1、一种高效降低聚四氟乙烯覆铜板热膨胀系数的方法
[简介]:本技术提供了一种高效降低聚四氟乙烯覆铜板热膨胀系数的方法,本技术涉及覆铜板技术领域,其技术方案是:包括具体步骤如下:S1,选用电子级钨酸盐与陶瓷粉体初混;S2,搭配聚四氟乙烯树脂原料中混;S3,使用聚四氟乙烯覆铜板生产工艺得到粘结片双面覆铜箔;S4,高温真空热压成型,一种高效降低聚四氟乙烯覆铜板热膨胀系数的方法有益效果是:通过控制钨酸盐5%及以上比例可高效降低热膨胀系数、且不影响制得覆铜板其它基本电气性能,能够得到低膨胀系数且性能合格聚四氟乙烯覆铜板,在未来制得钨酸盐工艺进一步改良优化、钨酸盐类成本得到降低,将在电子覆铜板行业大有所为。
2、一种高功率LED用陶瓷覆铜板的配方技术
[简介]:本技术涉及基板工艺技术领域,尤其涉及一种高功率LED用陶瓷覆铜板的配方技术;该配方技术包括如下步骤:配制铜浆;将所述铜浆在陶瓷片表面印刷图形化,烘烤成形;将所述烘烤成形后的陶瓷片在氧化气氛中进行预烧脱脂处理,然后在非氧化气氛中进行烧结还原处理,得到所述陶瓷覆铜板。该配方技术工艺简单,能耗低,环保无污染,且具有一次成型和制备成本低的特点,最终得到的陶瓷覆铜板可以应用于高功率、对散热要求高的电子元器件中,具有很好的应用前景。
3、一种免研磨的陶瓷覆铜板双面同时烧结方法
[简介]:本技术提供了一种免研磨的陶瓷覆铜板双面同时烧结方法。本技术通过设计治具形状,在治具表面涂覆陶瓷层的方式来减少治具对铜片的侵蚀作用,并通过一次烧结后铜片上留下的侵蚀印记进行加工,将高温下铜片与治具发生反应的部分蚀刻掉,且下方铜片制备为图形面,依靠治具的空间结构进行托举,克服了以往双面烧结法只能用上方铜片作为图形面的局限,丰富了产品类别,提高了品质和良品率,拓展了双面同时烧结法的使用方向,节约生产的成本与时间。
4、高频覆铜板用PTFE改性膜
[简介]:本技术属于电子信息工程材料技术领域,具体的涉及一种高频覆铜板用PTFE改性膜。本技术所述的高频覆铜板用PTFE改性膜,以重量份数计,由以下原料组成:PTFE分散树脂5?10份、溶剂油15?20份、水20?30份、PTFE分散液30?54份、阻燃剂1?3份、增塑剂3?5份和陶瓷粉25?35份。本技术所述的高频覆铜板用PTFE改性膜,具有优异的介电性能、尺寸稳定性以及较小的热膨胀系数。采用本技术所述的高频覆铜板用PTFE改性膜制备的高频覆铜板,板材厚度均匀、稳定且公差小,可确保介电性能和阻抗特性的均匀稳定性,提高了高频覆铜板的使用寿命。
5、一种DBC陶瓷覆铜板双面印锡膏方法
[简介]:本技术涉及锡膏印刷领域,具体是一种DBC陶瓷覆铜板双面印锡膏方法,包括如下步骤:步骤1,在镀镍铝板上利用印刷钢网印刷锡膏;步骤2,在DBC正面和背面均预留锡膏印刷区;步骤3,将DBC背面放置在转载板上;步骤4,将镀镍铝板倒扣在转载板上,再翻转使DBC转移到镀镍铝板印刷锡膏位置;步骤5,将镀镍铝板放置在印刷托盘上;步骤6,将印刷支架放置在镀镍铝板上;步骤7,在DBC正面利用印刷钢网进行锡膏印刷;步骤8,DBC印刷锡膏完毕后拿走印刷钢网并将单管定位夹具放置在镀镍铝板上;步骤9,将单管放置在DBC上。解决了DBC两面印刷锡膏时厚度准确率差、形状不固定的问题。
6、一种陶瓷覆铜板的配方技术
