1、用于化学机械抛光的浆料分布设备
[简介]：一种用于化学机械抛光的装置，包括：可旋转平台，具有用以支撑抛光垫的表面；载体头，用以将基板保持与所述抛光垫接触；以及抛光液分布系统。所述抛光液分布系统包括：分配器，被定位为向所述抛光垫的抛光面的一部分递送抛光液，以及第一屏障，定位在所述抛光面的所述部分之前，且被配置为阻挡使用过的抛光液到达所述抛光面的所述部分。
2、化学机械抛光浆料组合物及使用其抛光钨图案晶片的方法
[简介]：一种用于抛光钨图案晶片的CMP浆料组合物以及使用其抛光钨图案晶片的方法。所述CMP浆料组合物包含：选自极性溶剂及非极性溶剂中的至少一种溶剂；研磨剂；以及杀生物剂，其中所述研磨剂包含用选自含两个氮原子的硅烷及含三个氮原子的硅烷中的至少一者改性的二氧化硅，并且所述杀生物剂包含式3的化合物。所述CMP浆料组合物可在抛光钨图案晶片时提高钨图案晶片的抛光速率及平整度。
9、一种用于化学机械抛光的浆料分布设备
[简介]：本技术提供了一种用于化学机械抛光的浆料分布设备，其结构包括第一电机、工件吸盘、顶架、浆料集中分布装置、导液管、液箱、底架、底座，本技术具有的效果：通过多向排液机构形成的浆液循环结构，能够在工件化学抛光中使研磨浆液在集液圆框和液箱之间循环，利用回液滤杂环筒作为研磨浆液过滤介质，能够滤化使用后的研磨浆液，使含有的研磨颗粒继续回流至集液圆框，从而减少研磨浆液的过量浪费，通过集中汇液机构形成的浆液汇流结构，能够使转盘沿集液圆框转动中，对排入集液圆框中的浆液进行定向集流，使新鲜的浆料及时不断输到工件下面，同时也可以及时地将研磨产生的副产物排除，提高了工件和浆液的反应效果，降低了工件抛光的时间。
10、双粒径非球形二氧化硅、配方技术及其制备的抛光浆料
[简介]：本技术提供了一种双粒径非球形二氧化硅、配方技术及其制备的抛光浆料，在水醇体系中，以硅酸四乙酯(TEOS)作为硅源，氨水作为催化剂，金属盐作为形貌、粒径控制剂，水解、成核、生长制备得到双粒径非球形二氧化硅。本技术提供的碱性双粒径非球形二氧化硅化学机械抛光浆料在抛光过程中大小粒径的磨料粒子能够协同作用（大粒径磨料填充抛光垫中大的微孔或沟槽，小粒径磨料填充抛光垫中小的微孔或沟槽），进而优化抛光液在抛光垫表面的抛光液流动和分布，同时提高抛光效率，降低抛光表面的微粗糙度，减小损伤层厚度，提供了一种潜在的技术路线。
11、浅沟槽隔离化学和机械抛光浆料
12、用于STI工艺的抛光浆料组合物
13、一种混合磨料的硬质合金抛光浆料及其配方技术
14、用于抛光硬质基材的多峰金刚石磨料包或浆料
15、用于抛光多层膜的化学机械抛光浆料组合物
16、用于改善化学机械抛光浆料的颗粒分散的添加剂
17、一种研磨抛光浆料及镜面板配方技术
18、碳磨料和抛光浆料以及制造半导体器件的方法
19、CMP浆料组成物和使用其抛光图案化钨晶片的方法
20、用于抛光铜膜的CMP浆料组合物和用其抛光铜膜的方法
21、抛光浆料和制造半导体器件的方法
22、用于硅晶圆基材的复合磨料化学机械抛光浆料及配方技术
23、改善浆料流动性的抛光垫及其配方技术
24、用于化学机械抛光的浆料组合物
25、抛光浆料和通过使用抛光浆料抛光基板的方法
26、废弃陶瓷抛光淤泥浆料的活性指数的检测方法
27、用于钌化学机械抛光的不含氧化剂的浆料
28、阻挡物钌的化学机械抛光浆料
29、用于抛光多晶硅的CMP浆料组合物及利用其的抛光方法
30、抛光浆料组合物
31、废弃陶瓷抛光淤泥浆料及其配方技术
32、抛光浆料组合物
33、用于钴应用的化学机械抛光浆料
34、用于抑制铜钴阻挡层电偶腐蚀及钴表面点蚀的抛光浆料
35、用于STI工艺的抛光浆料组合物
36、选择用于抛光中氮化物去除的含水二氧化硅浆料和胺羧酸组合物及其使用方法
37、用于抛光中选择性去除氮化物的含水*离子官能二氧化硅浆料和胺羧酸组合物及其使用方法
38、化学机械抛光浆料组合物及使用其制作半导体器件的方法
39、用于化学机械抛光的浆料组合物
40、用于抛光金属层的浆料组合物及制作半导体装置的方法
41、有机膜CMP浆料组合物和使用其的抛光方法
42、一种陶瓷晶片表面抛光浆料及其配方技术
43、用于金属膜的CMP浆料组合物和抛光方法
44、用于化学机械抛光的浆料分布设备
