1、一种用于碳化硅单晶生长的籽晶背部镀膜的装置与方法
[简介]：一种用于碳化硅单晶生长的籽晶背部镀膜的装置与方法，它涉及籽晶处理的装置与方法。它是要解决现有的籽晶在SiC晶体生长过程中容易出现平面六方空洞缺陷的技术问题。该装置包括炉体、石墨坩埚、石墨支架、感应线圈、真空泵、测温仪和鼓泡器；石墨坩埚上、下开口放在炉体的下法兰上；石墨支架放置在石墨坩埚内。镀膜方法：将碳化硅籽晶片的Si面朝下放在石墨支架上，再覆盖石墨片；将炉体内抽真空后再充入氮气；升温使石墨坩埚的温度达到1200～1800℃；再通入四氯化钛和氢气进行反应，在碳化硅籽晶片的Si面上得到TiN薄膜。本技术无需进行大的设备改造，仅对现有的长晶炉进行改进，即可批量的进行籽晶镀膜，可用于镀膜领域。
2、一种单晶硅生长炉用籽晶夹持器
[简介]：本技术涉及硅制造设备技术领域，且提供了一种单晶硅生长炉用籽晶夹持器，包括钢丝绳。该单晶硅生长炉用籽晶夹持器，通过将重锤分为内重锤与外重锤两部分，籽晶与滑孔、阶梯孔配合，籽晶的底部与阶梯孔的下端配合，在钢丝绳带动旋转时，内重锤与外重锤的转速不同，被外重锤支撑的籽晶，在外重锤的带动下旋转，当籽晶的同轴度与外重锤不配合时，籽晶的上端旋转晃动幅度大，即籽晶的上端在旋转过程中，可以推动锁紧板移动，并在弹簧作用下回位，锁紧板的移动能够将空气通过单向阀一压到滑套外端，推动滑套移动，使得气压不断增加，锁紧板对籽晶的旋转不断限位，直至将籽晶上部分夹紧，当温度传导过来后，夹紧力更大。
3、籽晶法生长单晶叶片工程化应用的籽晶制备工艺
[简介]：本技术涉及籽晶法生长单晶叶片工程化应用的籽晶制备工艺，属于高温合金精密铸造技术领域。所述方法包括以下步骤，包括S1，原材料的选取：采用单晶高温合金；S2，籽晶试棒的制备：S21,将步骤S1中的单晶高温合金使用选晶法得到大直径的单晶试棒，再使用单晶试棒切割制备得到目标取向籽晶；S22,将步骤S21中的目标取向籽晶与蜡模试棒组合在一起，通过定向凝固得到籽晶试棒；S23，将步骤S22中的籽晶试棒进行热处理，然后对其宏观腐蚀和单晶完整性检验得到籽晶试棒；S3，籽晶的切割制备。有益效果：操作简单，制造方便；只需检测籽晶试棒取向两次；切割一次，且切割设备简单，精度高，极大提升切割效率，满足批量生产需要。
4、一种长籽晶KDP类晶体的偏置式快速生长方法
[简介]：一种长籽晶KDP类晶体的偏置式快速生长方法，将长籽晶置于远离载晶架底部托盘上表面中心的位置，使长籽晶在生长过程中绕载晶架旋转轴在生长槽中周期性正反交替旋转，所述的长籽晶的中心纵轴与所述的载晶架的旋转轴不重合。由于长籽晶放置在远离载晶架底部托盘上表面中心的位置，在随载晶架底部托盘上表面正反转动的过程中，长籽晶的每个面都具有比较高的圆周运动线速度，而且长籽晶的运动范围很大，有利于长籽晶接触较大范围内的新鲜溶液，提高晶体生长初期的溶质供应能力。本技术有利于改善长籽晶KDP类晶体生长初期长籽晶附近的流场状态，显著降低晶体生长初期白纹缺陷的产生几率，提高快速生长KDP类晶体的成功率和晶体元件的切割效率。
5、用于含裂纹籽晶的MPCVD单晶金刚石的生长方法
