1 一种非晶硅薄膜PECVD法配方技术
简介：本技术提供了一种非晶硅薄膜PECVD法配方技术，包括：S1基板预处理、S2薄膜的制备；所述S1基板预处理：以SiO2石英玻片为基板，先用清洁剂反复擦洗，然后依次用去离子水、丙酮和无水乙醇各超声波清洗20min，最后用普通氮气吹干；所述S2薄膜的制备：将基板分别放入PECVD4000型等离子体增强化学气相沉积设备的n室、i室、p室内进行薄膜制备，且电极间距为16.5mm，本底真空度为4x104Pa，衬底温度为200℃，射频功率为50W，反应气压为90~125Pa，气体总流量为28~60mL/min，反应时间为40min；本技术通过对非晶硅薄膜PECVD法配方技术的改进，具有设计合理，生成薄膜的致密性较好，缺陷较少，薄膜材料导电性能好，非晶硅层质量高的优点，从而有效的解决了本技术提出的问题和不足。
2 非晶硅薄膜成膜方法
简介：本技术提供了一种非晶硅薄膜成膜方法，在非晶硅薄膜成膜之前，先淀积一层采用低淀积速率形成的一层等离子增强氧化膜层，然后再淀积非晶硅薄膜层，此方法形成的非晶硅薄膜表面粗糙度低，平整度好，大幅改善非晶硅成膜质量。
3 一种钐铁钴磷非晶薄膜及其配方技术
简介：本技术提供了一种钐铁钴磷非晶薄膜，包含的元素为Sm、Fe、Co、P，其中各个元素的重量百分数的比值为Sm：Fe：Co：P＝x：y：z：a，5.0≤x≤35.0，55.0≤y≤80.0，0≤z≤30.0，0.1≤a≤2.0，x+y+z+a＝100。本技术还提供了一种钐铁钴磷非晶薄膜的配方技术，包括：(1)电极片活化处理；(2)电化学共沉积；(3)薄膜清洗。本技术能够实现Sm、Fe、Co三种元素的可控共沉积，薄膜元素分布均匀，而且本技术配方技术制得的非晶薄膜的饱和磁化强度较高，达到137emu/g。
4 一种用于制备掺杂非晶硅薄膜的气源
简介：本技术提供了一种用于制备掺杂非晶硅薄膜的气源，所述气源是灌装储存在防XX容器里的掺杂气体与惰性气体的混合气体，在使用PVD方法掺杂非晶硅镀膜过程中，防XX容器中的混合气体流经减压阀、气体流量计，以固定流量导入镀膜腔体中进行镀膜使用；其中，掺杂气体的体积浓度为1‑15％，而磷烷或硼烷经稀释后其浓度大大降低，可有效解决纯磷烷、纯硼烷等剧毒、易燃的掺杂剂在运输、装卸、储存和使用上的安全风险问题，且掺杂过程中无其它杂质气体进入非晶硅薄膜，且工厂无需专门配备用于纯硅烷或硼烷存储及使用的特种设备，工厂相应的安全设施投入降低。
5 一种沉积掺杂非晶硅薄膜无绕镀的方法和装置
简介：本技术提供了一种沉积掺杂非晶硅薄膜无绕镀的方法和装置，包括如下步骤：S1.将硅片平躺放置在采用中空设计且仅与硅片四周边缘位置接触的载板上并输送至工艺腔内；S2.对工艺腔进行抽真空；S3.从底部向工艺腔内通入工艺气体，通过位于硅片上侧面的加热装置对硅片进行加热，并通过位于硅片下侧的电极放电激发工艺气体以在电极和硅片之间形成含有等离子体的反应区域，从下往上在硅片表面沉积薄膜。本技术通过将硅片平躺放置在采用中空设计并对硅片四周边缘位置起到支撑作用及包裹遮盖的载板上，在工艺腔内采用从下到上沉积薄膜的方式，由此解决沉积镀膜过程中硅片侧面甚至是非沉积面的绕镀问题。
6 一种非晶铟铝锡氧化物半导体薄膜的配方技术
简介：本技术涉及一种非晶铟铝锡氧化物半导体薄膜的配方技术，包括：(1)清洗衬底；(2)使用射频磁控溅射法以IATO陶瓷靶作为靶材，在衬底上沉积非晶IATO薄膜；IATO陶瓷靶中In原子所占原子比为10％‑70％，Al原子所占原子比为10％‑50％，Sn原子所占原子比为10％‑50％；(3)在空气中对非晶IATO薄膜进行热退火处理，即得。本技术通过探索和优化制备及热退火工艺参数，制备的非晶铟铝锡氧化物薄膜具有非晶结构，薄膜的表面平整、粗糙度低，具备高的可见光透过率和宽的带隙，同时表现出极高的霍尔迁移率、较低的电阻率以及合适的载流子浓度，在薄膜晶体管等器件领域具备了广阔的应用前景。
7 一种P型非晶态半导体薄膜及其薄膜晶体管配方技术
简介：本技术涉及一种P型非晶态半导体薄膜及其薄膜晶体管配方技术，属于半导体技术领域。该方法包括以下步骤：S1：以碘化亚铜CuI溶解于浓度大于20％的浓氨水，而四碘化锡SnI4溶解于乙醇或异丙醇，分别形成对应的前驱体溶液；然后将两种不同前驱体溶液按不同体积比混合成需要的Cu和Sn摩尔比的CuSnIx前驱体溶液；S2：将不同体积比的CuSnIx前驱体溶液通过旋涂或打印方式涂覆于基板上，然后通过加热、光照等退火方式形成需要的摩尔比CuSnIx半导体薄膜。解决溶液法制备P型半导体薄膜及其器件，实现低成本制备。解决目前P型半导体薄膜为多晶态问题，实现大面积制备均匀非晶态半导体薄膜的问题。
