电二极管的方法
106、包括SPAD光电二极管的图像传感器
107、基于NiFe2O4/Ga2O3的紫外光电二极管及其配方技术
108、光电二极管芯片及制作方法
109、包括发光二极管的光电器件
110、雪崩光电二极管传感器和测距装置
111、具有在光电二极管层上印制的驱动微集成芯片的X射线检测器
112、一种基于CuAlO2/SiC紫外光电二极管及配方技术
113、一种用于提高背照式光电二极管响应度的结构及制作方法
114、一种雪崩光电二极管的偏压电路及供电方法
115、一种硅光电二极管加工用夹持器
116、有机光电二极管、X射线探测器及其配方技术
117、一种基于光电二极管阵列的室内三维光定位方法
118、摄像系统、光探测器及光电二极管
119、光电二极管
120、一种集成微透镜结构的雪崩光电二极管
121、一种雪崩光电二极管
122、非掺杂溶液加工型树枝状热活化延迟荧光电致发光二极管
123、一种利用光电二极管的加密卡保护方法
124、一种抗信号堆积的高精度定时硅光电倍增二极管系统
125、CIS器件中超深光电二极管的制作方法、CIS器件
126、雪崩光电二极管及其制作方法
127、一种测量雪崩光电二极管的雪崩信号的装置及方法
128、一种雪崩光电二极管扩散结构、配方技术及二极管器件
129、具有共享一个光电二极管的双色滤色器的图像传感器
130、具有环栅保护环的单光子雪崩光电二极管及其制作方法
131、一种基于量子点的电致发光二极管及光电设备
132、激光二极管阵列器件的制造方法、激光发光电路以及测距装置
133、垂直光电二极管
134、应用在发光二极管照明系统的调光电路
135、一种雪崩光电二极管及其制作方法
136、高发光效率的图案化光电基板、发光二极管及其制作方法
137、透镜盖、具有透镜盖的光电二极管及其制造方法
138、用于制造具有二极管的矩阵的光电器件的方法
139、一种可见光通信的超薄高效三色PIN光电二极管阵列及其配方技术
140、包括发光二极管的光电设备
141、激光雷达中雪崩光电二极管的偏置电压标定方法及装置
142、制造包括多个二极管的光电装置的方法
143、雪崩光电二极管的反向偏压产生方法
144、用于宽动态范围的雪崩光电二极管电流压扩的对数标度模数转换器
145、锑化物超晶格雪崩光电二极管及其配方技术
146、一种具有光电二极管效应的氧化物薄膜器件及其配方技术
147、用于减轻雪崩光电二极管（APD）致盲的系统和方法
148、一种宽光谱响应的InGaAs单光子雪崩光电二极管及其制造方法
149、基于负压调节的雪崩光电二极管偏压调节电路
150、多光电二极管像素单元
151、雪崩光电二极管扩散结构的配方技术及二极管扩散结构
152、一种光电二极管及其制作方法、电子设备
153、基于光子晶体宽谱全反射器优化的雪崩光电二极管
154、雪崩光电二极管、计算或通信装置及制造光电组件的方法
155、单光子雪崩光电二极管阵列探测器
156、低噪声宽光谱响应的单光子雪崩光电二极管及其制作方法
157、包括发光二极管和控制电路的光电子装置
158、基于光电二极管的显示屏闪烁度的测量方法
159、一种分级势垒低暗电流台面型光电二极管及其制作方法
160、一种级联雪崩倍增光电二极管
161、一种光电二极管及其配方技术
162、光电二极管和有机传感器以及电子装置
163、一种AlGaN紫外雪崩光电二极管探测器及其配方技术
164、一种外延片、平面型光电二极管及其配方技术
165、一种制造光电二极管的方法以及相应光电二极管
166、基于量子点的硅上雪崩光电二极管
167、具有多个光电二极管和共享比较器的像素传感器
168、光电二极管
169、增强紫外波段响应度的硅雪崩光电二极管及其配方技术
170、一种雪崩光电二极管雪崩偏压查找的装置
171、具有集成光电二极管的垂直腔面发射激光器装置
172、无过量噪声的光电二极管
173、雪崩光电二极管及其制作方法
174、使用窄带光学滤波器的高分辨率单光电二极管光谱仪
175、图像传感器用像素、光电二极管及图像传感器的驱动方法
176、化合物、组合物、有机光电子二极管和显示装置
177、一种Ⅲ族氮化物雪崩光电二极管组件及其配方技术
178、具有多光电二极管图像像素和竖直转移门的图像传感器
179、一种台面PIN的钝化结构和光电二极管及其配方技术
180、制造包括多个二极管的光电装置的方法
181、光电二极管及其配方技术
182、制造至少一个暗电流减小的钝化平面光电二极管的方法
