5、一种Ge减薄柔性薄膜砷化镓太阳电池及其制备方法
[简介]：一种Ge减薄柔性薄膜砷化镓太阳电池，包括：外延层；构置于外延层上表面的上电极和减反膜；构置于外延层下表面的下电极；在所述下电极的下方还配置有至少一层金属层。本申请提出的电池片不仅可对下电极起到加固作用，而且还可增加电池的机械强度，提高下电极焊接的良率。本申请还提出该电池的配方技术，在外延层刚性状态下直接进行上电极、蒸镀减反膜、以及下电极，并在下电极金属上沉积加强金属层，以减少器件工艺和焊接工艺过程中发生的外延层碎裂，提高柔性砷化镓电池制备工艺的可靠性和成品率。
6、一种Ge减薄柔性薄膜砷化镓太阳电池及其制备方法
[简介]：一种Ge减薄柔性薄膜砷化镓太阳电池，包括：外延层；构置于外延层上表面的上电极和减反膜；构置于外延层下表面的下电极；在所述下电极的下方还配置有至少一层金属层。本申请提出的电池片不仅可对下电极起到加固作用，而且还可增加电池的机械强度，提高下电极焊接的良率。本申请还提出该电池的配方技术，在外延层刚性状态下直接进行上电极、蒸镀减反膜、以及下电极，并在下电极金属上沉积加强金属层，以减少器件工艺和焊接工艺过程中发生的外延层碎裂，提高柔性砷化镓电池制备工艺的可靠性和成品率。
7、氮化镓和砷化镓三维异质集成射频芯片结构及其制备方法
[简介]：本技术提供了氮化镓和砷化镓三维异质集成射频芯片结构，包括依次连接的氮化镓衬底层、氮化镓介质层、砷化镓介质层、砷化镓衬底层，氮化镓介质层、砷化镓介质层内均开设介质孔，氮化镓介质层、砷化镓介质层之间连接键合金属触点，氮化镓介质层连接氮化镓器件电极，砷化镓介质层连接砷化镓器件电极，氮化镓衬底层、砷化镓衬底层上均开设背通孔，氮化镓衬底层连接氮化镓衬底背金属，砷化镓衬底层连接砷化镓衬底上表面电极，氮化镓器件电极与砷化镓器件电极通过介质通孔、键合金属触点互联，且通过两个背通孔与氮化镓衬底背金属、砷化镓衬底上表面电极互联。能够实现高密度、高性能、多功能的氮化镓与砷化镓异质集成射频芯片。
8、一种空穴传输材料及砷化镓太阳能电池
[简介]：本技术提供了一种空穴传输材料及砷化镓太阳能电池。本技术的空穴传输材料的组成包括PEDOT:PSS和TiO2纳米颗粒修饰的MXene纳米片。本技术的砷化镓太阳能电池的组成包括依次设置的背面电极、砷化镓衬底、空穴传输层和正面电极，空穴传输层包含本技术的空穴传输材料。本技术的空穴传输材料由PEDOT:PSS和TiO2纳米颗粒修饰的MXene纳米片组成，引入MXene材料可以提升空穴传输薄膜的载流子迁移率，同时可以提升器件的稳定性，而引入的TiO2纳米颗粒具有减反射效果，可以增加光吸收，由该空穴传输材料结合n型砷化镓衬底制成的异质结太阳能电池的性能优异。
9、一种切割砷化镓基LED晶片的方法
[简介]：本技术提供一种切割砷化镓基LED晶片的方法，包括步骤：(1)对晶片N面电极贴膜。然后对得到的晶片进行加热烘烤。(2)利用机械切割工具对该晶片的N面电极隔着膜层进行间隔全切，切割方向为CH1晶面。完成后继续沿着CH2晶面方向进行全部全切。完成后再次沿着所述CH1晶面方向进行全部全切。(3)将完成步骤(2)的晶片翻转使其P面电极朝上，贴膜的N面电极朝下，然后对P面电极进行扩膜，使所述晶片分割成为一个个独立的管芯，即可。本技术先在膜上进行半切，并在全切过程中不使用激光划片和裂片机，通过刀轮多通道切割更好的释放应力，全切避免切割过程中产生的P崩、N崩、裂纹等外观异常，能够很好的提升外观良率。
10、一种空穴传输材料及砷化镓太阳能电池
[简介]：本技术提供了一种空穴传输材料及砷化镓太阳能电池。本技术的空穴传输材料的组成包括PEDOT:PSS和TiO2纳米颗粒修饰的MXene纳米片。本技术的砷化镓太阳能电池的组成包括依次设置的背面电极、砷化镓衬底、空穴传输层和正面电极，空穴传输层包含本技术的空穴传输材料。本技术的空穴传输材料由PEDOT:PSS和TiO2纳米颗粒修饰的MXene纳米片组成，引入MXene材料可以提升空穴传输薄膜的载流子迁移率，同时可以提升器件的稳定性，而引入的TiO2纳米颗粒具有减反射效果，可以增加光吸收，由该空穴传输材料结合n型砷化镓衬底制成的异质结太阳能电池的性能优异。
11、一种用于提高砷化镓光导开关光能利用率的光学结构
12、一种用于提高砷化镓光导开关光能利用率的光学结构
13、一种渐变磷组分磷砷化镓材料的生长方法
14、一种渐变磷组分磷砷化镓材料的生长方法
15、砷化镓晶圆的激光打标方法及系统
16、一种砷化镓衬底的表面处理方法、装置、设备及介质
17、一种砷化镓衬底的表面处理方法、装置、设备及介质
18、一种内建电感器的砷化镓VCSEL运输装置
19、倒装式砷化镓聚光光伏芯片
20、一种改善砷化镓晶片表面质量的清洗方法
21、一种分离并回收砷化镓废料中镓砷的方法
22、一种提高砷化镓光阴极光谱响应的激活方法
23、一种提高砷化镓光阴极光谱响应的激活方法
24、一种在金属衬底生长砷化镓外延的方法
25、半绝缘砷化镓材料负微分电场阈值的测量装置及方法
26、一种砷化镓研磨废料的分选富集方法
27、半绝缘砷化镓材料负微分电场阈值的测量装置及方法
28、一种中和沉淀富集回收砷化镓浸出液中镓砷的方法
29、一种中和沉淀富集回收砷化镓浸出液中镓砷的方法
30、一种高可靠性的砷化镓光导开关及其制备方法
31、一种砷化镓多晶的制备方法
32、一种高可靠性的砷化镓光导开关及其制备方法
33、一种砷化镓团簇及其制备方法和应用
34、砷化镓晶圆的划切方法
35、一种提高砷化镓基LED晶片半切测试准确性的方法
36、一种砷化镓系多结垂直腔面发射激光器
37、一种提高砷化镓基LED晶片半切测试准确性的方法
38、一种改善砷化镓通孔蚀刻工艺中崩边的方法
39、一种柔性砷化镓太阳电池粘接临时衬底及分离电池的方法
40、一种改善砷化镓通孔蚀刻工艺中崩边的方法
41、一种柔性砷化镓太阳电池粘接临时衬底及分离电池的方法
42、一种基于砷化镓材料的控制电路及其应用的射频前端芯片
43、一种高Ce3+比纳米氧化铈抛光液及制备方法和在砷化镓抛光中的应用
44、一种基于砷化镓材料的控制电路及其应用的射频前端芯片
45、考虑位错散射的砷化镓HEMT器件表面势模型的建模方法
46、考虑位错散射的砷化镓HEMT器件表面势模型的建模方法
47、一种掩膜法蒸镀柔性砷化镓太阳电池减反射膜的方法
48、集成砷化镓电池基板的聚光光伏
49、一种掩膜法蒸镀柔性砷化镓太阳电池减反射膜的方法
50、砷化镓太阳电池多层外延结构测试样品制备方法
51、一种保留砷化镓衬底的肖特基二极管衬底替换方法
52、一种保留砷化镓衬底的肖特基二极管衬底替换方法