8 一种氟化非晶碳薄膜及其配方技术和应用
简介：本技术提供了一种氟化非晶碳薄膜及其配方技术和应用，属于薄膜材料技术领域。氟化非晶碳薄膜由基底层和沉积在其表面的氟化非晶碳薄膜组成。制备包括：将基底层清洗，干燥；打磨聚四氟乙烯靶和石墨靶，并清洗；将预处理后的基底层和靶材放入镀膜室，抽本底真空，通入惰性气体进行预溅射；分别用射频和直流溅射，在基底层表面共溅射，得到氟化非晶碳薄膜。本技术的氟化非晶碳薄膜，通过化学组分和微结构的变化调控薄膜的微观形貌和带隙宽度，从而影响内二次电子出射时的散射强度，以降低薄膜的二次电子发射系数，且具有配方技术简单、实用性好可重复性强、薄膜成分高度可控等优点，在高压绝缘材料领域具有潜在的应用前景。
9 基于光电镊设备的非晶硅光电层薄膜配方技术
简介：本技术提供了一种基于光电镊设备的非晶硅光电层薄膜配方技术，通过对ITO基片的超声清洗和等离子处理，提高了非晶硅光电层与基底的结合力；磁控溅射制备的薄膜使薄膜表面均匀性高；最后的氮气保护退火处理，有效的降低了光电层的缺陷消除了薄膜的残余应力，且表面形成保护层避免使用中被氧化。本技术的光电层薄膜配方技术，简化了工艺流程，提高了薄膜质量，提高了控制的安全性，降低了成本，从而使含有光电层芯片的光电镊系统可以大规模推广应用到实际细胞测试等试验中，有很强的产业化前景。
10 以CuAg合金为缓冲层的可室温制备的非晶态透明导电复合薄膜及其配方技术和应用
简介：本技术提供了一种以CuAg合金为缓冲层的可室温制备的非晶态透明导电复合薄膜及其配方技术和应用，属于透明导电薄膜技术领域。本技术在室温下以CuAg非晶合金为缓冲层制备透明导电复合薄膜，采用非晶态合金作为源材料制备复合结构透明导电薄膜，对于降低透明导电薄膜的制备难度，提高工艺兼容性有着重要的实用价值。本技术在室温条件下制备了具有优良光电性能的HfO2/CuAg/HfO2三层膜结构，不仅在一定程度上节约了因高温制备条件而带来的能源浪费，制备工艺简单并且光电性能优良，在可见光区透过率高达77.4％，在近红外光区的反射率高达73.5％，同时具有低的方块电阻9.6Ω/□。
11 一种硫代钼酸铵复合多孔非晶碳超滑薄膜的配方技术
12 基于非晶硅薄膜的光突触器件及配方技术和工作方法
13 一种制备强韧化非晶碳基多相杂化薄膜的装置及方法
14 一种顶栅结构非晶氧化物薄膜晶体管及其配方技术
15 Fe70Nb10B20非晶合金薄膜的表面改性方法
16 一种富勒烯/非晶碳氢复合薄膜的制备及在真空低温环境中的应用
17 一种以非晶氧化硅薄膜为本征钝化层的异质结太阳电池
18 一种以氢化非晶氮氧化硅薄膜为钝化层的异质结太阳电池
19 多元复合非晶碳基薄膜及其配方技术与应用
20 一种特定非晶态结构钛酸钡薄膜材料及其配方技术
21 一种多晶或非晶基底上制备原子层热电堆薄膜的方法
22 基于水合羟基氧化铁的非晶硅薄膜光电极及其配方技术
23 一种AlN非晶薄膜及其配方技术
24 基于非晶(GaLu)2O3薄膜的日盲紫外光探测器
25 聚醚醚酮表面防护用非晶碳基薄膜及其配方技术与应用
26 一种非晶钨基高熵合金薄膜材料及配方技术
27 改善掺杂非晶硅薄膜方块电阻面内均一性的方法
28 PECVD淀积非晶硅薄膜的方法及其应用
29 非晶氧化钌薄膜包覆泡沫镍复合电极及其配方技术和应用
30 一种非晶纳米线与多孔薄膜的原位可操控键合方法
31 一种大面积连续超薄二维Ga2O3非晶薄膜的配方技术与应用
32 一种铜锆铝三元非晶合金薄膜及其配方技术
33 一种可户外使用的非晶光子晶体结构色薄膜及其配方技术
34 非晶铟镓氧化锌薄膜晶体管及其制造方法
35 一种磁控溅射制备非晶金属钒薄膜的方法
36 一种能够防止银变色的非晶体薄膜及其配方技术与应用
37 基于非晶氧化镓薄膜的日盲紫外探测器及其配方技术
38 一种ICP-CVD制备非晶碳薄膜的沉积方法
39 非晶铟镓氧化锌薄膜晶体管及其制造方法
40 非晶性的薄膜用共聚聚酯原料、热收缩性聚酯系薄膜、热收缩性标签和包装体
41 一种低日照非晶硅薄膜太阳能电池窗口层的配方技术
42 一种基于BexZn1-xO非晶薄膜的柔性深紫外光电探测器及其配方技术
