1、基于磁控法提高压敏陶瓷致密度的装置和压敏陶瓷的配方技术
[简介]：本技术提供的一种基于磁控法提高压敏陶瓷致密度的装置及压敏陶瓷的配方技术，包括烧结装置，排胶陶瓷样品设置在烧结装置中，烧结装置的周围设置有多个磁力装置，磁力装置与控制电路连接，通过调整磁场分布，控制氧化锌压敏电阻配料中的亲磁性物质振荡，在一定程度上能保持氧化锌压敏陶瓷排胶过程中晶粒的均匀性，提高氧化锌压敏陶瓷电阻的稳定性，磁控排胶法能使样品中亲磁物质振荡，使得排胶陶瓷样品中产生的气泡能有效排出，从而提高陶瓷的致密度。
2、一种多点电极氧化锌压敏陶瓷的配方技术及电化学试验
[简介]：本技术提供了一种多点电极氧化锌压敏陶瓷的配方技术及电化学试验，通过该方法得到多点电极氧化锌压敏陶瓷，所设计的多点电极氧化锌压敏陶瓷，通过接陶瓷上极板和下极板表面上不同的点电极，可以实现具有一定范围的压敏电压的压敏陶瓷，适用范围广。本技术中得到的多点电极氧化锌压敏陶瓷使得一个氧化锌压敏陶瓷可同时具备多个压敏电压下的高响应特性，起到同时对多个电路的有效保护；多点电极氧化锌压敏陶瓷大大节约了压敏陶瓷的制作成本，具有很好的经济效益；本技术原理简单，安全性高，便于生产、推广和大范围使用。
3、一种压敏陶瓷材料及其配方技术与应用
[简介]：本技术提供了一种压敏陶瓷材料及其配方技术与应用。所述压敏陶瓷材料包括如下原料：氧化锌、钒酸铵盐和二氧化硅。采用本技术实施例方案的压敏陶瓷材料制得的压敏电阻相较于采用对应量的五氧化二钒制得的压敏电阻，具有更小的漏电流及更好的非线性系数，同时还具有良好的通流能力和低的压敏电压变化率及残压比。
4、压敏陶瓷添加剂、压敏陶瓷材料、压敏陶瓷及配方技术、压敏电阻及配方技术、电阻元件
[简介]：本技术涉及压敏陶瓷添加剂、压敏陶瓷材料、压敏陶瓷及配方技术、压敏电阻及配方技术、电阻元件，属于压敏电阻材料技术领域。本技术的用于ZnO压敏陶瓷的添加剂，主要由以下原料经过烧结制成：Gd2O3、Bi2O3和Sb2O3。本技术通过添加剂烧结工艺，可优化ZnO压敏陶瓷材料的微观结构及均匀性。ZnO压敏电阻的晶粒分布效应在能量吸收能力中起着主导作用，不均匀的晶粒分布、以及高气孔率会导致漏电流不均匀和热量集中，从而降低能量吸收能力。通过烧结添加剂，降低了原料表面能，使粒径分布更均匀，密度更大，进而提高ZnO压敏电阻的能量吸收能力，本技术的用于ZnO压敏陶瓷的添加剂制备的ZnO压敏电阻的能量吸收能力可达290J/cm3。
5、一种微波烧结用的保温装置及氧化锌压敏陶瓷微波烧成的方法
[简介]：本技术提供了一种微波烧结用的保温装置及氧化锌压敏陶瓷微波烧成的方法。该方法包括：将氧化锌、氧化铋、四氧化三钴、碳酸锰、氧化锑、三氧化二镍、二氧化钛、九水硝酸铝溶液、分散剂等球磨、造粒、干压成型、排胶后，放入保温装置中，微波烧结，得到氧化锌压敏陶瓷。该保温装置包括：匣体、高坩埚、矮坩埚、压制陶瓷片生坯的粉体、端盖及热电偶；高坩埚叠放在矮坩埚上；匣体内部顶面及底面均有端盖；热电偶与高坩埚连接。本技术采用保温装置进行微波烧结，减少了材料和周围环境的温差，消除了裂纹、变形和颜色不均匀的现象。与传统方法相比，该方法的烧结时间缩短了50％，减少了低熔点物质的挥发和晶粒异常长大，得到的产品性能比传统方法好。
6、基于冷烧结的高电位梯度ZnO压敏陶瓷及其配方技术