183、多光电二极管像素单元
184、雪崩光电二极管的偏压控方法和装置、存储介质
185、单光子雪崩光电二极管
186、一种判断10G EPON的雪崩光电二极管APD最佳工作电压的方法
187、一种基于光电二极管阵列的辐照强度分布测量方法
188、高光电性功能的图案化光电基板、发光二极管及其制作方法
189、光电二极管直接布置在平面光波电路上的光接收器
190、光电二极管及其制作方法、以及高速光耦
191、一种单行载流子光电二极管
192、制造设置有共面发光二极管的光电结构的方法
193、用于配备有光电二极管的装置的光学透镜
194、化合物、膜、光电二极管、有机传感器、和电子设备
195、一种可见光宽谱段高效率PIN光电二极管及其配方技术
196、基于透明光电二极管的显示装置、显示面板及其制造方法
197、一种用于光模块中的光电二极管的位移对准装置、方法
198、光电二极管及其制作方法、阵列基板
199、一种雪崩光电二极管
200、多光电二极管像素单元
201、有机光电二极管及红外CMOS传感器
202、具有多个光电二极管的像素传感器
203、白光发光二极管的调光电路
204、具有多个光电二极管的像素单元
205、基于单光电二极管的光谱检测方法及装置
206、包括发光二极管的具有改进的光提取的光电器件
207、一种光电接收二极管和三极管的集成封装结构以及电路
208、光电二极管阵列
209、一种制备电场可控的二维材料光电二极管的方法
210、基于雪崩光电二极管的光检测传感器及其配方技术
211、雪崩光电二极管及配方技术
212、一种基于激光陀螺使用的光电二极管的屏蔽结构及其屏蔽方法
213、具有由于逆压电效应而受拉伸应力的二极管的光电器件
214、一种用于制备雪崩光电二极管的方法及雪崩光电二极管
215、一种全氧化物铁电光电二极管及其配方技术
216、跨阻放大器以及用于光信号的具有光电二极管和跨阻放大器的接收器电路
217、包括二极管阵列的光电子器件
218、一种发光二极管结构与光电器件
219、雪崩光电二极管阵列探测器
220、光电二极管及其形成方法
221、具有多个光电二极管的像素传感器
222、光电二极管配方技术及其光电二极管
223、硅基深紫外雪崩光电二极管及其配方技术
224、电调制光电二极管及其制造方法
225、光电二极管的击穿电压测试
226、使用多个雪崩光电二极管元件检测光
227、用于飞行时间测量的带有升压光电二极管的图像传感器
228、锗光电二极管
229、波导集成雪崩光电二极管
230、光电二极管的配方技术、光电二极管和CMOS图像传感器
231、一种光电二极管及其制造方法
232、光电二极管及配方技术、显示基板、显示装置
233、一种单光子雪崩光电二极管标定系统及标定的方法
234、用于有机光电二极管的化合物、有机光电二极管和显示装置
235、一种光电二极管差分信号的获取电路
236、一种硅基PiN紫外光电二极管及其配方技术
237、具有低暗电流的针扎光电二极管
238、一种光电二极管及其操作方法
239、一种高灵敏度高抗干扰的光电二极管检测器
240、一种新型p-i-n紫外光电二极管及其配方技术
241、一种激光二极管芯片光电属性检测方法和检测装置
242、一种光电二极管芯片及其配方技术
243、倒装型可见光增敏硅基雪崩光电二极管阵列的配方技术
244、一种增强蓝光型硅基雪崩光电二极管阵列及其配方技术
245、包括多个光电二极管的定位和检测设备
246、一种有机光电材料及有机发光二极管器件
247、一种PIN光电二极管及提高PIN光电二极管响应度的方法
248、基于雪崩光电二极管的密封检漏系统及其操作方法
249、基于NiO/Ga2O3的紫外光电二极管及其配方技术
250、CuAlO2/Ga2O3紫外光电二极管及配方技术
251、具有雪崩光电二极管的细胞仪精子性别感测装置
252、光电二极管内部光生电荷转移效率的测试方法
253、无过量噪声的线性模式雪崩光电二极管
254、包括有机光电二极管的辐射检测装置
255、非晶硅光电二极管模组
256、一种带光电隔离粗化层的发光二极管的配方技术
257、一种图像传感器的光电二极管和图像传感器
258、光电二极管及形成方法、成像模组、身份识别装置及方法
259、包含三维发光二极管的光电设备
260、一种注Al离子雪崩光电二极管及其配方技术
261、快速校准雪崩光电二极管APD的反向偏压的方法
262、X射线和伽玛射线光电二极管
