1、一种有机半导体复合膜、制备方法及钙钛矿太阳能电池
[简介]：本技术提供了一种有机半导体复合膜、配方技术及钙钛矿太阳能电池。该有机半导体复合膜包括高分子聚合物和氧化态的有机小分子；所述高分子聚合物为M1、M2、M3中的一种或多种；所述氧化态的有机小分子为A1、A2、A3中的一种或多种。本技术将高分子聚合物和氧化态的有机小分子复合，能够显著提升有机半导体膜层的电导率，应用在PSCs中能够提升器件的光电转换效率，对推动PSCs商业化进程具有重要意义。
2、半导体液晶材料、制备方法、光电元件及应用
[简介]：本技术提供了半导体液晶材料、配方技术、光电元件及应用，其中液晶材料，其为以纳米磁微粒增强钙钛矿液晶而得到，其中钙钛矿液晶选自A2PbX4或A2PbaMbX4或A2PbBrcI(4‑c)，其中有机物A选自PEA、BA，X选自Cl、Br，M选自Mn、I，a、b均大于0且a+b＝1，c≤4。本技术通过优化半导体液晶材料的结构和组成，从而有效改善其瞬时响应性较好且能够非接触式操作，同时还可以实现半导体液晶能够带隙可调。
3、一种铅基杂化半导体材料及其光电探测应用
[简介]：本技术提供了一种二维铅基有机‑无机杂化光电半导体材料及其配方技术。所述的发光半导体分子结构式为(Br‑Hpy)2PbI4，该材料具有二维有机‑无机杂化类型的结构，其中二维无机层由PbI6八面体组成，每个八面体共用四个赤道面的I原子连接为沿bc平面无限延伸的(PbI4)2‑无机*离子层，(Br‑Hpy)+阳离子作为有机间隔层与无机钙钛矿层交替排列。通过选择乙酸铅，对溴苯胺，乙胺和氢碘酸为反应原料，采用溶液法获得了化合物(Br‑Hpy)2PbI4的单晶，可以用于光电探测材料领域。
4、一种双核壳层结构钙钛矿半导体单晶及其制备方法
[简介]：本技术属于光电器件技术领域，具体为一种双核壳层结构钙钛矿半导体单晶及其配方技术。本技术配方技术包括：内核钙钛矿前驱体溶液制备和内核钙钛矿晶体制备，外壳钙钛矿的前驱体溶液制备和壳层结构钙钛矿单晶制备。核壳结构的钙钛矿单晶生长过程中是以内核晶体作为晶种提供了外壳晶体生长的位点，这种方式制备的壳层结构单晶将与纯相单晶具有明显性能差异；本技术制备的半导体单晶可用于制备X射线光电探测器，该X射线光电探测器表现出优异的X射线响应特性，相比于其单层结构，灵敏度因子由0.017提升至2.66，提升150倍以上。
5、一种基于同步辐射的掠入射X射线半导体检测平台
[简介]：本技术属于半导体检测技术领域，具体为基于同步辐射的掠入射X射线半导体检测平台。本技术检测平台包括液体滴加装置、样品承载装置、支撑装置。本技术利用同步辐射X射线快速表征半导体薄膜信息，实现原位观测钙钛矿等半导体的结晶行为；同时通过调整样品台的高度、角度，实现以不同的X射线掠入射角检测样品信号，获得钙钛矿薄膜不同深度的信息，为深入理解钙钛矿等半导体薄膜生长机制提供有力表征手段。
6、含芴咔唑胺电子给体的有机半导体材料、制备方法及应用
[简介]：本技术涉及有机半导体材料技术领域，旨在提供一种含芴咔唑胺电子给体的有机半导体材料、配方技术及应用。该有机半导体材料可用作钙钛矿太阳电池的空穴输运层材料，是由包含四个电子受体的中心骨架和四个电子给体组成；所述电子受体为六元环结构，且在中心骨架中呈对称布置；所述电子给体是N‑(9,9‑二甲基‑9H‑芴‑2‑基)‑9‑甲基‑9H‑咔唑‑3‑胺，且与六元环结构一一对应地相连。本技术有机半导体材料具有最高占据分子轨道能级较高、玻璃化转变温度高、电导率高、可溶液加工等性质，可用于制备能量转换效率高、热稳定性好的钙钛矿太阳电池。采用该材料作为空穴输运材料的钙钛矿太阳电池的平均能量转换效率和热老化后器件能量转换效率的保有率均有优异表现。
7、一种大尺寸晶圆级钙钛矿半导体单晶薄膜的制备方法
