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碳化硅坩埚配方工艺技术生产加工制造方法

发布时间:2022-08-05   作者:admin   浏览次数:183

1、一种椭圆形碳化硅石墨坩埚及制备工艺
 [简介]:本技术提出了一种椭圆形碳化硅石墨坩埚的制备工艺,涉及熔炼坩埚领域。一种椭圆形碳化硅石墨坩埚的制备工艺包括以下步骤:S1,在混炼机内加入质量比为35%‑45%的石墨、38%‑48%的的碳化硅、7%‑27%的添加剂;S2,将S1中的混合物料填充在模具内,对模具进行密封,密封后的模具放入冷等静压机内进行打压;S3,将打压后的模具取出拆卸,并去除产品毛坯上口边缘处多余的毛刺;S4,将产品毛坯放入固化窑内进行干燥;S5,将干燥好的产品毛坯涂上抗氧化涂层;S6,产品毛坯进行煅烧成型加工。制成的坩埚具有导热性能好的优点。一种椭圆形碳化硅石墨坩埚,包括基于上述制备工艺制备的坩埚,上述坩埚内设置有调节板。该坩埚解决了坩埚内的金属液不易舀取的问题。
3、一种用于碳化硅制备过程的坩埚装置
 [简介]:本技术属于碳化硅晶体技术领域,尤其涉及一种用于碳化硅制备过程的坩埚装置。本技术通过坩埚主体,加热板,底座单元,放置板,旋转柱单元,以及夹持板单元起到了快速在加热装置和非加热装置之间移动制备碳化硅晶体坩埚的技术效果。本技术具有下列优点:通过夹持作用在加热和非加热装置之间移动坩埚,减少对设备的损坏以及方便在损坏后替换相应部件;通过一步按压操作对夹持用弹簧的解锁即可实现对坩埚的夹持作用;通过夹持装置与旋转柱配合,仅需一步旋转操作即可将坩埚移动到指定地点,快速且精准;旋转柱中设置了回弹机构使得在自然状态下夹持装置始终位于非加热装置上方,避免在坩埚加热过程中因操作不当而损坏夹持装置。
2、一种用于碳化硅PVT生长过程的坩埚散热装置
 [简介]:本技术属于碳化硅单晶技术领域,尤其涉及一种用于碳化硅PVT生长过程的坩埚散热装置。本技术通过用于承载和运输坩埚的输送带单元,设置在输送带单元上散热筒单元,以及设置在散热筒单元上,并用于对坩埚进行散热的风机,以及设置在散热筒单元上,并用于打开或者关闭散热筒单元入口的滑动门单元起到了快速为坩埚降温并在散热筒单元的包覆作用下有效利用了风机制造的气流为坩埚进行全方位散热的技术效果。本技术具有下列优势,坩埚进入散热筒后通过导流板的作用使得风机吹出的风经过坩埚各个表面,通过触发开关使得滑动门自动关闭,并且导流板自动打开的同时开启风机,以及导流板设有可伸缩的滑动板便于调节长度。
4、碳化硅晶体生长坩埚及生长方法
 [简介]:本技术提供一种碳化硅晶体生长坩埚,通过设置石墨柱将碳化硅颗粒原料隔开或采用石墨腔体分装碳化硅颗粒原料的方式将碳化硅颗粒原料分堆隔开,可减缓碳化硅晶体生长过程中陶瓷体的重结晶,避免陶瓷体由于重结晶导致其气孔道堵塞,同时碳化硅颗粒原料与碳化硅颗粒原料之间以及碳化硅颗粒原料与石墨体(石墨柱外壁或石墨腔体内壁)之间形成用于碳化硅气相流动的输送通道,该输送通道能够实现碳化硅气相高效输送,进而延长碳化硅晶体的长晶时间,提高碳化硅晶体的长晶效率。本技术还提出一种碳化硅晶体生长方法,可实现气流高效输送,提高长晶效率,避免高密度无孔道的陶瓷体的产生。
5、一种碳/碳/碳化硅复合材料坩埚的配方技术
 [简介]:本技术涉及坩埚制备技术领域,提供了一种碳/碳/碳化硅复合材料坩埚的配方技术,包括如下步骤:A)将碳纤维平纹布、碳纤维网胎依次交替叠加在芯模上,当达到预定厚度时,通过针刺缝合工艺制成坩埚预制体;B)以丙烯为碳源气体,以氩气为载气,采用化学气相沉积工艺在预制体上进行沉积增密,再进行重复的浸渍‑高温裂解操作,制备成预定密度的坩埚坯体;C)对坩埚坯体进行机械加工,制成坩埚制品;D)对坩埚制品进行气相渗硅,以形成致密的碳化硅涂层,制备成得坩埚成品。该方法充分利用了每种工艺填充预制体内部孔隙的优点,而且使坩埚制品的表面形成致密的碳化硅涂层,能够有效抑制氧化侵蚀,大幅度提高了坩埚的使用寿命。
