1 一种氧化锆复合氧化铝陶瓷烧结体及其配方技术和应用
简介：本技术涉及一种氧化锆复合氧化铝陶瓷烧结体，包含以下质量百分含量的成分：含锆化合物(以氧化锆形式计算)0.01‑19.0wt％、含钇化合物(以氧化钇形式计算)0.01‑1wt％、含硅化合物(以氧化硅的形式计算)0.16‑4.6wt％、含钙化合物(以氧化钙的形式计算)0.035‑1.0wt％、含镁化合物(以氧化镁的形式计算)0.07‑2.0wt％，余量为氧化铝。本技术的氧化锆复合氧化铝陶瓷烧结体以3Y‑ZrO2为添加剂，实现相变增韧、微裂纹增韧、内晶型结构强化增韧以及表面强化增韧等多种增韧方式协同作用；以CaCO3、SiO2、MgO为烧结助剂，通过液相烧结降低氧化铝陶瓷的烧结温度、加快烧结速率以及促进烧结致密化，采用本技术的氧化锆复合氧化铝陶瓷烧结体制备得到的氧化铝基板具有良好的断裂韧性和弯曲强度。
2 玻璃陶瓷烧结体及配线基板
简介：本技术提供一种在10GHz以上的高频区域中介电损耗小，且相对于温度变化特性难以变动的玻璃陶瓷烧结体及使用其的配线基板。一种玻璃陶瓷烧结体，其含有：结晶化玻璃、氧化铝填料、二氧化硅以及钛酸锶。结晶化玻璃的含量为50质量％～80质量％，氧化铝填料的含量以Al2O3换算计为15.6质量％～31.2质量％，二氧化硅的含量以SiO2换算计为0.4质量％～4.8质量％，钛酸锶的含量以SrTiO3换算计为4质量％～14质量％。
3 玻璃陶瓷烧结体及配线基板
简介：本技术提供一种在10GHz以上的高频区域中介电损耗小的玻璃陶瓷烧结体以及使用其的配线基板。一种玻璃陶瓷烧结体，其含有结晶化玻璃、氧化铝填料及二氧化硅。结晶化玻璃的含量为45质量％～85质量％，氧化铝填料的含量以Al2O3换算计为14.8质量％～50.1质量％，二氧化硅的含量以SiO2换算计为0.2质量％～4.9质量％。
4 一种常压烧结制备致密(HfZrTaNbTi)C高熵陶瓷烧结体的方法
简介：本技术涉及一种常压烧结制备致密(HfZrTaNbTi)C高熵陶瓷烧结体的方法，包括：（1）选HfC粉体、ZrC粉体、TaC粉体、NbC粉体和TiC粉体作为原料，再加入粘结剂和溶剂混合，得到浆料；（2）将所得浆料干燥过筛或喷雾造粒，得到混合粉体；（3）将所得混合粉体经压制成型和真空脱粘后置于惰性气氛中，在2000～2250℃下常压烧结，得到所述高熵陶瓷烧结体。
5 一种氧化铝陶瓷烧结体及其配方技术和应用
简介：本技术涉及一种氧化铝陶瓷烧结体，包含质量分数为85.6～95.2％的氧化铝、含铈化合物(以氧化铈形式计算)和含铌化合物(以氧化铌形式计算)，所述含铈化合物(以氧化铈形式计算)的质量分数高于含铌化合物(以氧化铌形式计算)的质量分数。本技术以高纯的α～Al2O3颗粒为原料，以Ce2O3和Nb2O5为添加剂，烧结过程中添加剂Ce2O3和Nb2O5会生成CeNbO4作为液相，从而显著降低复合陶瓷的烧结温度，促进界面反应，使氧化铝晶粒异向长大为柱状；柱状晶主要通过使裂纹偏转、柱状晶的拔出吸收能量等实现复合陶瓷的协同增韧，降低裂纹尖端扩展能，从而使陶瓷材料具有更高的断裂韧性。
6 陶瓷烧结体的制造方法、陶瓷烧结体和发光装置
简介：提供一种使发光强度提高的陶瓷烧结体的制造方法、陶瓷烧结体及发光装置。一种陶瓷烧结体的制造方法，其包括：准备成形体的工序，所述成形体包含氮化物荧光体，所述氮化物荧光体的组成中包含选自Ba、Sr、Ca及Mg中的至少1种碱土金属元素M1、选自Eu、Ce、Tb及Mn中的至少1种金属元素M2、Si和N，并具有1摩尔组成中的碱土金属元素M1与金属元素M2的合计摩尔比为2，金属元素M2的摩尔比为变量y与2的乘积，Si的摩尔比为5，N的摩尔比为8的组成，变量y为0.001以上且不足0.5，且通过X射线衍射测定并使用Halder‑Wagner法而算出的微晶尺寸为以下；和在1600℃以上且2200℃以下的范围内的温度下对成形体进行烧成来得到烧结体的工序。