43 一种管式PECVD设备制备非晶硅薄膜的方法
44 一种非晶氧化物薄膜器件及其配方技术
45 用于制备非晶薄膜的方法
46 一种高熵非晶薄膜及配方技术和应用
47 基于(GaY)2O3非晶薄膜的高增益日盲紫外光探测器及其配方技术
48 一种非晶硅薄膜的沉积方法及沉积设备
49 一种人造非晶翡翠薄膜的配方技术
50 非晶硅薄膜晶体管及其制作方法
51 一种氮掺非晶氧化物薄膜晶体管及其配方技术
52 非晶金属薄膜晶体管
53 一种基于纳米压入技术的非晶薄膜塑性变形表征方法
54 一种基于非晶衬底的氮化物薄膜结构及其配方技术
55 一种金属掺杂非晶碳薄膜材料、其配方技术与应用
56 基于非晶铟镓锌薄膜的柔性薄膜晶体管及其制造方法
57 非晶薄膜后氢化处理方法及硅异质结太阳电池配方技术
58 一种基于非晶氧化镓基薄膜晶体管的深紫外光电探测器
59 一种测量非晶薄膜相变的系统及测量非晶薄膜相变的方法
60 一种非晶火成岩陶瓷基纳米金刚石薄膜拉拔模具配方技术
61 一种用于制造非晶硅薄膜的磨边装置
62 一种用于制造非晶硅薄膜的贴膜装置
63 一种非晶硅薄膜电池尾气处理装置
64 一种用于制造非晶硅薄膜的二次激光装置
65 一种非晶硅薄膜生产用尾气处理净化装置
66 一种用于制造非晶硅薄膜的激光装置
67 高介电常数栅极氧化物非晶IGZO薄膜晶体管的配方技术
68 一种高性能多元非晶金属氧化物薄膜晶体管的配方技术
69 一种光电性能优异的多元非晶金属氧化物半导体薄膜的配方技术
70 一种铁掺杂的非晶态碳薄膜及其配方技术
71 氢化非晶硅薄膜配方技术
72 制备非晶硅薄膜的方法
73 一种硅基非晶氧化镓薄膜日盲光电晶体管及其制造方法
74 非晶薄膜/高熵合金复合材料及其配方技术
75 一种背沟道刻蚀型非晶氧化物薄膜晶体管及其配方技术
76 一种FeSe基非晶薄膜催化剂及其配方技术与应用
77 氢化非晶硅光学薄膜配方技术
78 基于非晶氮化物薄膜的宽谱光电探测器件及其配方技术
79 非晶钴镍基硫族化合物薄膜及其配方技术和应用
80 超疏水耐腐蚀SiO2-Ni纳米晶-非晶碳复合薄膜的配方技术
81 钼掺杂非晶三氧化钨电致变色薄膜及其电化学沉积方法和应用
82 一种非晶薄膜器件及其配方技术和应用
83 一种在多晶或非晶衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法
84 一种I-V族共掺杂非晶氧化物半导体薄膜与薄膜晶体管
85 一种二维非晶氧化物半导体与薄膜晶体管及其配方技术
86 一种多元非晶氧化物半导体薄膜及其薄膜晶体管
87 一种含有II族元素的非晶氧化物半导体薄膜与薄膜晶体管
88 一种柔性衬底n型非晶氧化物半导体薄膜晶体管及其配方技术
89 一种非晶金属VI族化合物半导体薄膜与薄膜晶体管
90 一种非晶ZnMgSnO薄膜与薄膜晶体管及其配方技术
91 一种全透明柔性非晶氧化物半导体薄膜晶体管及其配方技术
92 碳纳米线阵列镶嵌在非晶碳薄膜中的碳纳米线/非晶碳复合膜及其制备
93 一种新型自动化非晶硅薄膜电池设备
94 一种非晶硅薄膜锂电池
95 一种非晶硅薄膜锂电池刻蚀装置
96 一种非晶硅薄膜电池设备
97 基于非晶氧化镓薄膜的日盲紫外光电探测器及其配方技术
98 一种金属薄膜/非晶合金截面透射样品配方技术
99 一种非晶硅薄膜电池尾气处理装置
100 一种增设电极修饰层的非晶硅薄膜电池
101 一种带有介质层的肖特基结构的非晶硅薄膜电池
102 一种制备塑性提高的非晶/非晶纳米多层薄膜的方法
103 一种提高非晶金属薄膜材料抗晶化能力的结构及其配方技术
104 一种提高太阳能电池光电转化效率的非晶硅薄膜
105 一种在非晶态SiO2 衬底上生长GaN薄膜的方法
106 一种改进型非晶硅薄膜电池设备
107 一种非晶硅薄膜电池设备
108 一种新型非晶硅薄膜电池设备
109 斜坡状非晶硅薄膜成膜方法
110 非晶质氧化物半导体膜、氧化物烧结体以及薄膜晶体管
111 一种基于异质叠层非晶薄膜的平面锗硅及相关纳米线生长方法
112 纳米级厚度的非晶碳基薄膜作为红外吸收材料的应用及非晶碳基薄膜的配方技术
113 一种非晶钛酸锶薄膜器件及其配方技术
114 一种激光处理非晶氧化物薄膜晶体管的配方技术
115 一种非晶氧化钨薄膜的配方技术
116 非晶硅薄膜成膜方法
117 沉积非晶态无机金属氧化物的薄膜作为用于哺乳动物细胞培养的选择性基底以及作为植入物涂层
