1 一种碳化硅晶体的生长工艺
简介：本技术提供了一种新型的碳化硅晶体的生长工艺。通过这种方法生长碳化硅单晶，既解决了单独使用PVT方法所带来的源料无法持续供给及C/Si比失衡问题，也解决了PVT方法初期籽晶上面沉积成成核困难的问题。另外，通过调节出气管的挡板角度，既解决了单独使用HTCVD生长成本过大的问题，提高了源料的利用率，也解决了长时间的生长中排气口会发生封堵的问题。而且通过在炉体内部跟进气管道上端口平行处添加过滤网，保证了在整个生长过程中，防止了料粉中的固体颗粒进入到籽晶上面而形成固体粒子包裹。
2 一种提高碳化硅晶体质量的方法
简介：一种提高碳化硅晶体质量的方法，本技术涉及碳化硅晶体的生长方法。本技术是要解决现有的物理气相传输法生长碳化硅单晶的良品率低的技术问题。本方法是：一、在用于生长碳化硅晶体的石墨坩埚中，由下至上装填三层材料，其中：底层为碳化硅粉末层；中间层的中心部分为大孔多孔石墨，中间层的外围部分为小孔多孔石墨；上层的中心部分为大粒碳化硅多晶，上层的外围部分为小粒碳化硅多晶；二、将碳化硅籽晶固定在上盖的内下方，密封坩埚；三、加热，进行晶体生长，得到碳化硅晶体。采用本技术的方法生长出的碳化硅晶体的良品率达到50％以上，是现有的普通装料法技术的2～3倍。本技术可用于碳化硅晶体生长领域。
3 一种碳化硅晶体配方技术
简介：本说明书提供一种碳化硅晶体配方技术，该方法包括：将碳化硅籽晶置于生长腔体顶部；将加热组件中的加热单元安装在生长腔体内部，将至少部分源材料置于至少部分加热单元上表面，其中，加热单元包括至少一个流通通道，至少一个流通通道贯穿加热单元；在生长腔体内生长碳化硅晶体，碳化硅晶体生长时生长腔体内的径向温差不超过碳化硅晶体生长温度的第一预设范围。
4 一种碳化硅晶体制备装置及其生长方法
简介：本说明书实施例提供了一种碳化硅晶体制备装置及其生长方法，所述方法在多腔体生长装置中进行，所述多腔体生长装置包括多个腔体；所述方法包括：将至少一个衬底依次在多个腔体之间进行传送和处理；在所述多个腔体中的一个腔体内，通过气相沉积生长碳化硅晶体，得到包含所述衬底和碳化硅晶体的至少一个组合晶体；在第一温度区间，使用刻蚀溶液对所述组合晶体进行刻蚀，得到基面位错密度为120‑2000cm‑2的所述碳化硅晶体。通过采用多腔体生长装置制备碳化硅晶体，将至少一个衬底或组合晶体同时或依次在各腔体之间进行传送，实现了流水线式批量生产碳化硅晶体，提高了生产效率。
5 一种碳化硅晶体配方技术
简介：本说明书实施例提供了一种碳化硅晶体配方技术，包括：(1)选取至少一个衬底，对至少一个衬底进行抛光处理和清洗处理；(2)在第一条件下，通入氢气对至少一个衬底进行原位刻蚀处理；(3)在第二条件下，通入丙烷和氢气对至少一个衬底进行碳化处理；(4)在第三条件下，通入硅烷、丙烷和氢气，在至少一个衬底上通过气相沉积生长碳化硅晶体，得到包括衬底和碳化硅晶体的至少一个组合晶体；(5)将组合晶体置于温度为500～1200℃的环境中至少冷却降温至少1h；(6)将组合晶体置于室温环境中降温；(7)将组合晶体加热到50～100℃内，使用刻蚀溶液在50～100℃下对组合晶体进行超声清洗第一时长，得到基面位错密度为120‑2000cm‑2的碳化硅晶体。
6 一种碳化硅晶体的生长方法
简介：一种碳化硅晶体的生长方法，它属于碳化硅晶体生长方法领域。本技术要解决的技术问题为降低碳化硅晶体的热应力。本技术取碳化硅籽晶，粘接于石墨坩埚上盖，将石墨坩埚加装保温材料放置到单晶生长炉内，抽真空到10‑20Pa以下，之后加热到500‑550℃，保持真空状态1‑2h，然后将氩气充入到单晶生长炉中，压力维持在1atm，之后加热到温度为1900‑2000℃，反应72‑96h，然后停止加热，向单晶生长炉中中充入氖气，充入氖气的速度为0.1‑2vol％/min，充入时间为20‑60min待单晶生长炉的温度冷却至室温，然后将碳化硅晶体取出，切割、打磨后得到碳化硅晶体。本技术有利于热应力的减小和位错的愈合。
7 一种利用碳化硅晶体研磨废液制备碳化硼-碳化硅复合陶瓷的生产方法
