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氮化硅陶瓷基板基片配方生产加工工艺技术

发布时间:2022-08-19   作者:admin   浏览次数:99

1、一种氮化硅陶瓷基板素坯的配方技术
 [简介]:本技术提供氮化硅陶瓷基板素坯的配方技术,包括以下步骤:S1:将市售α~Si3N4粉体以及稀土氧化物进行预处理;S2:制备维纳浆料:N2保护下分别将经预处理的市售α~Si3N4粉体、稀土氧化物按比例混合在混料器中充分混匀,生成S0;在市售分散剂中加入聚硅氧烷生成L1,将非水系增塑剂和湿润剂混合成L2;将非水系粘结剂和有机溶剂在N2保护下充分搅拌溶解制成液态溶液L3;将S0、L1、L2和L3混合、砂磨制成微纳浆料J0,S3:制备流延片;S4:制备素坯;S5:制备氮化硅基板毛板测量性能,本技术制得的素坯制得的基板毛板测量热导率都在85 W/(m·K)以上,较现有技术中制得的氮化硅基板的热导率都有得到了显著的提升,测量的断裂韧性都在6.5 MPa/m<Sup>2</Sup>以上。
2、一种氮化硅陶瓷覆铜基板及其配方技术
 [简介]:本技术提供了一种氮化硅陶瓷覆铜基板及其配方技术,本技术通过氮化硅陶瓷基板与无氧铜层之间的活性金属焊料层的改变,通过在活性金属焊料层中设置分层的方式,通过活性金属焊料A层与B层的不同焊料组合,改变其热膨胀系数与弹性模量,使得活性金属焊料层内的应变能得以被降低与分解,并且本技术还使用激光处理陶瓷基板表面,使得陶瓷基板与铜层的结合能力更强,并可以具有更长的使用寿命;此外本技术还利用了在钎焊过程中利用超声波的空化作用,辅助钎焊,节约了钎焊时间与成本,在我国陶瓷覆铜基板市场有着广泛的应用。
3、一种氮化硅陶瓷基片的配方技术
 [简介]:本技术涉及一种氮化硅陶瓷基片的配方技术,包括:(1)将氮化硅粉、硅粉中至少一种的原料粉体、烧结助剂加入到含有分散剂的溶剂中并进行球磨混合,然后加入粘结剂和塑性剂,继续球磨混合,再经真空脱泡,得到混合浆料;所述粘结剂为聚碳酸亚丙酯,加入量为原料粉体和烧结助剂总质量的1~20 wt%;(2)使用流延成型设备将所得混合浆料制成生瓷片;(3)将多个生瓷片经切割和叠层后得到所需厚度的氮化硅素坯;(4)将所得氮化硅素坯进行脱粘和气压烧结,得到所述氮化硅陶瓷基片。
4、一种电路用氮化硅陶瓷基片及其配方技术
 [简介]:本技术涉及陶瓷基片领域,提供一种电路用氮化硅陶瓷基片及其配方技术,解决采用现有技术的配方技术无法获得尺寸精度高、韧性高、热导率高的氮化硅陶瓷基板的问题;包括以下制备步骤:(1)流延浆料配制;(2)流延成型:将流延浆料通过流延机制备成流延素坯带;(3)冲切成形:将流延素坯带冲切成形为具有一定形状和尺寸的素坯片;(4)叠片;(5)排胶;(6)高温气压烧结;其中,所述α‑Si3N4粉体与助烧结剂的用量比以重量百分比计=90‑96:4‑10;所述α‑Si3N4粉体采用自蔓延法制备而成。
5、大功率集成电路用高热导率氮化硅陶瓷基板的配方技术
 [简介]:本技术提供了一种大功率集成电路用高热导率氮化硅陶瓷基板的配方技术,先制备高纯氮化硅粉体,以S i C l4和NH3为原料,在等离子加热炉中进行气相混合反应,制得高纯氮化硅粉体,S i C l4和NH3的纯度在99.99%以上;化学反应式为3S i C l4+4NH3→S i 3N4+12HC l;随后制备氮化硅浆料,将高纯氮化硅粉体和烧结助剂进行充分混合,得到混合物料,将混合物料与载体溶液混合得到氮化硅浆料;进行基板成型,将氮化硅浆料通过流延机制作,得到氮化硅基板胚体;最后低温加压烧结,将流延成型的氮化硅基板胚体放置在1550‑1600℃环境下进行烧结,烧结的同时对氮化硅基板胚体施加20‑30MPa机械压力,烧结结束后进行研磨加工,最终得到基板毛坯成品。本技术导热率高、强度好,成本得到有效控制,能够进行产业化推广。