53、砷化镓太阳电池多层外延结构测试样品制备方法
54、砷化镓外延层的制备方法及结构
55、一种砷化镓外延衬底的回收方法
56、一种从砷化镓废料中回收镓的方法
57、一种砷化镓基超辐射发光二极管及其制备方法
58、一种砷化镓基超辐射发光二极管及其制备方法
59、一种基于砷化镓IPD工艺的紧凑型威尔金森功分器
60、一种基于砷化镓IPD工艺的紧凑型威尔金森功分器
61、硅基砷化镓外延结构、激光器及制备方法
62、一种砷化镓太阳电池芯片及其制备方法
63、一种砷化镓多晶合成及单晶衬底拋光方法
64、一种区分p型砷化镓晶向的光电方法
65、使用砷化镓的高性能可调谐滤波器
66、一种砷化镓基板的应力调整衬底及应力调整方法
67、一种砷化镓基板的应力调整衬底及应力调整方法
68、一种砷化镓HBT干法刻蚀斜坡的制作方法
69、激光器用砷化镓偏角度为15°晶片的清洗方法
70、激光器用砷化镓偏角度为15°晶片的清洗方法
71、一种砷化镓废料熔体萃取分离方法
72、一种基于砷化镓二极管的鳍线太赫兹多位移相器
73、一种基于砷化镓二极管的鳍线太赫兹多位移相器
74、一种砷化镓HBT器件集电极台阶自对准的制作方法
75、一种砷化镓HBT器件隔离台面及其制作方法
76、一种砷化镓HBT器件集电极台阶自对准的制作方法
77、砷化镓基多结稀释氮化物长波长垂直腔面发射激光器
78、砷化镓基多结稀释氮化物长波长垂直腔面发射激光器
79、一种砷化镓衬底抛光液及其应用
80、一种砷化镓基集成电路工艺下的去嵌入方法
81、一种室温测量n型掺杂砷化镓半导体自旋霍尔角的方法
82、砷化镓功率放大器的匹配电路结构及射频功率放大器
83、砷化镓功率放大器的匹配电路结构及射频功率放大器
84、一种室温测量n型掺杂砷化镓半导体自旋霍尔角的方法
85、一种用于砷化镓芯片背面通孔的镀金方法
86、砷化镓异质结双极晶体管及其制作方法
87、一种砷化镓电池散热结构
88、一种多结砷化镓垂直腔面发射激光器
89、一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管及其制备方法
90、一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管及其制备方法
91、砷化镓低噪声放大器和氮化镓功率放大器单片集成电路及其制备
92、一种真空法将砷化镓多晶合成的废料综合回收的设备
93、一种真空法将砷化镓多晶合成的废料综合回收的设备
94、一种射频芯片用砷化镓大尺寸衬底材料制备工艺
95、一种射频芯片用砷化镓大尺寸衬底材料制备工艺
96、砷化镓加长晶体生长热场及工艺技术
97、锗衬底-砷化镓/锗异质结薄膜复合结构及其制法和应用
98、锗衬底-砷化镓/锗异质结薄膜复合结构及其制法和应用
99、砷化镓单晶衬底和砷化镓单晶衬底的制造方法
10-0、一种砷化镓衬底的表面处理方法
10-1、砷化镓晶体超细金刚石线切割工艺
10-2、一种砷化镓晶片背面不良的去除方法
10-3、一种用于砷化镓电路的稳压电路和采用其的射频电路
10-4、一种砷化镓电池散热结构
10-5、一种用于砷化镓电路的稳压电路和采用其的射频电路
10-6、一种砷化镓晶片的清洗方法及其清洗辅助装置
10-7、基于位相光栅分光触发带侧墙的多通道砷化镓光电导开关
10-8、基于位相光栅分光触发带侧墙的多通道砷化镓光电导开关
10-9、一种砷化镓晶片的清洗方法及其清洗辅助装置
11-0、一种基于范德华外延剥离的砷化镓太阳电池及其制备方法
11-1、一种基于范德华外延剥离的砷化镓太阳电池及其制备方法
11-2、一种防止砷化镓基LED管芯异面电极制作过程中蹭划伤的方法
11-3、一种防止砷化镓基LED管芯异面电极制作过程中蹭划伤的方法
11-4、改进砷化镓晶片表面质量的方法
11-5、集成多晶硅超表面的砷化镓基太赫兹探测器及制作方法
11-6、集成多晶硅超表面的砷化镓基太赫兹探测器及制作方法
11-7、光耦芯片砷化镓材质晶粒开盖方法
11-8、一种砷化镓太阳能电池的制备方法
11-9、砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管及其制作方法
12-0、一种去除砷化镓芯片封装的方法
12-1、砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管及其制作方法
12-2、一种基于砷化镓二极管的太赫兹矢量调制器
12-3、一种基于砷化镓二极管的太赫兹矢量调制器
12-4、一种砷化镓基LED芯片透明导电层测试点的制备方法
12-5、一种PEDOT:PSS/Nafion复合薄膜及其砷化镓基异质结太阳电池和制备方法
12-6、一种砷化镓基LED芯片透明导电层测试点的制备方法
12-7、一种Au纳米颗粒修饰TiO2纳米管陷光结构及其砷化镓肖特基结太阳能电池和制备方法
12-8、一种碳纳米管/银纳米线复合薄膜及其砷化镓基异质结太阳电池和制备方法
12-9、一种砷化镓单晶晶体及其制备方法
13-0、一种用于砷化镓晶体生长用新型密封结构
13-1、一种砷化镓基LED管芯透明导电层的返工方法
13-2、一种砷化镓基LED管芯透明导电层的返工方法
13-3、一种利用砷化镓废料制备氢氧化镓的方法
13-4、一种砷化镓电源调制电路
13-5、一种砷化镓LED晶片电压与TCL膜层关系的验证方法
13-6、一种砷化镓LED晶片电压与TCL膜层关系的验证方法
13-7、一种半绝缘砷化镓单晶体及其制备方法和生长装置
13-8、一种半绝缘砷化镓单晶体及其制备方法和生长装置
13-9、一种砷化镓激光光伏电池及其制备方法
14-0、一种基于镍-63源和砷化镓p-n结器件的微型核电池
14-1、一种基于镍-63源和砷化镓p-n结器件的微型核电池
14-2、一种砷化镓晶片加工用抛光液及其制备方法
14-3、一种砷化镓晶片加工用抛光液及其制备方法
14-4、一种砷化镓自动化高效韧性检测的新材料预警设备
14-5、一种砷化镓自动化高效韧性检测的新材料预警设备
14-6、一种砷化镓晶圆合成加热装置
14-7、一种高纯砷化镓多晶及其制备装置和方法
14-8、砷化镓太阳能发电装置
14-9、一种砷化镓单晶机械抛光设备
15-0、一种砷化镓晶圆水平法切割装置
15-1、一种空间用柔性砷化镓太阳电池及制备方法
15-2、一种带有渐变隧穿结的砷化镓太阳电池及其制作方法
15-3、一种空间用柔性砷化镓太阳电池及制备方法
15-4、砷化镓芯片开封方法
15-5、一种新型砷化镓太阳电池及制作方法
15-6、一种带有渐变隧穿结的砷化镓太阳电池及其制作方法