6、一种具有碳化硅/硅复合陶瓷层的坩埚
 [简介]:本技术属于单晶硅拉制炉用热场部件技术领域,具体涉及一种具有碳化硅/硅复合陶瓷层的坩埚。所述坩埚包括炭/炭复合材料构成的坩埚以及附着于炭/炭复合材料坩埚内外表面的碳化硅/硅复合陶瓷层,或所述坩埚包括炭/炭复合材料构成的坩埚以及附着于炭/炭复合材料坩埚内表面的碳化硅/硅复合陶瓷层,所述碳化硅/硅复合陶瓷层是由碳化硅和硅彼此镶嵌混合而组成。本技术通过制备工艺与坩埚结构的优化匹配;得到了性能优良、使用寿命长久的产品。本技术制备工艺可控,便于大规模工业化应用。
7、一种用于高纯材料制备的坩埚镀碳化硅薄膜方法
 [简介]:本技术提供了一种用于高纯材料制备的坩埚镀碳化硅薄膜方法,具体涉及坩埚镀膜技术领域,本技术通过将碳化硅长丝的制造过程是将聚硅烷在400℃以上,发生热转位反应,使侧链上的甲基以亚甲基的形式,导入主链的硅‑硅间,形成聚碳硅烷,然后通过干法纺丝或熔体纺丝制成纤维,并将碳化硅纤维与混合粉料在80‑100℃内的烤箱内进行烘烤,由于碳化硅薄膜形成的过程中内部设有碳化硅纤维,且碳化硅下纤维相较于碳化硅粉末不仅具有阻挡裂纹形成以及阻隔裂纹延伸的效果,同时提高了碳化硅薄膜形成后的长力,进而保障了碳化硅薄膜面的完整性,降低了坩埚由于碳化硅薄膜破损而出现内部受热不均匀的情况出现,保障了坩埚对材料的提纯效果以及提纯效率。
8、碳化硅炉专用坩埚升降旋转机构
 [简介]:本技术涉及半导体设备领域。碳化硅炉专用坩埚升降旋转机构,包括升降机构,升降机构的升降滑台上安装有旋转机构,旋转机构包括旋转轴,旋转轴通过磁流体旋转密封件与升降滑台转动连接;磁流体旋转密封件的外围与波纹管装置的下端相连,波纹管装置的上端为用于连接碳化硅炉底腔的波纹管上法兰;旋转轴的下端转动连接有旋转接头,旋转接头上设有进水口和出水口;旋转轴内设有冷却回路,冷却回路的一端与进水口导通,冷却回路的另一端与出水口导通。本专利通过增设有磁流体旋转密封件,起到旋转作用和高真空密封作用。便于实现了旋转处与碳化硅炉内腔的高密封性,进而可以保证碳化硅炉内腔的高真空度,适用于第三代半导体材料的加工生产。
9、一种含有氧化铝涂层和碳化硅涂层的炭/炭复合材料坩埚
 [简介]:本技术涉及一种含有氧化铝涂层和碳化硅涂层的炭/炭复合材料坩埚,属于单晶硅拉制炉用热场部件技术领域。所述复合材料坩埚包括炭/炭复合材料坩埚本体以及依次涂覆在坩埚本体内表面的碳化硅涂层、氧化铝涂层,碳化硅涂层有效缓解了氧化铝涂层与基体之间的热失配,氧化铝涂层在熔融硅过程中不引入杂质,能够有效保证硅料的纯度,而且碳化硅涂层和氧化铝涂层配合使用具有优异的抗侵蚀性能,能够有效避免含硅蒸汽对复合材料坩埚本体的侵蚀,进一步提高复合材料坩埚的使用寿命,满足单晶硅拉制的需求。
10、一种快速测量石墨碳化硅坩埚样块热导率的装置及方法
 [简介]:本技术涉及工业石墨碳化硅坩埚应用领域,具体涉及一种快速测量石墨碳化硅坩埚样块热导率的装置及方法,包括恒温水箱、热电偶及数码显示装置和加热台,所述恒温水箱包括水管,且水管的外壁设置有管阀,所述加热台的顶部设置有夹紧机构,所述水管的一端设置有水冷头,所述夹紧机构的内壁固定连接有陶瓷基板,所述夹紧机构的内壁通过陶瓷基板夹持有石墨碳化硅坩埚样块,所述陶瓷基板的底部设置有导热硅脂,所述热电偶及数码显示装置的电偶联线一端连接在陶瓷基板的两面。该快速测量石墨碳化硅坩埚样块热导率的装置及方法,可以节约测量成本,省去送出样品的时间,检测过程简单快捷,克服了专业测量的困难,能够满足工程需要。
11、一种含有α-Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>涂层的炭/炭-碳化硅复合材料坩埚
12、一种多坩埚碳化硅晶体同步生长方法及设备
13、可调节生长气氛中碳硅比例的碳化硅单晶生长石墨坩埚
14、碳化硅单晶生长用坩埚结构和碳化硅单晶的生长方法
