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砷化镓加工工艺技术生产制造方法

发布时间:2020-03-16   作者:admin   浏览次数:115

1、一种砷化镓晶片表面清洁装置
 [简介]:本技术提供了一种砷化镓晶片表面清洁装置,包括手柄,在手柄的前端可拆卸地安装有清洁头,在清洁头的前端设置有一根清洁刷毛,清洁头与手柄的连接结构为:在手柄的前端设有定位槽,在定位槽内壁设有半球形限位孔,清洁头的内部中空,在清洁头侧壁设有通孔,在清洁头的内部设弹簧片,弹簧片的一端与清洁头的内壁相固定、另一端固定有伸入通孔且与半球形限位孔相适配的半球形定位块,当清洁头插入手柄的定位槽且转动至半球形定位块与半球形限位孔相对应时,半球形定位块在弹簧片的向外弹力作用下会伸出通孔并插入半球形限位孔,将清洁头与手柄相连接固定。本技术优点是:操作简单,使用方便,能有效清除附着在砷化镓晶片表面的颗粒物质。
2、一种砷化镓晶片切割方法
 [简介]:本技术提供了一种砷化镓晶片切割方法,包括以下步骤:步骤一:先使晶片切割机的刀片以(10~20)毫米/秒的进给速度对砷化镓晶圆片进行第一次切割,切割深度为砷化镓晶圆片厚度的(25~35)%;步骤二:再使晶片切割机的刀片以(10~20)毫米/秒的进给速度继续对第一次切割后的砷化镓晶圆片进行第二次切割,切割深度为砷化镓晶圆片厚度的(25~35)%;步骤三:最后使晶片切割机的刀片以(5~10)毫米/秒的进给速度继续对第二次切割后的砷化镓晶圆片进行第三次切割,直至刀片切透砷化镓晶圆片形成砷化镓晶片。本技术具有可靠性高且能提高砷化镓晶片成品率的优点。
3、用于制备砷化镓衬底的方法、砷化镓衬底及其用途
 [简介]:本技术涉及用于制备经表面处理的砷化镓衬底的新方法,和新提供的砷化镓衬底及其用途。根据本技术的方法的改进基于特殊的最终表面处理,其中使砷化镓衬底的至少一个表面在干燥条件下借助UV辐照和/或臭氧气体进行氧化处理,使砷化镓衬底的至少一个表面与至少一种液体介质接触,以及马兰葛尼式干燥所述砷化镓衬底。根据本技术提供的砷化镓衬底显示出迄今未获得的表面性质,尤其是所述表面性质之均匀性,其可借助光学表面分析仪检测,尤其是借助椭圆偏振侧向衬底映射用于光学不接触定量表征。
4、一种节能半导体新材料砷化镓生产废水处理工艺
 [简介]:本技术提供了一种节能半导体新材料砷化镓生产废水的处理工艺,属于废水处理技术领域,废液经过均质后调节pH至碱性,而后经过两次高级氧化、生化处理、混凝沉淀、软化过滤、RO膜浓缩以及MVR蒸发浓缩,形成淡水和固废,采用本技术处理废水,节约了药剂投加量和运行成本,形成的淡水中的砷含量≤0.01mg/L,氟含量≤1mg/L,总磷含量≤0.2mg/L,其它水污染物排放能够达到《地表水环境质量标准》(GB3838?2002)III类水质标准,可回用于绿化灌溉或直接外排。
5、砷化镓基红外发光二极管芯片及其配方技术
 [简介]:本技术提供了一种砷化镓基红外发光二极管芯片及其配方技术,属于红外发光二极管领域。方法:制备GaAs基红外发光二极管LED芯片坯,芯片坯包括N型欧姆接触层、顺次层叠在N型欧姆接触层上的N型粗化层、N型电流扩展层、N型限制层、有源层、P型限制层、P型AlGaAs电流扩展层、P型GaP电流扩展层和P型欧姆接触层,N型粗化层包括顺次层叠在N型欧姆接触层上的AlGaInP粗化引导层、AlGaAs粗化层和GaInP粗化限制层,在N型欧姆接触层上制作N型电极,去除N型欧姆接触层中除N型电极覆盖的区域之外的区域,对N型粗化层中露出N型欧姆接触层的区域进行粗化处理,以使AlGaInP粗化引导层和AlGaAs粗化层中沿GaAs基红外LED芯片坯的长度方向贯穿有多个孔洞。
6、一种基于砷化镓的微波整流芯片
 [简介]:本技术提供了一种基于砷化镓的微波整流芯片,解决传统整流电路尺寸大、重量相对较重的问题。芯片采用0.25微米砷化镓pHEMT工艺制成,芯片厚度为0.1毫米,芯片表面的电路由射频输入端口(1)、隔直电容(2)、输入匹配电路(3)、肖特基二极管阵列(4)、输出滤波电路(5)、直流输出端口(6)依次相连构成,划片道(7)用于切割芯片。本技术具有集成化程度高、尺寸小的优点,能应用于无线能量传输、电磁能量收集系统等领域。
