1、半导体用研磨剂
[简介]：提供了分散稳定性及研磨速度优良，特别是在应用于由多段工序构成的CMP中时，即使与碱性研磨剂相接触，也不容易受影响，具有稳定的研磨特性的半导体用研磨剂。研磨剂，它是在半导体集成电路装置的制造中用于研磨被研磨面的化学机械研磨用的研磨剂，其中，该研磨剂含有氧化铈磨粒、水及式1所示的二元羧酸（式1中，n为1～4的整数。），HOOC（CH2）nCOOH …式1且在25℃时该研磨剂的pH在3.5～6的范围内。
2、一种半导体研磨剂
[简介]：本发明提供一种半导体研磨剂。本发明所采用的技术解决方案是一种半导体研磨剂，包括氧化铝和水性介质，还加入了三聚磷酸钠10-15份、金刚石颗粒1-5份、六偏磷酸钠5-10份、分散剂1-5份。与现有技术相比，本发明所具有的有益效果为：本发明通过加入三聚磷酸钠、金刚石颗粒、六偏磷酸钠、分散剂，使得该发明具有良好的性能的优点。
3、一种半导体研磨剂
[简介]：本发明公开了一种半导体研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质：硫氰酸盐21-23份，二氧化硅1-3份，过氧化氢2-8份，硫酸锌6-8份，硫酸镁11-16份，硫酸银4-9份，硫酸铜3-8份，异丙醇8-13份，苯甲酸5-7份，乙醇9-16份，三氟乙酸3-8份，聚丙烯酯5-9份。本发明的有益效果是：腐蚀速度低，研磨效果好，对半导体损伤小。
4、一种半导体研磨剂
[简介]：本发明公开了一种半导体研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质：磷酸二氢钾1-7份，硫酸钾9-17份，聚乙烯醇11-14份，二氧化硅1-2，酸洗剂3-9份，三乙胺4-13份，酒石酸5-9份，苯甲酸甲酯6-7份，硫酸锌1-3份，硫酸镁2-4份，研磨粒子3-8份，双酚A型聚碳酸酯11-18份，硬脂酸钙3-8份，分散剂1份。本发明半导体芯片化学机械研磨剂具备了较小的介质层磨损率和较低的腐蚀度，可以促进研磨粒子的稳定性，保持极高的钨去除速率。由于相对降低了机械力的作用强度，凹坑、腐蚀和介质层的损耗等问题也减小了。
5、一种半导体环保研磨剂
[简介]：本发明公开了一种半导体环保研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质：磷酸二氢钙11-14份，磷酸2-5份，磷酸二氢钾9-13份，二氧化硅1-3份，硫氰酸盐21-23份，水杨酸盐4-17份，EDTA8-13份，除油剂3-8份，硫酸钾8-10份，无水硫酸钠10-16份，聚丙烯酯5-9份。本发明的有益效果是：腐蚀速度低，研磨效果好，对半导体损伤小。
6、一种半导体电路研磨剂
[简介]：本发明公开了一种半导体电路研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质：磷酸钠1-9份，焦磷酸钠6-10份，氢氧化铝1-6份，山梨醇3-8份，聚丙烯3-7份，聚乙烯9-16份，甘油2-6份，二本甲酮7-16份，偶联剂1-7份，硬脂酸钙1-3份，硬脂酸4-10份，纳米石墨粉1-2份，氨水7-13份，硝酸钾5-16份，亚硫酸钠2-4份，聚丙烯酯5-9份。本发明的有益效果是：腐蚀速度低，研磨效果好，对半导体损伤小。
7、一种半导体化学研磨剂