118 非晶透明导电氧化物薄膜的配方技术
119 非晶硅薄膜电池组件全封闭传输装置
120 一种非晶硅薄膜太阳能电池组件用的转运箱
121 一种非晶硅薄膜太阳能电池组件
122 一种非晶氧化物柔性薄膜晶体管及其配方技术
123 一种非晶碳CZTS‑Ag复合双层薄膜的配方技术及其应用
124 一种颜色可调的非晶合金彩色薄膜及其配方技术
125 一种非晶态-纳米晶复合结构的石墨烯掺杂透明导电氧化物薄膜及其配方技术
126 一种基于异质叠层非晶薄膜供给的平面锗硅及相关纳米线生长形貌和组分调控的方法
127 一种非晶薄膜器件以及制作方法
128 非晶硅薄膜成膜方法
129 一种非晶碳薄膜/单晶硅异质结太阳能电池及其配方技术
130 非晶硅薄膜太阳能电池的反向电压修复系统及方法
131 一种非晶氧化物薄膜晶体管及其配方技术
132 微点阵高分子聚合物/非晶合金薄膜复合材料及其配方技术
133 PECVD淀积非晶硅薄膜的方法
134 一种非晶钴基磁性薄膜的间歇式直流磁控溅射配方技术
135 一种非晶态薄膜纳米硅电极材料制备及在锂离子电池中应用
136 一种在非晶基带表面制备双轴织构NaCl薄膜的方法
137 利用非晶锗薄膜实现低温Si-Si键合的方法
138 一种甲胺铅碘/可调带隙非晶硅锗叠层薄膜电池组装技术
139 一种非晶硅薄膜光伏组件
140 非晶质透明导电性薄膜、以及晶质透明导电性薄膜和其制造方法
141 含氢非晶碳薄膜及其配方技术
142 一种铁掺杂含氢非晶碳薄膜及其配方技术
143 一种非晶合金薄膜及其配方技术和一种高强度液态金属手机机身及其配方技术
144 一种p型NiMSnO非晶氧化物半导体薄膜及其配方技术
145 一种p型LaMSnO非晶氧化物半导体薄膜及其配方技术
146 一种p型ZnMSnO非晶氧化物半导体薄膜及其配方技术
147 一种p型ZnRhMO非晶氧化物半导体薄膜及其配方技术
148 一种p型CuMInO非晶氧化物半导体薄膜及其配方技术
149 一种p型CuNSnO非晶氧化物半导体薄膜及其配方技术
150 一种p型ZnAlSnO非晶氧化物半导体薄膜及其配方技术
151 一种p型CuNiSnO非晶氧化物半导体薄膜及其配方技术
152 一种p型CrMCuO非晶氧化物半导体薄膜及其配方技术
153 一种p型ZnGeSnO非晶氧化物半导体薄膜及其配方技术
154 一种p型CuMSnO非晶氧化物半导体薄膜及其配方技术
155 一种p型CaMSnO非晶氧化物半导体薄膜及其配方技术
156 共形且间隙填充非晶硅薄膜的沉积
157 飞秒激光刻蚀增强非晶硅薄膜太阳能电池性能的方法
158 非晶金属薄膜非线性电阻器
159 一种弱光型非晶硅薄膜太阳能电池及其制造工艺
160 一种非晶态-纳米晶复合结构的铟锡铌镓氧化物电致变色薄膜及其配方技术
161 一种新型非晶氧化物薄膜晶体管的高效退火方法
162 基于非晶硅薄膜的异质结太阳能电池器件的配方技术
163 非晶硅薄膜太阳能电池及其制造方法
164 一种在硅表面制备非晶碳氮薄膜的装置及方法
165 一种双槽电解制备纳米晶/非晶金属多层薄膜增塑的方法
166 大气环境下超滑纳米晶-非晶碳薄膜的配方技术
167 非晶薄膜形成方法
168 非晶薄膜形成方法
169 一种柔性全透明非晶氧化物薄膜晶体管及其配方技术
170 非晶氧化铟锡薄膜的配方技术
171 一种利用低温化学气相沉积技术制备非晶碳薄膜的方法
172 一种基于发光技术的非晶半导体SiO2薄膜电子迁移率的测量方法
173 多炭非晶薄膜在耐高压绝缘材料中的应用
174 一种基于非晶态锰酸镧薄膜的交叉杆结构忆阻器及其配方技术
175 一种基于非晶态LaMnO3薄膜的阻变存储器及其配方技术
176 一种基于非晶态SiC薄膜的低功耗忆阻器及其配方技术
177 一种基于非晶氧化物半导体材料的薄膜晶体管及其配方技术
178 一种电化学制备非晶单质硒薄膜的方法
179 一种连续型非晶硅薄膜处理系统及方法
180 非晶和纳米氮化物复合薄膜、其形成方法和电子装置
181 一种非晶碳薄膜材料的低温配方技术
182 一种具有纳米结构的非晶氧化物半导体薄膜及其配方技术
183 一种H2处理的非晶IGZO透明氧化物薄膜及其配方技术
184 一种N2处理的非晶IGZO透明氧化物薄膜及其配方技术
185 一种金属掺杂非晶碳薄膜温度传感元件及其配方技术
186 一种Cu?Ag非晶合金薄膜及其配方技术
