1、一种低氮高纯碳化硅粉料合成的方法
[简介]：本技术提供了一种低氮高纯碳化硅粉料合成的方法，涉及碳化硅合成技术领域；具体是将原料粉体装在有排气孔的坩埚内，将坩埚置于炉中，将炉腔抽真空后升温；之后向炉腔中注入高纯H2至750?850mbar，然后抽真空至4.5×10?6?5.5×10?6mbar；重复多次后将炉腔升温并将高纯Ar与H2以流量比9?10.5:1注入炉腔，进行合成反应和转化合成反应，结束后在Ar与H2的保护下降温至室温；本技术可有效降低粉料合成过程中的氮浓度，提升粉料纯度；有效避免混合原料在粉料合成过程中逸出坩埚，提升粉料的反应效率。
2、用于碳化硅单晶生长的碳化硅粉体的配方技术
[简介]：本技术涉及一种用于碳化硅单晶生长的碳化硅粉体的配方技术，其针对市面可采购的高纯度β碳化硅粉体通过进一步的热处理，经过热处理工序的高纯度β碳化硅粉末有效的转化为α碳化硅粉末，而α?碳化硅具有合适的计量成分，适合作为晶体生长原料，以最大限度地减少多孔粉末的影响，并最大限度地提高晶体粉末在生长晶体的效果。本技术的优化热处理最佳温度曲线，时间不足或温度太低不能完金消除原粉体中的自由金属硅和粉末中的多孔粉末；反之时间太长或太高会造成粉末石墨化。
3、一种用于单晶生长的高纯碳化硅粉体配方技术
[简介]：本技术提供了一种用于单晶生长的高纯碳化硅粉体配方技术；属于半导体材料技术领域；技术方案是选择高纯石墨粉、高纯Si粉和聚四氟乙烯粉混合后置于加热炉中，向炉腔内注入高纯H2，保持一定时间后抽真空；加热炉升温至850?990℃，再次注入高纯H2，保持一定时间后再次抽真空，之后再次升温至1000℃?1200℃，进行SiC合成反应得到高纯β?SiC粉体；继续将高纯H2、高纯Ar与高纯HCl注入炉腔，升温至1900℃?2100℃进行转化合成反应得到高纯α?SiC粉体；本技术通过提高环境纯度以及限定工艺参数有效提高最终碳化硅粉体的纯度，适用于高纯半绝缘碳化硅的单晶生长。
4、一种富氮碳化硅粉料及其配方技术与应用
[简介]：本技术提供了一种富氮碳化硅粉料及其配方技术与应用，该富氮碳化硅粉料中氮含量为1.0×1018～1.0×1020atoms/cm3，该富氮碳化硅粉料的粒径为10～200μm。该富氮碳化硅粉料中氮含量较高，可作为原料用于N型碳化硅晶体的生长，有效避免了由于外界通入氮气，容易导致晶体氮掺杂均匀性差的问题。该配方技术通过控制一定的压力和温度，将碳化硅粉料进行稳定的氮化处理，使得碳化硅粉料吸附有较多的氮源，得到的N型碳化硅晶体电导率较均匀、导电稳定、缺陷少，晶体质量高，将其用于晶体衬底和电子器件中有效提高了晶体衬底的质量和电子器件的工作性能。
5、一种热喷涂用改性碳化硅粉末及其配方技术
[简介]：本技术提供了一种热喷涂用改性碳化硅粉末，所述该碳化硅粉末呈核壳状，该热喷涂用改性碳化硅粉末的配方按质量百分比计包括：原料，羰基镍粉10.0％?20.0％、超细铝粉2.5％?5.0％和碳化硅粉75.0％?87.5％；黏结剂，其中黏结剂重量占原料总质量的1.5％?4.0％。本技术通过物理粘接法，在碳化硅表面制备一层羰基镍粉与铝粉的复合包覆层，实现对碳化硅粉末的表面包覆改性，镍铝包覆层在等离子焰流中首先发生放热反应生成镍铝金属间化合物并形成液化保护膜，有效地避免了碳化硅的分解，同时，镍铝金属间化合物充当高温黏结相的作用，有利于碳化硅涂层沉积，且本技术具有包覆均匀，沉积效率高，采用该法制备的改性碳化硅粉末喷涂后形成的涂层致密，硬度高，耐腐蚀性好。