[简介]：本发明公开了一种半导体化学研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质：硅酸钠8-16份，羟乙基纤维素9-14份，苯甲酸甲酯9-14份，氧化铅1-2份，纯碱2-3份，甲基硅油10-17份，硬脂酸7-10份，硬脂酸盐7-16份，氧化锆5-8份，二氧化硅9-14份，硬脂酸5-7份，硬脂酸盐1-7份，氧化锌3-5份，酒石酸1-3份，液体石酯8-13份，硬脂酸钙1-3份，聚丙烯酯5-9份。本发明的有益效果是：腐蚀速度低，研磨效果好，对半导体损伤小。
8、一种半导体芯片研磨剂
[简介]：本发明公开了一种半导体芯片研磨剂，包括下列重量份数的物质：研磨粒子12-20份，双酚A型聚碳酸酯5-9份，纳米碳酸钙9-10份，二氯甲烷7-13份，苯甲醇5-10份，正戊烷1-9份，****1-3份，氯化钠2-8份，氯化钙3-7份，氯化铝1-2份，氯化钾1-2份，助溶剂1份，润湿剂1份，分散剂1份。本发明半导体芯片化学机械研磨剂具备了较小的介质层磨损率和较低的腐蚀度，可以促进研磨粒子的稳定性，保持极高的钨去除速率。由于相对降低了机械力的作用强度，凹坑、腐蚀和介质层的损耗等问题也减小了。
9、一种半导体研磨剂
[简介]：一种半导体研磨剂，其由以下重量份数的原料制成：含氢硅油4?7份，季戊四醇2?4份，蒙脱土4?9份，硅微粉5?10份，稀土硅铁合金6?9份，环氧改性酚醛树脂1?4份，过氧化苯甲酰6?10份，纳米石墨粉3?6份，磷酸二氢钾2.3?4.8份，双酚A型聚碳酸酯4?8份，分散剂2?3份，甲基三乙氧基硅烷8?12份，氯化钙2.3?4.1份，聚乙烯醇1.3?5份，钼铁粉2.2?3.8份，聚丙烯酸盐6?8份，水杨酸钠4.2?7份。本发明的有益效果是：本发明的半导体研磨剂，具有很好的稳定性和刻痕性，具有很好的研磨效果，且不会产生腐蚀现象。
10、含肽半导体用研磨剂
[简介]：本发明提供了在半导体器件制造的CMP工艺中，能抑制金属层过度氧化、对金属层和/或阻挡层等进行研磨、且能根据不同用途调节研磨速度的研磨剂及研磨方法。使含有抛光磨料和肽的研磨剂与氧化剂一起悬浮于水系介质中，将pH调整到7以上，制成研磨剂浆液。使该研磨剂浆液负载于CMP装置的研磨布上，然后对半导体基板上形成的Cu等金属层和/或阻挡层等进行研磨。
11、半导体平坦化用研磨剂
[简介]：一种半导体平坦化用研磨剂，含有氧化铈粒子和水，大于等于3μm的粗大氧化铈粒子的含量为小于等于固体中的500ppm（重量比），优选为小于等于固体中的100ppm，更优选氧化铈粒子的D99（研磨剂中的粒子全体的99体积％）为小于等于1μm。该研磨剂可以减少划痕的产生，并且在半导体装置的配线形成工艺中可以高速且精密地研磨半导体基板表面。
12、半导体装置的研磨剂和用研磨剂的半导体装置的制造方法
[简介]：提供一种可以减少划伤且还可以抑制研磨速度的下降的半导体装置的研磨剂和半导体装置的制造方法。该半导体装置的研磨剂具有以氧化铈作为主要成分的氧化铈粒子（11）、和覆盖氧化铈粒子（11）的表面的硅氧化物粒子（12）。
13、一种半导体化学机械研磨剂
[简介]：本发明公开了一种半导体化学机械研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质：氧化锆11-19份，二氧化硅1-3份，过氧化氢2-8份，硫酸锌6-8份，硫酸镁11-16份，硫酸银4-9份，硫酸铜3-8份，分子筛2-3份，硬脂酸2-3份，硬脂酸盐3-4份，硬脂酸钙1-3份，硬脂酸4-10份，聚丙烯酯5-9份。本发明的有益效果是：腐蚀速度低，研磨效果好，对半导体损伤小。
