1、一种相变薄膜控温材料
[简介]：本技术提供了一种相变薄膜控温材料，为三层结构，中间层为相变微胶囊薄膜，上下两层为高导热石墨膜。本技术提供的相变薄膜控温材料能够通过其高导热性能，强化相变薄膜的传热能力，搭配相变微胶囊，获得优异的热管理性能。该相变薄膜具备有良好的热导率和热稳定性，形态稳定，同时有较好的柔性。能够在微小型电子设备中使用，达到理想的热管理效果，有效提高电子元器件的使用寿命。
2、基于相变薄膜的超宽带低雷达散射截面的隐身天线
[简介]：本技术涉及基于相变薄膜的超宽带低雷达散射截面的隐身天线，属于平面微波器件领域。包括介质基板、H型金属贴片和接地板；H型金属贴片的两块竖直贴片上分别嵌设有相变薄膜；接地板上开设有空心槽；H型金属贴片一侧的介质基板上罩设有热风罩，热风罩上设有加热电阻丝。本技术利用相变薄膜，相变前天线不工作，加热电阻丝不通电，使相变薄膜相变为绝缘性质，RCS低处于“隐身状态”；天线工作时，加热电阻丝通电，保持热风罩内空气温度稳定在68?72℃，使相变薄膜相变为导体性质，电导率迅速增大，天线仍能在工作状态时保持良好的天线特性。本技术实现了天线阵列孔径增大，扫描波束变窄，方向性增强，阵元间互耦减弱，馈电网络简化等，适用于宽带系统。
3、一种基于脉冲激光沉积的相变薄膜的配方技术
[简介]：本技术提供了一种基于脉冲激光沉积的相变薄膜的配方技术，基于脉冲激光沉积设备，包括以下步骤：在真空条件下，利用激光照射旋转靶材进行预打靶，然后在旋转硅基底上沉积Ge2Sb2Se4Te1薄膜。本技术是通过脉冲激光沉积制备的新型相变材料Ge2Sb2Se4Te1，保证了合金薄膜中各个元素较为理想的组分比，并通过特定温度特定时间的退火实现了Ge2Sb2Se4Te1在逐渐相变过程中的折射率变化情况，在1550nm处实现了优度值FOM＝5.2，优度值为相变前后折射率的变化与消光系数的变化之比，反映了相变材料的相变性能。对于本技术提供的基于脉冲激光沉积制备的新型相变材料Ge2Sb2Se4Te1，研究了其相变前后的形貌变化以及晶态情况下的晶格结构，并且分析了相变前后元素化学态度的变化情况，揭示了Ge2Sb2Se4Te1的相变机理。
4、一种非熔融超晶格相变薄膜材料
[简介]：本技术属于微电子器件及存储技术领域，更具体地，涉及一种非熔融超晶格相变薄膜材料，其包括相变层和钉扎层，所述相变层和钉扎层交替堆叠形成周期性结构，所述相变层采用GeTe材料，所述钉扎层采用TiTe2材料；工作中，在所述相变层开始发生非熔融相变时，所述钉扎层不会发生相变，以提高所述钉扎层在相变过程中的稳定性。本技术的非熔融超晶格相变薄膜材料和现有的(Sb2Te3)(GeTe)2非熔融相变材料相比，通过钉扎层材料及超晶格结构的优化，显著提高了超晶格中非相变部分钉扎层在相变过程中的稳定性，使得这种非熔融超晶格相变薄膜材料拥有更好的稳定性和更高的循环次数。
5、一种热色相变薄膜材料的原位红外ATR测试方法
[简介]：本技术提供了一种热色相变薄膜材料的原位红外ATR测试方法。一种原位样品台，包括底座、冷却盒、快速变温模块、样品台和保温上盖，底座设有一隔热的凹陷部，冷却盒设置于凹陷部内，冷却盒的一侧设有冷却水管，快速变温模块紧贴设置在冷却盒正上方，样品台以封闭凹陷部的方式设置于快速变温模块上方，样品台设有用于放置样品的样品凹槽，样品台的顶部设置有保温上盖。本技术提出的测试方法实现了不同温度条件下对热色相变薄膜材料相变全过程的原位红外光谱表征的新功能；操作简便，无需样品制备和前处理，保持了样品形貌的完整性，同时避免了薄膜基底的影响，数据重现性较好。
6、一种复合相变薄膜及其配方技术
[简介]：本技术提供了一种复合相变薄膜及其配方技术，其中，复合相变薄膜按质量百分比计包括：5?13％的增强树脂、8?12％的吸油树脂、40?80％的直链烷烃、20?35％的导热填料、1?3％的润滑剂、3?5％的粘结剂、0.5?1％的稳定剂、1?2％的偶联剂，以及0.1?0.5％的颜料。本技术提供的复合相变薄膜是一种环保材料，其具有良好的导热性和储热能力，储热能力在100?180J/g，可以迅速吸收大量的热能，从而达到温度控制的目的，可以提高应用产品的性能。