6、一种凝胶流延成型制备氮化硅陶瓷基板的方法
 [简介]:本技术提供了一种制备氮化硅陶瓷基板的凝胶流延成型方法,该技术方法将氮化硅粉、凝胶单体、交联剂、分散剂和塑性剂等加入到醇类有机溶剂里,经过充分混合后,脱泡,加入引发剂后,进行流延成型。该技术方法创新在于将溶胶凝胶成型和流延工艺成型二者有机结合,充分发挥二者的各自优势,可以将氮化硅基板的素坯密度明显提高,有利于后续烧结更致密,含氧量降低,提高产品导热率;可以实现坯体快速固化,提高流延成型的效率,绿色环保。
7、一种高热导率高品质氮化硅陶瓷基板及其配方技术
 [简介]:一种高热导率高品质氮化硅陶瓷基板及其配方技术,它涉及一种氮化硅陶瓷基板及其配方技术。本技术的目的是要解决现有方法制备的氮化硅基板的热导率和力学性能差,且使用放电等离子烧结,其设备及制造成本高昂,难以实现批量化生产的问题。一种高热导率高品质氮化硅陶瓷基板由氮化硅粉或氮化硅粉和氮化铝、稀土氧化物、镁粉、增塑剂和有机溶剂制备而成。方法:一、称料;二、研磨、混合造粒;三、干压成型;四、气压烧结。本技术可获得一种高热导率高品质氮化硅陶瓷基板。
8、一种氮化硅陶瓷基板及其配方技术
 [简介]:本技术提供了一种氮化硅陶瓷基板及其配方技术,包括步骤:S1、在氮化硅底料中按照第一预设重量的比例加入配料及助烧剂形成混合底料;S2、按照第二预设重量的比例加溶剂并同时进行球磨混合;S3、将球磨后的材料在模具中进行压制成型;S4、将压制成型后的材料进行烧结得到氮化硅陶瓷基板。具有热导率高,与单晶Si相近的热膨胀系数、电绝缘及机械性能良好。较突出特点是氮化硅基板的厚度可以做到0.28‑0.34mm,并且弯曲强度较高,机械性能好,不易折断变形,基板尺寸边长32‑200mm。
9、一种低介电常数碳化硅、高性能氮化硅陶瓷基板及其配方技术
 [简介]:本技术提供了一种低介电常数碳化硅、高性能氮化硅陶瓷基板及其配方技术,涉及氮化硅陶瓷制备技术领域。本技术提供的低介电常数碳化硅的配方技术,以碳化硅为主原料,辅以硼化合物,氮化硅及二氧化硅,通过真空热压烧结法制备,可以有效去除原料粉末(碳化硅、硼化合物等)中存在的其他金属杂质以降低它的介电常数并提高电阻;可以获得的1MHz下的介电常数低于20的低介电常数碳化硅。本技术提供的高性能氮化硅陶瓷基板的配方技术,以低介电常数碳化硅和/或稀土氧化物作为烧结助剂,其加入有助于降低烧结的温度,促进烧结致密;选用的烧结助剂可与氧杂质反应,净化晶格,有效提高热导率。
10、一种高强度高热导氮化硅陶瓷基板及其配方技术和应用
 [简介]:本技术实施例提供了一种高强度高热导氮化硅陶瓷基板及其配方技术和应用,涉及陶瓷基板制备技术领域。配方技术包括:对分散剂和溶剂进行球磨处理,得到分散剂溶液;在保持球磨状态下依次向分散剂溶液中加入烧结助剂和氮化硅陶瓷粉体,继续球磨得到稳定悬浮液;向稳定悬浮液中加入增塑剂,在保持球磨状态下分多次向稳定悬浮液中加入粘接剂,继续球磨得到流延浆料;对流延浆料进行脱泡处理;通过流延成型工艺将流延浆料制备为生胚片;将生胚片堆叠后得到初始胚体;依次通过冷等静压工艺、排胶工艺以及烧结工艺将初始胚体制成陶瓷。通过本技术实施例提供的方法能够制备兼具高强度以及高热导的氮化硅陶瓷基板,并且氮化硅陶瓷基板强度的各向异性较小。
11、一种高热导、净尺寸氮化硅陶瓷基片的配方技术
12、一种氮化硅陶瓷基板及其配方技术