[简介]：用于含裂纹籽晶的MPCVD单晶金刚石的生长方法，本技术目的是为了解决MPCVD单晶金刚石同质外延生长方法中含裂纹籽晶生长易碎裂问题。生长方法：一、在正交偏振光下单晶金刚石籽晶裂纹影响区域呈现黑色；二、采用激光切割去除裂纹影响区域，形成矩形缺口；三、清洗籽晶；四、将清洗过的籽晶放置于管式炉中退火处理；五、将退火后的籽晶放置于MPCVD设备中，控制舱内气压、微波功率和籽晶温度，通入甲烷和氮气使单晶金刚石横向生长并填充矩形缺口；六、进行MPCVD单晶金刚石的垂直外延生长。本技术能够对缺口侧面进行有效处理并促进横向生长，使得含裂纹籽晶也能够被用于高品质单晶生长，减少了籽晶的浪费并降低了生产成本。
6、一种提高碳化硅单晶生长籽晶托致密性的方法
[简介]：本技术提出一种提高碳化硅单晶生长籽晶托致密性的方法，属于碳化硅单晶生长籽晶技术领域；具体步骤包括：在籽晶托表面反复涂刷有机物薄膜，直至籽晶托不再吸收有机物薄膜为止；将涂刷有机物薄膜后的籽晶托放入真空退火炉中进行高温碳化处理，之后将经过高温碳化处理的籽晶托粘结碳化硅籽晶；本技术在籽晶托表面通过涂刷高碳含量有机物薄膜制备焦连碳，可以有效提高籽晶托的致密性，减少籽晶背部升华，防止空洞、微管等缺陷的产生。
7、一种纳米复合钇钡铜氧超导块材生长过程中阻止顶部籽晶移动的方法
[简介]：本技术提供了一种纳米复合钇钡铜氧超导块材生长过程中阻止顶部籽晶移动的方法。通过在模具的垫片上粘贴一小块粗糙塑料圆片，压块后可得到带有顶部圆坑的固相块，而且圆坑具有粗糙的底面，可有效阻止其内薄膜籽晶的移动。该操作非常简单，但能有效解决薄膜籽晶在热处理过程中移动的问题，降低了实验的不可控性，提高了稳定性和成品率。本技术可推广到Nd、Sm、Gd等其他系列超导块材的制备工艺中，也可推广到传统熔化生长方法中。
8、一种用于低位错密度CdS单晶生长的籽晶处理方法
[简介]：本技术涉及一种用于低位错密度CdS单晶生长的籽晶处理方法，将装有CdS籽晶的籽晶架、5～20g CdS粉和石英封帽从石英管的B端依次装入石英管内，进行抽真空、充高纯氩气、封结处理，然后将石英管装入双温区退火炉中进行加热，随着石英管内温度升高到设定温度，CdS粉挥发出的CdS气氛充满整个石英管腔内，再加上氩气的保护，CdS籽晶表面挥发量极少，同时CdS籽晶处于低温区，CdS气氛会在CdS籽晶表面的微裂纹处进行凝结生长，逐步将裂纹填充，实现CdS籽晶表面的微裂纹修复，有效降低了CdS籽晶片的位错密度。
9、一种利用PVT法在SiC籽晶上异质生长AlN的方法
[简介]：本技术公布了一种利用物理气相输运法在SiC籽晶上异质生长AlN的方法，设计包含蒸气饱和微腔的坩埚结构，微腔内部可抽真空和充气；在AlN生长初期，通过采用蒸气饱和微腔抑制初期SiC的正向分解升华并实现AlN的生长，通过留有微弱气孔的粘接剂覆盖抑制初期SiC的侧向升华，AlN多晶隔离片逐渐背升华并沉积在SiC表面；多晶隔离片升华消失后，AlN源粉处升华得到的Al原子输运至生长表面；在AlN多晶隔离片和AlN粘接剂升华之后，在SiC籽晶上的AlN层覆盖，SiC侧面的AlN粘接剂升华离开坩埚区域，使得SiC侧向升华分解，SiC籽晶层逐步消失，由此得到无SiC的AlN籽晶。采用本技术方法可制得单晶率高、杂质含量低的无裂纹的AlN籽晶。
10、利用单籽晶桥式结构诱导生长REBCO超导块材的方法