15-7、一种砷化镓太阳电池镍锗银电极的制备方法
15-8、一种砷化镓太阳电池镍锗银电极的制备方法
15-9、一种基于硅基的砷化镓射频芯片封装结构及其制备方法
16-0、一种基于硅基的砷化镓射频芯片封装结构及其制备方法
16-1、一种太阳能无人机砷化镓太阳能电池阵设计方法
16-2、一种太阳能无人机砷化镓太阳能电池阵设计方法
16-3、一种提高碳掺杂砷化镓铟空穴浓度的生长方法
16-4、一种提高碳掺杂砷化镓铟空穴浓度的生长方法
16-5、基于石墨烯/砷化镓肖特基结的近红外光电探测器
16-6、基于石墨烯/砷化镓肖特基结的近红外光电探测器
16-7、一种湿热盐雾环境下薄膜砷化镓太阳电池的防护方法
16-8、一种湿热盐雾环境下薄膜砷化镓太阳电池的防护方法
16-9、一种砷化镓基LED的管芯结构的制作方法
17-0、一种锗基砷化镓太阳电池及制备方法
17-1、一种含有火焰合成镍金纳米球阵列的砷化镓太阳电池及其制备
17-2、一种基于砷化镓铟探测的固态雷达装置
17-3、一种含有火焰合成镍金纳米球阵列的砷化镓太阳电池及其制备
17-4、一种火焰修饰碳纳米管/氧化镍/砷化镓太阳电池及其制备方法
17-5、一种火焰修饰碳纳米管/氧化镍/砷化镓太阳电池及其制备方法
17-6、一种碳纳米纤维掺杂氧化镍空穴传输层的砷化镓太阳电池及其制备
17-7、一种基于砷化镓晶圆电极预置金锡BUMP的制作方法
17-8、一种基于砷化镓晶圆电极预置金锡BUMP的制作方法
17-9、一种砷化镓研磨冷却水循环使用设备及其使用方法
18-0、一种砷化镓研磨冷却水循环使用设备及其使用方法
18-1、一种砷化镓基LED管芯的制作方法
18-2、一种柔性砷化镓太阳电池支撑衬底及粘接工艺
18-3、一种柔性砷化镓太阳电池支撑衬底及粘接工艺
18-4、不同偏角度砷化镓籽晶加工及砷化镓单晶的制备方法
18-5、一种VB法与VGF法结合快速生长低位错砷化镓单晶的生长装置及方法
18-6、砷化镓芯片封装结构中取晶粒的方法和应用
18-7、一种砷化镓聚光发电方法
18-8、砷化镓芯片封装结构中取晶粒的方法和应用
18-9、低颗粒度、低暗点半绝缘砷化镓晶片的制备方法
19-0、一种基于砷化镓p-n结器件的β型核电池
19-1、一种硅基-砷化镓太阳电池及其制备方法
19-2、一种硅基-砷化镓太阳电池及其制备方法
19-3、低颗粒度、低暗点半绝缘砷化镓晶片的制备方法
19-4、一种分离回收砂浆中砷化镓的方法
19-5、一种空间用砷化镓太阳电池下电极
19-6、一种砷化镓p-n结型核电池及其制备方法
19-7、一种砷化镓/石墨烯复合超材料太赫兹宽带吸收器
19-8、一种砷化镓/石墨烯复合超材料太赫兹宽带吸收器
19-9、一种砷化镓芯片高砷高盐废水和含砷研磨废水综合处理方法
20-0、一种砷化镓制备用尾气过滤装置
20-1、一种砷化镓芯片高砷高盐废水和含砷研磨废水综合处理方法
20-2、一种具有阵列式微纳透镜结构的石墨烯/砷化镓太阳电池及其制备方法
20-3、一种改善型三结砷化镓太阳电池及其制作方法
20-4、一种改善型三结砷化镓太阳电池及其制作方法
20-5、一种砷化镓多晶的制备方法
20-6、一种砷化镓晶片及其制备方法
20-7、一种与火星光谱匹配的三结砷化镓太阳电池
20-8、一种与火星光谱匹配的三结砷化镓太阳电池
20-9、一种正向四结砷化镓太阳电池及其制作方法
21-0、一种正向四结砷化镓太阳电池及其制作方法
21-1、半绝缘性砷化镓晶体基板
21-2、砷化镓纳米结构太阳能电池制备方法
21-3、一种判断砷化镓晶体中线性孪晶长度的方法
21-4、一种判断砷化镓晶体中线性孪晶长度的方法
21-5、砷化镓单晶基板
21-6、一种砷化镓晶片生产废水中镓的测定方法
21-7、砷化镓晶体和砷化镓晶体基板
21-8、一种砷化镓LED芯片研磨后抛光的方法及工装
21-9、一种砷化镓LED芯片研磨后抛光的方法及工装
22-0、砷化镓晶体和砷化镓晶体基板
22-1、一种提高砷化镓太阳能电池光电转换效率的方法
22-2、一种提高砷化镓太阳能电池光电转换效率的方法
22-3、一种生长半绝缘砷化镓单晶的掺碳装置及掺碳方法
22-4、一种生长半绝缘砷化镓单晶的掺碳装置及掺碳方法
22-5、一种利用砷化镓电池控制模组的智能变色眼镜
22-6、一种利用砷化镓电池控制模组的智能变色眼镜
22-7、一种纳米网状表面电极的三结砷化镓太阳电池的制备方法
22-8、一种纳米网状表面电极的三结砷化镓太阳电池的制备方法
22-9、一种砷化镓基发光二极管粗化后取管芯的方法
23-0、一种砷化镓基发光二极管粗化后取管芯的方法
23-1、一种砷化镓物料的清洗工艺
23-2、一种砷化镓晶片的位错测定方法
23-3、一种基于砷化镓衬底的锗雪崩光电探测器的制作方法
23-4、一种基于砷化镓衬底的锗雪崩光电探测器的制作方法
23-5、一种柔性砷化镓太阳能电池及其制备方法
23-6、一种抗辐照高效砷化镓太阳电池的制备方法
23-7、一种抗辐照高效砷化镓太阳电池的制备方法
23-8、一种砷化镓基LED芯片的半切测试方法
23-9、一种薄膜砷化镓太阳电池上电极及其制备方法
24-0、轮毂型划片刀及其制备方法与在砷化镓材料加工中的应用
24-1、轮毂型划片刀及其制备方法与在砷化镓材料加工中的应用
24-2、一种砷化镓基LED芯片的制作方法
24-3、一种薄膜砷化镓太阳电池上电极及其制备方法
24-4、集成超结构砷化镓基阻挡杂质带探测器及制备方法
24-5、集成超结构砷化镓基阻挡杂质带探测器及制备方法
24-6、一种三结砷化镓太阳电池及其制备方法
24-7、一种柔性砷化镓太阳能电池芯片及其制作方法
24-8、一种高抗辐照三结砷化镓太阳电池及其制备方法
24-9、一种柔性砷化镓太阳能电池芯片及其制作方法
25-0、一种高抗辐照三结砷化镓太阳电池及其制备方法
25-1、一种砷化镓薄膜太阳电池及制作方法
25-2、砷化镓太阳能智能电子广告牌
25-3、一种砷化镓太阳电池及其制备方法
25-4、一种砷化镓多结太阳能电池芯片及其制备方法
25-5、一种砷化镓多结太阳能电池芯片及其制备方法
25-6、一种基于砷化镓材料的激光电池制备方法及电池
25-7、一种基于砷化镓材料的激光电池制备方法及电池
25-8、一种与锗结合的空间用砷化镓太阳电池电极制备方法
25-9、一种与锗结合的空间用砷化镓太阳电池电极制备方法
26-0、一种砷化镓基LED芯片及其制备方法
26-1、一种空间用柔性砷化镓太阳电池制备方法
26-2、一种免切割的柔性砷化镓太阳电池及其制作方法
26-3、一种免切割的柔性砷化镓太阳电池及其制作方法
26-4、一种空间三结砷化镓太阳电池用三层减反射膜及其制备方法