7、从热解氮化硼坩埚中分离砷化镓单晶的分离方法以及分离装置
 [简介]:本技术提供的一种从热解氮化硼坩埚中分离砷化镓单晶的分离方法以及分离装置,涉及单晶生长技术领域,包括如下步骤:将待分离的热解氮化硼坩埚和砷化镓单晶浸泡在有机溶剂中,加热所述有机溶剂,然后进行超声处理。在上述技术方案中,通过加热与超声波结合的方式进行脱埚操作,可以加速二者的分离效率,使整个脱锅周期大大的缩短,从而也大大缩短了热解氮化硼坩埚在有机溶剂中浸泡的时间,降低对热解氮化硼坩埚的损伤,此脱埚处理过后的热解氮化硼坩埚表面平整,使用寿命大大延长。并且,该分离方法操作简单,所有操作都在低温下进行,没有特殊操作要求。
8、一种砷化镓背侵的去除方法
 [简介]:本技术提供了一种砷化镓背侵的去除方法,所述方法包括以下步骤:(1)将砷化镓晶片在有机溶剂中浸洗后用去离子水冲洗;(2)将步骤(1)处理后的砷化镓晶片浸没在化学腐蚀液中腐蚀清洗,所述化学腐蚀液包括碱、过氧化氢和水,所述碱为氢氧化钾或者氢氧化钠;(3)将步骤(2)处理后的砷化镓晶片用去离子水冲洗后干燥。本技术方法能够去除研磨、抛光和清洗加工工序中造成的砷化镓晶片背侵,首次解决了研磨、抛光和清洗加工工序中造成的砷化镓晶片背侵问题。
9、一种炉体温度可调的冷壁单晶炉及砷化镓晶体生长方法
 [简介]:本技术涉及半导体材料制备技术领域,更具体而言,涉及一种炉体温度可调的冷壁单晶炉及砷化镓晶体生长方法,该装置包括晶体生长装置与恒温冷壁炉,所述晶体生长装置设置在恒温冷壁炉内;通过对恒温冷壁炉温度与炉内压力的控制实现晶体生长特定温度场;采用恒温冷壁炉避免环境对晶体生长温场的影响后晶体单晶率获得提升,由60%提升到75%;采用恒温冷壁炉通过对炉内压力的控制避免了石英管的胀管与缩管等现象,实际砷压与设定砷压一直,晶体纵向均匀行得到提升;通过对降温程序的调控,退火周期由原来的140h缩短到116h。缩短了晶体生长周期,提高了经济效益。
10、柔性砷化镓薄膜电池背电极激光开窗工艺及设备
 [简介]:本技术提供了一种柔性砷化镓薄膜电池背电极激光开窗工艺及设备,通过上料机上料,将备料送往上下料单元,然后旋转平台旋转带动物料分别进入定位单元、打码切割单元和检测单元,各单元完成后进入下一单元,最后再回到上下料单元进行下料,完成一整个过程。本技术的打码切割单元能同时完成打码和切割的功能,依靠两路激光同时工作,每条光路可以单独控制,每条光路通过其扩束器和功率计使得聚焦高度、光斑大小、和功率都可以独立调节。
11、一种砷化镓集成电路制造黄光区自动化系统和装置
 [简介]:本技术涉及砷化镓集成电路技术领域,特别涉及一种砷化镓集成电路制造黄光区自动化系统和装置。所述一种砷化镓集成电路制造黄光区自动化系统,包括:参数控制单元、涂胶单元、曝光单元、显影单元、检测单元和晶舟传送单元;参数控制单元分别连接所述涂胶单元、曝光单元、显影单元、检测单元和晶舟传送单元;所述参数控制单元用于:获取不同单元的参数值,并根据不同的参数值对不同的单元发出不同的指令;所述晶舟传送单元用于:将晶片从一个单元传送至另一个单元。整个作业过程自动化,无需人工参与,不仅节约步骤,提高效率,同时也避免了一些人为操作上造成的错误。
12、K频段砷化镓芯片滤波器配方技术
 [简介]:本技术提供的一种K频段砷化镓芯片滤波器配方技术,旨在提供一种、易于小型化、高性能的芯片滤波器。本技术通过下述技术方案予以实现:将短截线结构中的对称加载枝节1和加载枝节3进行高阻抗的并联分解,解成上下两个完全对称的高阻抗加载枝节,其长度在截止频率处1/8介质波长的基础上进行延长,并进行多次弯折,形成带外不同频率的传输零点;将直通微带传输线特征阻抗降低至50Ω以下,再对其长度进行调节;然后将短截线结构中的加载枝节2的特征阻抗提高,并将其分解为两个上下完全对称的并联枝节,对该两个完全对称的高阻抗加载枝节长度,在截止频率处1/8介质波长的基础上进行延长和多次弯折,减小版图纵向面积,形成K波段芯片滤波器。
13、一种有效释放砷化镓单晶结晶潜热的方法及装置
14、一种砷化镓多晶的制作方法及装置
15、一种四象限砷化镓太阳敏感器组件及其配方技术
16、一种砷化镓芯片和CMOS芯片三维封装结构和制作工艺
17、一种砷化镓单晶生长装置及生长方法
