1 一种氮化铝陶瓷基片及其配方技术
简介：本技术涉及一种氮化铝陶瓷基片及其配方技术。本技术氮化铝陶瓷基片的配方技术包括以下步骤：(1)将高岭土和白云石混合均匀，在空气气氛中煅烧，得到混合粉体A；(2)将氮化铝粉体、萤石、氧化铈粉体与步骤(1)所得混合粉体A混合均匀，得到混合粉体B，进行球磨；(3)将硝酸铁粉体、氯化铵粉体与球磨后的混合粉体B混合均匀，得到混合粉体C；(4)将聚乙烯醇与混合粉体C混合均匀，得到混合粉体D；(5)将步骤(4)所得混合粉体D加压成型，然后在真空中烧结，得到所述氮化铝陶瓷基片。本技术原料来源广泛，工艺简单可控，所得氮化铝陶瓷基片具有高密度，高导热率，高绝缘性，低介电常数，无毒，加工性能好，耐高温腐蚀等优异性能。
2 一种氮化铝陶瓷基片的配方技术
简介：本技术涉及陶瓷领域，具体涉及一种氮化铝陶瓷基片的配方技术，包括氮化铝粉行疏水改性、制浆、流延成型、固化、冲压、干燥、烧结，通过对氮化铝粉体进行表面改性，解决其易水解和因氧含量增加导致的热导率大幅下降，通过引入少量的助剂制备固含量高、粘度低和流动性好的水基料浆，解决基片素坯在成型和干燥中的缺陷，实现基片的高成品率和结构均匀。
3 一种低温制备高纯氧化铝陶瓷基片的方法
简介：本技术涉及陶瓷材料领域，具体涉及一种低温制备高纯氧化铝陶瓷基片的方法，将纳米级氧化铝粉体与微米级氧化铝粉体按一定比例混合，以醇类为溶剂，添加助剂，球磨混合得到浆料，再将浆料流延成型，静置干燥后得到生料带，生料带经裁剪后再进行等静压成型，得到坯片，最后将坯片烧结，得到所述低温制备高纯氧化铝陶瓷基片。本技术通过不同粒径的氧化铝粉体之间进行级配，使颗粒之间接触点增多，在较低温度下烧结出质地致密、性能良好的Al2O3陶瓷基片，通过复合成型实现基片的高致密度和低气孔率。
4 一种陶瓷基片裂痕检测装置及其分类控制方法
简介：本技术一种陶瓷基片裂痕检测装置及其分类控制方法，检测装置包括检测单元和分类单元，所述检测单元设置在所述分类单元上方；所述分类单元包括检测板、固定板和电机，所述电机设置于机架上表面，且输出端连接所述固定板；所述固定板上表面的一端设置有电动推杆，所述固定板上表面的另一端设置有转动板；所述转动板上端通过转轴与所述检测板转动连接；还包括控制器，所述控制器用于控制所述电机和所述电动推杆。本技术一种陶瓷基片裂痕检测装置及其分类控制方法，对检测装置设置所述分类单元，使陶瓷基片在检测完成后自动按照良品或劣品分开收集，不需要人为的进行分离，比较节省人力。
5 一种超薄氧化铝陶瓷基片的配方技术
简介：本技术涉及氧化铝陶瓷的技术领域，尤其涉及一种超薄氧化铝陶瓷基片的配方技术，解决现有技术的氧化铝陶瓷基片烧结温度过高的问题，包括以下步骤：(1)氧化铝粉料表面改性；(2)浆料的制备；(3)流延成型；(4)冲压：将步骤(3)所得的生坯带进行冲压，得到生坯片；(5)排胶：将生坯片放入排胶炉中，在氮气气氛下进行第一次排胶，以0.8～2℃/min升温速率升温至450～550℃，保温35～60min，然后在空气气氛下进行第二次排胶，以2～5℃/min升温速率升温至180～250℃，保温80～120min；(5)烧结：将步骤(5)排胶后的生坯片置于烧结炉中烧结12～20h，烧结温度为1550～1600℃。
6 一种IGBT陶瓷基片的配方技术