26-5、一种空间三结砷化镓太阳电池用三层减反射膜及其制备方法
26-6、一种四英寸80微米砷化镓双抛片的制作方法
26-7、一种四英寸80微米砷化镓双抛片的制作方法
26-8、从废旧含砷化镓IC元器件中回收砷化镓、铜的方法和应用
26-9、基于纳米空洞的低穿透位错密度硅基砷化镓层生长方法
27-0、基于纳米空洞的低穿透位错密度硅基砷化镓层生长方法
27-1、一种砷化镓单晶生长装置及生长方法
27-2、砷化镓电池及其制备方法
27-3、砷化镓/碳纳米管异质结超薄太阳能电池结构及其制备
27-4、砷化镓/碳纳米管异质结超薄太阳能电池结构及其制备
27-5、从废旧含砷化镓LED电子器件中浸出镓、砷，并同时回收金属银的方法和应用
27-6、砷化镓基半导体器件的制造方法
27-7、空间用三结砷化镓工作标准太阳电池的标定和使用方法
27-8、空间用三结砷化镓工作标准太阳电池的标定和使用方法
27-9、考虑温度影响的砷化镓光子晶体压力传感器
28-0、磷砷化镓包覆材料在砷化镓衬底上的外延生长
28-1、一种高效三结砷化镓太阳电池及制作方法
28-2、一种晶格失配型三结砷化镓太阳电池及制作方法
28-3、一种晶格失配型三结砷化镓太阳电池及制作方法
28-4、一种自对准双凹槽砷化镓场效应晶体管的制作方法
28-5、一种自对准双凹槽砷化镓场效应晶体管的制作方法
28-6、一种用于无人机的柔性砷化镓组件的制备方法
28-7、一种用于无人机的柔性砷化镓组件的制备方法
28-8、VGF工艺制备砷化镓晶体的方法
28-9、一种砷化镓/磷化铟量子传感器及其使用方法
29-0、一种砷化镓/磷化铟量子传感器及其使用方法
29-1、砷化镓半导体晶片微缺陷改善外延层橄榄球缺陷的方法
29-2、砷化镓半导体晶片微缺陷改善外延层橄榄球缺陷的方法
29-3、砷化镓单晶和砷化镓单晶基板
29-4、一种掺杂砷化镓单晶晶体生长工艺
29-5、一种提高砷化镓光电阴极发射性能的激活方法
29-6、一种提高砷化镓光电阴极发射性能的激活方法
29-7、一种柔性砷化镓太阳能电池及其制作方法
29-8、正负电极同侧的多结砷化镓太阳电池芯片及其制备方法
29-9、一种超薄柔性砷化镓太阳能电池芯片及其制备方法
30-0、一种超薄柔性砷化镓太阳能电池芯片及其制备方法
30-1、一种高性能三结砷化镓太阳电池
30-2、正负电极同侧的多结砷化镓太阳电池芯片及其制备方法
30-3、一种砷化镓晶圆用划片刀修刀方法
30-4、一种提高砷化镓光电阴极量子效率的激活方法
30-5、一种提高砷化镓光电阴极量子效率的激活方法
30-6、一种碳纳米管/砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电池及其构筑方法
30-7、一种砷化镓废料回收制备砷化镓多晶的方法
30-8、砷化镓抛光液自动循环过滤方法及其对应的过滤装置
30-9、砷化镓抛光液自动循环过滤方法及其对应的过滤装置
31-0、一种柔性砷化镓太阳能电池芯片及其制作方法
31-1、一种柔性砷化镓太阳能电池芯片及其制作方法
31-2、一种对砷化镓多晶合成炉温场的测量方法
31-3、具有静默功能的砷化镓单刀四掷开关及单刀八掷开关
31-4、具有静默功能的砷化镓单刀四掷开关及单刀八掷开关
31-5、一种砷化镓半导体光纤测温传感器及其测量方法
31-6、一种砷化镓半导体光纤测温传感器及其测量方法
31-7、一种四结砷化镓太阳电池的标准子电池制备方法
31-8、一种四结砷化镓太阳电池的标准子电池制备方法
31-9、砷化镓晶体基板
32-0、一种砷化镓晶片及其制备方法
32-1、提高砷化镓衬底减薄后表面洁净度的磨料及加工方法
32-2、提高砷化镓衬底减薄后表面洁净度的磨料及加工方法
32-3、砷化镓晶体减薄用砂轮、制备方法及应用
32-4、一种新型砷化镓异质结晶体管结构及制备方法
32-5、一种新型砷化镓异质结晶体管结构及制备方法
32-6、一种砷化镓太阳能电池外延结构及其生长方法
32-7、一种砷化镓太阳能电池外延结构及其生长方法
32-8、低腐蚀坑密度6英寸半绝缘砷化镓晶片
32-9、含硼掺杂剂的低腐蚀坑密度砷化镓晶体
33-0、砷化镓太阳电池及其制造方法
33-1、砷化镓电池外延结构及其制备方法
33-2、一种砷化镓电池外延结构及其制备方法
33-3、一种砷化镓器件金属保护环
33-4、砷化镓与钙钛矿异质结太阳能电池及其制作方法
33-5、砷化镓与钙钛矿异质结太阳能电池及其制作方法
33-6、单片可重构砷化镓低噪声放大器及其制备方法
33-7、单片可重构砷化镓低噪声放大器及其制备方法
33-8、一种砷化镓刻蚀方法
33-9、半绝缘性砷化镓晶体基板
34-0、一种用于抛光砷化镓的抛光粉体及抛光液的制备方法
34-1、一种用于抛光砷化镓的抛光粉体及抛光液的制备方法
34-2、一种从砷化镓废渣中回收制备砷酸钠和金属镓的方法
34-3、一种从砷化镓废渣中回收制备砷酸钠和金属镓的方法
34-4、柔性钙钛矿量子点薄膜-砷化镓异质结电池及其制备方法
34-5、砷化镓光电阴极的清洗方法
34-6、柔性钙钛矿量子点薄膜-砷化镓异质结电池及其制备方法
34-7、石墨烯/三氧化二铝/砷化镓太赫兹探测器及其制作方法
34-8、石墨烯/三氧化二铝/砷化镓太赫兹探测器及其制作方法
34-9、砷化镓基红外发光二极管芯片及其制备方法
35-0、砷化镓基红外发光二极管芯片及其制备方法
35-1、一种用于三结砷化镓外延层表面平整化处理的工艺方法
35-2、一种用于三结砷化镓外延层表面平整化处理的工艺方法
35-3、一种砷化镓基的二极管器件结构及制作方法
35-4、用于薄膜砷化镓太阳电池复合结构材料衬底的制备方法
35-5、一种低亮暗点的4和6英寸半绝缘砷化镓抛光片制备方法
35-6、用于薄膜砷化镓太阳电池复合结构材料衬底的制备方法
35-7、一种低亮暗点的4和6英寸半绝缘砷化镓抛光片制备方法
35-8、单模砷化镓基量子点激光器的制备方法
35-9、柔性砷化镓组件及制作工艺
36-0、一种炉体温度可调的冷壁单晶炉及砷化镓晶体生长方法
36-1、一种炉体温度可调的冷壁单晶炉及砷化镓晶体生长方法
36-2、一种有效释放砷化镓单晶结晶潜热的方法及装置
36-3、一种有效释放砷化镓单晶结晶潜热的方法及装置
36-4、一种砷化镓集成电路制造黄光区自动化系统和装置
36-5、一种砷化镓集成电路制造黄光区自动化系统和装置
36-6、一种降低砷化镓薄膜材料中缺陷的方法
36-7、一种砷化镓背侵的去除方法
36-8、水平法砷化镓单晶尾部位错密度的降低方法
36-9、水平法砷化镓单晶尾部位错密度的降低方法