6、改性聚氨酯结合剂超细碳化硅粉体刮涂工艺、系统及配方
[简介]：本技术提供了改性聚氨酯结合剂超细碳化硅粉体刮涂工艺、系统及配方，其工艺为：对砂纸纸基的A面涂附耐水胶剂，进行耐水性处理；然后烘干砂纸纸基；接着对砂纸纸基的B面涂附磨料，进行植砂；然后对砂纸进行恒温恒湿处理；最后收纳成品砂纸。磨料配方为：碳化硅粉体5斤；改性聚氨酯胶3两半；丙酮9两；102涂层胶1两4；温度20?25℃，搅拌均匀，形成流质状。刮涂系统包括供纸辊、耐水处理机构、纸基烘干机构、磨料涂附机构、温湿度调节机构、收料机构和废气回收装置，各个机构合理布置在总支撑框架上，充分利用了立体空间，缩减设备的占地面积，节约企业生产成本。
7、一种掺杂稀土元素的碳化硅粉料及其配方技术与应用
[简介]：本申请提供了一种掺杂稀土元素的碳化硅粉料及其配方技术与应用，所述掺杂稀土元素的碳化硅粉料包含碳化硅晶相和稀土元素的硅化物，所述稀土元素的硅化物掺杂在碳化硅晶相中。所述稀土元素的硅化物在碳化硅晶相中的掺杂浓度为0.001～5wt％。本申请掺杂稀土元素的碳化硅粉料中，稀土元素的硅化物掺杂在碳化硅晶相中，使得稀土元素在碳化硅粉中均匀掺杂，长晶时，稀土元素会随着碳化硅粉的升华被逐步释放，实现稀土元素在时间和空间上的均匀掺杂，从而有效抑制了晶体中多型缺陷的产生；且选用纯度较高的稀土元素的氧化物获得稀土元素的硅化物，极大地降低了掺杂稀土元素的碳化硅粉料的生产成本，且提高了产品纯度。
8、用于PVT法生长碳化硅单晶的碳化硅粉料的预处理方法
[简介]：用于PVT法生长碳化硅单晶的碳化硅粉料的预处理方法，它涉及碳化硅粉料的预处理技术。它是要解决现有的PVT法碳化硅单晶生长过程中因粉料烧结影响气体输运技术问题。本方法：将碳化硅粉料放入带搅拌的真空感应炉中在，抽真空状态下加热到处理；然后再充入氩气，搅拌的同时继续加热处理；然后冷却到室温，完成碳化硅粉料的预处理。在碳化硅粉末表面形成一层相对疏松的石墨隔离层，稳定的隔离层阻隔了碳化硅颗粒之间的相互接触，减少在高温条件下碳化硅的烧结，利于PVT法碳化硅单晶的生长时减少缺陷。本方法可用于碳化硅单晶生长领域。
9、一种掺杂稀土元素的碳化硅粉料及其配方技术
[简介]：本申请提供了一种掺杂稀土元素的碳化硅粉料的配方技术，所述配方技术包括下述步骤：(1)将含稀土元素物质与高纯硅粉进行高温反应，得到稀土元素的硅化物；(2)将所述稀土元素的硅化物、高纯硅粉和高纯碳粉进行合成反应，得到掺杂稀土元素的高纯碳化硅粉料；所述稀土元素选自铈、镧、镨、钕、钪和钇中的至少一种。本申请方法利用含稀土元素物质，得到掺杂稀土元素的碳化硅粉料，所述稀土元素部分包覆在碳化硅粉料表面，部分进入到碳化硅粉料的晶格中，提高了稀土元素在碳化硅粉料中的分布均匀性；本申请的配方技术简单，条件易控制，制得的掺杂稀土元素的碳化硅粉料不仅稀土元素掺杂均匀，且纯度较高。
10、一种碳化硅单晶生长用高纯碳化硅粉体的配方技术