简介：一种利用碳化硅晶体研磨废液制备碳化硼‑碳化硅复合陶瓷的生产方法，它属于碳化硼‑碳化硅复合陶瓷制备技术领域。本技术要解决的技术问题为废料的回收再利用。本技术将磨料为碳化硼的碳化硅晶体研磨废液搅拌后，利用过滤器进行分离，得到颗粒，水洗后得到第一滤渣加入盐酸溶液浸泡并充分搅拌60‑120min，然后水洗、烘干、球磨后置于模具中于进行冷等静压成型，将成型胚料放入真空电炉内烧制，以2‑5℃/min升温至300℃并保温30min，再以3‑5℃/min升温至1600‑2000℃并保温30min，最后以3‑8℃/min降温至1000℃，关闭真空电炉电源使其自然冷却至室温。本技术用于碳化硅晶体研磨废液的回收。
8 一种利用碳化硅晶体金刚线切割废液制备碳化硅陶瓷的方法
简介：本技术涉及一种利用碳化硅晶体金刚线切割废液制备碳化硅陶瓷的方法。为避免碳化硅晶体金刚线切割废液中SiC粉体与金刚石颗粒的浪费，本技术提供了一种利用碳化硅晶体金刚线切割废液制备碳化硅陶瓷的方法，步骤包括一级过滤、二级过滤、清洗干燥、制备胚料和烧制碳化硅陶瓷。本技术将碳化硅晶体金刚线切割废液回收用于碳化硅陶瓷制备，达到了节约成本、提高经济效益、废物再利用和保护环境的目的。通过本技术方法得到的碳化硅陶瓷致密度为97％以上，维氏硬度为20～25GPa，抗弯强度为800～1000MPa，断裂韧性为6～12MPa·m1/2，具有较好的密实度和机械性能。
9 一种提升PVT法制备碳化硅晶体生长速率的方法
简介：本技术涉及一种提升PVT法制备碳化硅晶体生长速率的方法，属于碳化硅晶体制备技术领域。为解决现有PVT法制备碳化硅晶体生长速率慢的问题，本技术提供了一种提升PVT法制备碳化硅晶体生长速率的方法，以不同粒径碳化硅粉混合制备碳化硅粉料，真空条件下加热至400～800℃并保持2h，充入氩气后继续加热至晶体生长温度开始晶体生长，完成晶体生长后自然冷却，得到碳化硅晶体。本技术利用不同粒径碳化硅粉按不同比例混合之后进行PVT法碳化硅晶体生长，大颗粒的碳化硅粉提供足够的颗粒间隙促进气相物料输运，小颗粒的碳化硅粉提供足够的活性表面产生充足的反应气相，使得两方面得到同时提升，显著提升了晶体生长速率。
10 一种采用预处理籽晶生长碳化硅晶体的方法
简介：本技术涉及一种采用预处理籽晶生长碳化硅晶体的方法，属于碳化硅晶体制备技术领域。为解决现有籽晶预处理方法不能提供长期稳定保护而使制备的碳化硅晶体产生缺陷的问题，本技术提供了一种采用预处理籽晶生长碳化硅晶体的方法，先用氢氟酸浸泡碳化硅籽晶，再将碳化硅籽晶放入100℃去离子水中加热得到氢钝化的碳化硅籽晶；在氢钝化的碳化硅籽晶的生长面覆盖一层保护膜，得到预处理籽晶；最后采用PVT法以所得预处理籽晶为基础制备碳化硅晶体。本技术采用氢钝化与保护膜相结合的预处理方式，能够长期维持籽晶表面的低氧杂质含量状态，解决了氧杂质对半绝缘型碳化硅晶片制备的阻碍，提高了碳化硅晶体的良品率。
11 一种使用预处理粉料制备碳化硅晶体的生长方法
12 一种高质量碳化硅晶体的生长方法及装置
13 一种PVT法生长碳化硅晶体的方法及装置
14 一种碳化硅晶体的配方技术
15 一种碳化硅晶体生长炉石英管的清理方法
16 一种N型碳化硅晶体的配方技术及生长装置
17 碳化硅晶体生长装置及其生长方法、碳化硅晶锭
18 一种碳化硅晶体生长余料处理再利用方法
19 一种减少碳化硅晶体包裹物的方法
20 一种碳化硅晶体取下装置
21 碳化硅晶体生长方法及生长装置
22 碳化硅晶体生长方法及生长装置
23 基于液相外延法生长碳化硅晶体的生长控制方法及系统
24 一种碳化硅晶体激光切片装置及方法
25 一种碳化硅晶体生长的温度控制装置
26 一种碳化硅晶体砂浆线切割废液的回收方法
27 一种碳化硅晶体金刚线多线切割废液中碳化硅粉的回收方法
28 PVT法生长碳化硅晶体的生长方法
29 一种碳化硅晶体生长方法及装置
30 一种碳化硅晶体的籽晶及碳化硅晶体的制造方法
31 碳化硅晶体熔体生长装置
32 一种高纯碳化硅晶体电阻率的检测方法和装置