18、一种用于三结砷化镓外延层表面平整化处理的工艺方法
19、柔性砷化镓组件及制作工艺
20、一种砷化镓多结太阳电池及制作方法
21、一种降低砷化镓薄膜材料中缺陷的方法
22、用于薄膜砷化镓太阳电池复合结构材料衬底的配方技术
23、石墨烯/三氧化二铝/砷化镓太赫兹探测器及其制作方法
24、水平法砷化镓单晶尾部位错密度的降低方法
25、一种低亮暗点的4和6英寸半绝缘砷化镓抛光片配方技术
26、砷化镓光电*极的清洗方法
27、多结砷化镓太阳电池单体集成内联组件的配方技术
28、一种砷化镓多晶合成装置和合成方法
29、一种砷化镓基的二极管器件结构及制作方法
30、含锗砷化镓废料的处理回收方法
31、单模砷化镓基量子点激光器的配方技术
32、一种基于砷化镓衬底的平面式LED外延结构及其制作方法
33、一种空间用砷化镓薄膜太阳电池阵及其配方技术
34、一种砷化镓产品质量一致性控制方法及系统
35、一种砷化镓多晶合成装置
36、一种砷化镓晶体的退火方法及得到的砷化镓晶片
37、一种智能砷化镓高倍聚光热电联产系统及其追日方法
38、一种砷化镓抛光液及其配方技术
39、一种砷化镓共源共栅赝配高电子迁移率晶体管小信号等效电路模型
40、一种适用于砷化镓晶片抛光的抛光药液
41、一种锗-硅基砷化镓材料及其配方技术和应用
42、一种基于砷化镓工艺的介质集成波导滤波器
43、一种应力平衡薄型砷化镓太阳电池的配方技术
44、一种低暗电流的大阵面铟砷化镓MSM结构光电混频探测器阵列及其制造方法
45、一种砷化镓晶片抛光用超细抛光砂轮及其配方技术
46、一种VGF/VB砷化镓单晶炉结构及生长方法
47、一种砷化镓多晶合成方法
48、用于砷化镓半导体的结染色溶液及其结染色方法
49、基于光化学辅助选择性刻蚀的砷化镓表面纳米加工方法
50、一种大面积薄型高效空间砷化镓太阳电池的焊接方法
51、解决封装溢胶问题的无源器件砷化镓贴膜方法及芯片
52、一种砷化镓太阳电池的配方技术
53、柔性钙钛矿量子点薄膜-砷化镓异质结电池及其配方技术
54、一种从含有砷化镓的废料中回收砷和镓的方法
55、一种砷化镓晶片减薄用超硬树脂砂轮及其配方技术
56、解决封装溢胶问题的无源器件砷化镓刷胶方法
57、砷化镓纳米柱阵列太赫兹波发射装置及制造方法
58、砷化镓单晶的生长装置及生长方法
59、一种砷化镓单晶位错坑的腐蚀方法及腐蚀液配方
60、一种倒置三结砷化镓太阳电池及其制作方法
61、柔性塑料衬底薄膜砷化镓太阳电池焊接模块制作方法
62、一种智能砷化镓高倍聚光热电联产模组
63、砷化镓的多晶合成装置及工艺
64、一种基于关键工序的砷化镓质量一致性控制方法及系统
65、一种砷化镓的干法蚀刻工艺及其应用
66、一种用于生产砷化镓的自动研磨机
67、一种砷化镓废料的回收方法
68、一种向砷化镓材料引入杂质并加以激活的方法
69、一种用于生产砷化镓的线锯机
70、本征砷化镓波导结构的太赫兹波单偏振输出器
71、基于铝?砷化镓结构的宽波段光完美吸收器
72、一种高效微能源砷化镓电池组件
73、一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池
74、III-V族半导体材料的光伏器件及其形成方法
75、适用于W波段大功率应用的砷化镓多路功率合成放大器
76、面向物联网的具有热电转换功能的砷化镓基HBT器件
77、一种砷化镓超薄衬底及应用
78、一种改善砷化镓基半导体激光器腔面稳定性的方法
79、一种砷化镓多晶的合成方法及合成装置
80、W波段砷化镓单片集成电路三维系统级封装垂直互连结构
81、一种14吋砷化镓单晶炉及其拉1?13根单晶生长方法
82、一种VGF法制备砷化镓晶体的装置及方法
83、一种砷化镓污泥中镓的分离回收方法
84、一种适用于砷化镓晶片的化学机械抛光组合物
85、砷化镓激光巴条及其配方技术
86、一种具有新型窗口层的高效三结级联砷化镓太阳电池及制造方法
87、一种砷化镓光伏同位素电池
88、一种用于提取双栅砷化镓pHEMT器件寄生电容的开路结构测试方法
89、一种局部减薄砷化镓太阳电池配方技术
90、一种具有抗辐照结构的高效三结级联砷化镓太阳电池及其制造方法
91、一种应用于氮化镓及砷化镓功率放大器的保护电路
92、倒装砷化镓太阳能电池及其配方技术
93、面向物联网的砷化镓基具有热电转换功能的MESFET器件