263、具有竖直堆叠光电二极管和竖直转移门的图像传感器
264、一种双线光电二极管阵列器件及粒子速度测量方法
265、一种短距离通信高速光电二极管芯片及其制作方法
266、有机光电二极管和显示设备
267、具有竖直堆叠光电二极管和竖直转移门的图像传感器
268、一种可见光短波段硅基雪崩光电二极管阵列及其配方技术
269、光电二极管及其配方技术、平板探测器
270、一种发光二极管的芯片的光电性能的测试方法
271、一种提高背照式光电二极管响应度的结构及制作方法
272、一种紫外雪崩光电二极管
273、有机光电二极管中有机光电转换层的P活性材料
274、一种使用单个光电二极管实现相干检测的方法
275、基于程控恒流源和光电二极管矫正的LED稳谱装置及其方法
276、基于金刚石/InP/SiC双异质结的光电探测二极管及其配方技术
277、有机光电二极管和包括其的有机图像传感器
278、双负极光电二极管芯片及其制作方法
279、多光电二极管像素单元
280、一种阵列单光子雪崩光电二极管增益自适应调节电路
281、一种光电二极管的测试方法以及装置
282、一种高可靠NIP结构台面型光电二极管及其制作方法
283、雪崩光电二极管传感器和电子装置
284、光电二极管以及制造方法、传感器、传感阵列
285、用于相位检测自动聚焦的双光电二极管
286、超辐射发光二极管及光电器件
287、光电二极管的配方技术及光电二极管
288、成像系统、成像方法和非瞬时性机器可读存储介质
289、雪崩光电二极管的抽充气密封系统及其操作方法
290、新型异质结雪崩光电二极管
291、用于雪崩光电二极管的延时电路及集成单光子检测电路
292、多像元集成铟镓砷雪崩二极管四象限光电探测芯片
293、3～5μm红外波段雪崩光电二极管探测器及其制作方法
294、光侧面入射的蓝光增敏硅雪崩光电二极管阵列器件
295、基于雪崩光电二极管阵列芯片的大动态范围弱光探测系统
296、一种光电二极管与闪烁体材料的耦合方法
297、一种光电二极管监控保护装置
298、SOI基LSAMBM雪崩光电二极管及其配方技术
299、光电二极管以及光感应设备
300、用于有机光电二极管的化合物、用于有机光电二极管的组合物、有机光电二极管和显示装置
301、一种消除监控光电二极管暗电流的装置及方法
302、一种钳位光电二极管的测试方法以及装置
303、蓝光增敏硅基雪崩光电二极管阵列器件
304、增强近红外量子效率的钳位型光电二极管及其配方技术
305、雪崩光电二极管的配方技术
306、具有升压型光电二极管驱动的成像传感器
307、雪崩光电二极管
308、一种光电二极管及其配方技术、X射线探测基板
309、一种高速高效可见光增敏硅基雪崩光电二极管阵列
310、光电二极管及其制作方法
311、有机光电二极管及显示装置
312、用于聚焦场雪崩光电二极管的方法和系统
313、雪崩光电二极管及其制造方法
314、用于制造包括多个二极管的光电设备的方法
315、新型单光子雪崩二极管、光电探测器及其制造方法
316、半导体超辐射二极管光源光电探测管复用的光纤陀螺仪
317、同步检测小微发光二极管三维形貌与光电性能的显微镜
318、基于可弯曲光电二极管的探测器模块及探测器系统
319、有机光电二极管用组合物、有机光电二极管和显示器件
320、雪崩光电二极管的驱动电路及装置
321、一种具有低噪声的AlGaN基雪崩光电二极管及配方技术
322、光电二极管及其形成方法
323、雪崩光电二极管传感器
324、雪崩光电二极管结构
325、具有提取增强的带有发光二极管的光电设备
326、用于检测红外线辐射的盖革模式雪崩光电二极管阵列
327、用于有机光电二极管的化合物、用于有机光电二极管的组合物、有机光电二极管和显示装置
328、SPAD光电二极管
329、一种提高CMOS图像传感器量子效率的光电二极管结构
330、具有漂移沟道的紫外雪崩光电二极管探测器及其探测方法
331、雪崩光电二极管器件及其结构参数的调整方法
332、光电二极管及其形成方法、图像传感器、指纹成像模组
333、一种SiC雪崩光电二极管器件外延材料的配方技术
334、吸收层变掺杂InGaAs雪崩光电二极管及配方技术
335、一种紫外雪崩光电二极管探测器及其探测方法
336、一种测量光电二极管响应的线性度的方法
337、一种模组化的光电二极管封装制造方法
338、两级台面铟镓砷/铟磷雪崩光电二极管及其配方技术