[简介]：本技术涉及一种基于冷烧结的高电位梯度ZnO压敏陶瓷及其配方技术，该方法将ZnO、Bi2O3、CoO和Mn2O3按照摩尔比例为95?100%：0?5%：0?5%：0?5%进行混合；然后湿式球磨12h后，将混合粉末在80oC烘干12h，然后取混料装入金属模具，采用冷烧结技术进行200?300oC烧结1?3 h，自然冷却得到目标压敏陶瓷。该方法采用冷烧结技术制备压敏陶瓷，烧结温度和保温时间大幅下降，更加的节能环保，得到的ZnO压敏陶瓷电位梯度高达3300 V/mm以上，且非线性系数高达40左右。
7、一种高非线性压敏陶瓷的配方技术
[简介]：本技术涉及一种高非线性压敏陶瓷的配方技术，属于压敏陶瓷技术领域。本技术采用溶胶?凝胶法制备出二氧化硅?氧化镁?二氧化锡复合气凝胶作为填料，以氧化锌、氧化铋为原料，和聚氨酯橡胶复合制备出一种高非线性压敏陶瓷；气凝胶是一种结构可控的新型轻质纳米多孔性非晶固态材料，由于它特有的纳米多孔、三维网络结构，气凝胶具有许多独特的性能，尤其表现在高孔隙率、低密度、低热导率等方面；由于二氧化硅气凝胶的纳米网络内形成量子点结构，通过同步溶胶?凝胶法掺杂氧化镁和二氧化锡，能有效提高压敏陶瓷的非线性系数；本技术中氧化镁的掺杂，使得制备的压敏陶瓷具有较好的残压比、非线性系数、电压梯度等电学特性。
8、一种低温烧结氧化锌压敏陶瓷及其配方技术
[简介]：本技术提供了一种低温烧结氧化锌压敏陶瓷及其配方技术，将氧化锌、烧结助剂B4C和改性添加剂混合并球磨，干燥后得粉料；改性添加剂含有Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、锰的氧化物和Ni2O3；得到的粉料加PVA胶，造粒过筛，压片排胶；于900?950℃烧结2?3h，获得黑色致密的压敏陶瓷片；再将压敏陶瓷片的两面分别涂覆银浆，升温至500℃?550℃，保温20?30分钟后冷却，得到两面均印有电极的压敏陶瓷。本技术通过采用B4C作为烧结助剂，将烧结温度从传统的1100?1200℃降至950℃以下的同时也保证了压敏陶瓷具备良好的综合电性能，整体工艺节能降耗，绿色环保，简便易行且可工业化推广。
9、一种氧化硅包覆改性ZnO压敏陶瓷材料的配方技术
[简介]：本技术涉及一种氧化硅包覆改性ZnO压敏陶瓷材料的配方技术，通过一种简单的液相法制备单分散氧化锌压敏复合粉体，然后，使用复合粉体的前驱体作为核心模板，通过在粉体的表面水解正硅酸乙酯（TEOS），成功地制备出二氧化硅均匀包覆改性氧化锌复合粉体材料，进一步通过成型烧结制备氧化锌压敏陶瓷材料，其击穿电压和非线性电性能得到很大提高，同时材料降低烧结温度降低100?200℃。
10、与纯银内电极共烧的ZnO基低压高非线性压敏陶瓷及其配方技术
[简介]：本技术提供了一种高非线性且可与纯银内电极共烧的ZnO基低压高非线性压敏陶瓷材料及其配方技术。该技术包括以下步骤：1）按Bi2O3:Sb2O3=13.8的摩尔比，在750℃时保温2小时预先合成出Bi?Sb?O添加剂；2）选取ZnO、Bi2O3、Co2O3、MnO2、Sb2O3和Bi?Sb?O为原料，按配方98 mol%ZnO(99.0%)+0.5 mol%Bi2O3(99%)+1mol%MnO2(98.8%)+0.5 mol%Co2O3(99.0%)+x wt%Bi?Sb?O(0