37-0、一种砷化镓单晶生长装置及生长方法
37-1、一种锗-硅基砷化镓材料及其制备方法和应用
37-2、一种锗-硅基砷化镓材料及其制备方法和应用
37-3、砷化镓晶体和砷化镓晶体基板
37-4、一种砷化镓多晶合成装置和合成方法
37-5、一种基于砷化镓的微波整流芯片
37-6、从热解氮化硼坩埚中分离砷化镓单晶的分离方法以及分离装置
37-7、K频段砷化镓芯片滤波器制备方法
37-8、一种砷化镓多晶的制作方法及装置
37-9、一种砷化镓晶片切割方法
38-0、柔性砷化镓薄膜电池背电极激光开窗工艺及设备
38-1、柔性砷化镓薄膜电池背电极激光开窗工艺及设备
38-2、一种砷化镓多结太阳电池及制作方法
38-3、多结砷化镓太阳电池单体集成内联组件的制备方法
38-4、多结砷化镓太阳电池单体集成内联组件的制备方法
38-5、一种砷化镓晶片表面清洁装置
38-6、一种砷化镓芯片和CMOS芯片三维封装结构和制作工艺
38-7、一种砷化镓芯片和CMOS芯片三维封装结构和制作工艺
38-8、一种高效微能源砷化镓电池组件
38-9、一种节能半导体新材料砷化镓生产废水处理工艺
39-0、一种节能半导体新材料砷化镓生产废水处理工艺
39-1、一种大面积薄型高效空间砷化镓太阳电池的焊接方法
39-2、一种砷化镓太阳电池的制备方法
39-3、一种大面积薄型高效空间砷化镓太阳电池的焊接方法
39-4、含锗砷化镓废料的处理回收方法
39-5、一种四象限砷化镓太阳敏感器组件及其制备方法
39-6、一种四象限砷化镓太阳敏感器组件及其制备方法
39-7、一种砷化镓抛光液及其制备方法
39-8、一种空间用砷化镓薄膜太阳电池阵及其制备方法
39-9、一种空间用砷化镓薄膜太阳电池阵及其制备方法
40-0、一种向砷化镓材料引入杂质并加以激活的方法
40-1、一种向砷化镓材料引入杂质并加以激活的方法
40-2、基于光化学辅助选择性刻蚀的砷化镓表面纳米加工方法
40-3、基于光化学辅助选择性刻蚀的砷化镓表面纳米加工方法
40-4、一种适用于砷化镓晶片抛光的抛光药液
40-5、一种低暗电流的大阵面铟砷化镓MSM结构光电混频探测器阵列及其制造方法
40-6、一种VGF/VB砷化镓单晶炉结构及生长方法
40-7、一种砷化镓的干法蚀刻工艺及其应用
40-8、一种倒置三结砷化镓太阳电池及其制作方法
40-9、一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池
41-0、一种砷化镓衬底的表面处理方法
41-1、一种砷化镓晶体的退火方法及得到的砷化镓晶片
41-2、一种砷化镓单晶位错坑的腐蚀方法及腐蚀液配方
41-3、一种砷化镓单晶位错坑的腐蚀方法及腐蚀液配方
41-4、一种智能砷化镓高倍聚光热电联产系统及其追日方法
41-5、一种智能砷化镓高倍聚光热电联产系统及其追日方法
41-6、解决封装溢胶问题的无源器件砷化镓刷胶方法
41-7、解决封装溢胶问题的无源器件砷化镓刷胶方法
41-8、一种用于生产砷化镓的自动研磨机
41-9、一种用于生产砷化镓的线锯机
42-0、一种砷化镓多晶合成方法
42-1、柔性塑料衬底薄膜砷化镓太阳电池焊接模块制作方法
42-2、柔性塑料衬底薄膜砷化镓太阳电池焊接模块制作方法
42-3、一种砷化镓废料的回收方法
42-4、一种从含有砷化镓的废料中回收砷和镓的方法
42-5、一种从含有砷化镓的废料中回收砷和镓的方法
42-6、解决封装溢胶问题的无源器件砷化镓贴膜方法及芯片
42-7、一种智能砷化镓高倍聚光热电联产模组
42-8、解决封装溢胶问题的无源器件砷化镓贴膜方法及芯片
42-9、砷化镓单晶的生长装置及生长方法
43-0、一种砷化镓共源共栅赝配高电子迁移率晶体管小信号等效电路模型
43-1、一种基于关键工序的砷化镓质量一致性控制方法及系统
43-2、一种应力平衡薄型砷化镓太阳电池的制备方法
43-3、一种砷化镓晶片抛光用超细抛光砂轮及其制备方法
43-4、一种砷化镓晶片抛光用超细抛光砂轮及其制备方法
43-5、一种基于关键工序的砷化镓质量一致性控制方法及系统
43-6、一种应力平衡薄型砷化镓太阳电池的制备方法
43-7、一种砷化镓多晶合成装置
43-8、一种基于砷化镓衬底的平面式LED外延结构及其制作方法
43-9、一种基于砷化镓衬底的平面式LED外延结构及其制作方法
44-0、砷化镓的多晶合成装置及工艺
44-1、用于砷化镓半导体的结染色溶液及其结染色方法
44-2、用于砷化镓半导体的结染色溶液及其结染色方法
44-3、一种基于砷化镓工艺的介质集成波导滤波器
44-4、一种砷化镓产品质量一致性控制方法及系统
44-5、砷化镓纳米柱阵列太赫兹波发射装置及制造方法
44-6、砷化镓纳米柱阵列太赫兹波发射装置及制造方法
44-7、一种砷化镓产品质量一致性控制方法及系统
44-8、一种砷化镓晶片减薄用超硬树脂砂轮及其制备方法
44-9、一种砷化镓晶片减薄用超硬树脂砂轮及其制备方法
45-0、一种局部减薄砷化镓太阳电池制备方法
45-1、砷化镓太阳能电池及其制备方法
45-2、倒装砷化镓太阳能电池及其制备方法
45-3、一种砷化镓晶圆的光刻工艺
45-4、一种砷化镓多晶的合成方法及合成装置
45-5、一种VGF法制备砷化镓晶体的装置及方法
45-6、一种砷化镓污泥中镓的分离回收方法
45-7、一种降低砷化镓双抛片整体平整度的粗抛工艺
45-8、一种降低砷化镓双抛片整体平整度的粗抛工艺
45-9、水平法砷化镓单晶拉制过程中的放肩方法
46-0、一种用于提取双栅砷化镓pHEMT器件寄生电容的开路结构测试方法
46-1、砷化镓多晶合成装置
46-2、适用于W波段大功率应用的砷化镓多路功率合成放大器
46-3、适用于W波段大功率应用的砷化镓多路功率合成放大器
46-4、砷化镓激光巴条及其制备方法
46-5、W波段砷化镓单片集成电路三维系统级封装垂直互连结构
46-6、W波段砷化镓单片集成电路三维系统级封装垂直互连结构
46-7、一种具有新型窗口层的高效三结级联砷化镓太阳电池及制造方法
46-8、一种具有抗辐照结构的高效三结级联砷化镓太阳电池及其制造方法
46-9、用于砷化镓抛光的磁流变抛光液及其制备方法
47-0、用于砷化镓抛光的磁流变抛光液及其制备方法
47-1、本征砷化镓波导结构的太赫兹波单偏振输出器
47-2、本征砷化镓波导结构的太赫兹波单偏振输出器
47-3、砷化镓激光器腔面及钝化方法、砷化镓激光器及制备方法
47-4、面向物联网的具有热电转换功能的砷化镓基HEMT器件
47-5、面向物联网的具有热电转换功能的砷化镓基HEMT器件
47-6、一种应用于氮化镓及砷化镓功率放大器的保护电路
