1、一种PCB前处理的铜面键合溶液
[简介]：本技术涉及一种PCB前处理的铜面键合溶液，包括以下各组分，且各组分重量百分含量为：氯酸钠5‑10％、无机酸8‑25％、苄叉丙酮10‑25％、络合剂3‑7％、三氯化钴溶液7‑20％、氨基磺酸3‑10％、表面活性剂1‑3％、稳定剂1‑3％、余量为水。本技术为多组分协同作用的体系，不但具有强‑弱结合氧化作用机制，也包含组合络合剂，相互适应和促进，使得铜与络合剂形成的铜络合物对铜面有较强的吸附性，便于增强铜面与干膜、湿膜以及防焊油墨的结合力，提高稳定性。此外，本体系引入的苄叉丙酮、苯骈三氮唑、氨基磺酸等有机物能保证介电材料在铜面上的黏合强度，增强了铜面与介电材料的结合力。
2、一种高键合强度的覆铜陶瓷基板及其制备工艺
[简介]：本技术提供了一种高键合强度的覆铜陶瓷基板及其制备工艺，包括以下制备工艺：(1)磨板：依次利用陶瓷刷、织布刷对覆铜陶瓷基板进行打磨；(2)微蚀：取微蚀液打磨后的覆铜陶瓷基板进行处理。本技术通过修改磨刷轮目数，减少刷痕深度、降低机械影响来缩短微蚀时间，协同微蚀液的调整来避免硫酸铜产生，提高微蚀液的活性，在铜基表面形成一层深度适中、均匀致密的粗糙面，微蚀液的调整能够促进晶粒的较快出现，使其更为凸显，晶粒更粗、更均匀；而铜基表面更为均匀的粗晶能够增加键合引线的拉力，从而提高覆铜陶瓷基板与阻焊层间的高键合强度。
3、自蚀刻铜面键合剂及其配方技术
[简介]：本技术提供了一种自蚀刻铜面键合剂及其配方技术，属于印制线路板生产用化学品技术领域。该键合剂包括氧化剂、含氮杂环共聚物、含羟基溶剂、有机酸和余量去离子水，其中氧化剂为二价铜盐、三价铁盐、过氧化物和过硫酸盐中至少一种，含氮杂环共聚物为由含氮杂环类单体、烷基丙烯酸酯类单体和亲水性单体按质量比为(20～90):(5～50):(5～15)经自由基共聚制备所得聚合物，含羟基溶剂为醇类化合物和醇醚类化合物中至少一种，有机酸为有机羧酸。该键合剂将化学微蚀与化学键合二种技术结合，能有效提高铜表面与不同光致抗蚀剂间粘附力并保持稳定，对铜表面形貌改变小，同时又能满足细线路加工与高频率信号传输对铜表面形貌的要求。
4、一种铜铟微纳米层常温超声瞬态固相键合方法
[简介]：本技术提供一种铜铟微纳米层常温超声瞬态固相键合方法，包括以下步骤：在铜基板上通过电沉积制备出的铜微米针层；以电镀的方式将镀铟液电镀于S1中得到的铜微米针层上，得到具有铜铟二级微纳米层的基板；将两块具有铜铟二级微纳米层的基板相对设置在超声键合仪上，两块基板的铜铟二级微纳米层形成接触区域；启动超声键合仪和加载机，两块基板进行键合；本技术在超声键合仪提供超声能量，加载机提供较小压力的条件下，能瞬态获得高质量的键合；且本技术在常温的空气氛围中即可进行；具有提高键合连接效率，缩短键合连接时间，降低键合连接所需的工艺温度，无需助焊剂，键合残余应力低，工艺流程简单、耗时短的优点，符合绿色封装理念。
5、一种铜面键合溶液
[简介]：本技术提供了一种铜面键合溶液，该铜面键合溶液包括以下各组分，且各组分重量百分含量为：无机酸12‑18％、疏烃基硅氧烷10‑20％、酰亚胺15‑25％、络合剂3‑6％、有机溶剂10‑20％、表面活性剂3‑7％、余量为水。本技术中，疏烃基硅氧烷中含有有机疏烃基和Si‑O‑Si键，Si‑0‑Si键的空间位阻效应强烈影响并弱化缔合羟基峰的振动，巯烃基硅烷在铜表面可能以化学吸附方式强烈吸附到铜表面，同时在表面自我交联形成了线性低聚物，从而使其抗腐蚀性能大幅度提高，显著提高了铜面干膜的致密性和抗腐蚀性。
6、一种基于石墨烯/锡改性的铜纳米颗粒的铜-铜低温键合方法
[简介]：本技术提供了一种基于石墨烯/锡改性的铜纳米颗粒的铜‑铜低温键合方法，其是以铜纳米颗粒、锡纳米颗粒和石墨烯微米片的复合物作为键合材料，在低温下实现两镀铜衬底的键合。本技术的工艺简单、可靠性好，且工艺成本较低，具有高度产业利用的价值。
7、一种基于铜镍二级海参状微纳米层的固态键合方法