11、一种基于频域介电响应的压敏陶瓷界面态响应测量方法
12、一种可低温烧结的ZnO-Bi2O3基低压压敏陶瓷及其配方技术
13、一种氧化锌压敏陶瓷材料及其配方技术
14、一种高电位梯度ZnO压敏陶瓷及其配方技术
15、一种碳化硼陶瓷作为压敏陶瓷材料的应用
16、一种无Bi、Pr、V的高梯度ZnO压敏陶瓷材料及其配方技术
17、一种复合纳米ZnO压敏陶瓷粉体生产前处理装置及方法
18、一种高电位梯度、低介电损耗CaCu3Ti4O12压敏陶瓷及其配方技术
19、一种超高非线性ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷及其配方技术
20、一种高通流容量的压敏陶瓷材料
21、一种ZnO压敏陶瓷添加剂及其配方技术和应用
22、一种氧化锌压敏陶瓷材料及其配方技术
23、氧化锌压敏陶瓷电阻片的配方技术
24、氧化锌基压敏陶瓷材料及其配方技术
25、一种改性氧化锌型压敏陶瓷材料的配方技术
26、一种碳化硅基复相压敏陶瓷及其液相烧结配方技术
27、氧化锌压敏陶瓷及其配方技术
28、一种高性能ZnO压敏陶瓷的制备工艺
29、一种高介电常数低损耗CaCu3Ti4O12压敏陶瓷材料的配方技术
30、一种电压梯度场绝缘材料填充的高非线性系数ZnO压敏陶瓷微球配方技术
31、一种TiO2压敏陶瓷材料的配方技术
32、一种无Bi、Pr、V的ZnO压敏陶瓷材料及其配方技术
33、高电压梯度ZnO压敏陶瓷微球的配方技术
34、In3+、Nb5+复合施主掺杂ZnO压敏陶瓷及配方技术
35、In3+、Sn4+复合施主掺杂ZnO压敏陶瓷及配方技术
36、一种高纯SiC压敏陶瓷
37、一种钛酸锶压敏陶瓷的制备工艺
38、In3+、Ga3+复合施主掺杂ZnO压敏陶瓷及配方技术
39、Y3+、Nb5+复合施主掺杂ZnO压敏陶瓷及配方技术
40、Y3+、Ga3+复合施主掺杂ZnO压敏陶瓷及配方技术
41、Y3+、Sn4+复合施主掺杂ZnO压敏陶瓷及配方技术
42、一种低压压敏陶瓷片及其配方技术
43、一种避雷器用压敏陶瓷材料及其配方技术
44、一种TiO2基低压压敏陶瓷材料的配方技术
45、一种碳化硅基复相压敏陶瓷材料及其配方技术
46、一种TiO2压敏陶瓷的配方技术
47、一种提高氧化锌压敏陶瓷电压梯度的制造工艺
48、一种压敏陶瓷的制备工艺
49、一种钒掺杂纳米氧化锌压敏陶瓷粉体材料的配方技术
50、一种ZnO压敏陶瓷微球的配方技术
51、一种制备单分散复合纳米ZnO压敏陶瓷粉体的方法
52、一种综合电气性能优良的特高压输电系统用压敏陶瓷配方技术
53、一种特高压输电系统用大通流容量、低残压压敏陶瓷配方技术
54、一种采用复合添加剂的氧化锌压敏陶瓷变阻器的配方技术
55、氧化锌基压敏陶瓷粉体及其配方技术
56、对叠层片式ZnO压敏陶瓷电阻片进行电镀处理的方法
57、一种压敏陶瓷材料的配方技术及应用
58、提高压敏陶瓷性能的表面处理方法
59、耐大冲击电流压敏陶瓷阀片及其绝缘层材料配方技术
60、一种高梯度、大通流容量特高压输电系统用压敏陶瓷配方技术
61、一种碳化硅低压压敏陶瓷及其固相烧结配方技术
62、一种压敏陶瓷粉体及所得的压敏电阻器
63、一种低温烧结V系ZnO压敏陶瓷材料及其配方技术
64、一种共掺杂TiO2压敏陶瓷的方法、共掺杂TiO2压敏电阻及其配方技术