7 陶瓷组成物、陶瓷烧结体及叠层型陶瓷电子元件
简介：本技术提供陶瓷组成物、陶瓷烧结体及叠层型陶瓷电子元件。该陶瓷组成物包含具有由通式AmBO3所示的钙钛矿型结构的第一主粉，其中A位选自钡、锶或其组合，B位为钛，以及1.02≦m≦1.05；通过调整所述主粉材料的A位和B位的摩尔比例，使所得的陶瓷烧结体具有适当的晶粒大小及孔隙率，进而具有良好的补氧效率，因此，包含所述陶瓷烧结体的叠层型陶瓷电子元件可具有低室温电阻值及高电阻温度系数的优异性能。
8 陶瓷组成物、陶瓷烧结体、叠层型陶瓷电子元件及其制法
简介：本技术提供陶瓷组成物、陶瓷烧结体、叠层型陶瓷电子元件及其制法，并通过调整陶瓷组成物的微纳米硅玻璃含量，使所得的陶瓷烧结体包含玻璃相并具有适当的孔隙率进而具有良好的补氧效率，因此，包含所述陶瓷烧结体的叠层型陶瓷电子元件可具有低室温电阻值及高电阻温度系数的优异性能。
9 陶瓷层与铜粉糊烧结体的积层体
简介：本技术涉及一种陶瓷层与铜粉糊烧结体的积层体。具体地，提供一种积层体，其是通过铜粉糊的烧结所制造的烧结体与陶瓷基材的积层体，且烧成体与陶瓷基材的密接性优异。本技术的积层体在陶瓷层积层有铜粉糊烧结体，且在铜粉糊烧结体中，根据EBSD图像所求出的利用面积分数法(AreaFractionMethod)获得的铜的结晶粒径为10μm以下，且分析区域的平均可靠性指数(CI值)为0.5以上。
10 陶瓷层与铜粉糊烧结体的积层体
简介：本技术涉及一种陶瓷层与铜粉糊烧结体的积层体。具体地，提供一种积层体，其是通过铜粉糊的烧结所制造的烧结体与陶瓷基材的积层体，且烧成体与陶瓷基材的密接性优异。本技术的积层体在陶瓷层积层有铜粉糊烧结体，且在铜粉糊烧结体与陶瓷层的界面，当利用STEM对界面在积层体的厚度方向夹着界面进行100nm扫描来观察时，具有来自铜粉表面处理剂的选自Si、Ti及Zr中的任意1种以上元素一共以5～15nm范围的厚度存在的部分。
11 一种氧化铝陶瓷烧结体、其配方技术及应用
12 一种氧化锆复合氧化铝陶瓷烧结体、其配方技术及应用
13 陶瓷烧结体和等离子体处理装置用构件
14 制备用于烧结的陶瓷成型体的方法和制造陶瓷烧结体的方法
15 制备用于烧结的陶瓷成型体的方法和制造陶瓷烧结体的方法
16 陶瓷粉末、烧结体和电池
17 陶瓷烧结体以及半导体装置用基板
18 陶瓷烧结体以及半导体装置用基板
19 玻璃陶瓷烧结体及线圈电子部件
20 取向陶瓷烧结体的制法以及平坦片材
21 以钒钛磁铁矿制备扩散自润滑金属陶瓷烧结体的方法
22 陶瓷烧结体、嵌件、切削工具和摩擦搅拌接合用工具
23 陶瓷烧结体及包含其的被动元件
24 透光性陶瓷烧结体和其制造方法
25 玻璃陶瓷烧结体以及线圈电子部件
26 硅铝氧氮陶瓷烧结体、其制法、复合基板及电子器件
27 陶瓷烧结体
28 陶瓷烧结体的制造方法、以及陶瓷成型体的制造方法和制造装置
29 陶瓷模制品和透明烧结体的生产方法
30 陶瓷烧结体
31 玻璃陶瓷烧结体、玻璃陶瓷组合物、层叠陶瓷电容器及层叠陶瓷电容器的制造方法
32 压电陶瓷材料、压电陶瓷烧结体及其压电陶瓷器件
33 压电陶瓷材料、压电陶瓷烧结体及其压电陶瓷器件
34 低温烧结陶瓷材料、陶瓷烧结体以及陶瓷电子部件
35 一种复合结构的金属陶瓷和或硬质合金烧结体及其配方技术
36 多孔?致密双层电解质陶瓷烧结体、锂离子电池、锂?空气电池
37 氧化铝复合陶瓷烧结体维氏硬度的测试方法
38 氧化铝陶瓷烧结体密度的测试方法
39 介电陶瓷K6Nb10.8O30粉体及其烧结体的配方技术
40 陶瓷材料、烧结体及配方技术、压电陶瓷器件、压电双晶片及改善其温度稳定性的胶合方法