187 基于非晶材料的高性能薄膜压力传感器
188 一种Cu‑Ti非晶合金薄膜及其配方技术
189 一种非晶态/晶态三氧化钨核壳结构电致变色薄膜及其配方技术
190 测量非晶硅薄膜带隙缺陷态密度的装置
191 一种含有V6O13晶体的非晶氧化钒薄膜材料和配方技术
192 一种调控非晶硅薄膜光学带隙的方法
193 非晶硅薄膜电子传输层结构的钙钛矿电池及其配方技术
194 一种聚光型非晶硅透明薄膜电池和三五族薄膜电池发电系统
195 一种非晶ZnSnO薄膜晶体管型紫外探测器及其配方技术
196 一种非晶硅透明薄膜太阳能电池板的新型排布结构
197 一种非晶纳米多孔二氧化钛负载石墨烯光催化薄膜的配方技术
198 一种非晶硅薄膜及一种半导体器件的制造方法
199 多片沉积PECVD非晶硅薄膜反应盒的电极板及非晶硅薄膜沉积方法
200 一种柔性非晶硅薄膜太阳电池的配方技术
201 一种非晶透明PETG共聚酯功能薄膜及其配方技术
202 具有非晶二氧化硅中间过渡层的金刚石薄膜的配方技术
203 一种非晶硅薄膜太阳能电池及制造方法
204 非晶硅薄膜太阳电池的配方技术及非晶硅薄膜太阳电池
205 低气氛敏感性掺杂非晶碳基薄膜及其配方技术
206 非晶硅沟道层、薄膜晶体管及沟道层的形成方法
207 一种非晶态光学薄膜微区应力的测量方法
208 具有渐变锗组分本征层的非晶硅薄膜太阳电池及其配方技术
209 一种非晶YAlO薄膜及其在柔性金属基带上的配方技术
210 掺氧非晶硅锗薄膜、异质结晶体硅太阳能电池及配方技术
211 非晶硅锗薄膜太阳电池顶电池P型层的配方技术及用途
212 基于减反结构和导模谐振的薄膜非晶硅太阳能电池
213 一种非晶半导体薄膜及其配方技术和应用
214 一种防腐耐磨铁基非晶薄膜及其配方技术
215 在钛合金材料表面制备耐磨非晶碳氮双层薄膜的方法
216 一种晶体硅/非晶硅薄膜叠层太阳能电池
217 一种具有双层界面带隙缓冲层的非晶硅锗薄膜太阳能电池
218 一种非晶氧化物薄膜晶体管沟道层及其配方技术
219 一种非晶氧化物半导体薄膜及其配方技术和应用
220 锂离子电池船拖拉的非晶硅薄膜太阳能电池水面漂浮电站
221 晶圆边缘非晶碳薄膜清除装置及方法
222 准分子激光辅助醋酸镍溶液金属诱导晶化非晶硅薄膜的方法
223 用作薄膜晶体管沟道层的非晶氧化物薄膜及其配方技术
224 一种应用于非晶Si太阳能电池的ZnO：Al绒面薄膜
225 用于太阳能电池的非晶硅薄膜陷光结构配方技术
226 一种基于激光诱导晶化的非晶硅薄膜太阳能电池器件的配方技术
227 一种非晶硅薄膜的低频噪声测试方法
228 制备非晶态透明氧化锌薄膜的方法
229 一种非晶硅纳米线微晶硅薄膜双结太阳能电池
230 一种铝/铁掺杂非晶碳膜/铝纳米薄膜记忆电阻存储器件及其配方技术
231 一种具有柱状分立结构的非晶硅薄膜的配方技术
232 微型非晶硅薄膜太阳能电池片的生产方法
233 氧化锌基非晶氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法
234 一种非晶态氮化镓或氮化铟薄膜晶体管及其配方技术
235 通过磁控溅射在锆表面镀锆铜镍三元非晶合金薄膜的方法
236 一种薄膜太阳能电池的非晶硅锗制备
237 一种自支撑类石墨多孔非晶碳薄膜的配方技术
238 一种同时制备石墨烯和多孔非晶碳薄膜的方法
239 一种非晶氧化锌基薄膜晶体管及其配方技术
240 一种采用低温退火制备非晶NiW合金薄膜的方法
241 一种制备P型掺杂非晶硅碳薄膜的装置
242 一种P型掺杂非晶硅薄膜的配方技术及装置
243 非晶硅薄膜太阳能电池及其配方技术
244 非晶金属薄膜非线性电阻器
245 用于监测非晶硅薄膜的结晶的方法和系统
246 掺氧氢化非晶硅薄膜高效钝化晶硅异质结太阳能电池用硅片的方法
247 非晶质含氟树脂组合物和薄膜的制造方法
248 一种非晶基B-C-Mg三元薄膜及其配方技术
249 高K二氧化铪非晶薄膜的配方技术
250 一种非晶C-N薄膜电催化剂的配方技术
251 非晶硅薄膜太阳能电池及其制造方法
252 制备非晶态透明氧化锌薄膜的方法
253 一种低硼掺杂下高电导率氢化非晶硅薄膜的配方技术
254 铝在低温下诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法