14、一种半导体材料抗腐蚀研磨剂
[简介]：本发明公开了一种半导体材料抗腐蚀研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质：除蜡水5-8份，酸洗剂10-19份，二氧化氯11-16份，三乙胺8-12份，酒石酸5-9份，苯甲酸甲酯6-7份，聚乙烯醇2-3份，二氧化硅4-5份，过氧化氢7-9份，硫酸锌1-3份，硫酸镁2-4份，硬脂酸钙3-8份，分散剂1份。本发明半导体芯片化学机械研磨剂具备了较小的介质层磨损率和较低的腐蚀度，可以促进研磨粒子的稳定性，保持极高的钨去除速率。由于相对降低了机械力的作用强度，凹坑、腐蚀和介质层的损耗等问题也减小了。
15、一种半导体芯片抗氧化研磨剂
[简介]：本发明公开了一种半导体芯片抗氧化研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质：研磨粒子12-20份，二氧化氯11-16份，盐酸2-4份，氧化铜1-3份，氧化锌3-5份，锌粉1-2份，氧化铅1-2份，酒石酸1-3份，羟乙基纤维素2-6份，苯甲酸甲酯1-3份，聚乙烯醇5-9份，氯苯1-3份，纳米硫酸钙2-8份，分散剂1份。本发明半导体芯片化学机械研磨剂具备了较小的介质层磨损率和较低的腐蚀度，可以促进研磨粒子的稳定性，保持极高的钨去除速率。由于相对降低了机械力的作用强度，凹坑、腐蚀和介质层的损耗等问题也减小了。
16、一种半导体集成电路细微加工研磨剂
[简介]：本发明公开了一种半导体集成电路细微加工研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质：硫氰酸盐15-35份，碳酸钙7-10份，分散剂1-3份，增稠剂1-3份，阻燃剂4-6份，硬脂酸4-8份，滑石粉4-6份，硬脂酸锌4-6份，硬脂酸钙1-3份，聚丙烯酯5-9份。本发明的有益效果是：腐蚀速度低，研磨效果好，对半导体损伤小。
17、一种半导体芯片耐腐蚀性研磨剂
[简介]：本发明公开了一种半导体芯片耐腐蚀性研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质：表面活性剂3-9份，有机添加剂4-7份，调节剂1-3份，水性介质50-55份，山梨醇11-18份，聚丙烯7-10份，聚乙烯9-16份，甘油1-8份，氯化钙3-7份，氯化铝1-2份，氯化钾1-2份，助溶剂1份，润湿剂1份，分散剂1份。本发明半导体芯片化学机械研磨剂具备了较小的介质层磨损率和较低的腐蚀度，可以促进研磨粒子的稳定性，保持极高的钨去除速率。由于相对降低了机械力的作用强度，凹坑、腐蚀和介质层的损耗等问题也减小了。
18、一种高效环保半导体芯片研磨剂
[简介]：本发明公开了一种高效环保半导体芯片研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质：研磨粒子12-20份，双酚A型聚碳酸酯5-9份，三乙胺8-12份，酒石酸5-9份，苯甲酸甲酯6-7份，聚乙烯醇2-3份，二氧化硅4-5份，过氧化氢7-9份，硫酸锌1-3份，硫酸镁2-4份，硬脂酸钙3-8份，硬脂酸4-13份，分散剂1份。本发明半导体芯片化学机械研磨剂具备了较小的介质层磨损率和较低的腐蚀度，可以促进研磨粒子的稳定性，保持极高的钨去除速率。由于相对降低了机械力的作用强度，凹坑、腐蚀和介质层的损耗等问题也减小了。