339、具有发光二极管的光电器件
340、基于雪崩光电二极管的激光测距放大电路
341、单光子雪崩光电二极管探测器的装置和方法
342、具有发光二极管的光电设备
343、一种基于光电二极管的火焰检测装置
344、包括具有提高的提取率的发光二极管的光电器件
345、光电二极管芯片及其制作方法
346、一种背照式级联倍增雪崩光电二极管
347、延伸波长台面型雪崩光电二极管及其配方技术
348、具有发光二极管的光电设备
349、具有载流子生成的钉扎光电二极管的解调器及其操作方法
350、光电二极管及其形成方法、图像传感器、指纹成像模组
351、复合光电二极管以及使用复合光电二极管的光传感器
352、一种提高CMOS图像传感器量子效率的光电二极管结构
353、平面雪崩光电二极管
354、一种测量光电二极管响应的线性度的装置
355、单光子雪崩光电二极管时间延迟积分CMOS图像传感器
356、一种雪崩光电二极管温度控制系统
357、具有用于感测环境光的光电二极管以基于其来加速发出潜在火警报的火检测器
358、一种背光检测光电二极管结构及其加工方法
359、光电二极管检测的熔池光强数据场建模方法
360、一种LED光电二极管封装结构
361、光电二极管前置放大及温度控制装置及其系统
362、集成制冷的单光子雪崩光电二极管器件
363、具有双透镜系统和监测用光电二极管的光学组件
364、一种高线性增益红外雪崩光电二极管及其配方技术
365、一种模组化的光电二极管封装器件
366、抗辐射高速光电二极管器件
367、具有光电二极管的集成闪烁体网格
368、具有低击穿电压的雪崩光电二极管
369、一种单光子雪崩光电二极管电容淬灭电路
370、全集成的雪崩光电二极管接收器
371、有机光电二极管与显示装置
372、雪崩光电二极管
373、一种光电二极管、X射线探测基板及其制作方法
374、单片集成紫外?红外双色雪崩光电二极管及其配方技术
375、具有三维二极管的光电器件
376、背照式高速光电二极管接收芯片及其制作方法
377、一种光电二极管、X射线探测器及其配方技术
378、光电二极管封装装置
379、一种半导体光电二极管封装结构
380、一种光电二极管精密信号调理模块
381、光电二极管及其制造工艺
382、背投影式光电探测清纱装置及其紫外增强型硅光电二极管
383、一种雪崩光电二极管偏压保护系统
384、包括钉扎光电二极管结构的半导体装置
385、雪崩光电二极管
386、一种负载可变的单光子雪崩光电二极管淬灭电路
387、一种具有柔性薄膜PIN光电二极管阵列的检测器
388、一种具有生成钉扎光电二极管的载波的解调器
389、光电二极管集成器件及其配方技术
390、一种雪崩光电二极管及其配方技术
391、减小光电二极管寄生电容电路
392、一种基于柔性PIN光电二极管的指端脉搏波检测器
393、基于AlInAsSb体材料作倍增区的雪崩光电二极管及其配方技术
394、用于在有机光电二极管中的有机光电转换层的N和P活性材料
395、用于有机光电二极管的化合物、包含其的有机光电二极管和显示器件
396、一种碳化硅基PIN结构近红外光电二极管及其配方技术
397、用于生产包括多个氮化镓二极管的光电设备的方法
398、用于有机光电二极管中的有机光电转换层的特定N和P活性材料
399、基于雪崩光电二极管的图像感测器
400、具有周期性纳米结构的雪崩光电二极管
401、具有发光二极管的光电子电路
402、光电二极管器件及光电二极管探测器
403、制作光电二极管的方法、光电二极管及光感应器
404、基于多组测试探针的二极管光电测试方法
405、包括发光二极管的光电子电路
406、AlGaN渐变组分超晶格雪崩光电二极管
407、一种用于驱动硅基雪崩光电二极管的电路结构
408、雪崩光电二极管
409、一种并行雪崩光电二极管阵列结构的红外单光子探测系统
410、一种可见光到红外光探测的宽波段光电二极管
411、光电二极管及其制作方法、X射线探测基板及其制作方法
412、PIN光电二极管的制作方法
413、光电二极管的配方技术和光电二极管
414、用于光电子和电子器件、特别是有机发光二极管(OLED)的新的发光材料和基质材料
415、用于采用单个光电二极管的波长选择开关的光信道监测器
416、基于雪崩光电二极管的传感器及探测器
417、PIN光电二极管、X射线探测像元、装置及其探测方法
418、齐纳二极管辅助型光电导探测器
419、基于光电分离的二极管光电测试方法
