1、一种外延膜生长设备及分离方法
[简介]：本技术提供了一种外延膜生长设备及分离方法，在外延膜生长设备的金属夹环与金属基板之间，设置分离销装置，分离销包括至少两个带有螺丝的连接件，连接件贯穿金属夹环，连接件的顶端抵接在金属基板表面，利用分离销的反向力，分离金属夹环与石英件，在金属夹环与石英件分离后，移动金属夹环，实现金属夹环与石英件的安全分离，减少损坏石英件的几率。
2、一种无裂纹AlN外延膜及其配方技术
[简介]：本技术提供了一种无裂纹AlN外延膜及其配方技术，该方法的步骤包括：在蓝宝石衬底上外延生长AlN缓冲层；在AlN缓冲层上外延生长AlN一次外延层；对AlN一次外延层远离蓝宝石衬底一侧进行图形化处理；在AlN一次外延层进行图形化处理的一侧外延生长高温AlN层，得到无裂纹AlN外延膜；AlN一次外延层由第一AlN层和第二AlN层交替生长形成，第一AlN层的生长温度大于第二AlN层的生长温度，第一AlN层的V/III比小于第二AlN层的V/III比。本技术通过在AlN缓冲层和高温AlN层之间引入AlN一次外延层，并对AlN一次外延层进行图形化处理，不仅使高温AlN层的均匀性显著提高，还能够很好地释放生长过程中积累的热应力，防止AlN薄膜开裂。
3、提高CdZnTe探测器性能的CdZnTe/GaAs外延膜及配方技术
[简介]：本技术涉及一种提高CdZnTe探测器性能的CdZnTe/GaAs外延膜及配方技术，基于P型GaAs衬底上生长CdZnTe厚膜并在Te2气氛中进行等温退火。将其制备成Au/CdZnTe/p?GaAs/Au探测器，与退火之前相比，CdZnTe外延膜的电阻率明显提高，探测器对241Am
4、一种外延膜生长设备的基座支撑装置及其使用方法
[简介]：本技术提供了一种外延膜生长设备的基座支撑装置及其使用方法，包括外延膜生长机体，外延膜生长机体的内部安装有下石英钟罩且顶部水平设置有上石英圆盘，外延膜生长机体与上石英圆盘之间对称设置有两组加紧机构，上石英圆盘与下石英钟罩之间形成有加工内腔，加工内腔的内部设置有基座支撑机构，基座支撑机构包括安装于外延膜生长机体底部的旋转电机和安装于旋转电机动力输出端的基座支撑架，基座支撑架由支撑杆和支撑手臂组成，支撑手臂分设有三组且均匀加工成型于支撑杆的顶部。本技术对支撑手臂的头部形状进行了改进，弃用了三个支撑销，使得支撑架手臂直接与基座连接，节省了材料，节约了成本，改善了手臂与基座间的固定性能，提高了产品良率。
5、一种用于外延膜生长设备的基座水平调节装置
[简介]：本技术提供了一种用于外延膜生长设备的基座水平调节装置，包括基座水平调节装置，基座水平调节装置由水平仪本体、空心金属球、电机固定杆、水平调节螺丝一、水平调节螺丝二、顶紧螺丝一和顶紧螺丝二组成，水平仪本体中部开设有安装口且外侧开设有两组螺纹导向槽，安装口与两组螺纹导向槽相连通，空心金属球活动设置于安装口内，空心金属球的中部垂直安装有对接槽口。本技术在于未改变基座水平仪大体结构的情况下，增加了顶紧螺丝一和空心圆球体，加装顶紧螺丝一，可以防止水平调节螺丝的滑动位移，造成基座的不稳定性，增加一个空心圆球体，套装在固定杆尾部，避免水平调节螺丝尾部与电机固定杆直接接触而产生磨损。
6、一种降低HVPE外延膜中Si含量的镓舟结构
[简介]：本技术提供了一种降低HVPE外延膜中Si含量的镓舟结构。该结构为多层结构，外层为石英管，左端密封在HVPE的法兰上，起到支撑的作用；中层为两个热解氮化硼管，分别为第一热解氮化硼管和第二热解氮化硼管，防止腐蚀性气体Cl2和石英管接触，内层是热解氮化硼坩埚，用于盛放液态的金属镓；第一热解氮化硼管套在石英管中；第二热解氮化硼管套在第一热解氮化硼管中；热解氮化硼坩埚放置在第二热解氮化硼管内。采用本技术后，可以有效的防止腐蚀性气体Cl2和石英管接触，防止石英管被腐蚀，避免β?Ga2O3外延膜中掺入Si杂质，降低外延膜的载流子浓度，提升外延膜的纯度。
7、一种GaN外延膜和蓝宝石衬底自剥离方法
[简介]：本技术提供了一种GaN外延膜和蓝宝石衬底自剥离方法，通入H2，对蓝宝石衬底进行热处理；降低温度，通入Al源和N源，在蓝宝石衬底上生长低温AlN缓冲层；升高温度，进行退火后再升温并通入Ga源，在低温AlN缓冲层上生长非掺杂GaN层；保持温度不变，通入硅烷，在非掺杂GaN层上生长N?GaN层；将所得结构在N2气氛下进行退火，得到多孔衬底；在多孔衬底上沉积GaN外延层；降低温度进行退火处理，然后随炉冷却，将蓝宝石衬底于冷却过程中与多孔衬底分离。本技术利用多孔衬底生长的GaN外延膜质量高，残余应力小，有效保证了外延膜的完整性，提高了成品率。
8、应变单晶外延膜体声谐振器的有效耦合系数的改进