19、一种半导体材料芯片高效研磨剂配方
[简介]：本发明公开了一种半导体材料芯片高效研磨剂，包括下列重量份数的物质：除蜡水1-9份，酸洗剂14-25份，磷化液1-3份，钝化液1-3份，陶化剂1-3份，氢氧化钙4-8份，八水合氢氧化钡7-10份，氢氧化钠7-16份，酒石酸钾钠7-10份，过氧化氢7-9份，硫酸锌1-3份，硫酸镁2-4份，硬脂酸钙3-8份，硬脂酸4-13份，分散剂1份。本发明半导体芯片化学机械研磨剂具备了较小的介质层磨损率和较低的腐蚀度，可以促进研磨粒子的稳定性，保持极高的钨去除速率。由于相对降低了机械力的作用强度，凹坑、腐蚀和介质层的损耗等问题也减小了。
20、一种改进的半导体研磨剂
[简介]：一种改进的半导体研磨剂，其由以下重量份数的原料制成：醋酸钠4?6份，氰尿酸三聚氰胺盐6?10份，过氧化苯甲酰3?8份，碳化钨合金10?16份，改性氧化铝8?12份，石英砂5?7份，丙二醇6?8份，磷酸二氢钙9?12份，季戊四醇7?9份，酒石酸2?4份，硅藻土8?10份，硫酸镁5?7份，硫酸钾1.5?4份，防老剂2份，硼酸钠4?7份，苯甲酸甲酯8?11份，硫酸钡1.3?4.8份，表面活性剂6?12份，丙烯酸酯聚合物2.5?9份，乙酸正丁酯4?11份。本发明的有益效果是：本发明的半导体研磨剂，具有很好的耐磨性和低腐蚀性，同时提高了研磨的效果，具有很好的经济效益。
21、种高性能的半导体研磨剂生产工艺
[简介]：一种高性能的半导体研磨剂，其由以下重量份数的原料制成：水杨酸钠6?11份，纳米石墨粉6?12份，乙酸正丁酯4?8份，碳化硅晶粒11?17份，钙钛矿4?8份，铁基粉末5?6份，壬烷基酚聚氧乙烯醚8?12份，纤维素聚合物5?7份，聚乙烯醇3.2?8份，氰尿酸三聚氰胺盐4?9份，磷酸氢钙4?6份，硫酸锌5?7份，研磨粒子6?11份，聚丙烯5?6份，甲基硅油3.2?8.4份，抗氧剂2.2?3.8份。本发明的有益效果是：本发明的半导体研磨剂，具有良好的研磨性能，能够很好的提高半导体的使用性能，且不会造成腐蚀。
22、一种半导体集成电路研磨剂
[简介]：本发明公开了一种半导体集成电路研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质：醚硫酸钠4-8份，脂肪醇聚氧乙烯9-10份，硬脂酸14-23份，滑石粉2-3份，硬脂酸锌1-2份，纳米碳酸钙3-5份，二氯甲烷6-14份，硬脂酸钙9-14份，多聚甲醛8-12份，苯甲醇2-3份，正戊烷17-21份，碳酸钙15-26份，乙二醛1-2份，乙酸乙酯1-2份，苯甲酸甲酯5-9份，****1-3份，阻燃剂4-6份，分散剂1-3份，聚丙烯酯5-9份。本发明的有益效果是：腐蚀速度低，研磨效果好，对半导体损伤小。
23、一种半导体集成电路研磨剂
[简介]：本发明公开了一种半导体集成电路研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质：硫氰酸盐21-23份，水杨酸盐4-17份，EDTA8-13份，除油剂3-8份，除油粉7-12份，表调剂11-15份，硫酸钾8-10份，无水硫酸钠10-16份，硝酸钾5-16份，亚硝酸钠7-15份，亚硫酸钠2-4份，硬脂酸钙1-3份，硬脂酸4-10份，聚丙烯酯5-9份。本发明的有益效果是：腐蚀速度低，研磨效果好，对半导体损伤小。