简介：本技术涉及一种IGBT陶瓷基片制备工艺，采用干压结合等静压、注浆或注凝成型工艺制备出大块IGBT陶瓷坯体，再经过烧结，辅以气压烧结或热压烧结制备出大块陶瓷烧结体，随后剖方成IGBT所需要的棒状尺寸，放置于金刚线切割机上进行切割，可批量制备出IGBT陶瓷基片。此方法制备的陶瓷致密度高，密度可达95%以上，同时可大大提高IGBT陶瓷基片制备效率，可根据不同需要调整基片厚度，操作相对流延法更简单易行，同时可精确控制陶瓷基片厚度的均匀性及表面平整度，提升基片质量。
7 一种切割氧化物陶瓷基片的方法
简介：本技术提供了一种切割氧化物陶瓷基片的方法，包括如下步骤：待切割的氧化物陶瓷基片表面进行标记；将氧化物陶瓷基片固定在激光切割器中，采用低功率激光沿标记进行多次重复切割，直至切割深度达设定比例；对切割后的氧化物陶瓷基片施力，使氧化物陶瓷基片沿切割轨迹断裂完成切割。本技术提供的一种切割氧化物陶瓷基片的方法，切断面平齐，提升切割质量和切割速度。
8 一种LED陶瓷基片生产制造方法
简介：本技术涉及一种LED陶瓷基片生产制造方法，主要包括以下步骤：选择配料、浆料制备、浆料涂覆、干燥固化，切割作业，切割设备包括切割支架，切割支架上从左往右等间距的设置有螺纹安装孔，螺纹安装孔内设置有辅助机构。本技术可以解决现有LED陶瓷基片在生产制作过程中存在的，a，需要人工控制现有切割刀具按照规格切割生坯带，操作复杂，工作效率低，b，现有切割刀具在切割中由于摩擦力较大，容易损坏生坯带，导致生坯带崩坏，浪费资源。
9 一种单层电容器陶瓷基片的配方技术
简介：本技术属于单层电容器制造工艺的技术领域，提供一种单层电容器陶瓷基片的配方技术，包括配料、流延、叠层、层压、切割、预整平、排胶、烧结、整平、研磨等步骤，通过上述方法在排胶前进行预整平，避免基片生坯排胶过程中受热变形问题；排胶过程可将基片生坯中的有机组分充分分解排出，避免有机组分在高温烧结过程中反应影响基片外观及性能；烧结过程中采用特制匣钵，可使基片生坯受温均匀一致从而收缩均匀，平整度好；整平后基片表面会有玻璃相析出，影响基片外观和性能，用研磨设备进行研磨，保证基片表面均匀一致，提高基片与溅射层之间结合力，同时节省成本提高合格率。
10 一种基于陶瓷基片的微热板气敏阵列器件及制造方法
简介：本技术属于气敏传感器制造技术领域，并提供了一种基于陶瓷基片的微热板气敏阵列器件及制造方法。包括多孔保护网罩、陶瓷微热板气敏阵列芯片、垫高环和半导体管壳；陶瓷微热板气敏阵列芯片设于所述多孔隙保护网罩下方，其与垫高环的一侧固定连接；半导体管壳与所述垫高环的另一侧固定连接，且所述陶瓷微热板气敏阵列芯片通过引线与所述焊盘连接。本技术还提供了相应微热板气敏阵列器件的制造方法。本技术既能使陶瓷微热板气敏阵列芯片中的气敏膜充分接触到气氛，又使器件具有一定的机械性能，有效避免了硅片在热冲击过程中因应力累积而发生破裂等问题，提高了产品的稳定性和可靠性，使得器件能广泛地应用在各种场合。
11 电子陶瓷基座、电子陶瓷基片及其叠层方法
12 基于陶瓷基片表面制备Ti-Al-Ru-N纳米硬质薄膜的方法
13 一种高导热氮化硅陶瓷基片材料的配方技术
14 一种用于压电元件的压电陶瓷基片处理装置
15 一种陶瓷基片表面处理方法
16 亚微米结构超薄氧化铝陶瓷基片及配方技术
17 一种亚微米结构超薄氧化铝陶瓷基片及配方技术
18 成摞陶瓷基片托盘拆分传送机构及拆分传送方法
19 一种氧化铝陶瓷基片表面加工方法
20 一种特殊陶瓷表面金属层外观形貌改变方法及新型陶瓷基片
