1、一种硅基碳化硅薄膜材料制备方法
[简介]：本技术涉及半导体材料制备技术领域，具体提供了一种硅基碳化硅薄膜材料配方技术，包括：S1、准备基板，S2、梯度沉积，S3、纳米颗粒沉积，S4、梯度变化控制，S5、冷却和后处理和S6、测试表征；本技术通过梯度沉积，薄膜可以具有渐变的性质，例如从一侧到另一侧逐渐变化的成分、晶体结构或机械性能，这种梯度性质可以用于制备适应不同环境或功能层次的器件，纳米颗粒可以改变薄膜的局部性质，例如增强硬度、改善光学性能或调节导电性，纳米颗粒的嵌入可以改变薄膜的功能，使其更适用于某些应用，如传感器、储能设备，通过调整梯度沉积和纳米颗粒的沉积条件，可以根据需求定制S i C薄膜的性质，包括电学、光学、热学和力学性能。
2、一种低层错和基平面位错密度碳化硅外延薄膜的制备方法
[简介]：一种低层错和基平面位错密度碳化硅外延薄膜的配方技术。具体步骤如下：采用熔融碱溶液或者高温氢气对SiC衬底/仅生长过缓冲层的SiC外延片进行腐蚀而形成腐蚀坑，基于低速外延工艺生长一层阻断层对层错和基平面位错的腐蚀坑进行横向外延填充，以此阻断层错和基平面位错向后续外延层的延伸，降低后续的外延层中的层错密度和基平面位错密度。阻断层生长过程中引入氯化氢气体进行辅助生长，提升腐蚀坑填充效果和阻断层的平整度。该方法简单易行，且和主流SiC外延工艺相兼容，适于工业化生产，具有极大的推广价值。
3、一种基于碳化硅的多元复合纳米线薄膜及其制备方法和应用
[简介]：本技术提供了一种基于碳化硅的多元复合纳米线薄膜及其配方技术和应用，涉及纳米薄膜材料技术领域。该薄膜包括相互交缠或者搭接的三元复合纳米线，而形成的网络结构；所述三元复合纳米线包括碳化硅纳米线、所述碳化硅纳米线表面包覆的二氧化硅层以及所述二氧化硅层表面包覆的碳层。本技术制备的薄膜材料可用作轻质高强的吸波材料，也可用于超级电容器的纳米导电骨架，在电磁吸收和超电器件等领域均具有广阔的应用前景。
4、一种应用在薄膜类产品制造的碳化硅板加热方法
[简介]：本技术提供了一种应用在薄膜类产品制造的碳化硅板加热方法，包括以下步骤：取薄膜类产品模具a并将薄膜类产品原料引入模具a，然后将模具a通过输送设备传输至碳化硅板区域，经过碳化硅板区域加热至薄膜类产品原料所需的温度，再进行后续的冷却脱模处理工序，以制得薄膜类产品；本技术通过碳化硅板加热方式，能够让薄膜类产品模具及原料在短时间内迅速升温，从而加快原料的固化速度，并且在薄膜类产品生产时任意材料的模具皆可在碳化硅板加热作用下快速升温，同时能够让模具直接越过模具预加热环节，降低由预加热形成的局部加热来让原料局部固化而产生老化的风险，提高薄膜类产品的生产效率及质量。
5、一种采用PVT碳化硅长晶炉在石墨件表面制备碳化钽薄膜的方法
[简介]：本提供涉及一种采用PVT碳化硅长晶炉在石墨件表面制备碳化钽薄膜的方法，所述PVT碳化硅长晶炉包括圆筒形立式加热机构和长晶炉本体，所述圆筒形立式加热机构同轴套设于所述长晶炉本体外；所述方法包括：在惰性气氛中，控制所述圆筒形立式加热机构以使所述第二坩埚内的钽粉升华后覆于所述圆台形待镀膜石墨件的内壁表面。该方法采用PVT碳化硅长晶炉装置对石墨件进行镀膜，与现有的CVD方式相比，该装置对使用的材料及在运行过程中装置内的环境要求比较简单，可以有效的对待镀膜石墨件的目标表面进行碳化钽薄膜的制备，减少原料的使用量。
6、一种碳化硅薄膜制备方法
[简介]：本技术涉及碳化硅薄膜领域，具体涉及一种碳化硅薄膜配方技术，包括以下步骤：(1)使用RCA法对硅基底进行清洗，去除硅基底脏污和表面划伤，并对硅基底表面进行抛光，得到预处理硅基底；(2)将预处理硅基底放入PECVD装置的沉积仓内，对沉积仓进行抽真空处理并加热；(3)向沉积仓内通入反应气体，在达到工作压强后启动射频电源，开始在硅基底表面生长碳化硅薄膜；(4)镀膜结束后，通过氮气吹扫即可。本技术通采用PECVD方法，以二氧化碳作为沉积气体来制备碳化硅薄膜，电离出的碳原子可以很好的与硅基片表面的悬挂键结合，制得的薄膜均匀性较好，且不采用硅烷甲烷等易燃易XX气体，降低了反应难度，安全性较高。