7、多层相变薄膜及其相变存储器单元的配方技术
[简介]：本申请提供了一种多层相变薄膜及其相变存储器单元的配方技术，所述多层相变薄膜包含结构跳变层及结构稳定层，其中，所述多层相变薄膜的最顶层与最底层为所述结构稳定层，所述结构跳变层为AxD1?x，所述结构稳定层为MyTe1?y，A为锗Ge、镓Ga元素中的一种，D为锑Sb、硒Se、碲Te中的一种，M为锆Zr、铪Hf、钼Mo、铌Nb、钛Ti中的一种，x为0.3至0.7，y为0.3至0.5。本申请结构跳变层AxD1?x的相变类型为固?固相变，大大减少了相变过程所需消耗的能量，降低了相变存储器单元的功耗；同时A原子的层间跳变也可以提升相转变速度，可以提高基于多层相变薄膜制备的相变存储器单元的可用性。
8、相变薄膜、相变存储器及相变存储器的操作方法
[简介]：本技术提供了一种相变薄膜、相变存储器和相变存储器的操作方法，所述相变薄膜包括依次层叠的第一金属阻挡层、相变材料层和第二金属阻挡层，其中，在所述第一金属阻挡层和所述相变材料层之间设置有金属铋层，和/或，在所述第二金属阻挡层和所述相变材料层之间设置有金属铋层，由此，能够利用低表面自由能的金属铋层作为相变材料层的表面活性剂，在施加相应的脉冲后，使得金属铋层中的铋原子沿着相变材料层中的晶体晶界进行扩散，以细化相变材料层中的晶粒，提高相变材料层的相变速度，并减少相变材料层相变时体积的变化，提高器件的耐久性。
9、一种可用于多谱段主动光学调控的硫系相变薄膜及其配方技术
[简介]：本技术涉及一种可用于多谱段主动光学调控的硫系相变薄膜及配方技术，属于光学薄膜和光学相变材料领域。本技术所述相变薄膜组分化学式为SbxS100?x，20
10、提高Sb2Se相变薄膜的热稳定性和结晶速度的方法
[简介]：本技术提供了一种提高Sb2Se相变薄膜的热稳定性和结晶速度的方法。首先将SiO2/Si(100)衬底作为衬底，通过磁控溅射装置在室温下镀膜，通过控制时间得到不同厚度的Sb2Se薄膜，通过直流VO2靶在Sb2Se薄膜上溅射，得到有VO2覆盖层的Sb2Se相变薄膜材料。本技术方法通过VO2靶材在Sb2Se薄膜上覆盖一层VO2薄膜，被VO2薄膜覆盖的Sb2Se薄膜具有更好的热稳定性，更好的数据保持能力和更高的结晶速率，能有效地提升Sb2Se薄膜的相变性能和Sb2Se薄膜的热稳定性和结晶速率，特别是对于较小厚度的Sb2Se薄膜。
11、一种高稳定性低功耗Hf-Ge-Sb纳米相变薄膜及其配方技术与应用
12、氮化硼气凝胶相变薄膜、其配方技术及应用
13、一种In2S3掺杂Sb相变薄膜材料及其配方技术
14、一种基于二氧化钒相变薄膜的可擦写平面微波器件
15、类超晶格锌锑-锑硒纳米相变薄膜及其制备和应用
16、一种基于锗锑碲与IV族碲化物交替堆垛的多层相变薄膜及其应用
17、高导热相变薄膜及其配方技术
18、三明治结构锑硒-锑-锑硒纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用
19、一种多功能复合型相变薄膜及其配方技术
20、一种CH/Sb纳米复合多层相变薄膜材料及其配方技术和应用
21、二维材料改良的超晶格相变薄膜、相变存储器及配方技术
22、多层相变薄膜及配方技术和应用
23、低密度变化的超晶格相变薄膜、相变存储器及其配方技术
24、一种FeMoCrCBY相变薄膜、配方技术及3D模拟瞬态热分布方法
25、一种易失性至非易失性存储调控的二氧化钒-富Sb相变薄膜材料及其配方技术
26、一种柔性V2O5/Ge2Sb2Te5纳米多层相变薄膜材料及其配方技术
27、相变薄膜结构、相变存储单元及其配方技术及相变存储器
28、一种可用于加热不燃烧卷烟滤嘴降低烟气温度的复合相变薄膜材料的配方技术
29、一种储能相变薄膜复合材料及其配方技术和应用
30、一种In-Bi-Sb相变薄膜材料及其配方技术和应用
31、一种Sb70Se30/C多层复合相变薄膜及其配方技术和应用