21 陶瓷基片厚度检测装置
22 一种堇青石/氮化铝电子封装陶瓷基片及配方技术
23 陶瓷基片裂痕检测装置
24 一种用于陶瓷基片检测的背光运行机构
25 一种氧化铝或氮化铝陶瓷基片表面金属化的方法
26 一种高强度氧化铝陶瓷基片的配方技术
27 A99微波混合集成电路陶瓷基片及其配方技术
28 一种氮化铝陶瓷基片浆料
29 一种用于氮化铝陶瓷基片氧化处理方法
30 一种陶瓷基片装焊结构件倒角工艺方法
31 99.6% Al＆lt;base:Sub＆gt;2＆lt;/base:Sub＆gt;O＆lt;base:Sub＆gt;3＆lt;/base:Sub＆gt;陶瓷基片减薄方法
32 薄膜集成电路用99.6％Al2O3 陶瓷基片的配方技术
33 改性氮化铝陶瓷基片及其生产方法
34 LED用氮化铝陶瓷基片的生产方法
35 用于生产制备高导热陶瓷基片的三元复合助烧剂配方
36 基于人造视网膜植入器件的三氧化二铝陶瓷基片与Ti环的钎焊封接方法
37 一种电子封装用低成本高强氧化铝陶瓷基片的配方技术
38 一种复合陶瓷基片及其配方技术
39 采用复合粉末粒型制备氮化铝陶瓷基片的方法
40 一种用于生产氮化铝陶瓷基片的复合助烧剂
41 一种添加复合助烧剂制备高导热氮化铝陶瓷基片的方法
42 多层陶瓷基片的制造方法
43 一种热敏陶瓷基片成型方法
44 用于生产制备高导热陶瓷基片的三元复合助烧剂
45 真空热压烧结法制备的氮化铝陶瓷基片及其配方技术
46 用于在氧化锌陶瓷基片上溅射镀膜形成电极层的掩膜夹具
47 用于大面积金属包覆的陶瓷基片的结合策略
48 氧化锆陶瓷基片配方技术
49 不变形的陶瓷基片及其制造方法
50 一种高导热陶瓷基片材料及其配方技术
51 添加三元复合烧结剂制备高导热氮化铝陶瓷基片的方法
52 一种单层电容器用BaTiO＆lt;base:Sub＆gt;3＆lt;/base:Sub＆gt;陶瓷基片的表面处理方法
53 LED用氮化铝陶瓷基片的生产方法
54 采用复合粉末粒型制备氮化铝陶瓷基片的方法
55 陶瓷基片的配方技术
56 用AlN陶瓷基片作为基板制备线路板的方法
57 用于生产制备高导热陶瓷基片的三元复合助烧剂
58 一种用于小型低温共烧陶瓷基片多片印刷的夹具
59 一种集成电路陶瓷基片材料及其配方技术
60 一种用于电子陶瓷基片的双面除毛刺机
61 一种LED用陶瓷基片
62 一种超薄大尺寸陶瓷基片的烧结工艺
63 一种陶瓷电容器用陶瓷基片烧制方法
64 一种AlON涂层AlN陶瓷基片的配方技术
65 氧化铝陶瓷基片的表面合金化工艺
66 一种陶瓷基片用搓片装置及搓片方法
67 提高氮化铝陶瓷基片厚膜附着力的方法
68 氮化铝烧结助剂和配方技术及氮化铝陶瓷基片的配方技术
69 一种高质量氮化铝陶瓷基片的微波快速烧结方法
70 一种利用陶瓷基片制作多层微波电路的方法
71 一种用于生产制备高导热陶瓷基片的三元复合助烧剂
72 用于制备高导热陶瓷基片的三元溶剂体系氮化铝浆料配方
73 一种改性氮化铝陶瓷基片及其生产方法
74 LED用低成本氮化铝陶瓷基片的生产方法
75 一种硅基片或陶瓷基片的柔性机械光刻剥离工艺方法
76 采用复合粉末粒型制备氮化铝陶瓷基片的方法
77 添加三元复合烧结剂制备高导热氮化铝陶瓷基片的方法
78 一种凝胶流延制备氮化铝陶瓷基片的方法
79 一种陶瓷基片表面的微带线电路线宽制造误差检测方法