[简介]:本技术提供了一种陶瓷覆铜板的配方技术,包括以下步骤:(1)将活性金属焊料制粉后筛粉,得到粒径为5μm?20μm的活性金属焊料粉体;活性金属焊料的组分及其质量百分含量为:Cu 21%?24%、Sn 5%?10%、In 5%?10%、Ti 3%?5%、余量为Ag;(2)将质量比为(85?90):(10?15)的活性金属焊料粉体与活性焊料载体混合制成活性焊膏;(3)在陶瓷基片表面印制活性焊膏层;(4)将表面印制活性焊膏层的陶瓷基片置于真空炉中进行排胶;(5)将排胶后的陶瓷基片与铜箔装配后进行真空烧结,得到陶瓷覆铜板。本技术制备的陶瓷覆铜板焊后孔洞低、翘曲可控、热循环寿命高。
7、一种覆铜板的氮化硅陶瓷基片及其配方技术
[简介]:本技术涉及一种覆铜板的氮化硅陶瓷基片及其配方技术,所述覆铜板的氮化陶硅瓷基片的结构包括氮化陶硅瓷基片、分布在氮化陶硅瓷基片上下两侧的铜板,以及分布在铜板和氮化陶硅瓷基片之间的焊接层;所述氮化陶硅瓷基片的组分包括氮化硅相和晶界相;所述氮化硅相的含量≥95wt%;所述晶界相为至少含有Y、Mg、O三种元素的混合物;所述晶界相的含量≤5wt%,且晶界相中结晶相的含量≥40vol%。
8、陶瓷覆铜板自动掰断装置
[简介]:本技术涉及陶瓷覆铜板加工技术领域,为了解决现有的陶瓷覆铜板加工用掰断装置在使用时存在掰断距离不便于调节的问题,提供了陶瓷覆铜板自动掰断装置,包括用于输送陶瓷覆铜板的输送机构,还包括固定设置的固定座,固定座靠近输送机构的一侧设置有升降座,升降座靠近输送机构的一侧设置有掰断变距机构,用于对陶瓷覆铜板进行掰断处理。本技术可通过变距驱动部件调节相邻两个掰断模具之间的距离,以便对不同长度的陶瓷覆铜板进行掰断,通过压力检测机构对掰断模具按压陶瓷覆铜板的压合力进行监测,保证掰断的效果,输送机构对掰断后的陶瓷覆铜板进行输送,具备产能高、兼容产品规格多、高稳定性和高效率的效果。
9、5G高频覆铜板用陶瓷改性PTFE薄膜的加工方法
[简介]:本技术提供了一种5G高频覆铜板用陶瓷改性PTFE薄膜的加工方法,包括:将陶瓷粉进行高温热处理;将上述处理后的陶瓷粉用筛网过筛,再将聚四氟乙烯悬浮树脂、陶瓷粉和高温分散剂进行混合;将上述混合后的混合料倒入模具中,压制成中空的圆柱形毛坯,圆柱形毛坯脱模后,得到陶瓷膜毛坯;将陶瓷膜毛坯放入鼓风烧结炉中进行烧结;将烧结好的陶瓷膜毛坯置于保温炉中保温,待陶瓷膜毛坯温度均匀后,从保温炉中取出陶瓷膜毛坯,在陶瓷膜毛坯的中心孔中顶入芯轴后,按照设定的薄膜厚度对陶瓷膜毛坯进行旋切,得到陶瓷改性PTFE薄膜。本技术可改善陶瓷粉分散的均匀性,成膜的膜厚均匀性、膜层均匀性好,可批量生产,加工难度小,实用性高。
10、一种高频超低介质损耗微波陶瓷覆铜板及配方技术
[简介]:本技术提供一种高频超低介质损耗微波陶瓷覆铜板及配方技术,包括有以下质量份的组分:陶瓷粉体30?75份、聚四氟乙烯分散树脂粉25?70份、溶剂油15?25份、无水乙醇5?10份;通过将陶瓷粉体填充聚四氟乙烯分散树脂粉,配以烷烃类溶剂油、适量无水乙醇,经配料、气流热混、片状挤出、轧模成片、低温烘焙和高温真空成型等工序后,获得具有超低介质损耗、稳定可调的介电常数、优良的尺寸稳定性及耐候性,并且能够满足高频的高频超低介质损耗微波陶瓷覆铜板。本技术工艺简单、环保以及可大批量工业化生产,产品性能优越具有超低介质损耗、稳定的介电常数、优良的尺寸稳定性及耐候特性等,非常适合应用于无线毫米波通信等相关设备。