420、光电二极管阵列
421、具有单片集成的光电检测器用于原位实时强度监视的发光二极管（LED）
422、半导体器件、制造半导体器件的方法、光电二极管阵列以及成像设备
423、一种雪崩光电二极管及其制造方法
424、单光子雪崩光电二极管的制作方法
425、光电二极管以及配方技术、X射线探测基板
426、基于双异质结的Ga2O3/GaN/SiC光电探测二极管及其配方技术
427、基于光电二极管阵列传感器的小管道气液两相流参数测量装置和方法
428、一种雪崩光电二极管及其配方技术
429、一种高速饱和单行载流子紫外光电二极管及配方技术
430、一种SiC雪崩光电二极管及其配方技术
431、一种适用于超高速量子保密通信系统的雪崩光电二极管探测阵列
432、倍增区控制的雪崩光电二极管及其制造方法
433、光电二极管集成光探测器
434、单行载流子光电二极管的收集区结构
435、雪崩光电二极管及其制造方法
436、通讯用雪崩光电二极管及其配方技术
437、带有隔离*极的光电二极管阵列
438、一种基于硅光电二极管的荧光检测电路
439、光电二极管器件、光电二极管探测器及其制造方法
440、雪崩光电二极管
441、一种镓氮雪崩光电二极管组件及其制作方法
442、具有发光二极管与改进的辐射图的光电装置
443、高功率光电二极管芯片
444、滤色器和光电二极管图案化配置
445、使用有机光电二极管的X射线系统和X射线检测器
446、高速锗/硅雪崩光电二极管
447、一种光模块中雪崩光电二极管APD的保护方法及装置
448、低电容光电二极管元件和计算机断层造影检测器
449、带有集成加热器的GE/SI雪崩光电二极管及其制作方法
450、一种硅雪崩光电二极管组件及其制作方法
451、具有发光二极管的光电子设备
452、有机化合物、组合物及有机光电二极管
453、用于集成光子开关的监测光电二极管多路复用器
454、一种具有不等光电口径的垂直进光雪崩光电二极管
455、化合物、包含其的有机光电装置及显示设备
456、雪崩光电二极管的制造方法
457、有机光电二极管、有机x射线检测器和x射线系统
458、硅基紫外增强型光电二极管制作方法
459、光电二极管、光电二极管阵列、以及固体摄像元件
460、905nm硅雪崩光电二极管及其制作方法
461、一种用于单行载流子光电二极管的吸收区结构
462、有机光电二极管和显示装置
463、同面电极光电二极管阵列及其制作方法
464、异质结倍增层增强型AlGaN日盲雪崩光电二极管及其配方技术
465、光电二极管及光电二极管的制造方法
466、具有用于监控2×1光开关断开状态的集成光电二极管的2×1MMI的设备及方法
467、一种新型小倾角半台面结构的碳化硅雪崩光电二极管
468、一种光电二极管装置以及一种产生整流效应的方法
469、一种可定压启辉多点可调发光二极管调光电路
470、一种Ge/Si SACM结构雪崩光电二极管的等效电路模型建立方法
471、具有低暗电流的针扎光电二极管
472、具有光电二极管的光电转换器件和光信号接收单元
473、单光子雪崩光电二极管的超额偏压控制系统与方法
474、雪崩光电二极管恒温控制系统
475、用于识别第一发光二极管元件中的短路的方法和光电子组件
476、拥有具有交错光电二极管的像素单元的图像传感器
477、用于环境光感测和接近感测的光电二极管
478、发光二极管调光电路
479、具有发光二极管的光电子电路
480、一种平面型三阶梯结雪崩光电二极管及制作方法
481、包括发光二极管和控制电路的光电子装置
482、一种高响应度雪崩光电二极管配方技术
483、一种雪崩光电二极管过压保护方法及装置
484、用光电二极管感测气体绝缘开关装置中电弧的装置和方法
485、光电二极管及其配方技术、X射线探测器基板及其配方技术
486、多像素雪崩光电二极管
487、一种雪崩光电二极管偏置电压温度补偿装置及方法
488、具有恒定电压偏置的光电二极管的像素电路和相关的成像方法
489、光电二极管及其形成方法
490、基于背景噪声消除的光电二极管电路及激光测距系统
491、利用石墨烯硅量子点混合结构的光电二极管及其制造方法
492、具有发光二极管的光电子器件
493、一种基于雪崩光电二极管APD的相干接收机
494、具有嵌入式反射器的双通光电二极管
495、光电二极管以及光电二极管阵列
496、一种基于激光二极管的局部放电光电检测系统及方法