[简介]：在单晶声谐振器阵列中，第一应变单晶滤波器和第二应变单晶滤波器的有效耦合系数是单独定制的，以便实现期望的频率响应。在双工器实施例中，发射带通滤波器的有效耦合系数小于同一双工器的接收带通滤波器的有效耦合系数。可以通过改变压电层的厚度与电极层的总厚度之比，或者通过在滤波器内形成与声谐振器并联的电容器来定制系数，对于该滤波器而言，有效耦合系数将被降低。此外，应变压电层可以形成为覆盖由成核生长参数表征的成核层，所述成核生长参数可以被配置为调制应变压电层中的应变条件，以调节压电特性，从而在特定应用中改进性能。
9、一种提高MOCVD生长VCSEL外延膜厚均匀性的方法
[简介]：本技术提供了一种提高MOCVD生长VCSEL外延膜厚均匀性的方法，属于半导体材料生长领域，该方法包括：在Ⅴ/Ⅲ比非常高的情况下，当MOCVD生长的VCSEL外圈膜厚大于内圈膜厚时，通过增大流经MOCVD反应腔内喷淋头的进气孔043载气流量，使得内圈的Ⅲ族源浓度提高，从而提高内圈生长速率。当内圈膜厚大于外圈膜厚时，通过减小流经MOCVD反应腔内喷淋头的进气孔043的载气流量，使得外圈的Ⅲ族源浓度提高，从而提高外圈生长速率，通过本技术提供方法，可以解决外延片内外圈膜厚不均匀问题，提升外延片良率。
10、一种不同取向单变体氧化钇稳定氧化锆外延膜的配方技术
[简介]：一种不同取向单变体外延氧化钇稳定氧化锆薄膜的制备及其铁弹性表征的简单方法，包括：将氧化钇稳定的氧化锆置入腔室中的靶材托上，并将所述腔室抽真空；将钛酸锶基底处理后置入所述腔室，并将所述腔室抽真空；将所述腔室内的所述钛酸锶基底加热至第一预设温度后，通入氧气，并将腔室内的压强维持在第一预设压强范围内；开启激光器进行薄膜沉积；沉积后以第一预设速率对所述腔室降温，降温至第二预设温度后，得到与所述钛酸锶基底成外延关系的具有不同取向单变体的外延氧化钇稳定氧化锆的薄膜。通过本技术的配方技术得到的氧化钇稳定的氧化锆便于微结构调控，同时具有高铁弹性。
11、一种SiC衬底上生长高质量GaN外延膜的方法
12、一种SiC衬底生长GaN外延膜的方法
13、一种图案化衬底及其制作方法和利用其制作外延膜的方法
14、在低温下生长薄外延膜的方法
15、一种高精度外延膜厚监控片及其配方技术
16、在低温下生长薄外延膜的方法
17、沉积中卤素分子用作反应剂增强外延膜中掺杂剂结合的方法
18、一种用于制备无裂纹YBCO液相外延膜的方法
19、在GaAs单晶衬底上制备CdZnTe外延膜的方法
20、具有SiC外延膜的4H?SiC外延晶片的制造方法
21、快速制备3C-SiC外延膜方法
22、纳米级结构上的外延膜
23、外延膜形成方法、溅射设备、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件和照明装置
24、晶格失配异质外延膜
25、缺陷转移和晶格失配外延膜
26、图案化的衬底上的外延膜生长
27、一种氮化镓基外延膜的选区激光剥离方法
28、一种氧化镓外延膜的配方技术及氧化镓外延膜
29、一种制备纯a轴取向的YBCO液相外延膜的方法
30、从外延半导体结构的生长基底激光分离外延膜或外延膜层的方法（变体）
31、外延膜形成方法、真空处理设备、半导体发光元件制造方法、半导体发光元件和照明装置
32、外延膜、压电元件、铁电元件、它们的制造方法以及液体排出头
33、在蓝宝石图形衬底上外延生长氮化物外延膜的方法
34、外延膜形成方法、溅射设备、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件和照明装置
35、硅外延膜厚测试标准片的制作方法
36、一种氮化镓基外延膜的激光剥离方法
37、硅外延膜厚测量方法及装置
38、一种氮化镓基外延膜的配方技术
39、外延膜形成装置及其用的基座、外延晶片及其制造方法
40、生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法
41、一种生长AlInN单晶外延膜的方法
42、一种低场超大磁致电阻锰氧化物外延膜及其配方技术
43、外延膜、压电元件、铁电元件、它们的制造方法以及液体排出头
44、用于外延膜层形成的集束型设备
45、外延膜厚的测试方法
46、在形成外延膜期间使用的气体歧管
47、场效应晶体管和用于制备场效应晶体管的多层外延膜
48、一种生长高结晶氮化铟单晶外延膜的方法
49、应用面探衍射仪检测异质外延膜晶格取向的方法
50、生长高迁移率氮化镓外延膜的方法
51、氧化物半导体外延膜高通量X射线衍射分析方法
52、生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法
53、生长高阻氮化镓外延膜的方法
54、一种在金属基底上形成织构外延膜的方法
55、用于半导体器件的外延膜生长方法
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,内容都包括具体的配方配比生产制作过程，费用260元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