45、用于化学机械抛光的浆料组合物
46、用于抛光有机膜的浆料组合物和使用其抛光有机膜的方法
47、高选择性浅槽隔离化学机械抛光浆料的制备工艺
48、一种抛光浆料
49、抛光浆料
50、选择性硅石抛光的浆料组合物和方法
51、化学机械抛光浆料、化学机械抛光的方法及半导体结构的制造方法
52、用于抛光铜的CMP浆料组合物及使用其的抛光方法
53、双面抛光机浆料循环系统
54、浆料和使用其的衬底抛光方法
55、钨抛光浆料和抛光衬底的方法
56、用于钨的抛光浆料以及衬底抛光方法
57、磨料粒子、抛光浆料以及制造磨料粒子的方法
58、CMP用浆料组合物及利用该组合物的抛光方法
59、一种硅CMP浆料及其使用该CMP浆料的抛光方法
60、一种用于存储器硬盘的CMP浆料及使用该浆料的抛光方法
61、用于化学机械抛光的浆料组合物、其制法、抛光方法、制造半导体器件的方法和抛光设备
62、用于金属线的CMP浆料组合物及使用其的抛光方法
63、用于有机膜的CMP浆料组合物及使用其的抛光方法
64、一种快速高效的抛光浆料配方
65、减少抛光浆料中的大颗粒计数
66、浆料组合物、漂洗组合物、基板抛光方法以及漂洗方法
67、用于铝抛光的化学机械抛光浆料组合物和方法
68、金属化学机械抛光浆料
69、抛光浆料组合物
70、抛光浆料的再生方法、基板的制造方法
71、用于抛光铜线的CMP浆料组合物及使用其的抛光方法
72、金属膜抛光浆料组合物及使用其减少金属膜抛光时产生的划痕的方法
73、一种抛光防腐合成革浆料及其配方技术
74、化学机械抛光浆料组合物和将其用于铜和硅通孔应用的方法
75、浆料组合物以及基材抛光方法
76、磨料颗粒、抛光浆料和使用其的半导体装置的制造方法
77、一种实现稀土抛光浆料在线循环利用的装置及其方法
78、磨料颗粒和抛光浆料的制造方法
79、抛光浆料以及使用所述抛光浆料的衬底抛光方法
80、一种抛光防腐浆料
81、一种抛光浆料
82、一种抛光浆料
83、一种抛光浆料
84、浆料腐蚀法制备背面抛光多晶硅太阳电池的工艺方法
85、一种用于铁具的抛光防腐浆料
86、锗?锑?碲化学机械抛光浆料
87、用于化学机械抛光的浆料和化学机械抛光方法
88、用于抛光铜的CMP浆料组合物和使用其的抛光方法
89、一种金属抛光防腐浆料
90、一种金属抛光防腐浆料
91、化学-机械抛光金属的浆料及其用途
92、CMP浆料组合物和使用其的抛光方法
93、一种金属化学机械抛光浆料及其应用
94、适用于化学机械抛光的浆料及方法
95、一种化学机械抛光浆料的应用
96、一种抛光液用高稳定纳米二氧化铈水性浆料配方技术
97、玻璃基板抛光用润滑组合物和抛光浆料
98、合成石英玻璃基板抛光浆料和利用该抛光浆料制造合成石英玻璃基板
99、化学机械抛光浆料组合物及使用其制造半导体器件的方法
100、一种用于抛光铜的化学机械抛光浆料
101、化学机械抛光浆料再循环系统及方法
102、能减少残余浆料的化学机械抛光方法
103、氧化铈粉体抛光浆料的生产方法
104、氮化铝基片的快速超精密抛光浆料及抛光清洗加工方法
105、聚合物阻隔移除抛光浆料
106、一种硅片化学机械抛光浆料配方
107、玻璃基板抛光用组合物和抛光浆料
108、包括氧化锆颗粒的抛光浆料以及使用这种抛光浆料的方法
109、具有可调介电抛光选择性的浆料组合物及抛光基材的方法
110、一种金属化学机械抛光浆料及其应用
111、一种化学机械抛光浆料
112、化学机械抛光用浆料以及使用其的基板的抛光方法
113、一种用于抛光含钛基材的抛光浆料
114、再循环从半导体处理工艺、特别是从化学机械抛光工艺中产生的含浆料的废水的再循环方法和装置
115、一种化学机械抛光浆料
116、CMP浆料组合物及抛光方法
117、一种化学机械抛光浆料
118、化学机械抛光用浆料
119、一种抛光硅和铜的化学机械平坦化浆料
120、一种金属化学机械抛光的浆料及其使用方法
121、CMP浆料及使用该浆料进行抛光的方法
122、一种化学机械抛光浆料及其应用
123、制造铜互连的阻挡层抛光的CMP浆料组合物、使用其的抛光方法及通过其制造的半导体器件
124、一种金属化学机械抛光浆料
125、一种化学机械抛光浆料
126、一种用于金属化学机械抛光的抛光浆料及其用途
