1 一种具有长循环寿命微米硅碳复合负极材料的配方技术
简介：本技术属于电池材料技术领域，尤其涉及一种具有长循环寿命微米硅碳复合负极材料的配方技术，通过该方法制备得到的复合负极材料具有强韧的多级缓冲结构，对内能够稳定循环过程中粉碎的微米硅颗粒，并保护破裂暴露的新鲜表面；而外层高强度和高模量的石墨烯致密网络能够最大程度地保持内部硅碳活性颗粒在压实过程中结构的完整性。同时外层致密收缩的石墨烯网络将内部的硅碳活性颗粒（SiMP@C）紧密联结成一个力学和电学整体，实现电极结构的增强增韧，从而在脱嵌锂的过程中实现有效的机械缓冲和连续快速的电子传递。
2 一种微米硅粉的配方技术
简介：本技术采用等离子体方法对硅粉进行处理，制备微米硅粉。其特征在于该方法在液体介质中进行等离子体放电处理前先对硅粉进行表面刻蚀；该方法制备所得的微米硅粉可用于制备锂离子负极材料。所达到的技术效果是，能在一定程度上可降低颗粒内部应力，缓解体积膨胀问题，提高负极的循环性能；有效地改进锂电池的性能，属于节能环保工艺方法。
3 一种基于微米硅片制备硅碳负极材料的方法
简介：本技术提供一种基于微米硅片制备硅碳负极材料的方法，包括有以下步骤：（1）采用电子束蒸发法制备了硅片粉，在聚合物涂覆的金属片上沉积90‑110nm厚度的硅薄膜；（2）将硅薄膜从金属片上剥离，粉碎成横向尺寸为3‑5mm的微片状硅片粉；（3）将硅片粉、沥青加入含有0.5‑5wt%水溶性分散剂的去离子水中进行搅拌分散，得到浆料；（4）将浆料进行喷雾干燥，将干燥后的固体升温至600‑1500℃，高温碳化10‑30h后得到硅碳负极材料。通过利用硅材料高的嵌锂容量，使得制备得到的负极材料用于制备半电池时具有较大的放电容量和较高的首次充放电效率，利用无定型碳将微米片状硅粉紧密的结合，使硅微米片分散并且减少其与电解质接触面，提高了硅碳负极材料的稳定性以及电池性能。
4 一种亚微米硅微粉表面改性的方法
简介：一种亚微米硅微粉表面改性的方法，其步骤如下，将亚微米硅微粉和去离子水按质量比为3:7‑6:4倒入搅拌桶中，边搅拌边加热，混合均匀后，送至砂磨机进行预分散，分散均匀后，制得亚微米浆料；向亚微米浆料中加入改性剂，湿法研磨改性，完成初步改性；将初步改性的亚微米浆料送入闪蒸干燥机中进行干燥改性，进风温度120‑300℃，干燥至水分≤0.3%后，送入收集器进行保温，将保温后的物料通过气流粉碎机进行解聚，解聚压力≥1.0MPa解聚至亚微米即可。本技术用去离子水作为溶剂，不存在废水排放，经济环保，利用机械力化学法改性和湿法改性相结合的方法，改性效果好。
5 从硅片生产工艺回收亚微米硅颗粒的方法
简介：本技术涉及一种从硅片生产工艺回收亚微米硅颗粒的方法，所述硅片生产工艺采用金刚石固定磨料工艺、尤其是切片和切割的，该方法包括以下步骤：‑提供由所述金刚石固定磨料工艺产生的亚微米硅颗粒糊料(3)；‑将所述亚微米硅颗粒糊料干燥并成型为层(7)；‑在衬底(5)上对所述已干燥并成型的硅颗粒层施加区域熔炼步骤。
6 一种纳微米硅颗粒复合的二氧化钛光催化剂制备及其应用
简介：本技术提供了一种纳微米硅颗粒复合的二氧化钛光催化剂制备，其特点是利用光伏生产的硅碎屑或硅废液经提取、清洗后的硅颗粒表面复合二氧化钛颗粒，制得掺杂硅粉的二氧化钛纳米颗粒的光催化剂，该催化剂水体或空气中大分子有机颗粒物降解，在可见光区及近红外区光源的作用下，可降解有机污染物。本技术与现有技术相比具有粒度均匀、比表面积大和良好的可见光波段吸收特性，充分利用了光伏产业中的硅粉废料颗粒作为掺杂物，实现变废为宝的复合光催化剂制备，具有良好的环境友好性，纳微米硅颗粒复合的二氧化钛纳米颗粒具有环绕式结构，其中核心为硅颗粒，可以吸收近红外光，增强光生电子‑空穴对的产生，工艺简单，原料易得，成本低，利于工业化规模生产前景。