[简介]：本技术提供一种利用单籽晶桥式结构诱导生长REBCO超导块材的方法，包括以下步骤：配制RE123和RE211纯相粉末，按照RE123+30mol％RE211+1wt％CeO2的组分配料，充分碾磨混合均匀，得到前驱粉料；根据模具直径不同，将所述粉料称取合适质量，放入模具，压制成圆柱形状的籽晶桥1个、缓冲层2～3个和前驱体1个；将籽晶、籽晶桥、缓冲层、前驱体从上至下依次放置；所述籽晶、所述籽晶桥、所述缓冲层构成单籽晶桥式结构；其中，所述籽晶放置在所述籽晶桥的上表面中心，所述籽晶桥搭设在所述缓冲层上方，所述缓冲层沿所述籽晶[110]晶向排列成一列；将所述放置好的前驱体连同和所述单籽晶桥式结构置于生长炉中进行顶部籽晶熔融织构生长，以实现(110)∥(110)取向诱导生长REBCO超导块材。
11、一种籽晶杆抖动检测装置的检测方法及晶体生长方法
12、一种多根籽晶棒连续生长氧化镓单晶的生产方法及装置
13、DKDP晶体长籽晶二维运动生长方法
14、一种利用ALD生长籽晶层的高结晶AlN薄膜配方技术
15、一种籽晶上置改进型热交换法生长高温氧化物晶体装置及方法
16、一种无籽晶诱导的熔融法生长REBCO高温超导准单晶的方法
17、一种采用预处理籽晶生长碳化硅晶体的方法
18、一种籽晶杆抖动检测装置的检测方法及晶体生长方法
19、籽晶偏角导模法生长（100）晶面β相氧化镓单晶的方法
20、一种籽晶诱导、自助熔剂生长CdTe晶体的方法
21、一种用于泡生法生长蓝宝石单晶的异形籽晶结构及其生长方法
22、籽晶生长的工艺方法
23、一种多坩埚生长闪烁晶体籽晶的方法
24、一种生长金刚石厚膜的籽晶及其配方技术与应用
25、一种PVT生长SiC单晶籽晶粘接盘及粘接方法
26、一种用于氮化铝晶体生长的籽晶高温粘接设备及方法
27、单晶金刚石外延生长方法、单晶金刚石及其片状籽晶
28、一种非粘接籽晶式钽坩埚及生长晶体的方法
29、一种生长蓝宝石单晶的锥形籽晶结构
30、用于晶体生长的籽晶提升和旋转系统
31、固定籽晶的装置、生长装置及晶体快速生长的方法
32、半导体级单晶硅生长炉籽晶旋转提拉装置
33、非粘接籽晶氮化铝晶体生长装置与氮化铝晶体配方技术
34、一种氮化铝晶体生长所用的大尺寸复合籽晶及其配方技术
35、一种便于籽晶移植的籽晶生长装置
36、一种用于氮化铝单晶生长籽晶背部镀膜的方法
37、一种无籽晶碳化硅晶体生长的方法
38、一种大尺寸碳化硅晶体生长用籽晶
39、碳化硅籽晶生长表面的图形化处理方法和装置及形成的碳化硅籽晶
40、用于AlN单晶生长的复合籽晶及其配方技术
41、一种碳化硅单晶生长中的籽晶固定装置
42、一种低应力碳化硅单晶的籽晶安装装置及晶体生长工艺
43、一种籽晶托及碳化硅单晶生长方法
44、一种CVD单晶金刚石籽晶和生长层的分离方法
45、一种基于籽晶替换方案的导膜法蓝宝石晶体生长炉
46、一种KDP类长籽晶单锥晶体生长的载晶架
47、一种用于氮化铝单晶生长的籽晶粘接方法
48、一种用于单晶硅生长炉的籽晶夹持提拉装置
49、一种碳化硅籽晶加工用的生长装置
50、一种MPCVD生长金刚石过程中防止籽晶漂移的方法及生长方法
51、一种多次籽晶可替换的导膜法蓝宝石晶体生长炉
52、KDP类晶体长籽晶单锥生长方法
53、晶体生长用籽晶下置式装置
54、一种籽晶生长装置
55、一种异质高熔点弧形籽晶生长稀土离子掺杂晶体的模具及生长方法
56、一种携带备用籽晶的蓝宝石晶体生长炉及其引晶方法