497、光电耦合器件的发光二极管电路
498、一种雪崩光电二极管及光电接收机
499、应用于工作在线性模式下的雪崩光电二极管的接口电路
500、硅基碲镉汞长波光电二极管芯片
501、光电转换层和其于太阳能电池、光电二极管和图象传感器的应用
502、图像传感器及操作图像传感器的方法
503、有机化合物、组合物、有机光电二极管和显示装置
504、包括发光二极管的光电子装置
505、光电二极管、其制作方法及包括其的图像传感器
506、一种雪崩光电二极管及其制作方法
507、雪崩光电二极管的偏压产生电路及相关的控制电路
508、具有集成光电二极管的微机械构件以及微投影仪
509、外延晶片及其制造方法、光电二极管和光学传感器装置
510、一种光电二极管的制作方法
511、一种利用光栅和光电二极管阵列的呼吸检测装置
512、一种具有自熄灭自恢复功能的雪崩光电二极管
513、一种光电二极管配方技术
514、动态、单个光电二极管像素电路及其操作方法
515、包括发光二极管的光电器件及其制造方法
516、光电二极管、其制作方法及图像传感器件
517、雪崩光电二极管偏置电压产生电路、方法及光模块
518、具有有机光电二极管的图像传感器及其制造方法
519、使用背侧照明光电二极管的图像传感器及其制造方法
520、光电二极管前置放大电路
521、发光二极管、光电二极管、显示器及其形成方法
522、用于制造具有发光二极管的光电子器件的方法
523、一种抗串扰倒U 型埋层光电二极管及生成方法
524、4H?SiC PIN紫外光电二极管一维阵列芯片及其配方技术
525、一种二极管的光电测试方法
526、一种波长扩展型InGaAs雪崩光电二极管的外延结构
527、一种带有深N阱的NP型CMOS雪崩光电二极管
528、一种用于聚光光电转换器的大电流旁路二极管
529、用于光学耦合像素化闪烁体和光电二极管阵列的固化装置和固化方法
530、具有电荷吸收掺杂区域的光电二极管阵列
531、利用寄生光电二极管的具有改进的动态范围的成像阵列
532、一种雪崩光电二极管及其制造方法
533、光电二极管、紫外探测器集成电路及其制造方法
534、具有改进的光萃取的包括发光二极管的光电子器件
535、一种自熄灭自恢复雪崩光电二极管
536、具有补偿光谱响应的光电二极管
537、电路布置、发光二极管组装以及用于激励光电组件的方法
538、采用(BI) CMOS工艺的雪崩光电二极管的实现
539、用于有机光电二极管的组合物、有机光电二极管及显示装置
540、光电探测器检测发光二极管响应时间装置及检测方法
541、雪崩光电二极管检测器系统
542、具有不同光电二极管结构的光电检测器阵列
543、一种自带散热装置的雪崩光电二极管耦合器
544、雪崩光电二极管最佳工作电压的测试方法
545、一种雪崩光电二极管的测试方法及测试装置
546、雪崩光电二极管及其制造方法
547、具有带有单一植入的多个光电二极管的高动态范围像素
548、用于有机光电装置的化合物、包含其的有机发光二极管和包括有机发光二极管的显示器
549、非晶硅光电二极管基板的制造方法、基板及半导体装置
550、光电二极管及其形成方法
551、具有双电子阻挡层的有机光电二极管
552、透射电极、有机光电器件、图像传感器和有机发光二极管
553、光电二极管阵列
554、一种发光二极管调光电路
555、一种基于光电二极管的光信号采集系统
556、用于有机光电子器件的化合物、有机发光二极管和显示器
557、具有串扰隔离的抬升式光电二极管
558、具有双光电二极管差分输入的塑料光纤接收器和实现方法
559、光电二极管以及光电二极管阵列
560、一种雪崩光电二极管过剩噪声因子测量系统
561、雪崩光电二极管
562、雪崩光电二极管的低温温度控制装置及其制作方法
563、光电二极管及其制造方法、X射线探测器基板及其制造方法
564、一种基于非N型InP衬底的雪崩光电二极管及其配方技术
565、光电二极管
566、雪崩光电二极管阵列装置及形成方法、激光三维成像装置
567、光电二极管阵列
568、用于硅基光子集成电路的具有凹角镜的低电压雪崩光电二极管
569、光电二极管栅极介电保护层
570、雪崩光电二极管及其制造方法
571、一种高增益微元雪崩光电二极管阵列制造方法
572、具有堆叠配置的抬升式光电二极管
573、一种光电二极管芯片的筛选方法
574、铱金属络合物光电材料及其有机发光二极管
575、一种提高光电二极管反馈电流的结构及其配方技术与应用