7 一种核壳结构石墨烯包覆微米硅的配方技术
简介：本技术属于锂离子电池材料技术领域，尤其涉及一种核壳结构石墨烯包覆微米硅的配方技术，包括以下步骤：步骤一，生成SiO2均匀包覆微米硅的复合材料；步骤二，得到SiO2/微米硅/氧化石墨烯；步骤三，得到石墨烯包覆的SiO2/微米硅材料；步骤四，得到核壳结构的石墨烯包覆微米硅材料。相比于现有技术，本技术制备工艺简单，成本低廉且易于实现批量化生产；本技术得到的核壳结构石墨烯包覆微米硅材料，能够减轻硅在循环过程中由于膨胀收缩导致晶体粉化造成的循环性能恶化，提升电池的库伦效率；除此之外，石墨烯本身优越的导电性能，能够形成良好的面面接触的导电网络，有效提升电池的功率性能。
8 一种碳包覆微米硅、其配方技术和应用
简介：本技术提供了一种属于无机材料制备技术领域，更具体地，涉及一种碳包覆微米硅、其配方技术和应用。通过将硅化镁在含有二氧化碳的气氛中与二氧化碳发生反应或者硅化镁分解后与二氧化碳发生反应，然后通过酸洗得到碳包覆的微米硅材料，配方技术简单易行，可用于大规模碳包覆微米硅的生产，由此解决现有技术碳包覆微米硅材料制备工艺复杂、安全性差，不利于大规模生产应用的技术问题。
9 提高亚微米硅波导与普通单模光纤耦合效率的结构
简介：本技术提供了一种提高亚微米硅波导与普通单模光纤耦合效率的结构。在该结构中，制作亚微米硅波导的基底材料为绝缘衬底上的硅晶片，其由下往上包含三层材料：衬底硅，埋氧层，顶层硅，其中埋氧层为掺杂的二氧化硅。在该晶片的顶层硅上通过光刻与刻蚀形成亚微米硅波导后，第一层掺杂的二氧化硅被淀积在该硅波导上方，将其完全包覆。该层掺杂的二氧化硅经过光刻与刻蚀后，在其上方再淀积第二层掺杂的二氧化硅。这样形成的二氧化硅波导作为与普通单模光纤的连接通道，可以减小亚微米硅波导与普通单模光纤耦合时的模场失配损耗和反射损耗，提高二者的耦合效率。
10 一种刻蚀微米硅通孔的方法
简介：本技术提供了一种刻蚀微米硅通孔的方法，包括以下步骤：(1)取硅片，清洗后吹干；(2)在硅片双面涂覆光刻胶，烘干后进行光刻，显影；(3)在经光刻的硅片双面沉积若干层贵金属；(4)将沉积贵金属的硅片置于腐蚀液中，反应形成通孔；(5)清洗，吹干。本技术采用双面光刻，刻蚀过程也是双面进行，当两面刻蚀到一起后，形成硅通孔，刻蚀速度快，刻蚀后无需进一步处理，微观形貌良好，可大规模生产。
11 一种玻璃油墨用亚微米硅酸铋粉体及配方技术
12 一种氮掺杂石墨烯包裹微米硅复合材料的配方技术
13 纳米和微米硅薄膜的脉冲电子束沉积方法
14 0.6微米硅化物保护自对准工艺
15 0.8微米硅双极互补金属氧化物半导体集成电路制造工艺
16 利用沟槽平面化方法在绝缘体上键合亚微米硅
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,完整内容都包括具体的配方配比和生产工艺制作过程。收费200元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：13510921263