255 一种非晶金属氧化物薄膜晶体管及其配方技术
256 一种光子晶体非晶硅薄膜太阳电池
257 利用铋离子注入非晶硅基功能薄膜实现硅基材料近红外光发射的方法
258 一种在非晶硅薄膜表面形成织构化微晶银的方法
259 非晶硅与多晶硅薄膜界面钝化及制备SPA结构HIT电池的方法
260 用作薄膜晶体管沟道层的非晶氧化物薄膜及其配方技术
261 多循环快速热退火辅助金属诱导晶化非晶硅薄膜的方法
262 干法刻蚀两步法铝诱导非晶硅晶化薄膜的方法
263 一种薄膜晶体管、非晶硅平板探测基板及配方技术
264 一种制备非晶态透明氧化锌薄膜的方法
265 一种提高非晶硅薄膜电导率的方法
266 一种非晶态碳化硅薄膜的配方技术及其薄膜晶体管
267 一种p型透明导电氧化物及其掺杂非晶薄膜的配方技术
268 一种可调制带隙宽度的Fe-Si-Al系三元非晶薄膜及其配方技术
269 一种可调制带隙宽度的Fe-Cr-Si系三元非晶薄膜及其配方技术
270 一种非晶硅薄膜的低温快速晶化方法
271 一种可变带隙的Fe-B-Si三元半导体非晶薄膜及其配方技术
272 非晶形薄膜的形成装置
273 非晶硅光学薄膜折射率调节方法
274 一种制备非晶硅/非晶锗硅叠层太阳能电池薄膜的装置
275 具有纳米结构的超润滑非晶碳薄膜的配方技术
276 基于利用线性电子束使大面积非晶硅薄膜结晶化的方法的多晶硅薄膜太阳能电池的制造方法
277 非晶硅薄膜太阳能电池及其制作方法
278 非晶硅薄膜太阳能电池及其制作方法
279 非晶硅薄膜太阳能电池及其制作方法
280 非晶合金条带上采用恒电压脱合金法制备掺杂Pd的纳米多孔二氧化钛薄膜的方法
281 多循环快速热退火非晶硅薄膜的方法
282 一种非晶钙铜钛氧陶瓷/聚酰亚胺复合薄膜及其配方技术
283 一种压铸铝合金表面耐蚀性银基非晶薄膜及其制备工艺
284 非晶氧化物半导体薄膜晶体管制造方法
285 一种ZrCuNiAlSi金属非晶薄膜材料的配方技术
286 一种制备非晶/纳米晶多层结构薄膜的方法
287 可伸展、无溶剂、完全非晶形固体电解质薄膜
288 用于非晶硅薄膜均匀镀膜的沉积夹具
289 非晶氧化锌镁/碳纳米管复合薄膜晶体管及其配方技术
290 高介电栅介质镧钛氧非晶薄膜的配方技术
291 非晶氧化镧薄膜的配方技术
292 一种非晶硅薄膜太阳能电池低功率芯片分析处理方法
293 一种锡－非晶镍钛复合薄膜负极材料及其配方技术与应用
294 一种非晶硅薄膜－Ｐ型晶体硅叠层太阳电池及制造工艺
295 金属点阵诱导非晶硅薄膜晶化的方法
296 一种制备大面积高质量非晶碳薄膜的方法
297 一种用金属铜在低温下诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法
298 两步退火辅助氯化镍诱导晶化非晶硅薄膜的方法
299 非晶碳基薄膜与金属基体间梯度过渡层的配方技术
300 同时具有上下转光的高透非晶氟化物薄膜及其配方技术
301 非晶质氧化物薄膜的制造方法及薄膜晶体管
302 非晶硅薄膜太阳能电池ＰＥＣＶＤ基片装载箱清洁系统及清洁方法
303 一种非晶硅薄膜电池尾气处理装置
304 非晶硅薄膜光电光热组件
305 具p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板及配方技术
306 一种制备ｎｉｐ结构非晶硅薄膜太阳能电池的方法
307 一种用箱体式ＰＥＣＶＤ设备制备非晶硅锗薄膜电池的方法
308 无损、快速、准确表征四面体非晶碳薄膜键态结构的方法
309 非晶硅薄膜组件及双玻太阳能电池的密封结构
310 非晶硅薄膜中间带材料及其配方技术
311 非晶铟镓锌氧化物薄膜的原子层淀积配方技术
312 一种用于全光器件的Ge-Sb-Se非晶薄膜的配方技术
313 非晶氧化物半导体薄膜晶体管制造方法
314 薄膜非晶硅－Ｎ型晶体硅异质结叠层太阳能电池
315 一种多层非晶透明导电薄膜
316 用于提升小片非晶硅薄膜太阳能电池组件使用寿命的选材及其封装技术
317 增设电极修饰层的非晶硅薄膜电池及制作方法
318 非晶氧化铟锌/氧化铟纳米晶同质复合薄膜晶体管及其配方技术
319 超低摩擦硅铝二元掺杂非晶碳薄膜的配方技术
320 一种带有介质层的肖特基结构的非晶硅薄膜电池及制作方法
321 非晶氧化铟锌/碳纳米管复合薄膜晶体管及其配方技术
322 非晶硅锗薄膜太阳电池
323 非晶硅薄膜太阳能电池的制造方法