7、一种降低碳化硅外延薄膜表面缺陷的方法
[简介]：本技术涉及一种降低碳化硅外延薄膜表面缺陷的方法，包括：对碳化硅衬底进行清洗，进行碳化硅衬底表面刻蚀，采用线性缓变的方式，在刻蚀后的所述碳化硅衬底表面形成缓冲层；保持温度、压力与氢气流量不变，采用线性缓变的方式20~100s内改变SiHCl3和C2H4流量，使得所述反应室内SiHCl3的流量为200~500 slm，C/Si为0.8~1.3，在所述缓冲层表面形成外延层；结束外延生长，采用线性缓变的方式20~100s内改变所述反应室的氢气流量至300~500 slm，在氢气气氛中对所述反应室进行降温。该方法可以显著提高碳化硅外延薄膜的质量，其工艺控制简洁可操作性强，在半导体领域具有较好的运用前景。
8、碳化硅薄膜及其气相沉积方法
9、一种带网架高精度碳化硅薄膜滤芯成型工艺
10、一种碳化硅板与ETFE薄膜的贴合工艺
11、一种硅基碳化硅薄膜材料制备方法
12、一种用于制备氮化物单晶薄膜的碳化硅复合衬底
13、氮化镓单晶上高阻碳化硅薄膜衬底及其制作方法
14、一种掺杂碳化硅薄膜方阻测试方法
15、一种提高碳化硅薄膜少子寿命的方法
16、一种在硅衬底上形成单晶碳化硅薄膜的方法
17、碳化硅衬底薄膜的制备方法
18、一种用于高纯材料制备的坩埚镀碳化硅薄膜方法
19、一种提高非晶碳化硅薄膜红光发光效率的方法
20、一种沉积碳化硅薄膜的方法
21、一种提高碳化硅外延薄膜生长质量的方法
22、一种碳化硅/氮化碳复合增强导热防水薄膜及其制备方法
23、一种叠层富硅碳化硅薄膜太阳能电池及制备方法
24、一种多孔碳化硅薄膜的制备方法
25、一种碳化硅/石墨烯复合纳米森林薄膜材料及其制备方法与应用
26、一种采用磁控溅射制备荧光碳化硅薄膜的方法
27、低压制备碳化硅薄膜外延的方法
28、利用螺旋波等离子体技术制备碳化硅薄膜的方法
29、一种碳化硅单晶薄膜的制备方法
30、一种改善碳化硅衬底上生长的氧化镓薄膜的方法
31、一种新型聚酰亚胺／高比表面积纳米碳化硅复合薄膜的制备方法
32、一种在石墨模板上大面积沉积碳化硅薄膜的制备方法
33、一种碳化硅纳米线-碳纳米管柔性复合发热薄膜的制备方法
34、具有电磁吸波性能的柔性碳化铪/碳化硅复合纳米纤维薄膜及制备方法
35、碳化硅纳米线薄膜材料的制备方法
36、格栅调谐外延生长碳化硅薄膜的方法
37、一种低导热氮化硼‑碳化硅薄膜的制备方法
38、一种生长掺杂界面清晰的碳化硅外延薄膜的制备方法
39、一种利用微波法制备碳化硅纳米线薄膜的方法
40、一种含碳化硅纳米粒子薄膜材料的制备方法
41、外延生长碳化硅‑石墨烯薄膜的制备方法
42、一种4H-碳化硅复合贵金属薄膜及其制备方法
43、碳化硅塑料薄膜开口剂的制备方法
44、一种多晶碳化硅薄膜的生长方法
45、一种外延碳化硅-石墨烯复合薄膜的制备方法
46、一种碳化硅薄膜的制备方法
47、一种基区缓变掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
48、一种基区缓变掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
49、一种优化的在硅衬底上外延生长β-碳化硅薄膜的方法
50、一种去除鳍式场效应晶体管中掺磷碳化硅薄膜缺陷的方法
51、一种在硅衬底上制备β-碳化硅薄膜的方法
52、一种碳化硅薄膜的制备方法
53、一种基区缓变掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
54、一种控制生长压强P型低掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
55、一种控制生长压强N型低掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
56、一种控制生长压强N型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