65、一种压敏陶瓷薄膜及其配方技术
66、一种复合纳米ZnO压敏陶瓷粉体的配方技术
67、一种压敏陶瓷电阻
68、避雷器用氧化锌基压敏陶瓷材料及配方技术和应用
69、一种制备ZnO压敏陶瓷的两步烧结方法
70、一种高性能避雷器用氧化锌压敏陶瓷材料
71、氧化锌压敏陶瓷及其配方技术和氧化锌压敏电阻及其配方技术
72、一种单分散纳米ZnO压敏陶瓷粉体的配方技术
73、一种低漏电流五元系ZnO压敏陶瓷材料及烧结方法
74、一种高非线性玻璃料掺杂的氧化锌压敏陶瓷材料
75、一种压敏陶瓷材料及其配方技术
76、一种高电位梯度压敏陶瓷材料的低温烧结方法
77、一种低温烧结氧化锌压敏陶瓷材料及其配方技术
78、一种SnO2-Zn2SnO4复合压敏陶瓷的配方技术
79、一种提高氧化锌基低压压敏陶瓷薄膜电性能的方法
80、一种提高ZnO压敏陶瓷在直流电场下电学性能稳定性的处理方法
81、氧化锌基低压压敏陶瓷薄膜材料及配方技术
82、一种高性能Pr系ZnO压敏陶瓷材料及配方技术
83、一种提高氧化锌基低压压敏陶瓷薄膜电性能的方法
84、一种高介电常数类钙钛矿型压敏陶瓷材料CaCuTiO的配方技术
85、一种氧化锌压敏陶瓷复合粉体的配方技术
86、一种ZnO压敏陶瓷用无机粘合剂
87、一种高非线性稀土氧化物掺杂的氧化锌压敏陶瓷材料
88、氧化锌压敏陶瓷浆料的配方技术及压敏陶瓷电阻材料
89、一种低平衡温度的ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷介质
90、一种基于二氧化锡的低残压比压敏陶瓷材料的配方技术
91、低烧氧化物介电压敏陶瓷材料及其配方技术
92、一种低压压敏陶瓷材料及其配方技术
94、非Bi系低压ZnO压敏陶瓷材料的制造方法
95、复合稀土氧化物掺杂的氧化锌压敏陶瓷材料
96、稀土硝酸盐掺杂的氧化锌压敏陶瓷材料及其配方技术
97、超塑性氧化锌压敏陶瓷材料及配方技术
98、非线性高介电氧化物压敏陶瓷及其配方技术
99、超塑性纳米氧化物掺杂的氧化锌压敏陶瓷材料及配方技术
100、电压敏陶瓷与氧化铝陶瓷复合绝缘结构及配方技术
101、一种稀土氧化物掺杂的ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷介质
102、氧化锌压敏陶瓷及其配方技术
103、氧化锌基高电位梯度压敏陶瓷材料及其配方技术与应用
104、稀土氧化物掺杂的ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷熟料制备工艺
105、稀土氧化物掺杂的ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷生料制备工艺
106、一种富TiO2的巨介电非线性压敏陶瓷材料合成方法
107、纳米改性制造TiO2压敏陶瓷材料的方法、TiO2压敏陶瓷电阻及其制造方法
108、纳米掺杂剂掺杂改性制造SrTiO3压敏陶瓷材料、电阻的方法及其制造的电阻
109、掺杂TiO2低压压敏陶瓷及制作方法
110、TiO2非线性压敏陶瓷电阻器及其配方技术
111、氧化锌压敏陶瓷纳米复合粉体及其配方技术
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