24、半导体用研磨剂、该研磨剂的制造方法和研磨方法
[简介]：本发明提供一种半导体用研磨剂，它是含氧化铈研磨粒子、水和添加剂的半导体用研磨剂，其特征在于，上述添加剂选自水溶性有机高分子和阴离子性表面活性剂中的1种以上，25℃的上述研磨剂的pH为3.5－6，并且上述添加剂的总的浓度是研磨剂总重量的0.01－0.5％。该研磨剂同时具有分散稳定性、优异的刻痕性以及优异的研磨的平坦性。特别是在研磨硅基板上形成硅化氮膜3和硅氧化膜2而成的半导体基板时，该研磨剂可获得凹陷偏差少的优异的研磨平坦化特性，另外若使用该研磨剂时，可缩短研磨图形晶片的时间。
25、研磨剂及半导体集成电路装置的制造方法
[简介]：在半导体集成电路装置的制造中的被研磨面的研磨中可获得具有埋入金属配线的绝缘层的平坦的表面。此外，可获得具备高度平坦化的多层结构的半导体集成电路装置。使用于研磨半导体集成电路装置的被研磨面的化学机械研磨用研磨剂中含有平均一次粒径在5～300nm的范围内、研磨剂中的缔合比在1.5～5的范围内的磨粒（A），氧化剂（B），保护膜形成剂（C），酸（D），碱性化合物（E）和水（F）。
26、研磨剂、基片的研磨法和半导体装置的制造方法
[简介]：在本发明中，为了进行高速研磨又不伤及SiO2绝缘膜等的被研磨 面，提供含有把具有由2个以上的晶粒构成的晶界的氧化铈子、或者 是体积密度为6.5g/cm3以下的氧化铈粒子、或者是具有气孔的磨粒中 的至少一种分散到介质中去的浆液的研磨剂、使用该研磨剂的基片的 研磨方法和半导体装置的制造方法。
27、一种无腐蚀性的半导体化学机械研磨剂
[简介]：本发明公开了一种无腐蚀性的半导体化学机械研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质：表面活性剂1-3份，有机添加剂2-5份，调节剂1-3份，水性介质50-55份，纳米石墨粉1-2份，高岭土1-3份，季戊四醇1-5份，氰尿酸三聚氰胺盐2-3份，蒙脱土1-3份，硬脂酸2-3份，硬脂酸盐3-4份，硬脂酸钙1-3份，硬脂酸4-10份，聚丙烯酯5-9份。本发明的有益效果是：腐蚀速度低，研磨效果好，对半导体损伤小。
28、研磨剂、基片的研磨法和半导体装置的制造方法
[简介]：在本发明中，为了进行高速研磨又不伤及SiO2绝缘膜等的被研磨面，提供含有把具有由2个以上的晶粒构成的晶界的氧化铈子、或者是体积密度为6.5g/cm3以下的氧化铈粒子、或者是具有气孔的磨粒中的至少一种分散到介质中去的浆液的研磨剂、使用该研磨剂的基片的研磨方法和半导体装置的制造方法。
29、半导体芯片化学机械研磨剂及其配制方法
[简介]：本发明提供了一种半导体芯片化学机械研磨剂及其配制方法，研磨剂由下述物质按所附重量百分比配制而成：研磨粒子0.01－20％，第一氧化剂0.01－50％，第二氧化剂0.001－50％，稳定剂0.1－5％，添加剂0.01－10％，余量为水。其配制方法包括三种形式，一种是将所有物质混合在一起的单组分形式；第二种是将第二氧化剂作为一个组分，其余物质作为一个组分的双组分形式，第三种是将第一氧化剂作为一个组分，将第二氧化剂作为一个组分，其余物质作为一个组分的三组分形式。本发明半导体芯片化学机械研磨剂对钨的磨除速率高、能减少凹坑的产生和介质层的损耗、研磨后硅片具有极佳的表面光洁度。
30、研磨剂、基片的研磨法和半导体装置的制造方法