576、光电二极管及其制造方法
577、用于有机光电器件的化合物、包括其的有机发光二极管、包括有机发光二极管的显示装置
578、平面雪崩光电二极管
579、光电二极管光通路的配方技术
580、光电雪崩二极管(APD)自动参数测试仪
581、一种免扩散的雪崩光电二极管及其配方技术
582、光电二极管阵列
583、具有集成的保护二极管的光电子器件和用于其制造的方法
584、光电二极管阵列
585、一种光电二极管码盘及其测量物体的相对位移的方法
586、用于有机发光二极管的光电材料及使用该光电材料的元件
587、具有有机光电二极管的辐射探测器
588、用于荧光检测的双结深光电二极管
589、一种增强型硅基光电二极管及其制作方法
590、一种采用光电二极管检测氢气燃料电池外漏氢气浓度的装置
591、用于光电微型传感器的宽谱紫外发光二极管及其制作方法
592、光电二极管载体和使用其的光传感器
593、X射线探测器背板的制造方法及PIN光电二极管的制造方法
594、具有缺陷辅助的硅吸收区域的雪崩光电二极管
595、包括用于控制暗电流或泄漏电流的电容器的光电二极管装置
596、基于红外光电二极管的纱线检测装置
597、用于发光二极管、光电子显示器等中的半导体纳米粒子基材料
598、用于图像传感器的光电二极管及其制造方法、图像传感器
599、使用多分段光电二极管和一个或更少的照明源检测手势的方法
600、对532nm敏感的真空光电二极管
601、光电二极管阵列及其形成方法
602、光电二极管、光感测组件及光电二极管的制造方法
603、INGAAS光电二极管阵列
604、一种光电二极管和制作方法
605、二极管以及包括该二极管的微电子装置
606、光电二极管及其制造方法
607、用于有机光电子装置的化合物、包括该化合物的有机发光元件和包括该有机发光二极管的显示装置
608、提高图像传感器满阱容量与量子效率光电二极管及方法
609、一种InAs雪崩光电二极管及其制造方法
610、具有有不同光敏感度的光电二极管的成像阵列及相关联图像恢复方法
611、雪崩光电二极管最佳工作偏压的调优算法
612、光电二极管
613、雪崩光电二极管及雪崩光电二极管阵列
614、一种光电二极管
615、用于有机光电子装置的化合物、包括该化合物的有机发光二极管和包括该有机发光二极管的显示器
616、共轭聚电解质光电材料及其在聚合物发光二极管中的应用
617、封装光电器件的方法及发光二极管芯片
618、具有纳米结构和纳米金属光学腔和天线的发光二极管，快光子-电子源和光电探测器，以及其制造方法
619、一种光电二极管及其制作方法
620、光电二极管和制造方法
621、发光二极管的残光电路
622、含两性侧链的共轭聚电解质光电材料及其在有机发光二极管中的应用
623、发光二极管光电特性量测装置
624、处理背照式光电二极管的系统和方法
625、光电二极管装置和光电二极管装置的生产方法
626、光电二极管阵列、辐射检测器及其制造方法
627、一种雪崩光电二极管探测阵列配方技术
628、具有改良的光电二极管区域分配的CMOS图像传感器
629、光电二极管及其制造方法，及包括光电二极管的光传感器
630、增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法
631、光电二极管阵列
632、一种组合光电二极管及其环境光传感器
633、具有低击穿电压的雪崩光电二极管
634、用于有机光电子装置的化合物、包含该化合物的有机发光二极管和包含该二极管的显示装置
635、适合于发光二极管、激光二极管或者光电检测器的电阻元件
636、一种用于紫外探测的雪崩光电二极管及其配方技术和工作方法
637、用于有机光电子装置的材料、包含它的有机发光二极管及包含该有机发光二极管的显示器
638、光电有机发光二极管元件及其制造方法
639、光电二极管阵列、基准电压决定方法及推荐动作电压决定方法
640、叉指状紫外增强型选择性硅光电二极管及其制作方法
641、一种堆栈光电二极管及其配方技术
642、对发光二极管进行光电热老化综合检测的方法
643、圆形光子晶体结构、发光二极管元件以及光电转换元件
644、用于飞行时间(TOF)光电二极管前端的直流(DC)修正电路
645、硅光电二极管及其制造方法
646、发光二极管的光电参数分组测试方法
647、雪崩光电二极管
648、发光二极管的光电化学偏压技术