41 压电陶瓷材料、烧结体及其配方技术、压电陶瓷器件
42 压电陶瓷材料、烧结体及其配方技术、压电陶瓷器件
43 陶瓷烧结体
44 陶瓷烧结体、用其构成的耐腐蚀性构件、过滤器和防光晕构件
45 压电陶瓷材料、烧结体及其配方技术、压电陶瓷器件
46 压电陶瓷材料、烧结体及其配方技术、压电陶瓷器件
47 压电陶瓷材料、烧结体、压电陶瓷器件及其配方技术
48 玻璃陶瓷烧结体、使用了它的反射构件，和发光元件搭载用基板、以及发光装置
49 陶瓷烧结体和制造陶瓷烧结体的方法
50 陶瓷烧结体和制造陶瓷烧结体的方法
51 易烧结性碳化硅粉末及碳化硅陶瓷烧结体
52 陶瓷烧结体的制造方法、陶瓷烧结体及陶瓷加热器
53 多孔陶瓷烧结体
54 光催化剂、浆液状混合物、成型材料及涂料、涂膜形成材料、烧结体、玻璃陶瓷复合体、玻璃、建材及净化材料
55 陶瓷烧结体及使用其的电路基板、电子装置以及热电转换组件
56 陶瓷烧结体及其制造方法
57 陶瓷烧结体、其制造方法以及陶瓷结构体
58 陶瓷烧结体、陶瓷球体以及陶瓷球体检查装置
59 低温烧结陶瓷材料、低温烧结陶瓷烧结体和多层陶瓷基板
60 碳化硅包覆碳基材的制造方法、碳化硅包覆碳基材、碳化硅碳复合烧结体、陶瓷包覆碳化硅碳复合烧结体以及碳化硅碳复合烧结体的制造方法
61 玻璃陶瓷、玻璃陶瓷烧结体、玻璃陶瓷复合体、玻璃粉粒体、浆料状混合物以及光催化剂
62 陶瓷烧结体及采用其的半导体装置用基板
63 钛酸铝系陶瓷烧结体的制造方法及钛酸铝系陶瓷烧结体
64 低温烧结陶瓷烧结体及多层陶瓷基板
65 金属陶瓷烧结体和切削工具
66 陶瓷烧结体及压电元件
67 带有导电性陶瓷烧结体的窗玻璃
68 无铅压电陶瓷KNbO*超细粉体及其烧结体的配方技术
69 陶瓷烧结体和使用它的磁头用基板和磁头以及记录媒体驱动装置
70 包含固溶体粉体的混合粉体及使用该混合粉的烧结体，包含固溶体粉体的混合金属陶瓷粉及使用该混合金属陶瓷粉的金属陶瓷及其配方技术
71 陶瓷烧结体、使用其的滑动部件以及陶瓷烧结体的制造方法
72 陶瓷烧结体、使用其的滑动部件以及陶瓷烧结体的制造方法
73 镁橄榄石粉末的制造方法、镁橄榄石粉末、镁橄榄石烧结体、绝缘体陶瓷组合物以及层叠陶瓷电子器件
74 发光元件搭载用陶瓷烧结体
75 碳化钛粉末和碳化钛－陶瓷复合粉末及其制造方法，以及碳化钛粉末的烧结体和碳化钛－陶瓷复合粉末的烧结体及其制造方法
76 无铅压电陶瓷K*Bi*TiO*纳米线及其烧结体的配方技术
77 绝缘体陶瓷组合物、绝缘性陶瓷烧结体及层叠型陶瓷电子部件
78 陶瓷烧结体、陶瓷烧结体的制造方法及金属气相淀积用发热体
79 陶瓷烧结体的制造方法、陶瓷烧结体及发光容器
80 玻璃陶瓷组合物、玻璃陶瓷烧结体以及陶瓷多层基板
81 介电材料和介电材料烧结体以及使用该陶瓷的布线板
82 多元系陶瓷粉末的制造方法和烧结体的制造方法
83 多元系陶瓷粉末及其制造方法、和烧结体及其制造方法
84 陶瓷生坯用颗粒、陶瓷生坯、及其烧结体
85 压电陶瓷材料及由其制成的压电陶瓷烧结体
86 含碳的氮化铝烧结体以及用于半导体制造/检测设备的陶瓷基材
87 导电性薄片、薄板烧结体及陶瓷基片的制造及加工方法
88 过滤式成形模以及使用该成形模的陶瓷烧结体制造方法
89 多孔陶瓷烧结体及其制造方法
90 大型平板状陶瓷烧结体及其制造方法和制造装置
91 生产金属和陶瓷烧结体和涂层的方法
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,完整内容都包括具体的配方配比和生产工艺制作过程。收费260元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：13510921263