[简介]：在本发明中，为了进行高速研磨又不伤及SiO2绝缘膜等的被研磨面，提供含有把具有由2个以上的晶粒构成的晶界的氧化铈子、或者是体积密度为6.5g/cm3以下的氧化铈粒子、或者是具有气孔的磨粒中的至少一种分散到介质中去的浆液的研磨剂、使用该研磨剂的基片的研磨方法和半导体装置的制造方法。
31、研磨剂、基片的研磨法和半导体装置的制造方法
[简介]：在本发明中，为了进行高速研磨又不伤及SiO2绝缘膜等的被研磨面，提供含有把具有由2个以上的晶粒构成的晶界的氧化铈粒子、或者是体积密度为6.5g/cm3以下的氧化铈粒子、或者是具有气孔的磨粒中的至少一种分散到介质中去的浆液的研磨剂、使用该研磨剂的基片的研磨方法和半导体装置的制造方法。
32、研磨剂、制造化合物半导体的方法和制造半导体器件的方法
[简介]：本发明提供一种研磨剂和利用所述试剂制造化合物半导体的方法和制造半导体器件的方法，由此能够有利地保持化合物半导体衬底的表面品质，还能够保持高研磨速率。所述研磨剂为用于GaαIn（1-α）AsβP（1-β）（0≤α≤1；0≤β≤1）化合物半导体的研磨剂，且包含碱金属碳酸盐、碱金属有机酸盐、氯基氧化剂和碱金属磷酸盐，其中所述碱金属碳酸盐和所述碱金属有机酸盐的浓度总和为0.01mol/L～0.02mol/L。所述制造化合物半导体的方法包括：准备GaαIn（1-α）AsβP（1-β）（0≤α≤1；0≤β≤1）化合物半导体的步骤，以及利用上述研磨剂对所述化合物半导体的面进行研磨的步骤。
33、绝缘膜研磨剂组合物及半导体集成电路的制造方法
[简介]：本发明涉及一种绝缘膜研磨剂组合物及半导体集成电路的制造方法。为了对应用于半导体集成电路的、由具有C-Si键及Si-O键的有机硅材料形成的绝缘膜的表面进行研磨，采用包含水、以及选自La（OH）3、Nd（OH）3、Pr（OH）3、CeLa2O3F3和氧化铈以外的稀土类氧化物的1种以上的特定稀土类化合物的粒子的研磨剂组合物或其中还含有氧化铈粒子的研磨剂组合物。这样可形成无或较少产生裂缝、擦痕及膜剥离等缺陷的高品质的研磨表面。
34、研磨剂、被研磨面的研磨方法及半导体集成电路装置的制造方法
[简介]：本发明提供在半导体集成电路装置的制造中可以高速研磨SiC或者可以在高速研磨SiC的同时抑制绝缘层的二氧化硅的研磨，因而能够获得被高度平坦化了的具有多层结构的半导体集成电路装置的研磨剂。本研磨剂包含磨粒（A），选自苯并三唑类、1H-四唑类、苯磺酸类、磷酸和有机膦酸的1种以上的研磨速度调整剂（B），介电常数为15～80、沸点为60～250℃、25℃时的粘度为0.5～60MPa·s的有机溶剂（C）以及水（D）。
35、研磨剂、研磨方法和半导体集成电路装置的制造方法
[简介]：本发明涉及用于在半导体集成电路装置的制造中对含有多晶硅膜的被研磨面进行研磨的研磨方法，所述多晶硅膜在紧邻所述多晶硅膜的下方具有二氧化硅膜，所述研磨方法包括：第一研磨工序，利用含有二氧化铈粒子、水和酸的第一研磨剂对上述多晶硅膜进行研磨将其平坦化；和第二研磨工序，利用至少含有二氧化铈粒子、水、酸和水溶性多胺或其盐的第二研磨剂对在上述第一研磨工序中平坦化的多晶硅膜进行研磨，并通过所述二氧化硅膜露出而使研磨停止。
36、研磨剂组合物和制造半导体集成电路装置的方法