[简介]：本技术涉及一种碳化硅单晶生长用高纯碳化硅粉体的配方技术，其以CH4作为气相碳源，高纯度的SiO2粉体为固相硅源。在真空下，重新注入气相碳源，碳源均匀分布在固体硅源当中；避免了不必要的污染，提高了碳化硅纯度。而且利用气相／固相的合成SiC粉料，气相原料的杂质并不会留在SiC成品料中。过量的Ｃ源参于合成，可以确保所有Si源的转换，多余的Ｃ都是来自CH4，本身不存在杂质，同时在干静与高温条件下，通O2气体氧化残留的C成气体CO2，就可轻易的把C从粉体中分离出来。而且原料易取得，且成本相对低。所以，本技术制备成本低，且制备得到的碳化硅粉体纯度高。
11、一种高纯碳化硅粉配方技术
12、一种碳化硅粉表面处理生产工艺及其使用方法
13、一种富氮碳化硅粉料及其配方技术与应用
14、用于高纯碳化硅粉料的一种预制料处理方法
15、一种PVT法中碳化硅粉源的回收方法
16、一种碳化硅粉表面处理工艺方法
17、一种碳化硅粉料的合成及处理方法
18、一种碳化硅晶体金刚线多线切割废液中碳化硅粉的回收方法
19、一种碳化硅粉增强高性能塑料及其配方技术
20、一种改性高分散碳化硅粉体的配方技术
21、深度去除高纯碳化硅粉体中杂质元素的方法
22、一种碳化硅粉的配方技术及碳化硅粉
23、一种高纯碳化硅粉料品质的评价方法
24、一种精密研磨用碳化硅粉体的配方技术
25、一种高纯碳化硅粉料及其配方技术、反应器
26、碳化硅粉的烘干系统
27、一种高纯碳化硅粉及其配方技术
28、一种以多孔石墨为核的空心碳化硅粉的配方技术
29、一种降低碳化硅粉体中氮杂质含量的方法
30、一种用于制备碳化硅粉料的合成炉和合成方法
31、一种碳化硅粉增强高性能橡胶材料及其配方技术
32、一种碳化硅粉体及其配方技术
33、一种制备高纯碳化硅粉料的方法
34、一种高纯碳化硅粉及其配方技术
35、一种利用火焰作为热源的高纯碳化硅粉体的配方技术
36、一种提高碳化硅粉料产率的方法
37、一种氮化硅结合碳化硅粉煤灰基复合耐火材料的配方技术
38、一种高纯碳化硅粉及其配方技术
39、一种作为有机复合材料增强体的碳化硅粉体的配方技术
40、一种提升高纯碳化硅粉料合成效率的方法
41、碳化硅粉体镀镍方法
42、一种提高碳化硅粉末在水系中分散稳定性的方法
43、一种利用废弃线路基板制备碳化硅粉体材料的方法
44、一种利用感应炉制备碳化硅粉体的方法
45、一种制备亚微米级碳化硅粉体的方法
46、纳米碳化硅粉末涂料的配方及其配方技术
47、一种直接合成大颗粒碳化硅粉的方法
48、一种碳化硅粉末除铁机
49、一种镀层均匀稳定的碳化硅粉体表面化学镀镍的方法
50、一种反射镜用碳化硅粉体及其配方技术
51、一种陶瓷膜用高球形度碳化硅粉体的配方技术
52、一种制备碳化硅粉末的方法
53、一种高纯碳化硅粉料的配方技术
54、一种碳化硅晶体生长用大粒径碳化硅粉料的合成方法
55、一种碳化硅粉体的喷雾造粒方法
56、一种提高碳化硅粉源径向温度均匀性的石墨坩埚
57、一种碳化硅粉料生产系统
58、一种超微碳化硅粉体高性能浆料的配方技术
59、一种工业化大规模生产碳化硅粉体的方法
60、一种碳化硅粉体的喷雾造粒方法
61、一种碳化硅粉体的喷雾造粒方法