57、一种生长碳化硅单晶的籽晶片固定装置及其使用方法
58、用于氮化铝单晶生长的复合籽晶及其配方技术
59、单晶4H-SiC生长用籽晶及其加工方法
60、籽晶保护装置及单晶生长方法
61、一种在氮化铝单晶的生长中保护籽晶表面的方法
62、一种籽晶法单晶生长取向精确控制模壳及其制造方法
63、一种无需粘结籽晶的碳化硅单晶生长装置
64、一种有机非线性光学晶体用籽晶的生长方法
65、一种底部籽晶熔渗生长法制备单畴稀土钡铜氧超导环的方法
66、一种类单晶籽晶及类单晶生长方法
67、氮化铝单晶生长中籽晶或衬底的固定装置及固定方法
68、一种顶部籽晶导热的硒化镉单晶气相生长方法
69、KDP类晶体长籽晶限制生长方法
70、一种生长高质量SiC晶体的籽晶处理方法
71、一种以六方氮化硼为点籽晶生长大晶畴石墨烯的方法
72、一种无需籽晶粘接技术的氮化铝单晶生长装置及方法
73、用于水平梯度冷凝单晶生长的籽晶的缩颈装置及缩颈方法
74、一种利用腐蚀籽晶诱导生长REBCO高温超导块材的方法
75、一种液相生长碳化硅的籽晶轴及方法
76、一种晶体生长用易装配低成本籽晶夹头
77、一种碳化硅单晶生长中籽晶粘接的方法
78、一种可在线更换籽晶的泡生法蓝宝石晶体生长炉
79、一种在SiC衬底上通过点籽晶定位生长大尺寸单晶石墨烯的方法
80、一种用于碳化硅单晶生长的籽晶处理方法
81、一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶处理方法
82、一种液相生长碳化硅籽晶轴装置
83、籽晶处理方法及碳化硅晶体生长方法
84、助熔剂法生长GaN单晶体系中促进籽晶液相外延的方法
85、高质量碳化硅晶体生长用斜籽晶托以及生长高质量碳化硅晶体的方法
86、一种SiC单晶生长过程中籽晶与石墨托的连接方法
87、一种用于生长低缺陷碳化硅单晶的籽晶处理方法
88、一种N型单晶硅生长用籽晶的配方技术
89、一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法
90、利用低温防分解籽晶层在砷化镓衬底上生长氮化镓的方法
91、一种籽晶的铺设方法及铸锭单晶生长方法
92、一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法
93、一种用于HVPE生长GaN单晶的复合籽晶模板及方法
94、一种PVT法生长AlN单晶用复合籽晶托的配方技术
95、下降法生长晶体坩埚底部籽晶的装夹方法及装置
96、一种应用于层转移薄膜生长的籽晶阵列的配方技术
97、一种垂直无籽晶化学气相法生长ZnO单晶的方法
98、提高碳化硅晶体生长质量的籽晶处理方法以及用于碳化硅晶体生长的方法
99、一种用于大尺寸LBO晶体生长方法
100、一种碳化硅晶体生长用的石墨籽晶托
101、泡生法用单晶炉及其籽晶保护结构以及晶体生长控制方法
102、一种用于制造准单晶籽晶用9英寸直拉单晶硅的生长方法
103、一种嵌入式籽晶生长REBCO准单晶体的方法
104、一种用于AlN晶体生长的籽晶
105、一种用于泡生法生长蓝宝石晶体的安装籽晶的夹具
106、一种利用单晶硅籽晶诱导生长铸造单晶硅的方法及产品
107、一种顶部籽晶泡生法生长大尺寸氟化物晶体的方法