324 一种非晶硅薄膜太阳电池组件的配方技术
325 一种大磁电阻效应Fe-Ti-O非晶态薄膜的配方技术
326 一种全光谱吸收增强的氢化非晶硅薄膜太阳能电池
327 利用甲烷制作高效率非晶硅薄膜太阳能电池
328 可有效提升非晶硅薄膜太阳能电池发电效率的新型制程
329 取代非晶硅薄膜太阳电池的背反射层金属氧化物
330 高效率双结氢化与氦化非晶硅薄膜太阳能电池
331 一种非晶薄膜晶体管及其配方技术
332 微晶非晶硅复合型薄膜晶体管及其制造方法
333 一种用于制备非晶薄膜的电弧离子镀冷却装置及其应用
334 一种非晶氧化物薄膜及其配方技术
335 非晶金属表面钛锆固溶体微／纳米薄膜及其配方技术
336 利用氯化铝升华诱导晶化非晶硅薄膜的方法
337 非晶态钨薄膜的配方技术
338 用锡诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法
339 多晶硅薄膜及用非晶硅低温诱导制备多晶硅薄膜的方法
340 一种提高非晶硅薄膜电池弱光响应的方法
341 一种非晶氧化物薄膜晶体管及其制作方法、显示面板
342 一种非晶硅薄膜太阳能电池缓冲层的配方技术
343 具有ｎ层保护窗口层的非晶硅薄膜太阳能电池的配方技术
344 使非晶硅层结晶的方法、薄膜晶体管及其制造方法
345 表面沉积非晶碳薄膜降低石墨电极消耗的方法
346 聚光型非晶硅透明薄膜电池和三五族薄膜电池发电系统
347 非晶硅玻璃薄膜电池平板太阳能光伏集热器
348 非晶硅薄膜太阳能电池
349 新型非晶硅薄膜电池组件及其制造方法
350 非晶硅热敏薄膜及非制冷非晶硅微测辐射热计的配方技术
351 高热稳定性铜－难熔金属非晶薄膜及其配方技术
352 低温制备碳化硅非晶薄膜及外延薄膜的方法
353 一种提高产业化单室沉积非晶硅基薄膜电池效率的方法
354 一种低阻高ＴＣＲ非晶硅薄膜电阻及其配方技术
355 非晶硅薄膜的晶化及多晶硅薄膜的制造方法和装置
356 低温形成非晶态透明氧化物薄膜的方法
357 基于激光刻蚀晶化光学薄膜层的非晶硅薄膜太阳能电池的制备工艺
358 一种非晶硅薄膜可控同质外延生长的方法
359 一种太阳能电池生产中非晶硅薄膜的沉积方法
360 一种用于透射电镜研究的非晶态薄膜样品配方技术
361 一种石墨烯与非晶碳复合薄膜的配方技术
362 一种镁合金表面改性沉积非晶碳薄膜的方法
363 一种低温高速沉积氢化非晶硅太阳能电池薄膜的方法
364 一种低温高速沉积氢化非晶氮化硅薄膜的方法
365 非晶态碲化镉薄膜的磁控溅射生长法
366 等离子体处理装置及使用其的非晶硅薄膜的制造方法
367 一种非晶硅薄膜太阳电池膜系和薄膜太阳电池以及薄膜太阳电池的制造方法
368 一种增强非晶硅薄膜光吸收的方法
369 一种太阳能电池生产中非晶硅薄膜的沉积方法
370 一种合成负载铂粒子的非晶态镍钴合金纳米薄膜的方法
371 非晶硅薄膜太阳能电池绝缘边清洗装置
372 用醋酸镍溶液诱导晶化非晶硅薄膜的方法
373 在硅片基板上沉积光致发光氢化非晶碳化硅薄膜的方法
374 一种非晶硅薄膜太阳能电池及配方技术
375 柔性非晶硅薄膜太阳能电池及其配方技术
376 一种非晶镧镥氧化物阻变薄膜及其配方技术和应用
377 非晶氧化物半导体和使用其的薄膜晶体管
378 非晶氧化物半导体和使用其的薄膜晶体管
379 一种制备非晶碳化硅薄膜的方法
380 一种含钛非晶碳高硬耐磨薄膜
381 一种制备非晶硅薄膜的方法
382 溅射靶及非晶光学薄膜
383 一种非晶硅薄膜太阳电池的制造工艺
384 一种组分可调非晶InAsxSb1-x薄膜材料的配方技术
385 一种制备化学计量比非晶GaAs薄膜材料的方法
386 一种钝化非晶InGaAs薄膜材料的方法
387 磁控共溅射制备高热稳定性无氢非晶碳化锗薄膜的方法
388 非晶铟锡氧化物薄膜及其在制备阻变存储元件中的应用
389 一种以聚对苯二甲酸乙二酯塑料为衬底非晶硅薄膜太阳电池的配方技术
390 提高太阳电池用非晶氢化碳氮化硅薄膜钝化性能的热处理方法
391 非晶硅/染料敏化叠层薄膜太阳电池及其配方技术
392 可透光非晶硅薄膜太阳电池模块及其制造方法
393 一种实时监测非晶硅薄膜金属诱导晶化的方法
394 制备非晶硅薄膜的连续式等离子体增强化学气相淀积反应室
395 一种柔性非晶硅薄膜太阳电池的配方技术