94、一种砷化镓衬底的表面处理方法
95、用于制备砷化镓衬底的方法、砷化镓衬底及其用途
96、用于砷化镓抛光的磁流变抛光液及其配方技术
97、一种降低砷化镓双抛片整体平整度的粗抛工艺
98、砷化镓晶体和砷化镓晶体基板
99、台面式砷化镓掺硅阻挡杂质带太赫兹探测器及其制作方法
100、砷化镓激光器腔面及钝化方法、砷化镓激光器及配方技术
101、一种砷化镓废料分离回收装置及方法
102、一种半绝缘砷化镓多晶掺碳的配方技术及装置
103、一种砷化镓晶圆的光刻工艺
104、水平法砷化镓单晶拉制过程中的放肩方法
105、砷化镓多晶合成装置
106、砷化镓太阳能电池及其配方技术
107、面向物联网的具有热电转换功能的砷化镓基HEMT器件
108、一种砷化镓低倍聚光太阳能电池
109、一种将砷化镓外延层转移至有机柔性衬底的方法
110、一种LED用砷化镓衬底减薄工艺中的贴片方法
111、一种砷化镓聚光太阳能发电站热能利用系统
112、砷化镓太阳能电池阵列的电路设计
113、一种三结砷化镓太阳电池钝化方法及配方技术
114、一种石墨烯/砷化镓太阳电池
115、一种砷化镓基异质结遂穿场效应晶体管
116、一种砷化镓单晶片清洗的方法
117、一种砷化镓-硅多结高效太阳电池的配方技术
118、一种砷化镓基高电压黄绿光发光二极管芯片及其制作方法
119、砷化镓光导开关的引线连接结构以及引线焊接工艺
120、一种硅基砷化镓复合衬底的配方技术
121、三结砷化镓太阳电池测试用的太阳模拟器光学系统
122、一种基于聚焦离子束诱导的有序砷化镓量子点的配方技术
123、一种在室温环境下向砷化镓材料引入杂质的方法
124、一种砷化镓光导开关的配方技术
125、一种提高砷化镓太阳能电池光电转换效率方法
126、砷化镓晶圆用除氧托盘
127、一种降低HB砷化镓单晶头部位错密度的方法
128、一种自对准砷化镓PMOS器件的制作方法
129、一种砷化镓半导体基片湿法刻蚀工艺
130、一种石墨烯/砷化镓太阳电池的配方技术
131、从砷化镓芯片生产废料中制备砷的硫化物的方法
132、从含油砷化镓泥浆中回收镓的方法
133、一种锗基砷化镓多结柔性薄膜太阳电池及其配方技术
134、一种正向失配四结级联砷化镓太阳电池及其配方技术
135、一种电感耦合等离子体干法刻蚀砷化镓背孔工艺
136、一种砷化镓基MOSFET栅介质的配方技术
137、一种砷化镓衬底的化学抛光方法
138、一种石墨烯/砷化镓太阳电池的配方技术
139、一种石墨烯/砷化镓太阳电池
140、一种使用砷化镓晶片制作三代像增强器的方法
141、等离子体液滴外延砷化镓量子点太阳电池及其制造方法
142、砷化镓衬底材料配方技术
143、一种砷化镓基底低亮度黄光发光二极管芯片及其制作方法
144、一种砷化镓量子点增强的红外探测器及其配方技术
145、一种砷化镓晶片打印激光标识的方法
146、一种砷化镓表面形貌控制方法
147、一种控制砷化镓纳米微结构尺寸的方法
148、一种基于砷化镓器件的MIM电容器及其制造工艺
149、钙钛矿和砷化镓异质集成的太阳能电池制造方法及电池
150、一种提高砷化镓光电*极稳定性的激活方法
151、ITO辅助薄型多结砷化镓太阳能电池下电极的配方技术
152、砷化镓基低漏电流双固支梁开关双栅分频器
153、砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法
154、基于砷化镓基低漏电流双悬臂梁开关的或非门
155、砷化镓基低漏电流双悬臂梁开关双栅锁相环电路
156、等电位网络三结砷化镓太阳能电池阵结构及制造方法
157、一种将砷化镓外延层转移至金属柔性衬底的方法
158、一种水平法砷化镓单晶拉制过程中接籽晶的方法
159、一种多梁式引线砷化镓基肖特基倍频二极管
160、一种砷化镓晶片的抛光方法
161、基于砷化镓基低漏电流四悬臂梁开关的RS触发器
162、砷化镓基低漏电流双固支梁开关双栅倍频器
163、一种砷化镓衬底mHEMT有源区电学隔离方法
164、砷化镓太阳能电池制备工艺
165、基于砷化镓基低漏电流双悬臂梁开关或非门的RS触发器
166、室温环境下激励砷化镓中金属原子扩散的方法
167、砷化镓电池的激光加工方法
168、一种砷化镓基双异质结双极晶体管结构及配方技术