108、一种嵌入式籽晶生长钙掺杂YBCO准单晶体的方法
109、一种用于碳化硅晶体生长的籽晶固定方法
110、一种减少碳化硅晶体籽晶生长面缺陷的方法
111、一种用于生长硼酸铯锂单晶的籽晶及其应用
112、双螺旋籽晶杆设备及使用该设备的晶体生长炉
113、一种新型蓝宝石晶体生长炉籽晶腔室
114、晶体生长炉的水冷籽晶杆热交换装置
115、一种晶体生长炉中籽晶与坩埚对中的调试方法及装置
116、避免籽晶缺陷外延到新生长层的氧化锌单晶生长方法
117、顶部籽晶温度梯度法生长大尺寸高温氧化物晶体的方法
118、一种PVT法生长SiC晶体的籽晶固定方法
119、一种蓝宝石晶体生长炉籽晶结种装置
120、一种新型蓝宝石晶体生长炉籽晶伺服机构
121、采用异相籽晶生长掺铈溴化镧闪烁晶体的方法
122、一种籽晶温度梯度方法生长碳化硅单晶的装置
123、多籽晶非对称(110)/(110)取向诱导生长REBCO高温超导块体的方法
124、氢化物气相外延生长GaN单晶用的HPO腐蚀籽晶及其配方技术
125、一种生长高质量SiC单晶的籽晶处理方法
126、双籽晶辅助气相传输方法生长碳化硅单晶的技术和装置
127、一种生长SiC晶体的籽晶粘结方法
128、基于钕钡铜氧保护层作熔融生长籽晶的超导块材配方技术
129、一种生长高质量BBO晶体的中部籽晶法
130、一种生长SiC晶体的籽晶粘结方法
131、用于无定形或微晶MgO隧道势垒的铁磁性优先晶粒生长促进籽晶层
132、一种利用掺氮籽晶生长硅单晶的方法
133、一种R2CaB10O19单晶的定向籽晶生长方法
134、使用熔液法的单晶生长用籽晶轴
135、一种籽晶处理方法和生长碳化硅单晶的方法
136、碳化硅单晶生长用籽晶及其制造方法和碳化硅单晶及其制造方法
137、顶部籽晶温度梯度法生长大尺寸高温氧化物晶体的方法
138、一种助熔剂生长法中顶部籽晶重入技术
139、45°稀土钡铜氧薄膜籽晶高速生长超导块材的方法
140、一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶托
141、坩埚与籽晶联动生长大尺寸非线性光学晶体的方法及装置
142、一种用曲面籽晶进行物理气相输运的晶体生长的方法
143、一种无籽晶垂直气相生长溴化铊单晶方法
144、晶体生长籽晶固定装置
145、稀土钡铜氧薄膜作籽晶同质外延生长超导块体材料的方法
146、稀土钡铜氧薄膜作籽晶同质外延生长超导块体材料的方法
147、用于大碳化硅单晶的高品质生长的籽晶和籽晶夹持器组合
148、籽晶诱导、低温液相外延自组装生长氧化锌薄膜的方法
149、利用种膜作籽晶液相外延生长铁电厚膜的方法
150、具有过热性质种膜作籽晶液相外延生长超导厚膜材料
151、直拉法硅单晶生长用硅籽晶及其使用方法
152、晶体生长工艺中的籽晶方位的控制方法
153、用顶部籽晶法生长晶体时籽晶的激光对中法
154、一种用于直拉法生长单晶硅的硅籽晶夹持器
155、一种Yb3;Nd3+:REA3 (BO3) 4激光晶体的生长方法
156、用改进的熔盐籽晶法生长低温相偏硼酸钡单晶
157、一种尿素长棒籽晶的生长方法
158、熔盐籽晶法生长低温相偏硼酸钡单晶
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