32、一种用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料的配方技术
33、一种类超晶格ZnSb/SiO2纳米相变薄膜材料及其配方技术
34、一种具有高热稳定性、低功耗性能的多层相变薄膜材料
35、类超晶格锗锑/锌锑纳米相变薄膜及其制备和应用
36、一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料
37、一种柔性多层复合GeTe/ZnSb相变薄膜材料及其配方技术
38、Cu/SnSe纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用
39、一种ZnSb/SiO2复合相变薄膜及其配方技术和应用
40、一种具有快速转变性能的类超晶格相变薄膜材料
41、Sn20Sb80/Si多层相变薄膜材料及其配方技术
42、一种复合相变薄膜材料（Si/Ge2Sb2Te5/Si）n的配方技术
43、一种Pr掺杂Sn-Sb纳米相变薄膜材料及其配方技术
44、一种SbSe/Si多层复合相变薄膜及其配方技术和应用
45、一种用于相变存储器的SbSe/Sb多层相变薄膜材料及其配方技术
46、一种掺氧的Zn10Sb90纳米相变薄膜材料及其配方技术
47、用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料的配方技术
48、Ge2Sb2Te5硫系相变薄膜材料正负胶两用湿法刻蚀方法
49、一种用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料
50、一种掺氧的SnSb纳米相变薄膜材料及其配方技术
51、相变薄膜、相变存储单元及其配方技术及相变存储器
52、一种复合相变薄膜材料（Si/Ge2Sb2Te5/Si）n
53、一种用于相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的配方技术
54、一种Cu-Sn-Se纳米相变薄膜材料及其配方技术和用途
55、一种用于相变存储器的钐掺杂锡锑相变薄膜材料及其配方技术
56、一种SiO2 掺杂Sb纳米相变薄膜材料及其配方技术与用途
57、一种用于相变存储器的Sb-Se-Ti系列纳米复合相变薄膜及其配方技术
58、高速低功耗Ti-Ge-Sb纳米复合相变薄膜及其制备和应用
59、一种用于高稳定性相变存储器的Ge?Cu?Te纳米相变薄膜材料及配方技术
60、一种GeSb/SiO2多层相变薄膜材料、配方技术及应用
61、一种用于相变存储器的Al/Ge10Sb90类超晶格相变薄膜材料及配方技术
62、用于光学性能精细调控的相变薄膜结构
63、一种Mg?Sb?Se纳米相变薄膜及其配方技术
64、一种环境友好型Sn-Sb-Ti纳米复合相变薄膜及其配方技术
65、一种高性能锗锑碲相变薄膜材料及其配方技术
66、一种纳米复合多层相变薄膜及其配方技术和应用
67、一种镍酸钕基超晶格相变薄膜材料及其制备和金属-绝缘转变温度的调控方法
68、氮掺杂改性的相变薄膜材料及其配方技术
69、一种掺氮的Sb纳米相变薄膜材料及其配方技术与用途
70、一种多层纳米复合相变薄膜材料及其配方技术和应用
71、一种SiO/Sb类超晶格纳米相变薄膜材料及其配方技术和应用
72、一种类超晶格锡硒/锑纳米相变薄膜及其制备与应用
73、一种高速的伪纳米复合Mg?Sb?Te可逆相变薄膜及其配方技术
74、一种掺氧SbSe纳米相变薄膜材料及其配方技术和应用
75、一种Er-Se-Sb纳米相变薄膜材料及其配方技术和应用
76、一种复合相变薄膜材料及其配方技术
77、一种GeTe/Ge类超晶格纳米相变薄膜材料及其配方技术和应用
78、一种用于相变存储器的相变薄膜及其配方技术
79、一种基于解析法制备定原子比的掺杂Ge2Sb2Te5相变薄膜的方法
80、一种掺氧GeSb纳米相变薄膜及其配方技术和应用
81、一种Sb70Se30/SiO2多层纳米复合相变薄膜材料及其配方技术和应用