11、一种陶瓷填充型碳氢树脂覆铜板的生产方法
12、一种陶瓷覆铜板定位放置装置
13、一种AMB陶瓷覆铜板生产方法
14、一种氮化铝陶瓷覆铜板的间接钎焊方法
15、一种应用于多层高频覆铜板粘结片的组合物及其应用
16、车载覆铜板用球形陶瓷粉的配方技术
17、一种AMB陶瓷覆铜板生产方法
18、一种陶瓷覆铜板的细电路切割方法
19、一种树脂组合物及包含其的树脂胶液、预浸料、层压板、覆铜板和印刷电路板
20、复合介质覆铜板的配方技术及印刷线路板
21、陶瓷覆铜板及其配方技术、陶瓷电路板
22、一种低介电常数纳米陶瓷填充高频覆铜板及其配方技术
23、一种介电常数一致性好的高频高速覆铜板及制备与应用
24、一种覆铜板基板成型方法
25、一种挠性覆铜板基材及其配方技术与应用、一种电路板
26、一种新型高频高速挠性覆铜板及其配方技术与应用
27、用于覆铜板压合工艺的缓冲垫及其配方技术
28、高频感应制作陶瓷覆铜板的装置
29、金属基陶瓷覆铜板用陶瓷粉配方技术
30、一种高介电PTFE复合材料组合物及其制造的高频覆铜板
31、一种陶瓷基覆铜板成型加工方法
32、一种陶瓷覆铜板及其配方技术
33、PTFE复合材料薄片的配方技术、PTFE复合材料薄片及应用该薄片的覆铜板
34、一种陶瓷覆铜板的配方技术
35、一种碳氢覆铜板用树脂组合物
36、复合介质覆铜板的配方技术及印刷线路板
37、一种陶瓷覆铜板的配方技术
38、一种用石墨烯对陶瓷表面粗化的方法及覆铜板的制作方法
39、一种陶瓷覆铜板及其配方技术
40、一种陶瓷填充PTFE覆铜板的配方技术
41、5G网络高性能覆铜板用PTFE陶瓷薄膜及其加工方法
42、一种陶瓷覆铜板机械除反应层的工装和方法
43、一种氮化铝陶瓷覆铜板的配方技术
44、一种PTFE覆铜板的配方技术
45、一种清洗氮化硅陶瓷覆铜板黑边的方法
46、一种适用于PCB制程具有良好阻燃性的覆铜板及其配方技术
47、一种陶瓷衬底高频覆铜板的配方技术
48、一种陶瓷覆铜板除反应层的装置及其去除方法
49、一种F4BM型移动通信用高频高速覆铜板及其制备工艺
50、一种陶瓷基覆铜板的配方技术
51、一种陶瓷覆铜板高耐温阻焊的配方及其配方技术
52、一种热压活性钎焊法制备陶瓷覆铜板的方法
53、一种高频柔性覆铜板的制造方法
54、一种自动切除陶瓷覆铜板溢出钎料的装置及方法
55、一种陶瓷铝基覆铜板的配方技术
56、一种PTFE基高频微波覆铜板的配方技术
57、一种氮化铝陶瓷覆铜板及其配方技术
58、陶瓷覆铜板及其配方技术
59、一种聚四氟乙烯覆铜板的配方技术
60、一种用于高频覆铜板的PTFE基板材料及其配方技术
61、一种陶瓷覆铜板导电微孔及其配方技术
62、一种自动检测陶瓷覆铜板钎缝厚度的装置及方法
63、一种TF型微波高频陶瓷覆铜板
64、一种陶瓷基覆铜板的配方技术
65、一种陶瓷覆铜板及其配方技术
66、一种高频高速覆铜板及其配方技术
67、一种轨道交通芯片用陶瓷覆铜板表面图形的配方技术
68、一种纳米陶瓷填充PCB覆铜板半固化片的配方技术
69、一种大功率LED用陶瓷覆铜板的低温配方技术
70、一种高频高速挠性覆铜板及其配方技术