47-7、一种应用于氮化镓及砷化镓功率放大器的保护电路
47-8、基于铝‑砷化镓结构的宽波段光完美吸收器
47-9、面向物联网的砷化镓基具有热电转换功能的MESFET器件
48-0、面向物联网的砷化镓基具有热电转换功能的MESFET器件
48-1、面向物联网的具有热电转换功能的砷化镓基HBT器件
48-2、面向物联网的具有热电转换功能的砷化镓基HBT器件
48-3、一种半绝缘砷化镓多晶掺碳的制备方法及装置
48-4、一种改善砷化镓基半导体激光器腔面稳定性的方法
48-5、一种半绝缘砷化镓多晶掺碳的制备方法及装置
48-6、一种改善砷化镓基半导体激光器腔面稳定性的方法
48-7、一种提高砷化镓光电阴极稳定性的激活方法
48-8、台面式砷化镓掺硅阻挡杂质带太赫兹探测器及其制作方法
48-9、台面式砷化镓掺硅阻挡杂质带太赫兹探测器及其制作方法
49-0、钙钛矿和砷化镓异质集成的太阳能电池制造方法及电池
49-1、钙钛矿和砷化镓异质集成的太阳能电池制造方法及电池
49-2、一种砷化镓光伏同位素电池
49-3、室温环境下激励砷化镓中金属原子扩散的方法
49-4、一种室温环境下激励砷化镓中金属原子扩散的方法
49-5、室温环境下激励砷化镓中金属原子扩散的方法
49-6、一种室温环境下激励砷化镓中金属原子扩散的方法
49-7、一种水平法砷化镓单晶拉制过程中接籽晶的方法
49-8、一种水平法砷化镓单晶拉制过程中接籽晶的方法
49-9、一种适用于砷化镓晶片的化学机械抛光组合物
50-0、一种适用于砷化镓晶片的化学机械抛光组合物
50-1、一种砷化镓光导开关的制备方法
50-2、一种14吋砷化镓单晶炉及其拉1‑13根单晶生长方法
50-3、三结砷化镓太阳电池测试用的太阳模拟器光学系统
50-4、一种14吋砷化镓单晶炉及其拉1‑13根单晶生长方法
50-5、三结砷化镓太阳电池测试用的太阳模拟器光学系统
50-6、一种石墨烯/砷化镓太阳电池
50-7、一种控制砷化镓纳米微结构尺寸的方法
50-8、一种使用砷化镓晶片制作三代像增强器的方法
50-9、一种使用砷化镓晶片制作三代像增强器的方法
51-0、一种砷化镓超薄衬底及应用
51-1、一种基于聚焦离子束诱导的有序砷化镓量子点的制备方法
51-2、砷化镓晶圆用除氧托盘
51-3、一种基于聚焦离子束诱导的有序砷化镓量子点的制备方法
51-4、一种三结砷化镓太阳电池钝化方法及制备方法
51-5、一种三结砷化镓太阳电池钝化方法及制备方法
51-6、一种降低HB砷化镓单晶头部位错密度的方法
51-7、一种砷化镓‑硅多结高效太阳电池的制备方法
51-8、一种砷化镓表面形貌控制方法
51-9、一种砷化镓‑硅多结高效太阳电池的制备方法
52-0、一种砷化镓废料分离回收装置及方法
52-1、一种砷化镓基异质结遂穿场效应晶体管
52-2、一种砷化镓基MOSFET栅介质的制备方法
52-3、从含油砷化镓泥浆中回收镓的方法
52-4、等离子体液滴外延砷化镓量子点太阳电池及其制造方法
52-5、等离子体液滴外延砷化镓量子点太阳电池及其制造方法
52-6、一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法
52-7、一种砷化镓量子点增强的红外探测器及其制备方法
52-8、一种砷化镓量子点增强的红外探测器及其制备方法
52-9、一种石墨烯/砷化镓太阳电池
53-0、一种砷化镓晶片打印激光标识的方法
53-1、从砷化镓芯片生产废料中制备砷的硫化物的方法
53-2、从砷化镓芯片生产废料中制备砷的硫化物的方法
53-3、一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法
53-4、一种将砷化镓外延层转移至有机柔性衬底的方法
53-5、一种将砷化镓外延层转移至有机柔性衬底的方法
53-6、一种砷化镓衬底的化学抛光方法
53-7、砷化镓单晶的生长方法
53-8、砷化镓太阳能电池阵列的电路设计
53-9、砷化镓衬底材料制备方法
54-0、一种提高砷化镓太阳能电池光电转换效率方法
54-1、一种提高砷化镓太阳能电池光电转换效率方法
54-2、一种锗基砷化镓多结柔性薄膜太阳电池及其制备方法
54-3、一种LED用砷化镓衬底减薄工艺中的贴片方法
54-4、一种锗基砷化镓多结柔性薄膜太阳电池及其制备方法
54-5、一种LED用砷化镓衬底减薄工艺中的贴片方法
54-6、一种砷化镓聚光太阳能发电站热能利用系统
54-7、一种砷化镓聚光太阳能发电站热能利用系统
54-8、一种砷化镓单晶片清洗的方法
54-9、一种自对准砷化镓PMOS器件的制作方法
55-0、一种砷化镓低倍聚光太阳能电池
55-1、砷化镓光导开关的引线连接结构以及引线焊接工艺
55-2、砷化镓光导开关的引线连接结构以及引线焊接工艺
55-3、一种在室温环境下向砷化镓材料引入杂质的方法
55-4、一种在室温环境下向砷化镓材料引入杂质的方法
55-5、一种电感耦合等离子体干法刻蚀砷化镓背孔工艺
55-6、一种电感耦合等离子体干法刻蚀砷化镓背孔工艺
55-7、一种基于砷化镓器件的MIM电容器及其制造工艺
55-8、一种基于砷化镓器件的MIM电容器及其制造工艺
55-9、一种硅基砷化镓复合衬底的制备方法
56-0、一种正向失配四结级联砷化镓太阳电池及其制备方法
56-1、一种正向失配四结级联砷化镓太阳电池及其制备方法
56-2、一种砷化镓半导体基片湿法刻蚀工艺
56-3、一种砷化镓基高电压黄绿光发光二极管芯片及其制作方法
56-4、ITO辅助薄型多结砷化镓太阳能电池下电极的制备方法
56-5、一种砷化镓基高电压黄绿光发光二极管芯片及其制作方法
56-6、ITO辅助薄型多结砷化镓太阳能电池下电极的制备方法
56-7、一种砷化镓基底低亮度黄光发光二极管芯片及其制作方法
56-8、一种砷化镓基底低亮度黄光发光二极管芯片及其制作方法
56-9、一种砷化镓基双异质结双极晶体管结构及制备方法
57-0、一种砷化镓基双异质结双极晶体管结构及制备方法
57-1、一种基于砷化镓单量子阱的太赫兹探测器的实现方法
57-2、一种砷化镓材料表面的改性方法
57-3、一种基于砷化镓单量子阱的太赫兹探测器的实现方法
57-4、一种将砷化镓外延层转移至金属柔性衬底的方法
57-5、一种制作砷化镓基HEMT器件背孔的方法
57-6、一种将砷化镓外延层转移至金属柔性衬底的方法
57-7、薄膜砷化镓太阳电池衬底复用的衬底保护结构及加工工艺
57-8、薄膜砷化镓太阳电池衬底复用的衬底保护结构及加工工艺
57-9、一种砷化镓晶片的抛光方法
58-0、一种键合连接的硅基与砷化镓基的太阳电池