82、一种Ti-Sb纳米相变薄膜材料及其配方技术和应用
83、一种Si?Sb?Se纳米相变薄膜材料及其配方技术与用途
84、一种掺氮改性的相变薄膜材料及其配方技术
85、一种掺氧的Sb纳米相变薄膜材料及其配方技术与用途
86、纳米复合堆叠相变薄膜及其配方技术和应用
87、一种颜色随角度变化的SiO2/VO2热致相变薄膜的配方技术
88、用于高速低功耗相变存储器的Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料及其配方技术
89、用于相变存储器的铒掺杂Sn15Sb85基相变薄膜材料及薄膜配方技术
90、Si/GeTe纳米复合多层相变薄膜、相变存储器及其配方技术
91、复合相变薄膜材料（Si/Ge2Sb2Te5/Si）n及其配方技术
92、用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料及其配方技术
93、相变薄膜材料、相变存储器单元及其配方技术
94、用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料及其配方技术
95、一种纳米复合堆叠相变薄膜及其配方技术和应用
96、用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料及其配方技术
97、稀土掺杂Sb基相变薄膜材料及薄膜配方技术
98、多级相变存储用低功耗相变薄膜材料及其配方技术和应用
99、一种Ge-Sb-Se纳米相变薄膜材料及其配方技术和应用
100、掺氮改性的相变薄膜材料及其配方技术
101、一种用于相变存储器的硅-硒化锡纳米多层复合相变薄膜材料
102、一种Sb80Te20/SbSe纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用
103、用于超高密度探针存储的多层相变薄膜及其配方技术
104、一种Al-Sb-Se纳米相变薄膜材料及其配方技术和应用
105、锑基二元相变薄膜
106、铝铜锑相变薄膜及其配方技术
107、一种用于多级存储相变存储器的纳米多层复合相变薄膜材料及其制备和应用
108、一种结晶温度可调的SiO2/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料及其配方技术
109、一种富锆的锆钛酸铅铁电(高温)-铁电(低温)相变薄膜材料及其配方技术
110、一种结晶温度可调的Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料
111、用于相变存储器的纳米复合多层相变薄膜材料
112、用于相变存储器的Si-Sb-Se相变薄膜材料
113、用于相变存储器的M-Sb-Se相变薄膜材料
114、一种Si/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜及其配方技术
115、一种GeTe/Sb2Te3纳米复合多层相变薄膜及其配方技术
116、用于相变存储器的Si-Te-Sb系列相变薄膜材料
117、相变薄膜微区光谱测量装置和测量方法
118、用于相变存储器的SiSb基相变薄膜材料
119、用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料
120、用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料
121、相变薄膜场效应晶体管单元器件及其制作方法
122、用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料
123、一种相变薄膜材料纳米线的配方技术
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,内容都包括具体的配方配比生产制作过程，费用260元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