396 一种纳米晶／非晶硅两相薄膜太阳电池的配方技术
397 非晶硅薄膜太阳能电池刻蚀偏差的修正方法
398 提高非晶硅薄膜太阳能电池开路电压的方法
399 双腔交替式非晶硅光伏薄膜化学气相沉积设备
400 非晶掺钨二氧化锡透明导电氧化物薄膜及其配方技术
401 非晶氧化物半导体、半导体器件和薄膜晶体管
402 氧化锌类的非晶质薄膜用溅射靶材及其制造方法
403 可见-红外波段吸收的非晶薄膜太阳能电池
404 具有非晶硅多结构层薄膜的太阳能电池
405 非晶绝缘体膜和薄膜晶体管
406 非晶硅薄膜太阳能电池激光刻划系统及刻划方法
407 用于建筑的非晶硅薄膜太阳能电池组件及其加工方法
408 室温下光致发光非晶铌氧化物薄膜及其热处理技术
409 非晶铌金属氧化物薄膜及其热氧化蒸镀技术
410 一种室温条件下沉积非晶硫化锌薄膜的方法
411 一种非晶态固体薄膜材料Ag*****Ge*Se*和配方技术及其应用
412 使用非晶氧化物半导体膜的薄膜晶体管的制造方法
413 基于非晶固体电解质薄膜(AgI)*(AgPO*)***及其配方技术
414 近红外高透射率非晶透明导电氧化物薄膜及其配方技术
415 制备非晶及纳米微晶薄膜的基片低温冷却装置
416 制备非晶氢硅薄膜的方法及装置
417 具有基于碳化硅的非晶硅薄膜晶体管的堆叠非易失性存储器及其制造方法
418 非晶锗薄膜的光伏应用
419 再次沉积的非晶硅薄膜
420 氢化非晶硅薄膜太阳电池及其配方技术
421 基于薄膜硅的多结光伏器件的纳米晶硅和非晶锗混合型吸收层
422 非晶硅薄膜的处理方法
423 非晶硅碳薄膜核电池
424 非晶硅薄膜光伏模块的分流缺陷的钝化方法
425 以掺硼非晶金刚石薄膜为窗口层的a-Si:H太阳电池及配方技术
426 低碳钢上电沉积Ni-W-P非晶态薄膜的方法
427 掺磷非晶金刚石薄膜电极及其配方技术
428 非晶氧化锌薄膜晶体管及其制造方法
429 利用电子回旋共振沉积非晶硅薄膜
430 非晶硅薄膜晶体管及具有该晶体管的有机发光显示器件
431 一种制备铝/氢化非晶硅碳合金双层复合薄膜的方法
432 一种在玻璃基板上沉积氢化非晶硅碳合金薄膜的方法
433 基于非晶FeCuNbCrSiB薄膜的螺线管微电感器件
434 基于非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的螺线管微电感器件的制作方法
435 基于非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的螺线管微电感器件
436 非晶FeCuNbCrSiB薄膜螺线管微电感器件的制作方法
437 薄膜声表面波器件的非晶金刚石增频衬底的配方技术
438 薄膜电晶体制造方法及将非晶层转成复晶层或单晶层方法
439 有机非晶质薄膜形成用墨水
440 具有双栅极结构的非晶硅薄膜晶体管及其制造方法
441 非晶态高掺杂Co*Ti*-*O*铁磁性半导体薄膜的配方技术
442 一种非晶透明导电氧化物薄膜的配方技术
443 非晶形氧化物和薄膜晶体管
444 后续表面氟化处理的非晶碳薄膜疏水材料的配方技术
445 使用非晶硅薄膜晶体管的高稳定性位移电路
446 非晶电介质薄膜及其制造方法
447 具有集成非晶硅薄膜晶体管驱动列的液晶显示装置
448 薄膜晶体管用非晶硅的结晶方法
449 用于将激光束辐照到非晶硅薄膜上的装置
450 有机电激发光的非晶硅薄膜电晶体的制造方法
451 改性红外探测材料-非晶SiGe薄膜的配方技术
452 非晶硅薄膜晶体管液晶显示器及其制造方法
453 在非晶体材料上磁控溅射锗晶体薄膜的方法
454 一种生长非晶态硅的方法及所得的非晶态硅薄膜
455 用于非晶态硅和形成的薄膜的化学气相沉积法
456 以金属钛为界面层的非晶金刚石薄膜多层材料、配方技术及其用途
457 复原非晶硅薄膜晶体管器件阈值电压漂移的装置
458 非晶硅/铁电陶瓷复合薄膜及其应用
459 钴铁镍铌硅硼非晶软磁薄膜的制造方法
460 成膜装置及其用它生产非晶硅化合物薄膜的方法
461 非晶态合金薄膜
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,完整内容都包括具体的配方配比和生产工艺制作过程。收费260元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