13、一种原位聚合成型氮化硅陶瓷薄片的制备工艺
14、一种高性能氮化硅陶瓷基片的批量化烧结方法
15、一种覆铜板的氮化硅陶瓷基片及其配方技术
16、氮化硅陶瓷基板生坯及其配方技术、陶瓷基板
17、氮化硅陶瓷基板及其制造方法
18、一种均质化大尺寸氮化硅陶瓷平板的配方技术
19、一种氮化硅陶瓷基板及其切割方法和应用
20、一种织构化氮化硅陶瓷基板及其切割方法和应用
21、一种G3级氮化硅陶瓷球加工用铲球板
22、一种多层金属覆膜氮化硅陶瓷基板及配方技术
23、一种非氧化物Y3Si2C2烧结助剂、高性能氮化硅陶瓷基板及其配方技术
24、一种金属和氮化硅陶瓷高温共烧复合基板的方法
25、用于高导热氮化硅陶瓷基板的表面金属化方法及其封装基板
26、功率器件模块封装用高导热氮化硅陶瓷基板与铜的连接方法
27、一种提高氮化硅陶瓷基板材料热导率和力学性能的硅热还原方法
28、黑色氮化硅陶瓷手机背板材料及使用其制备手机背板的方法
29、一种氮化硅瓷片界面改性方法及覆铜陶瓷基板配方技术
30、氮化硅陶瓷基板上围坝的共晶焊接方法
31、一种增韧氮化硼纳米片氮化硅陶瓷复合材料的配方技术
32、一种制作氮化硅陶瓷电路基板的加工工艺
33、氮化硅陶瓷覆铜基板及其配方技术
34、氮化硅陶瓷基板上围坝的烧结焊接方法
35、一种氮化硅陶瓷基片的配方技术
36、一种高导热氮化硅陶瓷绝缘板及其配方技术
37、氮化硅陶瓷材料及其配方技术与应用、防弹插板
38、一种高可靠性氮化硅覆铜陶瓷基板的铜瓷界面结构及其配方技术
39、高导热氮化硅陶瓷基板及其配方技术
40、氮化硅镁粉体及其配方技术、陶瓷材料及导热基板
41、一种金属和氮化硅陶瓷高温共烧复合基板的方法
42、氮化硅陶瓷电路板结构
43、一种氮化硅陶瓷覆铜基板及其配方技术
44、一种高导热氮化硅陶瓷基板及其配方技术
45、一种清洗氮化硅陶瓷覆铜板黑边的方法
46、一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法
47、覆铜氮化硅陶瓷基板及其配方技术
48、一种高导热氮化硅陶瓷基片材料的配方技术
49、一种氮化硅陶瓷覆铜基板及其配方技术
50、整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板及其配方技术
51、一种活性金属化钎焊氮化硅陶瓷覆铜基板的制备工艺
52、一种氮化硅陶瓷散热翅覆铜板及其配方技术
53、一种氮化硅陶瓷的配方技术及其陶瓷覆铜板
54、一种用于手机背板的氮化硅陶瓷材料及其配方技术
55、制作氮化硅陶瓷电路基板的生产工艺
56、一种LED用高导热率氮化硅-氮化铝复相陶瓷基板及其配方技术
57、一种氮化硅陶瓷摩擦片及其配方技术与应用
58、大功率氮化硅陶瓷加热片及其内软外硬的制作方法
59、一种添加稻壳氮化硅基多孔陶瓷粉的水性多彩岩片涂料
60、一种硅粉流延制备氮化硅陶瓷基板的方法
61、一种氮化硅陶瓷基板的配方技术
62、一种氮化硅陶瓷/金属复合板的配方技术
63、大功率氮化硅陶瓷加热片及其内硬外软的制作方法
64、氮化硅铁多孔陶瓷滑板的配方技术
65、高导热氮化硅陶瓷覆铜板及其配方技术
66、防结垢氮化硅陶瓷电热板及制作方法
67、一种IMC氮化硅陶瓷基复合刹车片的制作方法
68、一种氮化硅陶瓷刀片的配方技术
 
  以上为本套技术的目录及部分简要介绍,内容都包括具体的配方配比生产制作过程,费用260元,购买或咨询更多相关技术内容可联系:微信/电话:13510921263



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