1、一种高温埋碳碳热还原制备高纯β型-碳化硅微纳粉体的方法
[简介]：本技术提供了一种高温埋碳碳热还原制备高纯β型?碳化硅微纳粉体的方法。硅粉与可膨胀石墨按比例进行配料、混合均匀，获得混合原料；将混合原料通过坩埚以及由石墨纸、耐火棉、石墨粉组成的覆盖层埋碳封装；将埋碳后物料坩埚放入高温烧结炉中，高温发生碳热还原反应；待物料完全冷却后，将坩埚取出，去除覆盖层后得到碳化硅粉体，将碳化硅粉体放入马弗炉中在氧气氛围中高温煅烧；以球磨等方式进行分散；碳化硅粉体经酸洗、水洗后得到β型?碳化硅微纳粉体。本技术采用高温埋碳碳热还原方式制备的β型?碳化硅微纳粉体为微纳米级，一级粉体提纯细化后产率高，且工艺简单、成本低，适宜大规模工业化生产。
2、应用于半导体领域中的超高纯碳化硅粉制备技术
[简介]：本技术提供了一种应用于半导体领域中超高纯碳化硅粉制备技术，通过选择正确分子结构、元素组成的碳硅类聚合物、纯度、液体固化方式、造粒技术及控制配制、制备、固化和热裂解等过程中的污染物，控制微量污染元素如Al、Fe、B、P、Pt、Ca、Mg、Li、Na、Ni、V、Ti、Ce、Cr、S和As等杂质总含量低于10ppm，从而制备出具有5个9、6个9或更高纯度的半导体级碳化硅粉体的生产技术，并且所制备的碳化硅高纯粉能够满足碳化硅衬底晶圆片、碳化硅石墨外延基座上涂层及合成钻石莫桑石晶体生长所要求的纯度、粒径、密度、形貌等要求。
3、一种高纯碳化硅颗粒的反应装置及配方技术
[简介]：本技术涉及一种高纯碳化硅颗粒的反应装置及配方技术，将高纯度的硅烷和乙炔作为原料气体，采用冷等离子体与加热的方法在惰性气氛中合成高纯度的碳化硅颗粒。由气相法合成的碳化硅颗粒避免了其他杂质的引入，保证了碳化硅颗粒的高纯度，同时冷等离子体法利用电子碰撞制备碳化硅颗粒，大大降低了碳化硅颗粒的合成温度，减少了制备成本，为高纯碳化硅颗粒的工业化生产提供了新的方向。
4、一种高纯半绝缘碳化硅粉料的配方技术
[简介]：本技术提供了一种高纯半绝缘碳化硅粉料的配方技术，将高纯硅粉及高纯碳粉放入热场内进行两个阶段的高温反应，热场内设置了一种可拆卸的卡槽式石墨内置薄坩埚，为了提高石墨坩埚使用寿命以及方便于拆卸。本技术工序简单，制备出的碳化硅粉料纯度高，且颗粒度大小可控。
5、一种高纯碳化硅原料的合成方法
[简介]：一种高纯碳化硅原料的合成方法，它属于碳化硅原料的合成方法。本技术要解决的技术问题为提高碳化硅原料的合成纯度。本技术用第一石墨件将石墨坩埚底部分成两个物料区，将硅粉、碳粉分别加入第一物料区、第二物料区中，然后再用第二石墨件密封第一物料区、第二物料区，将第一螺旋孔道的一端连接第二石墨件上的对应于第一物料区的通孔，第一螺旋孔道的另一端插入带孔石墨板，将第二螺旋孔道的一端连接第二石墨件上的对应于第二物料区的通孔，第二螺旋孔道的另一端插入带孔石墨板，旋紧石墨坩埚盖，得到装配好的坩埚，将装配好的坩埚放入中频感应加热炉中进行合成反应。本技术合成的高纯碳化硅原料的纯度为99.9999％。
6、一种生长高纯碳化硅单晶的方法及装置
[简介]：本技术提供了一种生长高纯碳化硅单晶的装置，包括：依次连接构成循环的单晶炉体、净化系统和循环系统；净化系统包括：溶剂吸附器；溶剂吸附器包括：水气吸附机构、氧气吸附机构和/或氮气吸附机构；循环系统能够使单晶炉体与净化系统进行气体交换。有益效果在于：在晶体生长之前，通过该装置，能够快速且有效的去除生长气氛中的氮、氧、水分等成分，从而制备出了氮含量低的高纯SiC单晶体，提高了碳化硅晶体生长过程中环境气氛的纯度，从而解决了晶体电阻率不稳等问题。与现有技术相比，具有装置结构简单、晶体生长环境稳定性高和晶体成品纯度高的特点。本技术还提供了一种应用于上述生长高纯碳化硅单晶的装置的方法。
7、一种低氮高纯碳化硅粉料合成的方法