169、基于电流衰减的空间三结砷化镓太阳能电池片在轨剩余寿命预测方法
170、砷化镓基低漏电流双悬臂梁开关双栅分频器
171、砷化镓基低漏电流双悬臂梁开关双栅倍频器
172、切割砷化镓初始晶片的方法及制备砷化镓晶片的方法
173、一种键合连接的硅基与砷化镓基的太阳电池
174、一种砷化镓材料表面的改性方法
175、双固支梁开关砷化镓基低漏电流微波相位检测器
176、一种制作砷化镓基HEMT器件背孔的方法
177、多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法
178、一种基于砷化镓单量子阱的太赫兹探测器的实现方法
179、一种砷化镓基半导体器件的制作方法
180、一种高效柔性砷化镓太阳能电池及其配方技术
181、双悬臂梁开关砷化镓基低漏电流微波相位检测器
182、薄膜砷化镓太阳电池衬底复用的衬底保护结构及加工工艺
183、一种砷化镓基晶体管的T型栅的制作方法
184、砷化镓聚光光伏发电系统
185、一种倒装高效柔性砷化镓太阳能电池及其配方技术
186、砷化镓基低漏电流双固支梁开关双栅锁相环电路
187、一种室温环境下激励砷化镓中金属原子扩散的方法
188、一种具有低电子泄漏的砷化镓激光器及其制作方法
189、利用低温防分解籽晶层在砷化镓衬底上生长氮化镓的方法
190、多通道砷化镓光电导开关
191、砷化镓单晶的生长方法
192、砷化镓双模带通滤波器及其配方技术
193、一种多结砷化镓太阳电池一次腐蚀工艺方法
194、一种基于砷化镓工艺的L波段混沌电路及其设计方法
195、砷化镓多晶材料的合成工艺
196、一种砷化镓基外延层剥离转移的方法
197、用于制备砷化镓衬底的方法、砷化镓衬底及其用途
198、砷化镓太阳电池顶电池窗口层纳米圆锥体结构及配方技术
199、砷化镓纳米线阵列及其配方技术
200、一种电场调控的石墨烯/砷化镓太阳电池及其配方技术
201、一种三结砷化镓电池测试用三谱段太阳模拟器装置
202、一种砷化镓基多晶无液封合成装置
203、一种VGF砷化镓单晶生长新工艺
204、一种硅基半绝缘砷化镓衬底的配方技术
205、一种对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的腐蚀液及其配方技术
206、一种砷化镓太阳电池钝化边缘的方法
207、一种具有砷化镓层器件上形成金属触点及其制造方法
208、自供电射频收发组件中砷化镓基热电-光电微传感器
209、降低电子泄漏的砷化镓激光器的制作方法
210、自供电射频收发组件中砷化镓基热电和光电传感器
211、锂离子电池船拖拉的砷化镓薄膜太阳能电池水面漂浮电站
212、一种石墨烯/砷化镓太阳电池及其制造方法
213、一种砷化镓基LED外延片的粗化药水及其配制方法
214、一种基于砷化镓电池组的太阳能发电光能聚焦系统
215、一种芯片的砷化镓衬底的高温蚀刻方法
216、一种抗辐照三结级联砷化镓太阳电池及配方技术
217、具有双层或多层插入层的砷化镓芯片背面金属的结构
218、一种砷化镓表面量子点形核位置的低损伤加工方法
219、可实现余热利用的砷化镓太阳能三级发电装置
220、一种砷化镓多晶合成装置
221、一种单晶砷化镓薄膜制备技术
222、一种多结聚光砷化镓太阳能电池及其配方技术
223、具有共掺杂薄膜的砷化镓基激光二极管
224、一种在砷化镓基片上制备钛酸锶钡介电薄膜的化学方法
225、一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的掺杂工艺及其设备
226、可实现余热利用的砷化镓太阳能二级发电装置
227、一种砷化镓基激光二极管
228、可实现余热利用的砷化镓太阳能发电系统
229、砷化镓量子环红外光电探测器及其制造方法
230、低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的配方技术
231、一种硅基Ⅲ-V族砷化镓半导体材料配方技术和系统
232、基于摩擦诱导选择性刻蚀的砷化镓表面微纳米加工方法
233、采用阶梯斜面反射式聚光的砷化镓太阳能发电装置
234、基于砷化镓太阳能电池的发电、照明及充电系统
235、一种砷化镓多晶无液封合成方法
236、一种基于微型砷化镓光伏电池的聚光组合系统