80 陶瓷基片的配方技术
81 一种96%氧化铝陶瓷基片及其配方技术
82 高含量PANH4水基氧化铝陶瓷基片及其配方技术
83 基于陶瓷基片的高精度自动型钻孔机
84 多层陶瓷基片集成波导滤波器
85 陶瓷基片双面光刻工艺及结构
86 金属陶瓷基片以及用于制造这种基片的方法
87 陶瓷基片用双头打磨机及其打磨方法
88 一种双压电陶瓷基片俘能器及其配方技术
89 一种陶瓷基片的水基料浆流延凝胶法制备工艺
90 一种贴片电阻陶瓷基片定位加工方法
91 一种陶瓷基片的配方技术
92 陶瓷基片表面镀膜工艺
93 陶瓷基片
94 采用烧块切片法制备氮化铝陶瓷基片的方法
95 多层陶瓷基片的制造方法
96 一种高导热AlN电子陶瓷基片的生产方法
97 高红外辐射率堇青石陶瓷基片及制备工艺和高红外辐射率电热复合陶瓷发热片
98 一种高导热率氮化铝陶瓷基片的制作方法
99 一种陶瓷基片电阻板的配方技术及所得的电阻板
100 多层陶瓷电子部件和多层陶瓷基片以及多层陶瓷电子部件的制造方法
101 一种纳米碳化硅-氧化铝陶瓷基片的表面贴装片式熔断器及其配方技术
102 具有高介电常数陶瓷材料芯的多组分低温共烧制金属化陶瓷基片及其开发方法
103 陶瓷基片溅射铜箔生产方法
104 氧化钇透明陶瓷基片配方技术及轧膜成型机
105 采用粉末冶金工艺制备高导热氮化铝陶瓷基片的方法
106 氧化锆装载板、陶瓷基片的制造方法
107 从陶瓷基片上去除含有钽沉积层和铝电弧喷涂层的复合涂层的方法
108 胶冻切割成型法生产高性能氧化铝系陶瓷基片的生产工艺
109 氧化物陶瓷材料、陶瓷基片、陶瓷层压设备和功率放大器模块
110 氧化物陶瓷材料、陶瓷基片、陶瓷层压设备和功率放大器模块
111 水基流延法制备高热导率氮化铝陶瓷基片的方法
112 一种金刚石涂层Al*O*电子陶瓷基片配方技术
113 制造陶瓷基片的方法以及陶瓷基片
114 多层陶瓷基片的制造方法
115 一种制备氮化铝陶瓷基片的方法
116 低膨胀率的透明玻璃陶瓷,玻璃陶瓷基片和光波导元件
117 绝缘陶瓷、多层陶瓷基片和层叠的陶瓷电子部件
118 高刚性玻璃陶瓷基片
119 制造多层陶瓷基片的方法
120 用于信息存储介质的玻璃陶瓷基片及其制造方法和信息存储介质盘
121 用于信息存储媒体的玻璃陶瓷基片
122 导电性薄片、薄板烧结体及陶瓷基片的制造及加工方法
123 用于磁信息存储媒体的高刚性玻璃陶瓷基片
124 用于磁信息存储媒体的高刚性玻璃陶瓷基片、其制造方法及使用其的存储磁盘
125 一种用流延法制造高热导率集成电路氮化铝陶瓷基片的方法
126 用于磁性信息存储介质的玻璃-陶瓷基片
127 玻璃和使用该玻璃的陶瓷基片
128 氮化硅陶瓷电路基片及使用该陶瓷基片的半导体器件
129 具有光滑镀层的金属化陶瓷基片及其制造方法
130 用于混合式集成电路的陶瓷基片
131 分割陶瓷基片的方法及分割设备
132 多层莫来石陶瓷基片及其生产方法
133 具有玻璃粘结组分的金属陶瓷基片的生产方法
134 微电子线路用陶瓷基片的制作方法
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,内容都包括具体的生产制作过程，收费260元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