[简介]：本技术提供了一种低氮高纯碳化硅粉料合成的方法，涉及碳化硅合成技术领域；具体是将原料粉体装在有排气孔的坩埚内，将坩埚置于炉中，将炉腔抽真空后升温；之后向炉腔中注入高纯H2至750?850mbar，然后抽真空至4.5×10?6?5.5×10?6mbar；重复多次后将炉腔升温并将高纯Ar与H2以流量比9?10.5:1注入炉腔，进行合成反应和转化合成反应，结束后在Ar与H2的保护下降温至室温；本技术可有效降低粉料合成过程中的氮浓度，提升粉料纯度；有效避免混合原料在粉料合成过程中逸出坩埚，提升粉料的反应效率。
8、一种碳化硅单晶生长用高纯碳化硅粉体的配方技术
[简介]：本技术涉及一种碳化硅单晶生长用高纯碳化硅粉体的配方技术，其以CH4作为气相碳源，高纯度的SiO2粉体为固相硅源。在真空下，重新注入气相碳源，碳源均匀分布在固体硅源当中；避免了不必要的污染，提高了碳化硅纯度。而且利用气相／固相的合成SiC粉料，气相原料的杂质并不会留在SiC成品料中。过量的Ｃ源参于合成，可以确保所有Si源的转换，多余的Ｃ都是来自CH4，本身不存在杂质，同时在干静与高温条件下，通O2气体氧化残留的C成气体CO2，就可轻易的把C从粉体中分离出来。而且原料易取得，且成本相对低。所以，本技术制备成本低，且制备得到的碳化硅粉体纯度高。
9、大直径高纯半绝缘碳化硅生长工艺方法
[简介]：本技术提供了一种大直径高纯半绝缘碳化硅生长工艺方法，步骤为：（1）生长备料准备，完成籽晶、原料、热场的装配；（2）开始工艺生长，完成除杂、升温、生长、降温、停炉工艺。本技术方法通过氢气的引入、坩埚内结构设计、优化的籽晶选取、加热结构组合设计以及优化的工艺参数等技术手段，使获得高纯碳化硅单晶易操作，实现技术指标高、原料利用率高，成本低的半绝缘单晶制备。
10、用于高纯碳化硅粉料的一种预制料处理方法
[简介]：本技术涉及一种用于碳化硅粉料合成的预制料处理方法，包括：配料工序、料块预备、装配工序、混料工序、取料及保存工序。本专利技术和现有技术相比，其实质性特点和进步有两方面：1.运用高纯碳化硅晶锭的切割块作为磨料球，有效搅拌用于碳化硅粉料合成的原料，提高混料效率和均匀性。对于较大尺寸的原料，随磨料球数量的调整，可起到一定的破碎作用。2.对预制硅源和碳源进行按一定的配料时，引入扩散性较强的气体（如乙醇、氦气、氮气、氢气等），以利用气体填充度调整合成过程中所需的氮含量。
11、一种高纯度超薄碳化硅衬底配方技术
12、一种用于单晶生长的高纯碳化硅粉体配方技术
13、一种高纯高致密碳化硅陶瓷及其制造方法
14、硅晶圆切割用高纯碳化硅微粉及其制备装置、方法
15、一种高纯碳化硅粉配方技术
16、一种基于高纯半绝缘碳化硅衬底制备周期性pn结石墨烯的方法
17、一种高纯碳化硅晶体电阻率的检测方法和装置
18、高质量高纯半绝缘碳化硅单晶、衬底及其配方技术
19、一种高纯碳化硅粉料及其配方技术、反应器
20、一种高纯碳化硅、碳化硅晶圆及其配方技术
21、一种高纯碳化硅材料的配方技术
22、一种高纯石墨坩埚及高质量碳化硅单晶配方技术
23、深度去除高纯碳化硅粉体中杂质元素的方法
24、一种高纯碳化硅多晶粉源前驱体的配方技术
25、一种利用粉石英加工碳化硅重结晶烧结高纯陶瓷磨料的方法
26、一种高纯碳化硅粉及其配方技术
27、一种高纯半绝缘碳化硅单晶及其高效配方技术和应用
28、一种高纯度碳化硅制品的配方技术
29、一种高纯碳化硅粉料品质的评价方法
30、一种高密高纯碳化硅制品的配方技术
31、高纯碳纤维增强碳化硅复合材料及其配方技术
32、一种从晶体硅切割废料中回收高纯硅和碳化硅的方法
33、一种高纯碳化硅粉及其配方技术
34、一种用碳化硅切割晶体硅废砂浆制备高纯硅的方法
35、一种高纯碳化硅单晶的生长方法
36、一种提升高纯碳化硅粉料合成效率的方法
37、用于制备高纯超细粉体的高强度高圆球度碳化硅研磨珠
38、由碳化硅长晶剩料制备高纯碳材料的方法
39、一种高致密度高纯度碳化硅衬底材料的配方技术
40、ITO板状靶材高温烧结用高纯度重结晶碳化硅陶瓷的生产方法
41、一种高纯半绝缘碳化硅晶体生长装置及其方法
42、一种高纯碳化硅单晶衬底
43、一种单晶高纯度碳化硅及其配方技术