57、一种控制生长压强P型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
58、一种控制氢气流量P型低掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
59、一种控制氢气流量N型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
60、一种控制氢气流量P型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
61、一种P型梯度掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
62、一种控制掺杂源流量P型低掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
63、一种控制掺杂源流量P型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
64、类金刚石-碳化硅复合薄膜的制备方法
65、一种控制氢气流量N型低掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
66、一种控制掺杂源流量N型低掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
67、一种控制掺杂源流量N型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
68、一种立方碳化硅薄膜的制备方法
69、一种非晶态碳化硅薄膜的制备方法及其薄膜晶体管
70、一种用于氮掺杂碳化硅薄膜的离线监控方法
71、一种减少碳化硅外延薄膜中缺陷的方法
72、一种β-碳化硅薄膜的制备方法
73、碳化硅粉体表面包覆金刚石或类金刚石薄膜的方法
74、碳化硅薄膜的成膜方法
75、一种亲疏水性可调谐柔性碳化硅薄膜制备方法
76、一种在碳化硅衬底上制作低层数石墨烯薄膜的方法
77、一种低温等离子体辅助铝诱导多晶碳化硅薄膜的制备方法
78、氨基硅烷化改性碳化硅纳米颗粒增强聚酰亚胺复合薄膜的方法
79、采用碳化硅增强聚酰亚胺复合薄膜制备碳膜的方法
80、碳化硅纳米线基发光薄膜的制备方法
81、碳化硅薄膜制作方法以及金属阻挡层制作方法
82、一种避免光阻变性的无氮碳化硅薄膜工艺
83、N型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
84、在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方法
85、P型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
86、一种淀积掺氮碳化硅薄膜的方法
87、一种避免光阻中毒的碳化硅薄膜制备新方法
88、一种避免光阻中毒的碳化硅薄膜新工艺
89、一种碳化硅薄膜的制备方法
90、掺杂碳化硅薄膜诱导背场的双面钝化太阳电池及制备方法
91、形成氮化硅基薄膜或碳化硅基薄膜的方法
92、掺氮的碳化硅薄膜的形成方法
93、低温制备碳化硅非晶薄膜及外延薄膜的方法
94、一种制备非晶碳化硅薄膜的方法
95、采用PECVD制备碳化硅薄膜的方法
96、一种制备碳化硅薄膜的方法
97、一种低温下制备氢化纳米晶态碳化硅薄膜的方法
98、一种三维网络碳化硅表面制备氧化铁陶瓷薄膜的方法
99、一种三维网络碳化硅表面制备氧化铝陶瓷薄膜的方法
10-0、多晶硅—碳化硅叠层薄膜太阳能电池
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,内容包括具体的配方配比生产制作过程，费用260元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263。