62、一种低成本低温合成碳化硅粉料的方法
63、一种精密研磨用碳化硅粉体的配方技术
64、一种精密研磨用碳化硅粉体的划伤程度检测方法
65、一种高纯碳化硅粉料制备的方法
66、一种利用多晶硅切割废料制备碳化硅粉的方法
67、一种碳化硅粉表面处理工艺方法
68、一种利用多晶硅块和鳞片石墨制备高纯碳化硅粉的方法
69、一种高纯、铝掺杂碳化硅粉及其合成方法
70、球状碳化硅粉及其制造方法
71、一种硅烷偶联剂对碳化硅粉体的表面改性方法
72、一种碳化硅粉体的无钯活化方法
73、碳化硅粉体
74、一种作为有机复合材料增强体的碳化硅粉体的配方技术
75、激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法待测碳化硅粉体样品的前处理方法
76、碳化硅粉的制造方法
77、一种微米碳化硅粉体表面的化学镀镍方法
78、碳化硅粉末和其配方技术
79、碳化硅粉末及其配方技术
80、一种从晶硅切割废砂浆提纯制备碳化硅粉体的方法
81、碳化硅粉末和其配方技术
82、碳化硅粉末和碳化硅单晶的制造方法
83、公斤级高纯碳化硅粉的配方技术
84、一种制备亚微米级碳化硅粉体的方法
85、硅片切割废液中碳化硅粉体回收提纯方法
86、高纯碳化硅粉体的高温固相合成方法
87、一种太阳能硅片切割刃料碳化硅粉体免烘干方法
88、碳化硅粉末和制造碳化硅粉末的方法
89、易烧结性碳化硅粉末及碳化硅陶瓷烧结体
90、分离硅粉体与碳化硅粉体的泡沫浮选方法
91、硅片切割废液采用泡沫浮选回收分离硅和碳化硅粉体方法
92、氧化硅纳米线的碳化硅粉末压坯配方技术
93、一种高纯线状碳化硅粉及其配方技术
94、一种从超细碳化硅粉体中分离游离碳的方法
95、热锻模模膛表面强化用镍包碳化硅粉的制备工艺
96、碳化硅粉末及其制造方法
97、一种碳化硅粉体及其配方技术
98、一种铝电解槽再生碳化硅粉的应用方法
99、一种用油页岩废渣制备碳化硅粉体的方法
100、碳化硅单晶制造用碳化硅粉体及其制造方法
101、碳化硅粉体表面包覆金刚石或类金刚石薄膜的方法
102、用于制备碳化硅粉体的系统和方法
103、自蔓燃制备氮化硅复合碳化硅粉体的方法
104、碳化硅粉末组合物及使用该碳化硅粉末组合物的碳化硅成形体的制造方法
105、球形碳化硅粉末、其制造方法、及使用其的碳化硅陶瓷成形体的制造方法
106、分离硅粉体与碳化硅粉体的泡沫浮选方法
107、硅粉与碳化硅粉的界面张力分离方法
108、从切割废砂浆中回收多晶硅锭、碳化硅粉和聚乙二醇的方法
109、一种用于制备碳化硅粉末烧结多孔体的组合粘结剂及使用方法
110、一种高纯超细碳化硅粉体的湿化学连续式合成方法
111、激光照射纳米碳化硅粉末材料制备碳化硅晶须的方法
112、用于半导体单晶生长的高纯碳化硅粉的人工合成方法
113、燃烧合成均质纳米碳化硅粉体的方法
114、一种从切割废砂浆中回收硅粉和碳化硅粉的方法
115、一种改性碳化硅粉末及其配方技术
116、一种超细碳化硅粉末提纯方法
117、一种纳米级碳化硅粉体的配方技术
118、一种钛碳化硅粉末的配方技术
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