237、基于砷化镓太阳能电池和风力的发电、照明及充电系统
238、安装在阳台外的家用砷化镓太阳能发电及热水装置
239、一种砷化镓多晶无液封合成装置
240、一种砷化镓多晶合成装置
241、一种柔性硅基砷化镓电池的配方技术
242、硅基砷化镓外延材料及器件制造设备和制造方法
243、一种斜切砷化镓单晶光、热探测器
244、一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的掺杂工艺
245、一种硅基绝缘体上砷化镓衬底结构及其配方技术
246、一种砷化镓基几何巨磁电阻器件及其配方技术
247、同时去除砷化镓晶片生产加工废水中砷和COD的处理方法
248、一种用于液相外延用富镓的砷化镓熔体凝固的方法
249、基于微机械砷化镓基的悬臂梁相位检测器及检测方法
250、基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的配方技术
251、一种砷化镓基光子晶体发光二级管的配方技术
252、形成砷化镓基光伏器件的方法和砷化镓基光伏器件
253、基于微机械砷化镓基固支梁的相位检测器及检测方法
254、一种碲化锌/砷化镓异质外延层的配方技术
255、基于微机械砷化镓基固支梁的频率检测器及检测方法
256、锗基赝砷化镓衬底的配方技术
257、基于微机械砷化镓基的悬臂梁频率检测器及检测方法
258、多通道砷化镓半导体吸收式光纤温度测量系统
259、砷化镓单片微波功放的电应力极限评估方法
260、砷化镓薄膜多结叠层太阳电池的配方技术
261、砷化镓表面化学腐蚀方法和化学腐蚀液
262、砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装方法及其结构
263、制备硅基砷化镓材料的方法
264、制备砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的方法
265、一种砷化镓场效应管温度影响模型的建立方法
266、砷化镓赝配高电子迁移率晶体管
267、一种砷化镓单晶的生长方法
268、一种砷化镓晶片生产加工废水的除砷装置及方法
269、一种制作在金属薄膜的砷化镓高效能太阳能电池及其制作方法
270、具有砷化镓吸收层的高效率太阳能电池装置
271、一种PBN坩埚及利用其进行砷化镓晶体生长的方法
272、一种微型砷化镓太阳能光伏发电组件
273、应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的配方技术
274、砷化镓表面自体氧化物清洗、纯化及淀积Al2O3介质的方法
275、砷化镓晶体生长用石英玻璃管的配方技术
276、砷化镓赝配高电子迁移率晶体管材料的电参数测量方法
277、一种砷化镓光电与光热共生系统
278、一种砷化镓晶体生长用石英坩埚及其配方技术
279、砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管
280、一种延长砷化镓LED寿命的合金方法
281、从砷化镓中提取镓和/或砷
282、一种砷化镓单晶线切割基准面的加工方法
283、超纯本征砷化镓材料的m-i-n二极管太赫兹辐射源及制作方法
284、一种砷化镓多晶铸锭方法
285、砷化镓的处理设备及处理方法
286、锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法
287、一种砷化镓单晶炉电气控制系统
288、砷化镓晶体生长用双料壁石英玻璃管及其配方技术
289、用在薄膜晶体管应用中的砷化镓基材料
290、一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件的制作方法
291、倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法
292、砷化镓晶体生长用双料壁石英坩埚及其配方技术
293、低温下砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装工艺
294、一种砷化镓赝配高电子迁移率晶体管外延材料
295、一种在砷化镓基片上外延生长钛酸锶薄膜的方法
296、新型三结砷化镓太阳电池