71、一种石墨烯改性的陶瓷基PCB覆铜板及配方技术
72、一种氮化硅陶瓷的配方技术及其陶瓷覆铜板
73、一种氮化硅陶瓷散热翅覆铜板及其配方技术
74、一种纳米银浆提高陶瓷覆铜板可靠性的方法
75、一种轨道交通芯片用氮化物陶瓷覆铜板的图形化方法
76、陶瓷覆铜板及其制备工艺和应用
77、一种PTFE陶瓷复合高频覆铜板的制备工艺
78、一种陶瓷基PCB覆铜板及覆铜方法
79、采用车削方式制作6
80、一种新型陶瓷基覆铜板及其配方技术
81、采用车削方式制作Dk>10的覆铜板基材的方法
82、一种氮化铝陶瓷覆铜板的配方技术
83、一种高导热氧化铝陶瓷覆铜板的配方技术
84、高导热陶瓷铝基覆铜板的配方技术
85、一种陶瓷基覆铜板及其制备工艺
86、一种无胶双重挠性覆铜板加工用直流溅射装置
88、一种氮化物陶瓷覆铜板的图形化方法及图形化氮化物陶瓷覆铜板
89、一种氮化铝陶瓷覆铜板及其配方技术
90、一种陶瓷覆铜板活性高导热胶
91、一种覆铜板用氮化铝增强的高导热型环氧树脂复合材料及其配方技术
92、氮化物陶瓷覆铜板的图形化方法及氮化物陶瓷覆铜板
93、同时使三轴保持低热膨胀系数的微波覆铜板的配方技术
94、阻燃有机陶瓷基板组合物、阻燃有机陶瓷基板及其制作方法和覆铜板
95、一种氮化铝陶瓷覆铜板及其配方技术
96、一种覆铜板用含氮化硅的高绝缘型环氧树脂复合材料及其配方技术
97、一种覆铜板用含聚醚胺的耐热型环氧树脂复合材料及其配方技术
98、联接剂、有机陶瓷基板组合物、有机陶瓷基板及覆铜板
99、有机陶瓷基板组合物、有机陶瓷基板和覆铜板
100、埋嵌电容用复合介电材料与埋嵌电容覆铜板及其配方技术
101、一种覆铜板用异氰尿酸三缩水甘油酯增强的耐候型环氧树脂复合材料及其配方技术
102、一种降低Z轴热膨胀系数的微波覆铜板的配方技术
103、一种陶瓷基高频覆铜板
104、一种中空陶瓷微珠PEEK复合覆铜板及其配方技术
105、覆铜板用改性PTFE玻璃纤维布及其配方技术
106、一种含氟树脂与复配陶瓷填料组合物及其制造的高频覆铜板
107、一种用于陶瓷基高频覆铜板的高粗糙度电子铜箔的制造方法
108、一种陶瓷基覆铜板的制造方法
109、一种超薄覆铜板及其制作方法
110、一种聚四氟乙烯覆铜板的制作方法
111、陶瓷基板前体、无卤陶瓷基覆铜板的配方技术及产品
112、一种单面覆铜板
113、高导热氮化硅陶瓷覆铜板及其配方技术
114、氮化铝基陶瓷覆铜板的配方技术
115、LED背光源用高导热覆铜板、胶液及其配方技术
116、陶瓷填充介质铝衬底覆铜板及其制造方法
117、陶瓷覆铜板及其配方技术
118、一种陶瓷覆铜板的配方技术
119、一种高导热高耐压的铝基覆铜板及其配方技术
120、一种铜基覆铜板
121、一种陶瓷铝基覆铜板的配方技术
122、覆铜板、印刷电路板及其制造方法
123、环保型微波陶瓷覆铜板的生产工艺
124、IGBT模块用低热阻陶瓷覆铜板的制作工艺
125、一种氧化铝陶瓷覆铜板及其配方技术
126、段差式陶瓷覆铜板组及其制造方法
127、框架式陶瓷覆铜板及其制造方法
128、金属基覆铜板、覆铜型材的配方技术
129、金属基覆铜板、覆铜型材
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