33 碳化硅晶体生长用熔体装置
34 一种用于碳化硅晶体生长的模块化坩埚装置及其生长方法
35 一种碳化硅晶体微管的愈合方法及碳化硅产品和应用
36 一种碳化硅晶体微管愈合用装置及应用
37 一种新型等离子升华结晶炉及碳化硅晶体棒的配方技术
38 一种利于碳化硅晶体生长的坩埚
39 碳化硅晶体生长装置
40 碳化硅晶体及碳化硅晶种片
41 低应力碳化硅晶体生长温度场设置装置及晶体生长方法
42 碳化硅晶体生长用石墨坩埚装置及其单晶生长方法
43 一种无籽晶碳化硅晶体生长的方法
44 碳化硅晶体的生长装置及其配方技术
45 碳化硅晶体的生长装置及生长方法
46 一种碳化硅晶体减薄用复合结合剂砂轮、配方技术及应用
47 一种碳化硅晶体减薄用砂轮、配方技术及其应用
48 一种碳化硅晶体的加工方法
49 一种制备立方体碳化硅晶体的方法及装置
50 一种高质量碳化硅晶体的配方技术
51 一种碳化硅晶体的生长方法
52 一种用于生产碳化硅晶体的原料及其配方技术与应用
53 一种新型沟槽碳化硅晶体管器件及其制作方法
54 一种碳化硅晶体的位错识别方法
55 碳化硅晶体及其生长方法和装置、半导体器件以及显示装置
56 一种碳化硅晶体二次退火方法
57 一种集成碳化硅晶体管及其制造方法
58 图案化的碳化硅籽晶及其加工方法和应用、碳化硅晶体、外延层、半导体器件
59 一种碳化硅晶体专用整形一体机
60 一种抑制导电型碳化硅晶体生长中碳包裹体缺陷生成的方法
61 一种碳化硅籽晶及其处理方法和一种碳化硅晶体
62 一种多坩埚半连续式碳化硅晶体生长装置
63 溶液法生长大尺寸碳化硅晶体的搅拌缓流装置以及设备
64 一种改善碳化硅晶体生长效率的方法
65 一种碳化硅晶体及其配方技术
66 一种用于生长高质量碳化硅晶体原料提纯的处理方法
67 一种抛光液及其配方技术和碳化硅晶体的加工方法
68 一种电阻法碳化硅晶体生长用坩埚
69 一种碳化硅晶体高温退火处理方法
70 一种低基面位错密度的碳化硅晶体生长方法
71 一种高品质的大尺寸碳化硅晶体生长方法
72 一种电阻法生长碳化硅晶体用装置及方法
73 一种碳化硅晶体电阻法退火用温控系统及方法
74 一种碳化硅晶体电阻法生长用电源及其方法
75 一种高品质碳化硅晶体的配方技术及其装置
76 一种碳化硅晶体快速定向方法
77 一种高纯半绝缘碳化硅晶体生长装置及其方法
78 一种抛光液及对碳化硅晶体的抛光方法
79 一种p型掺杂6H-碳化硅晶体的无损判定方法
80 一种p型碳化硅晶体的无损判定
81 一种碳化硅晶体的配方技术
82 一种碳化硅晶体生长过程中调节和旋转坩埚的装置及方法
83 碳化硅晶体生长热场旋转装置
84 一种用于PVT法生长的碳化硅晶体的原料烧结工艺
85 一种增加碳化硅晶体生长长度的石墨坩埚
86 晶体生长用坩埚以及释放碳化硅晶体热应力的方法
87 碳化硅晶体及其制造方法
88 一种实时观测调控碳化硅晶体生长过程中的温度的方法及其保温设备
89 碳化硅晶体及其制造方法
90 一种采用物理气相沉积技术生长大尺寸碳化硅晶体的方法
91 一种碳化硅晶体导电类型的无损判定方法
92 一种碳化硅晶体生长炉的高寿命保温系统
93 一种大尺寸碳化硅晶体原位热处理方法
94 一种碳化硅/晶体-锗/石墨烯异质结光电器件及其制造方法
95 一种碳化硅晶体生长用大粒径碳化硅粉料的合成方法
96 用于物理气相传输法生长碳化硅晶体的坩埚
97 用于生长高纯半绝缘碳化硅晶体的坩埚
98 碳化硅晶体生长设备
99 籽晶处理方法及碳化硅晶体生长方法
100 一种碳化硅晶体偏角度加工的定向夹具
101 高质量碳化硅晶体生长用斜籽晶托以及生长高质量碳化硅晶体的方法
102 一种液相法生长碳化硅晶体的装置及方法
103 一种碳化硅晶体表面台阶宽度的检测方法
104 一种碳化硅晶体晶圆表面析出碳的去除系统及方法
105 一种物理气相沉积制备碳化硅晶体的坩埚
106 一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶处理方法