[简介]：本技术属于半导体材料技术领域，具体为大尺寸晶圆级钙钛矿半导体单晶薄膜的配方技术。本技术通过一种新型碳点‑氧化锡界面层，作为单晶表面活性剂锚定钙钛矿单晶薄膜的大面积外延生长。通过对钙钛矿单晶薄膜制备工艺研究，实现在微纳光电器件单晶衬底上获得缺陷少、面积大且均一的高质量单晶膜，进一步可形成优异的异质结结构，用于高性能光电器件的可控规模化制备。
8、一种钙钛矿-半导体材料的制备方法和应用
[简介]：本申请提供了一种钙钛矿‑半导体集成器件的配方技术，并进一步提供了利用该方法获得的钙钛矿‑半导体集成器件，以及该集成器件的应用。采用本申请所述的配方技术，能够获得均匀、单分子层的硅烷偶联剂修饰层，并进一步利用该修饰层将钙钛矿生长在半导体上。该方法具有工艺简单，制备的集成器件稳定性强，结合能力好等特点，可广泛用于光电探测，照明显示和太阳能光伏等领域，具有优异的应用前景和价值。
9、一种钕掺杂甲脒铅溴钙钛矿半导体纳米晶及其制备方法和应用
[简介]：本技术涉及一种钕掺杂甲脒铅溴钙钛矿半导体纳米晶及其配方技术和应用，属于半导体纳米晶的制备技术领域。本技术提供了一种钕掺杂甲脒铅溴钙钛矿半导体纳米晶，结构式为FAPbBr3:xNd3，其中x是原子掺杂比x＝Nd/(Nd+Pb)。本技术的钕掺杂甲脒铅溴钙钛矿半导体纳米晶具有缺陷密度低、光学性能好的优点，能顾用于制备绿光LED或白光LED，在太阳能电池、LED以及锂电池负极材料方面具有广泛的应用前景。本技术还提供了一种钕掺杂甲脒铅溴钙钛矿半导体纳米晶的配方技术，通过一步常温配体辅助再沉淀法制备，制备工艺简单，可以在工业生产中进行广发推广；同时在制备过程中采用的均为低成本的反应前驱物，适宜大规模生产的应用。
10、半导体CsPbX3薄膜材料及其制备方法、应用、太阳能电池
[简介]：本技术提供了一种半导体CsPbX3薄膜材料及其配方技术、应用、太阳能电池，涉及半导体薄膜材料的技术领域，该半导体CsPbX3薄膜材料包括单晶硅衬底和生长在单晶硅衬底上的CsPbX3外延薄膜，其中，X包括卤素。本技术解决了现有技术中纯无机钙钛矿（CsPbX3）薄膜主要在绝缘衬底（例如SrTiO3）上实现外延生长，从而限制了无机钙钛矿薄膜在半导体器件领域内广泛应用的技术问题，达到了在非绝缘的单晶硅衬底上生长无机钙钛矿外延薄膜，使无机钙钛矿外延薄膜在半导体器件领域中具有更广泛应用的技术效果。
11、钙钛矿量子点/有机半导体单晶异质结晶体管及其制备方法
12、包括介电层的半导体装置及其形成方法
13、一种超薄P型半导体界面修饰的钙钛矿太阳能电池
14、一种NMO氧化物半导体材料及其制备方法和应用
15、一种基于双光子荧光的半导体载流子类型测试方法
16、基于苝酰亚胺n型半导体材料及其制备方法与应用
17、一种有机半导体/钙钛矿异质结柔性宽光谱光敏场效应管及其制备方法
18、用于钙钛矿半导体材料的磁流变液及磁流变抛光方法
19、稀土镍氧化物电子相变半导体甲烷合成催化剂及使用方法
20、一种基于三价铈离子掺杂的全无机钙钛矿半导体纳米晶的制备方法及其产品和应用
21、一种基于二维半导体二硒化钼掺杂的钙钛矿太阳能电池
22、CsPbBr3基半导体材料、制备方法及其应用
23、一种基于自由基p型掺杂有机半导体薄膜及其制备方法和应用
24、一种钙钛矿半导体纳米材料的制备方法和应用
25、一种钙钛矿介晶半导体材料、制备方法及在太阳能电池中的应用
26、双贵金属修饰有机-无机杂化钙钛矿衍生复合氧化物半导体材料、其制备方法及其应用
27、基于苝酰亚胺n型半导体材料及其制备方法与应用
28、一种三维类钙钛矿半导体晶体及其制备方法和用途
29、一种二维双层有机-无机杂化钙钛矿半导体晶体及其制备方法和用途
30、一种三维有机-无机杂化钙钛矿半导体晶体及其制备方法和用途
31、一种用于电离辐射能谱分辨的钙钛矿半导体晶体及其制备方法
32、基于二甲胺基取代萘酰亚胺-联噻吩的有机n型半导体材料及其制备方法与应用
33、一种二维有机-无机杂化双钙钛矿半导体晶体及其制备方法和用途
34、钙钛矿薄膜及其前驱组合物、制备方法、半导体元件
35、一种基于1-丁基-4甲基吡啶鎓阳离子的铋碘簇杂化半导体类钙钛矿材料