[简介]：本技术提供了一种基于铜镍二级海参状微纳米层的固态键合方法。本技术将两块基板的具有海参状铜镍微纳米层的表面相互接触以形成接触区域，再在加热条件下对接触区域施加压力以进行键合，其中，海参状铜镍微纳米层包括铜针层以及镀覆于该铜针层表面的镍针层，铜针层为锥形铜微米针形成的阵列层，镍针层包括锥形镍纳米针形成的阵列层以及在这些锥形镍纳米针上形成的突起。本技术不仅能产生高强度的互连作用力，而且不需要苛刻的工艺条件，在较低的温度和压力下以及空气环境中即可进行，不需要回流焊工艺，简化了工艺流程，节约了能耗，符合绿色封装的发展趋势。
8、用于低温键合的微纳米铜颗粒焊膏及其配方技术和应用
[简介]：本技术属于电子制造技术领域，并具体提供了用于低温键合的微纳米铜颗粒焊膏及其配方技术和应用。该配方技术包括：将微米铜颗粒清洗去除杂质，然后烘干备用；将烘干后的微米铜颗粒置于预设环境中进行氧化，从而在其表面形成纳米铜氧化物；将氧化后的微米铜颗粒置于还原剂中进行还原，使得表面的纳米铜氧化物还原为纳米铜颗粒，获得微纳米铜颗粒；向微纳米铜颗粒中加入有机增稠剂，经搅拌、脱泡处理后形成微纳米铜颗粒焊膏。本技术利用预氧化和还原过程，使得微米铜颗粒表面及间隙形成了纳米结构，并利用其小尺寸效应有效降低了键合温度，满足功率器件封装应用要求，解决了工艺复杂、成本高的问题，并且满足了“低温服役、高温互连”的应用需求。
9、一种低温键合铝包铜材料及其使用工艺
[简介]：本技术提供了一种低温键合铝包铜材料及其使用工艺，所述铝包铜材料i)核部分是铜，壳部分是铝；ii)核部分厚度尺寸在50nm～50um，壳部分厚度尺寸在5nm～5um。该材料通过施加超声和压力进行焊接。超声焊接的过程短，相比于加热烧结，大大节省封装的工时。氧化铝外层可以满足铜颗粒的抗氧化保护，无需特别外层抗氧化包覆，且可以在超声压力下，该氧化铝层破碎而暴露出新鲜的铝表面而实现铝‑铝结合，这个融合焊接可在较低加热温度甚至室温情况下实现颗粒间的融合。
10、一种铜基钯涂层复合键合材料
[简介]：本技术涉及复合键合材料技术领域，具体是一种铜基钯涂层复合键合材料，由以下重量份的原料组成：包括铜70～90份、银30～40份、钯10～20份、锌5～11份、碳纤维增强体9～11份、铬0.3～1.6份、锂0.3～1.6份、钙0.2～2份、铝0.3～1.6份、钇0.05～0.15份；本申请整体材料成分底，成分配制易于得到，并且能够有效解决传统键合引线的价格昂贵、表面易氧化、键合性能差、易出现拉拔断线的问题。
11、铜铜键合材料的配方技术及其应用
12、一种铜钯合金复合键合材料及其配方技术
13、一种铜-铜键合的方法
14、用于PCB图形转移前处理制程的铜面键合溶液
15、纳米铜焊膏、其配方技术及铜-铜键合的方法
16、一种基于可自修复铜纳米颗粒浆料的低温铜铜键合方法
17、一种铜铜键合制作通道型标准漏孔的方法
18、一种覆锡纳米多孔铜低温键合的方法
19、一种抑制晶圆混合键合中铜电迁移的方法
20、铜基导电浆料及其制备与其在芯片封装铜铜键合中的应用
21、一种铜渣基铁系草酸盐化学键合材料及其用途
22、有直接铜键合衬底和集成无源部件的功率半导体模块和集成功率模块
23、一种基于低熔点铜共晶金属的晶圆混合键合方法
24、一种铜的混合键合方法
25、铜铜键合的方法
26、包括将半导体芯片键合至铜表面的烧结接合部的模块
27、一种基于铜微针锥的固态超声键合方法
28、一种铜‑铜金属热压键合的方法
29、一种铜铜键合凸点的制作方法
30、铜箔键合陶瓷基板的复合板及其配方技术
31、基于纳米银焊膏连接芯片的陶瓷-铜键合基板表面处理工艺
32、低温键合制备铜-陶瓷基板方法
33、用于封装IGBT模块的直接键合铜基板的贴装夹具
34、铜凸点热声倒装键合方法
35、包括将半导体芯片键合至铜表面的烧结接合部的模块
36、用于铝铜键合焊盘的盖层
37、半导体铜键合焊点表面保护
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,内容都包括具体的配方配比生产制作过程，费用200元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