649、用于有机光电子装置的化合物、包含其的有机发光二极管和包含所述有机发光二极管的显示器
650、环境光传感器和接近度检测器中的双层光电二极管
651、借助于两个光电二极管确定主导光源的类型的单元
652、雪崩光电二极管
653、有机光电子装置用化合物、有机发光二极管和显示器
654、混合式有机光电二极管
655、一种倒装焊结构雪崩光电二极管及其阵列的配方技术
656、双集电极单行载流子光电二极管
657、一种回收光电二极管的工艺
658、一种双通道光模块雪崩光电二极管的反向偏置电路
659、有机光电子装置用化合物、有机发光二极管和显示器
660、用于光电装置的化合物、包括该化合物的有机发光二极管及包括该有机发光二极管的显示器
661、低电容光电二极管元件和计算机断层造影检测器
662、光电二极管以及光电二极管阵列
663、雪崩光电二极管增益稳定的控制装置和控制方法
664、对雪崩光电二极管偏置电压进行温度补偿的电路
665、一种光电二极管n区结构优化的碲镉汞长波探测芯片
666、包含具有背面照射光电二极管结构的图像传感器的生物芯片
667、具有闪烁体元件和光电二极管阵列的堆叠体的辐射探测器
668、基于雪崩光电二极管的光正交频分复用系统和方法
669、一种采用MOCVD外延系统制作渐变型扩散光电二极管的方法
670、扁平导电带连接器，特别是带有光电二极管的发光软带
671、平板X射线成像器中的光电二极管和其他传感器结构以及用于基于薄膜电子器件来改进平板X射线成像器中的光电二极管和其他传感器结构的拓扑均匀性的方法
672、一种发光二极管与光电转换器件的耦合方法
673、脉宽调制型发光二极管线性调光电路
674、集成光电二极管波长监视器
675、一种雪崩光电二极管的保护设备及保护方法
676、一种对带雪崩光电二极管输入光功率监控的方法及装置
677、台面型光电二极管及其制造方法
678、检测X射线的光电二极管及其制造方法
679、具有印刷的有机光电二极管阵列的成像测量系统
680、互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法
681、光电二极管以及光电二极管阵列
682、高速增强型紫外硅选择性雪崩光电二极管及其制作方法
683、光电二极管装置及其制造方法
684、用于雪崩光电二极管的能带递变倍增区结构及其配方技术
685、台面光电二极管及其制造方法
686、一种光电二极管及其配方技术
687、确定光电二极管的耗尽区时间常数的方法和改善残像的方法
688、一种紫外雪崩光电二极管探测器及其制作方法
689、光电二极管以及制造光电二极管的方法
690、光电二极管装置及其制造方法
691、在CMOS工艺中集成光电二极管的方法
692、光电二极管装置的制造方法
693、光电二极管恒温控制方法及装置
694、设有光电二极管的半导体装置及其制造方法和光盘装置
695、用于形成光电二极管的曝光掩膜及用其制造图像传感器的方法
696、纳米结构的光电二极管
697、P侧在上的GaN基发光二极管的光电化学粗化
698、雪崩光电二极管
699、雪崩光电二极管
700、用于发光二极管的芯片塑形的光电化学蚀刻
701、具有单片集成光电二极管的垂直腔表面发射激光器件
702、发光二极管的调光电路及其隔离型电压产生器与调光方法
703、基于半导体二极管激光器的场耦合阵列、线阵和堆栈提供高功率高亮度激光的光电系统
704、光电二极管封装结构及其形成方法
705、具有高ESD阈值的光电二极管
706、雪崩光电二极管
707、一种硅光电二极管的制作方法
708、用于所结合支持件上的超薄光电二极管阵列的器件和方法
709、一种雪崩光电二极管等效电路模型的建立方法
710、形成于较大透镜阵列上的用于对像素群组内经移位的光电二极管位置进行调整的微透镜
711、光电二极管及其制作
712、纳米线光电二极管和制作纳米线光电二极管的方法
713、基于纳米线的光电二极管
714、光电二极管结构及其制造方法
715、光电检测器、光电检测设备和光电检测方法
716、具有沟道隔离的背照式薄型光电二极管阵列
717、对用于光纤链路长跨距应用的雪崩光电二极管光接收器和激光发射器进行自适应地调整和性能监控的设备和方法
718、使用可调谐薄膜滤波器的集成波长可选择光电二极管
719、微通道雪崩光电二极管
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