297、一种砷化镓晶体残料的直拉再利用方法
298、运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备
299、一种降低砷化镓同位素电池暗电流的方法
300、微波大功率,低限幅电平的砷化镓PIN管限幅器单片电路
301、LED砷化镓衬底基片去蜡清洗剂
302、一种具有吸氧钛盖帽层的砷化镓MOS器件及其配方技术
303、砷化镓衬底改进的快速减薄方法
304、硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法
305、一种砷化镓基多结同位素微电池
306、一种砷化镓多晶尾料的合成利用方法
307、砷化镓单片集成数控实时延迟线电路
308、空间用GaAs/Ge单结砷化镓太阳电池阵
309、GaAs/Ge单结砷化镓太阳电池电阻焊接系统
310、砷化镓或锗单晶生长方法
311、一种空间辐射环境下砷化镓太阳能电池寿命预示方法
312、废弃物砷化镓的镓及砷纯化回收方法
313、一种砷化镓/锑化镓太阳电池的制作方法
314、高斯掺杂的砷化镓肖特基变容二极管及其制作方法
315、对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液
316、一种砷化镓多晶无液封合成方法和装置
317、空间用三结砷化镓太阳电池的下电极去底腐蚀方法
318、一种应用于垂直温度梯度法或垂直布里奇曼法生长砷化镓单晶生长的原料腐蚀设备系统
319、一种用于砷化镓晶片的抛光组合物及其配方技术
320、制备具有低光学吸收系数的掺杂型砷化镓衬底晶片的方法
321、砷化镓PIN二极管的非线性等效电路及其应用
322、一种砷化镓基单片光电子集成接收机前端结构及制作方法
323、一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解装置
324、生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法
325、多结砷化镓太阳电池
326、一种提高砷化镓单晶利用率的生长方法
327、一种砷化镓晶片抛光后的清洗方法
328、一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解方法
329、在本征砷化镓表面77k以下实现欧姆接触的方法
330、制造低腐蚀坑密度半绝缘砷化镓晶片的方法及其产品
331、采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法
332、在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法
333、一种由砷化镓和锑化镓覆盖层调制的砷化铟量子点材料及其生长方法
334、一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解装置
335、聚光多结砷化镓太阳电池的制造方法
336、一种发红光的掺氧砷化镓多晶薄膜的配方技术
337、砷化镓单晶衬底及制造砷化镓单晶的方法
338、砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构
339、一种半绝缘砷化镓晶片双面抛光方法
340、高速砷化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料
341、砷化镓/铝镓砷红外量子阱材料峰值响应波长的检测方法
342、一种制备p型砷化镓欧姆接触的方法
343、砷化镓晶片的激光加工方法
344、单片集成砷化镓基MHEMT和PIN二极管材料结构
345、一种砷化镓PIN二极管及其制作方法
346、砷化镓/砷化铝分布布拉格反射镜的湿法腐蚀方法
347、一种砷化镓单片微波集成电路功率放大器热沉的制作方法
348、一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法
349、一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法
350、宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法