58-1、砷化镓基低漏电流双悬臂梁开关双栅倍频器
58-2、砷化镓基低漏电流双悬臂梁开关双栅倍频器
58-3、砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法
58-4、基于砷化镓基低漏电流双悬臂梁开关或非门的RS触发器
58-5、多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法
58-6、基于砷化镓基低漏电流双悬臂梁开关或非门的RS触发器
58-7、双悬臂梁开关砷化镓基低漏电流微波相位检测器
58-8、双悬臂梁开关砷化镓基低漏电流微波相位检测器
58-9、切割砷化镓初始晶片的方法及制备砷化镓晶片的方法
59-0、利用低温防分解籽晶层在砷化镓衬底上生长氮化镓的方法
59-1、利用低温防分解籽晶层在砷化镓衬底上生长氮化镓的方法
59-2、一种砷化镓衬底mHEMT有源区电学隔离方法
59-3、砷化镓基低漏电流双固支梁开关双栅分频器
59-4、砷化镓太阳能电池制备工艺
59-5、基于砷化镓基低漏电流双悬臂梁开关的或非门
59-6、基于砷化镓基低漏电流四悬臂梁开关的RS触发器
59-7、基于砷化镓基低漏电流四悬臂梁开关的RS触发器
59-8、砷化镓基低漏电流双固支梁开关双栅分频器
59-9、基于砷化镓基低漏电流双悬臂梁开关的或非门
60-0、砷化镓聚光光伏发电系统
60-1、砷化镓基低漏电流双悬臂梁开关双栅分频器
60-2、等电位网络三结砷化镓太阳能电池阵结构及制造方法
60-3、等电位网络三结砷化镓太阳能电池阵结构及制造方法
60-4、双固支梁开关砷化镓基低漏电流微波相位检测器
60-5、双固支梁开关砷化镓基低漏电流微波相位检测器
60-6、砷化镓基低漏电流双悬臂梁开关双栅锁相环电路
60-7、砷化镓基低漏电流双固支梁开关双栅倍频器
60-8、砷化镓基低漏电流双固支梁开关双栅锁相环电路
60-9、砷化镓基低漏电流双固支梁开关双栅倍频器
61-0、砷化镓基低漏电流双固支梁开关双栅锁相环电路
61-1、砷化镓基低漏电流双悬臂梁开关双栅锁相环电路
61-2、一种高效柔性砷化镓太阳能电池及其制备方法
61-3、砷化镓电池的激光加工方法
61-4、一种高效柔性砷化镓太阳能电池及其制备方法
61-5、一种砷化镓基半导体器件的制作方法
61-6、一种砷化镓基晶体管的T型栅的制作方法
61-7、基于电流衰减的空间三结砷化镓太阳能电池片在轨剩余寿命预测方法
61-8、一种倒装高效柔性砷化镓太阳能电池及其制备方法
61-9、一种倒装高效柔性砷化镓太阳能电池及其制备方法
62-0、砷化镓太阳电池顶电池窗口层纳米圆锥体结构及制备方法
62-1、一种多梁式引线砷化镓基肖特基倍频二极管
62-2、一种抗辐照三结级联砷化镓太阳电池及制备方法
62-3、一种三结砷化镓电池测试用三谱段太阳模拟器装置
62-4、一种具有低电子泄漏的砷化镓激光器及其制作方法
62-5、一种具有低电子泄漏的砷化镓激光器及其制作方法
62-6、一种硅基Ⅲ-V族砷化镓半导体材料制备方法和系统
62-7、一种电场调控的石墨烯/砷化镓太阳电池及其制备方法
62-8、多通道砷化镓光电导开关
62-9、一种具有砷化镓层器件上形成金属触点及其制造方法
63-0、一种在砷化镓基片上制备钛酸锶钡介电薄膜的化学方法
63-1、一种多结砷化镓太阳电池一次腐蚀工艺方法
63-2、一种石墨烯/砷化镓太阳电池及其制造方法
63-3、一种砷化镓基LED外延片的粗化药水及其配制方法
63-4、一种对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的腐蚀液及其制备方法
63-5、一种基于砷化镓工艺的L波段混沌电路及其设计方法
63-6、锂离子电池船拖拉的砷化镓薄膜太阳能电池水面漂浮电站
63-7、具有双层或多层插入层的砷化镓芯片背面金属的结构
63-8、自供电射频收发组件中砷化镓基热电-光电微传感器
63-9、自供电射频收发组件中砷化镓基热电和光电传感器
64-0、一种硅基绝缘体上砷化镓衬底结构及其制备方法
64-1、一种基于砷化镓电池组的太阳能发电光能聚集系统
64-2、基于摩擦诱导选择性刻蚀的砷化镓表面微纳米加工方法
64-3、一种砷化镓表面量子点形核位置的低损伤加工方法
64-4、多通道砷化镓半导体吸收式光纤温度测量系统
64-5、硅基砷化镓外延材料及器件制造设备和制造方法
64-6、一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的新掺杂工艺及其设备
64-7、一种多结聚光砷化镓太阳能电池及其制备方法
64-8、可实现余热利用的砷化镓太阳能二级发电装置
64-9、一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的掺杂工艺
65-0、砷化镓量子环红外光电探测器及其制造方法
65-1、高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法
65-2、安装在阳台外的家用砷化镓太阳能发电及热水装置
65-3、砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装方法及其结构
65-4、可实现余热利用的砷化镓太阳能三级发电装置
65-5、采用阶梯斜面反射式聚光的砷化镓太阳能发电装置
65-6、具有砷化镓吸收层的高效率太阳能电池装置
65-7、基于砷化镓太阳能电池和风力的发电、照明及充电系统
65-8、基于砷化镓太阳能电池的发电、照明及充电系统
65-9、一种基于微型砷化镓光伏电池的聚光组合系统
66-0、一种砷化镓基光子晶体发光二级管的制备方法
66-1、一种砷化镓晶片生产加工废水的除砷装置及方法
66-2、同时去除砷化镓晶片生产加工废水中砷和COD的处理方法
66-3、基于微机械砷化镓基的悬臂梁频率检测器及检测方法
66-4、基于微机械砷化镓基的悬臂梁相位检测器及检测方法
66-5、基于微机械砷化镓基固支梁的频率检测器及检测方法
66-6、基于微机械砷化镓基固支梁的相位检测器及检测方法
66-7、一种用于液相外延用富镓的砷化镓熔体凝固的方法
66-8、一种砷化镓晶体生长用石英坩埚及其制备方法
66-9、一种砷化镓基几何巨磁电阻器件及其制备方法
67-0、用于砷化镓光伏器件的自-旁路二极管功能
67-1、一种砷化镓场效应管温度影响模型的建立方法
67-2、一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件的制作方法
67-3、砷化镓单片微波功放的电应力极限评估方法