[简介]：本发明提供一种化学机械研磨用研磨剂组合物，所述研磨剂组合 物用于研磨半导体集成电路装置的待研磨表面。所述研磨剂组合物包 含：二氧化硅粒子，选**过氧化氢、过硫酸铵和过硫酸钾组成的组 中的一种或多种氧化剂，由式（1）表示的化合物，支链淀粉，选**硝 酸、硫酸和羧酸组成的组中的一种或多种酸，和水，并且pH在1～5 的范围内。根据本发明，在半导体集成电路装置的制造方法中，在待 研磨表面的研磨中，能够获得具有埋设的金属互连的绝缘层的平坦表 面。另外，能够获得具有高度平坦化的多层结构的半导体集成电路装 置。
37、研磨剂、研磨方法及半导体集成电路装置的制造方法
[简介]：本发明涉及研磨剂，其特征在于，其是用于对包含由氧化硅形成的面和由金属形成的面的被研磨面进行化学机械性研磨的研磨剂，所述研磨剂含有氧化铈颗粒、络合剂和水。
38、研磨剂、研磨方法和半导体集成电路装置的制造方法
[简介]：本发明涉及一种研磨剂、研磨方法和半导体集成电路装置的制造方法，所述研磨剂的特征在于，其含有氧化铈粒子、水溶性多胺、氢氧化钾、选自有机酸及其盐中的至少一者、和水，且其pH为10以上。
39、半导体集成电路装置用研磨剂、研磨方法及半导体集成电路装置的制造方法
[简介]：本发明提供在半导体集成电路装置的制造中研磨二氧化硅类材料层的被研磨面时的研磨速度的图案依赖性小，可在抑制凹部的研磨的同时优先地研磨凸部，能够以极少的研磨量实现将被研磨面高度平坦化的技术。在半导体集成电路装置的制造中，被研磨面为二氧化硅类材料层的被研磨面的情况下，作为用于研磨被研磨面的化学机械研磨用研磨剂，使用含有氧化铈粒子、水溶性多胺和水的研磨剂。
40、半导体集成电路装置用研磨剂、研磨方法及半导体集成电路装置的制造方法
[简介]：本发明提供在半导体集成电路装置的制造中研磨被研磨面的情况下，可以在多晶硅膜和其它材料之间获得适合的研磨速度比，由此能够实现含多晶硅膜的被研磨面的高度平坦化的研磨技术。作为化学机械研磨用研磨剂，使用含有氧化铈粒子、水溶性多胺和水且其pH在10～13的范围内的研磨剂。
41、半导体集成电路用绝缘膜研磨剂组合物及半导体集成电路的制造方法
[简介]：为了对应用于半导体集成电路的、由具有C－Si键及Si－O键的有机硅材料形成的绝缘膜的表面进行研磨，采用包含水以及选自稀土类氢氧化物、稀土类氟化物、稀土类氟氧化物、氧化铈以外的稀土类氧化物及它们的复合化合物的1种或1种以上的特定稀土类化合物的粒子的研磨剂组合物或其中还含有氧化铈粒子的研磨剂组合物。这样可形成无或较少产生裂缝、擦痕及膜剥离等缺陷的高品质的研磨表面。
42、绝缘膜研磨用CMP研磨剂、研磨方法、通过该研磨方法研磨的半导体电子部件
[简介]：本发明提供一种在使层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽隔离用绝缘膜或配线间的绝缘膜层平坦化的CMP技术中，能够高效并且高速地进行SiO2膜或SiOC膜等绝缘膜研磨的绝缘膜研磨用CMP研磨剂，使用该研磨剂进行研磨的方法以及通过该研磨方法进行研磨的半导体电子部件。含有氧化铈粒子、分散剂、侧链上具有氨基的水溶性高分子和水的绝缘膜研磨用CMP研磨剂，使用该研磨剂进行研磨的研磨方法，以及通过该研磨方法进行研磨的半导体电子部件。
43、研磨用磨料、研磨剂、研磨液、研磨液的制造方法、研磨方法以及半导体元件的制造方法
[简介]：本发明的目的是在化合物半导体晶片或半导体晶片等的研磨工序中，提高研磨速度、平坦度、晶片形状的随时间性稳定性。使用在介质中凝集了平均粒径为0.005μm～0.1μm的一次粒子的球形度为0.5～0.75的研磨用磨料、凝集粒子分散时的平均粒径为1μm～30μm的研磨用磨料的研磨液。