351、砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法
352、一种用于砷化镓晶片的精抛液
353、一种砷化镓单片微波集成电路的可靠性评估方法
354、一种用于砷化镓晶片的抛光液及其配方技术
355、一种水平掺铬半绝缘砷化镓晶体的生长设备
356、水平三温区梯度凝固法生长砷化镓单晶的方法
357、砷化镓/氧化铝型可调谐滤波器及制作方法
358、提高氧化铝/砷化镓分布布拉格反射镜界面质量的方法
359、砷化镓/空气型可调谐滤波器及制作方法
360、砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法
361、长波长砷化铟/砷化镓量子点材料
362、内圆切片机切割水平砷化镓单晶片的工艺
363、采用砷化镓基含磷材料的紫外增强光电探测器及制作方法
364、砷化镓基增强/耗尽型膺配高电子迁移率晶体管材料
365、砷化镓基1
366、砷化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法
367、砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法
368、砷化镓基增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管栅制作工艺
369、砷化镓/锑化镓迭层聚光太阳电池的制作方法
370、砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构
371、离子注入砷化镓吸收镜
372、纳米氧化铈的配方技术及其在砷化镓晶片化学机械抛光中的用途
373、从砷化镓工业废料中回收镓和砷的方法
374、适用于高速砷化镓基器件欧姆接触的金属合金系统
375、一种从砷化镓工业废料中综合回收镓和砷的方法
376、砷化镓单晶的生长方法
377、低温生长砷化镓式半导体可饱和吸收镜
378、一种砷化镓晶片清洗方法
379、大尺寸砷化镓单晶结构的缺陷检测方法
380、磷化铟和砷化镓材料的直接键合方法
381、改进砷化镓晶片表面质量的方法
382、6英寸半绝缘砷化镓中EL2浓度的测量方法
383、添加硅的砷化镓单结晶基板
384、性能提高的砷化镓异质结双极晶体管及其制造方法
385、对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液
386、一种无损检测磷化铟与砷化镓基材料直接键合质量的方法
387、磁力运动远望图形砷化镓半导体激光近视弱视治疗仪
388、氮化砷化镓铟系异质场效应晶体管及其制造方法和使用它的发送接收装置
389、一种砷化镓基半导体-氧化物绝缘衬底及其配方技术
390、一种无液封合成砷化镓多晶材料的工艺方法
391、一种低开启电压砷化镓基异质结双极晶体管
392、可调谐能量和脉冲频率的运动图形砷化镓激光弱视矫治仪
393、中浓度P型掺杂透射式砷化镓光*极材料及其配方技术
394、自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法
395、高线性度砷化镓霍尔器件的制备工艺
396、一种用于砷化镓单晶生长光学测径的方法
397、砷化镓基复合收集区弹道传输异质结双极晶体管
398、谐振腔增强的n型砷化镓远红外探测器的反射镜
399、用于塑封的砷化镓芯片钝化方法
400、非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法
401、砷化镓单晶衬底及使用该衬底的外延晶片
402、砷化镓、磷化镓衬底干处理方法
403、砷化镓表面清洁方法
404、一种砷化铟、砷化镓的化学还原配方技术
405、砷化镓表面钝化膜的自体生长方法
406、砷化镓表面钝化保护膜的配方技术
407、砷化镓场效应管沟道温度测试装置
408、砷化镓场效应晶体管沟道温度测试方法
409、砷化镓衬底上的混合并质外延
410、砷化镓/磷化铟异质气相外延技术
411、多层外延砷化镓的双源法和装置
 
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