107 用于碳化硅晶体高速生长的原料及碳化硅晶体的生长方法
108 一种采用升华法高速制造碳化硅晶体的装置及方法
109 一种用于碳化硅晶体偏角整形的装置及方法
110 一种分体式碳化硅晶体生长用坩埚
111 一种碳化硅晶体生长用坩埚
112 降低碳化硅晶体杂质并获得高纯半绝缘碳化硅晶体的方法
113 无掺杂元素的高纯半绝缘碳化硅晶体生长装置
114 通过升华制造大直径碳化硅晶体及相关半导体SIC晶片的方法
115 基于碳化硅晶体的端面泵浦板条激光放大器晶体冷却模块
116 一种优质碳化硅晶体生长装置
117 一种制备无色碳化硅晶体的方法及装置
118 一种碳化硅晶体生长方法和装置
119 提高碳化硅晶体生长质量的籽晶处理方法以及用于碳化硅晶体生长的方法
120 碳化硅晶体炉坩埚升降控制系统及控制方法
121 一种高质量碳化硅晶体生长的方法
122 一种在含氧气氛下生长高质量碳化硅晶体的方法
123 一种碳化硅晶体高温退火处理方法
124 一种碳化硅晶体生长用的石墨籽晶托
125 用于碳化硅晶体的光学级平面加工的抛光装置及加工方法
126 一种磨削碳化硅晶体端面的方法及装置
127 一种用于生长碳化硅晶体的坩埚
128 基于宽禁带半导体碳化硅晶体的光参量振荡激光器
129 大尺寸15R碳化硅晶体的配方技术
130 一种用于碳化硅晶体生长的籽晶固定方法
131 一种减少碳化硅晶体籽晶生长面缺陷的方法
132 一种用于碳化硅晶体生长的碳化硅微粉的配方技术
133 一种无石墨包裹物的导电碳化硅晶体生长工艺
134 用于提高粉源利用率的碳化硅晶体生长坩埚
135 用于提高晶体生长速率的碳化硅晶体生长方法
136 增加一次投料晶锭厚度的碳化硅晶体生长方法
137 碳化硅晶体生长炉控制系统
138 碳化硅晶体生长炉
139 纳米碳化硅/晶体碳化硅双缓变结快速恢复二极管及其配方技术
140 一种从碳化硅晶体打磨废料中提取金刚石磨料的方法
141 一种PVT法生长碳化硅晶体的方法及其装置
142 用4H碳化硅晶体制造的非线性光学器件
143 碳化硅晶体生长用高纯碳化硅原料的固相合成方法
144 碳化硅晶体的定型定向的切割方法
145 大应力碳化硅晶体的初加工方法
146 HTCVD法碳化硅晶体生长装置
147 连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置
148 碳化硅晶体和制造碳化硅晶体的方法
149 碳化硅晶体的制造方法、碳化硅晶体及碳化硅晶体的制造装置
150 一种碳化硅晶体退火工艺
151 制造碳化硅晶体的方法以及碳化硅晶体
152 多线切割机分段切割碳化硅晶体的方法
153 一种降低碳化硅晶体应力的退火工艺
154 一种制备高纯半绝缘碳化硅晶体的方法
155 一种用于生长高质量导电型碳化硅晶体的方法
156 一种以中子辐照的碳化硅晶体为传感器的测温方法
157 双室结构碳化硅晶体生长装置
158 一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶托
159 制造高品质大尺寸碳化硅晶体的方法
160 旋转点切割大尺寸碳化硅晶体装置
161 通过在含氢气氛中的升华生长减少碳化硅晶体中的氮含量
162 在含氢环境中超高纯碳化硅晶体的生长
163 碳化硅晶体的生长系统
164 一种碳化硅晶体生长装置
165 在高纯碳化硅晶体中产生半绝缘电阻率的方法
166 碳化硅晶体生长的方法和装置
167 碳化硅晶体生长的方法和装置
168 用硅衬底β碳化硅晶体薄膜生长碳化硅单晶体
169 无色碳化硅晶体的生长
170 无色碳化硅晶体的生长
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,完整内容都包括具体的配方配比和生产工艺制作过程。收费260元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：13510921263