127、用于化学机械抛光的浆料组合物及抛光方法
128、用复合浆料抛光蓝宝石
129、一种用于金属化学机械抛光的抛光浆料及其用途
130、一种用于金属化学机械抛光的抛光浆料及其用途
131、用于化学机械抛光的浆料组合物及抛光方法
132、用于化学机械抛光浆料应用的聚合物-二氧化硅分散剂的稳定化
133、具有用来将浆料保留在抛光垫构造上的凹槽的抛光垫及其配方技术
134、用于金属的化学机械抛光的浆料组合物以及使用其的抛光方法
135、在化学机械抛光期间调节低k对铜除去速率的方法和浆料
136、在化学机械抛光应用中的可调选择性的浆料
137、用于抛光半导体晶片的CMP浆料及使用该浆料的方法
138、抛光浆料及其配方技术和抛光基板的方法
139、钌-阻挡层抛光浆料
140、适用于化学机械抛光的浆料及方法
141、磨料颗粒、抛光浆料及其制造方法
142、抛光浆料及其配方技术和基板的抛光方法
143、用于金属膜的CMP浆料、抛光方法以及制造半导体器件的方法
144、浆料组合物和用于抛光有机聚合物基的眼用基体的方法
145、化学机械抛光浆料组合物、及其配方技术和应用方法
146、抛光浆料及其使用方法
147、用于控制抛光选择性的辅助剂以及包含该辅助剂的化学机械抛光浆料
148、用于化学机械抛光的二氧化铈粉末的配方技术及使用该粉末制备化学机械抛光浆料的方法
149、增加含过氧化氢的化学机械抛光浆料使用寿命的组合物及方法
150、制备具有高分散稳定性的抛光浆料的方法
151、氧化铈浆料、氧化铈抛光浆料以及使用其抛光衬底的方法
152、用于控制抛光选择性的辅助剂以及包含该辅助剂的化学机械抛光浆料
153、用于半导体浅沟隔离加工的化学机械抛光浆料组合物
154、抛光浆料及其配方技术和基板的抛光方法
155、用于阻挡层的化学机械抛光浆料
156、化学机械抛光用的选择性浆料
157、用于钽阻挡层的化学机械抛光浆料
158、浆料组合物、制备浆料组合物的方法以及使用浆料组合物抛光物体的方法
159、用于对多晶硅膜进行抛光的化学机械抛光浆料组合物及其配方技术
160、抛光浆料
161、抛光浆料及其用途
162、化学机械抛光浆料及抛光基板的方法
163、抛光浆料
164、用于化学机械抛光浆料的辅助剂
165、用于抛光半导体薄层的氧化铈浆料
166、抛光浆料及其配方技术和抛光基板的方法
167、浆料、使用该浆料的化学机械抛光方法以及使用该浆料形成金属布线的方法
168、钽阻挡层用化学机械抛光浆料
169、抛光浆料及其用途和使用方法
170、基于氧化铈的抛光工艺和氧化铈基浆料
171、抛光浆料
172、抛光浆料，用于信息记录介质的玻璃基材的制造方法和信息记录介质的制造方法
173、抛光浆料
174、抛光浆料
175、浆料、化学机械抛光方法及用浆料形成电容器表面的方法
176、用于金属化学机械抛光的新型浆料
177、可调控的去除阻隔物的抛光浆料
178、CMP用浆料、抛光方法和半导体器件的制造方法
179、用于化学机械抛光的浆料、抛光方法及半导体器件的制造方法
180、CMP浆料、抛光方法和半导体器件的制造方法
181、用于CMP的浆料、抛光方法及半导体器件的制造方法
182、用于金属的化学机械抛光(CMP)的浆料及其使用
183、化学机械抛光浆料和使用该浆料的化学机械抛光方法
184、铈基抛光料和铈基抛光浆料
185、一种用于存储器硬盘的磁盘基片抛光浆料
186、改变浆料中氧化剂的浓度进行化学机械抛光(CMP)的方法
187、一种化学-机械抛光浆料和方法
188、一种化学-机械抛光铜镶嵌结构所用的浆料
189、形成铜互连线的方法
190、抛光浆料
191、半导体晶片抛光浆料供应量的控制
192、适用于半导体化学机械抛光的金属氧化物浆料的配方技术
193、化学机械抛光浆料和其使用方法
194、适用于半导体化学机械抛光的金属氧化物浆料的配方技术
195、用于铜/钽基材的化学机械抛光浆料
196、用于铜基材的化学机械抛光浆料
197、用于铜/钽基材的化学机械抛光浆料
198、用于化学机械抛光的多氧化剂浆料
199、改进的抛光浆料和其使用方法
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