44、一种大尺寸高纯碳化硅单晶、单晶衬底及其配方技术
45、一种利用火焰作为热源的高纯碳化硅粉体的配方技术
46、一种高纯碳化硅粉及其配方技术
47、一种制备高纯碳化硅粉料的方法
48、一种高纯碳化硅的制备装置和方法
49、一种高纯碳化硅粉料的配方技术
50、一种高效率制备高纯半绝缘碳化硅单晶生长装置及方法
51、一种高纯半绝缘碳化硅衬底的配方技术
52、一种高纯碳化硅原料的合成方法及其应用
53、用于生长高纯半绝缘碳化硅晶体的坩埚
54、一种高纯半绝缘碳化硅单晶的配方技术
55、一种高纯度碳化硅和硅的回收方法
56、高纯度碳化硅陶瓷制造方法和陶瓷基材
57、一种碳化硅微粉的高效高纯度回收方法
58、半导体用高纯碳化硅微粉的提纯方法
59、高圆形度高纯度碳化硅超细粉体材料
60、一种从晶硅切割废砂浆中提取高纯度碳化硅的方法
61、气相沉积装置以及使用高纯度聚合物衍生的碳化硅的技术
62、一种低温低成本高纯碳化硅超细微粒的配方技术
63、一种稳定PVT法生长4H高纯碳化硅单晶晶型的原料处理方法
64、一种生长高纯半绝缘碳化硅单晶的方法及装置
65、一种快速生长大尺寸高纯半绝缘碳化硅单晶的方法
66、无掺杂元素的高纯半绝缘碳化硅晶体生长装置
67、一种高纯度碳化硅微粉的配方技术
68、一种高纯高密重结晶碳化硅器件及其配方技术
69、高纯度聚硅氧碳衍生的碳化硅材料、应用和过程
70、一种高纯碳化硅粉料制备的方法
71、一种利用多晶硅块和鳞片石墨制备高纯碳化硅粉的方法
72、一种高纯、铝掺杂碳化硅粉及其合成方法
73、用于形成用在流化床反应器中的碳化硅的高纯度硅
74、一种高纯度大尺寸碳化硅单晶及其制备工艺
75、用于合成超高纯度碳化硅的方法
76、一种高纯度碳化硅的配方技术
77、一种高纯亚纳米碳化硅微粉的生产方法
78、一种高纯度氧化硅/碳化硅纳米链状异质结构的配方技术
79、公斤级高纯碳化硅粉的配方技术
80、一种高纯碳化硅回收浮选剂
81、一种高纯线状碳化硅粉及其配方技术
82、100毫米的高纯半绝缘单晶碳化硅晶片
83、一种高纯度纳米碳化硅纤维的配方技术
84、高纯碳化硅粉体的高温固相合成方法
85、碳化硅晶体生长用高纯碳化硅原料的固相合成方法
86、一种高纯碳化硅原料的配方技术
87、用于碳化硅单晶生长的高纯碳化硅原料的合成方法
88、一种高纯度石墨/碳化硅复合介孔纤维材料的配方技术
89、从硅料线切割废砂浆中回收碳化硅、高纯硅和分散液的方法
90、高纯度绿碳化硅微粉的配方技术
91、一种以四氟化硅为原料生产高纯碳化硅和氟化氢的方法
92、100毫米的高纯半绝缘单晶碳化硅晶片
93、一种高纯亚纳米碳化硅微粉的提纯方法
94、线切割用高纯超细碳化硅微粉水力溢流分级专用分散剂及其制备和使用方法
95、一种高纯半绝缘碳化硅体单晶的生长装置
96、一种高纯碳化硅微粉的回收提纯和分级方法
97、高纯碳化硅的生产工艺
98、高纯度碳化硅微粉的生产方法
99、一种高纯超细碳化硅粉体的湿化学连续式合成方法
100、一种制备高纯半绝缘碳化硅晶体的方法
101、纳米碳化硅助剂烧结高纯碳化硅蜂窝陶瓷体的制造方法
102、通过煅烧由碳水化合物和硅氧化物制备高纯度碳化硅的方法
103、用于半导体单晶生长的高纯碳化硅粉的人工合成方法
104、一种高纯超细碳化硅微粉回收提纯分级技术
105、纳米碳化硅助剂烧结高纯碳化硅蜂窝陶瓷体的制造方法
106、100毫米的高纯半绝缘单晶碳化硅晶片
107、在含氢环境中超高纯碳化硅晶体的生长
108、以高纯固态碳素材料为主经渗硅制备高纯碳化硅烧结体的方法及组合物
109、在高纯碳化硅晶体中产生半绝缘电阻率的方法
110、硅化的碳化硅基复合材料及其配方技术和用途
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,内容都包括具体的配方配比生产制作过程，收费260元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