15、具有多晶块的坩埚组件及其配方技术和由其制得的碳化硅单晶
16、低应力碳化硅单晶生长用坩埚处理方法及晶体生长方法
17、无应力碳化硅籽晶固定装置、坩埚及碳化硅籽晶固定方法
18、一种碳化硅单晶生长坩埚及生长方法
19、一种利于碳化硅晶体生长的坩埚
20、一种具有碳化硅涂层的炭炭复合材料坩埚及配方技术
21、一种具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚及其配方技术
22、碳化硅晶体生长用石墨坩埚装置及其单晶生长方法
23、一种碳化硅单晶生长用坩埚、装置及应用
24、一种可调节碳化硅单晶生长体系气氛的生长坩埚和方法
25、用于碳化硅单晶体生长过程中温度控制的组装式坩埚装置
26、一种用于碳化硅晶体生长的模块化坩埚装置及其生长方法
27、一种碳化硅单晶生长用坩埚、生长方法和生长装置
28、用于碳化硅粉末的热处理的可扩大坩埚
29、一种多坩埚半连续式碳化硅晶体生长装置
30、一种电阻法碳化硅晶体生长用坩埚
31、一种三层碳化硅石墨坩埚及配方技术
32、一种碳化硅制备用的坩埚夹取装置
33、石墨坩埚和碳化硅合成方法
34、用于碳化硅单晶生长的坩埚盖、坩埚及单晶生长的方法
35、一种夹层碳化硅微波热结构坩埚及其配方技术
36、一种高纯石墨坩埚及高质量碳化硅单晶配方技术
37、一种气冷型碳化硅陶瓷烧结炉及坩埚产品的烧结方法
38、一种碳化硅单晶生长用固气界面可控的坩埚
39、PVT法制备碳化硅用坩埚及调节坩埚温度场的方法
40、一种增加碳化硅晶体生长长度的石墨坩埚
41、一种碳化硅生产用坩埚炉支架
42、一种石墨-碳化硅坩埚的配方技术
43、一种氮化硅结合碳化硅复合钡涂层石英坩埚及其配方技术
44、一种碳化硅晶体生长过程中调节和旋转坩埚的装置及方法
45、晶体生长用坩埚以及释放碳化硅晶体热应力的方法
46、一种减少碳化硅单晶中包裹体的坩埚及利用坩埚生长单晶的方法
47、一种碳化硅坩埚的搬运装置
48、一种碳化硅坩埚及其配方技术
49、用于物理气相传输法生长碳化硅晶体的坩埚
50、用于生长高纯半绝缘碳化硅晶体的坩埚
51、一种碳化硅坩埚运输用固定装置
52、一种能提高石墨碳化硅坩埚玻璃化程度的生产工艺
53、一种耐高温石墨碳化硅特种坩埚及其配方技术
54、氮化硅结合碳化硅陶瓷坩埚的制作方法
55、一种提高碳化硅粉源径向温度均匀性的石墨坩埚
56、一种碳化硅单晶生长用坩埚结构
57、一种物理气相沉积制备碳化硅晶体的坩埚
58、熔炼金属用高强度石墨碳化硅坩埚的配方技术
59、一种坩埚旋转式碳化硅单晶生长方法
60、一种分体式碳化硅晶体生长用坩埚
61、用于热解碳化硅片生长石墨烯的坩埚
62、耐热震性碳化硅坩埚及其制作工艺
63、一种碳化硅晶体生长用坩埚
64、石墨-碳化硅坩埚的原料组合物及其制造工艺
65、碳化硅晶体炉坩埚升降控制系统及控制方法
66、钢帘线增强石墨碳化硅坩埚的配方技术
67、一种炭/碳化硅复合材料坩埚的配方技术
68、一种用于生长碳化硅晶体的坩埚
69、碳/碳/碳化硅复合材料坩埚及配方技术
70、用于提高粉源利用率的碳化硅晶体生长坩埚
71、具有多生长腔的生长碳化硅单晶的坩埚
72、一种物理气相沉积法生长大尺寸碳化硅单晶的石墨坩埚及其应用
73、碳化硅坩埚内壁铌铁铜硅烧结垢层去除清洗剂及配方技术
74、碳碳化硅坩埚及其制作工艺
75、多坩埚物理气相传输技术生长碳化硅单晶的方法和装置
76、等静压碳化硅石墨坩埚成型装置
77、氮化硅结合碳化硅大型坩埚的配方技术
78、碳化硅单晶制造用坩埚、以及碳化硅单晶的制造装置和制造方法
 
  以上为本套技术的目录及部分简要介绍,内容都包括具体的配方配比生产制作过程,费用230元,购买或咨询更多相关技术内容可联系:微信/电话:13510921263

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