36、一种D-A-D型有机半导体材料及其制备方法和应用
37、二维单晶钙钛矿-有机半导体异质结光电晶体管及其制备方法和应用
38、一种磁性半导体材料及其制备方法
39、一种用于生产具有类钙钛矿结构的有机-无机金属卤化物化合物的半导体膜的方法
40、一种基于碘化铋和吡啶鎓离子的电荷转移盐类钙钛矿半导体材料
41、一种基于萘酰亚胺与噻吩的n-型有机半导体材料及其制备方法和应用
42、有机半导体
43、一种GaN半导体材料作为电子传输层的钙钛矿发光二极管及其制备方法
44、有机半导体组合物
45、一种光电半导体薄膜的超声波振荡制备装置
46、多稠环n型半导体材料的制备方法及其应用
47、一种基于丁基吡啶鎓阳离子的铋碘杂化半导体类钙钛矿材料
48、一种GaN半导体材料作为双功能层的钙钛矿太阳能电池的制备方法
49、一种诱导卤化物钙钛矿单晶成为杂质中间带半导体的方法
50、有机半导体化合物
51、一种P型掺杂卤化物钙钛矿半导体及其制备方法
52、钙钛矿半导体LED的多功能集成化在线测试系统
53、有机半导体
54、一种大面积钙钛矿半导体单晶薄膜的制备方法
55、有机半导体聚合物
56、有机半导体化合物
57、半导体金属氧化物薄膜及其后处理方法和应用
58、有机半导体化合物
59、有机半导体化合物
60、有机半导体化合物
61、包含钙钛矿半导体的稳定化的发光纳米颗粒和制造方法
62、一种宽禁带半导体衬底上旋涂单晶的生长方法
63、有机半导体化合物
64、有机半导体聚合物
65、有机半导体化合物
66、高分子包覆钙钛矿量子点及其制备方法和包括其的半导体发光材料
67、一种锑基杂化半导体材料及其合成与应用
68、一种一维铜碘基杂化半导体材料及其光电应用
69、一种新型的有机-无机钙钛矿半导体材料的制备方法
70、一种钙钛矿半导体的光电化学池
71、无机半导体光催化体系转化二氧化碳及有机物的方法
72、含锡半导体发光材料及其制备方法
73、一种稳定、高效的钙钛矿半导体薄膜太阳能电池及其制备方法
74、一种基于钙钛矿-有机半导体异质结的高性能光电晶体管及其制备方法
75、有机半导体化合物
76、有机半导体化合物
77、有机半导体化合物
78、基于螺芳基单元的共轭小分子半导体材料及其制备和应用
79、有机半导体化合物
80、半导体制造装置用部件
81、一种基于无机半导体电子传输材料的钙钛矿太阳电池及其制备方法
82、一种大面积制备卤化甲氨铋半导体光电薄膜材料的化学方法
83、一种基于并吡咯核芳香胺类有机半导体材料及其应用
84、基于萘酰亚胺-硒吩的有机n型半导体聚合物材料及其制备方法与应用
85、一种钙钛矿和半导体型硅混合太阳能电池的制备方法
86、一种有机-无机钙钛矿半导体材料的制备方法
87、水溶性SnO2无机半导体纳米材料的制备方法与应用
88、有机半导体化合物
89、一种钙钛矿型锶铌氮氧化物半导体光催化剂活化方法
90、一种钙钛矿型镧铌氮氧化物半导体及其制备方法
91、有机半导体化合物
92、有机无机杂化卤化物钙钛矿半导体晶体的抛光方法
93、锐钛矿型铌氧氮化物及其制造方法、以及半导体结构体
94、一种半导体薄膜电解质型燃料电池及其制作方法
95、一种有机无机杂化钙钛矿半导体材料及其制备方法
96、钙钛矿型镧钛氮氧化物半导体光催化剂及其制备和应用
97、半导体强电介质存储元件的制造方法和半导体强电介质存储晶体管
98、一种含有有机共轭高分子半导体材料的空穴传输层及其用途
99、半导体元件及其制造方法
10-0、一种规模化快速制备钙钛矿半导体材料的方法
10-1、一种高性能的半导体研磨剂
10-2、具可见光芬顿活性LaFeO3/C碳基钙钛矿半导体复合纳米材料及其制备方法和应用
10-3、具有立方钙钛矿结构的半导体材料及其制备方法
10-4、一种基于p型铜铁矿结构半导体材料的平面结构钙钛矿太阳能电池及其制备
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