67-4、基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法
67-5、超纯本征砷化镓材料的m-i-n二极管太赫兹辐射源及制作方法
67-6、低温下砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装工艺
67-7、一种制作在金属薄膜的砷化镓高效能太阳能电池及其制作方法
67-8、一种PBN坩埚及利用其进行砷化镓晶体生长的方法
67-9、砷化镓表面自体氧化物清洗、纯化及淀积Al2O3介质的方法
68-0、砷化镓赝配高电子迁移率晶体管材料的电参数测量方法
68-1、一种砷化镓赝配高电子迁移率晶体管外延材料
68-2、倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法
68-3、砷化镓晶体生长用双料壁石英玻璃管及其制备方法
68-4、一种在砷化镓基片上外延生长钛酸锶薄膜的方法
68-5、锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法
68-6、砷化镓晶体生长用双料壁石英坩埚及其制备方法
68-7、硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法
68-8、一种应用于垂直温度梯度法或垂直布里奇曼法生长砷化镓单晶生长的原料腐蚀设备系统
68-9、高斯掺杂的砷化镓肖特基变容二极管及其制作方法
69-0、制备具有低光学吸收系数的掺杂型砷化镓衬底晶片的方法
69-1、对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液
69-2、一种具有吸氧钛盖帽层的砷化镓MOS器件及其制备方法
69-3、微波大功率,低限幅电平的砷化镓PIN管限幅器单片电路
69-4、空间用三结砷化镓太阳电池的下电极去底腐蚀方法
69-5、一种空间辐射环境下砷化镓太阳能电池寿命预示方法
69-6、一种砷化镓基单片光电子集成接收机前端结构及制作方法
69-7、在本征砷化镓表面77K以下实现欧姆接触的方法
69-8、在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法
69-9、采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法
70-0、一种由砷化镓和锑化镓覆盖层调制的砷化铟量子点材料及其生长方法
70-1、砷化镓PIN二极管的非线性等效电路及其应用
70-2、一种用于砷化镓晶片的抛光组合物及其制备方法
70-3、砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构
70-4、一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解装置
70-5、一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解装置
70-6、一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解方法
70-7、一种发红光的掺氧砷化镓多晶薄膜的制备方法
70-8、制造低腐蚀坑密度半绝缘砷化镓晶片的方法及其产品
70-9、高速砷化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料
71-0、砷化镓/铝镓砷红外量子阱材料峰值响应波长的检测方法
71-1、一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法
71-2、一种砷化镓单片微波集成电路功率放大器热沉的制作方法
71-3、一种水平掺铬半绝缘砷化镓晶体的生长设备
71-4、砷化镓/砷化铝分布布拉格反射镜的湿法腐蚀方法
71-5、宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法
71-6、提高氧化铝/砷化镓分布布拉格反射镜界面质量的方法
71-7、砷化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法
71-8、砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法
71-9、砷化镓基增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管栅制作工艺
72-0、砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构
72-1、砷化镓/锑化镓迭层聚光太阳电池的制作方法
72-2、砷化镓基增强/耗尽型膺配高电子迁移率晶体管材料
72-3、适用于高速砷化镓基器件欧姆接触的金属合金系统
72-4、一种砷化镓单片微波集成电路的可靠性评估方法
72-5、水平三温区梯度凝固法生长砷化镓单晶的方法
72-6、纳米氧化铈的制备方法及其在砷化镓晶片化学机械抛光中的用途
72-7、性能提高的砷化镓异质结双极晶体管及其制造方法
72-8、磁力运动远望图形砷化镓半导体激光近视弱视治疗仪
72-9、氮化砷化镓铟系异质场效应晶体管及其制造方法和使用它的发送接收装置
73-0、一种无液封合成砷化镓多晶材料的工艺方法
73-1、中浓度P型掺杂透射式砷化镓光阴极材料及其制备方法
73-2、采用砷化镓基含磷材料的紫外增强光电探测器及制作方法
73-3、低开启电压砷化镓基新结构异质结双极晶体管结构设计
73-4、一种无损检测磷化铟与砷化镓基材料直接键合质量的方法
73-5、一种从砷化镓工业废料中综合回收镓和砷的方法
73-6、自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法
73-7、可调谐能量和脉冲频率的运动图形砷化镓激光弱视矫治仪
73-8、一种砷化镓基半导体－氧化物绝缘衬底及其制备方法
73-9、砷化镓基复合收集区弹道传输异质结双极晶体管
74-0、谐振腔增强的n型砷化镓远红外探测器的反射镜
74-1、非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法
74-2、砷化镓场效应(晶体)管沟道温度测试装置
74-3、砷化镓及其器件表面钝化保护膜的制备方法
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