1 一种钽硅合金溅射靶材及其配方技术
简介：本技术涉及一种钽硅合金溅射靶材及其配方技术。所述配方技术包括：(1)将钽粉和硅粉混合；(2)装入模具并封口；(3)对封口后的模具进行冷等静压处理，得到钽硅坯料；(4)将得到的钽硅坯料进行脱气处理；(5)在1050‑1350℃下对脱气后的包套进行热等静压处理，得到钽硅合金溅射靶材粗品；(6)经机加工得到钽硅合金溅射靶材。所述配方技术不仅有效防止了硅粉氧化，保证了产品纯度，还可使制备得到的钽硅合金溅射靶材达到99％以上的致密度，满足了钽硅合金溅射靶材致密度和内部组织结构均匀的要求，为后续溅射使用提供更优良的性能保障，而且具有工艺简单、操作方便、生产周期短的特点。
2 一种钼镍铜多元合金溅射靶材及其配方技术
简介：本技术提供了钼镍铜多元合金溅射靶材及其配方技术，由以下质量组分组成：Ni5％‑45％，Cu1％‑10％，余量为Mo，以上组分的质量分数百分比之和为100％；通过混料‑冷等静压‑热等静压‑去除包套‑一火多道次热轧‑退火‑机加工等，得到钼镍铜多元合金靶材。本技术配方技术通过混匀钼镍铜粉体，避免单纯钼合金熔点较高而无法采用常规雾化法的局面；通过设置烧结工艺参数，解决了多元合金中三种金属粉末熔点相差较大不易烧结的问题；通过溅射靶材金属化，解决了电沉积法进行陶瓷金属化所产生的精密性及安全性差的问题；制备的钼镍铜多元合金溅射靶材，气密性好、耐湿耐潮、高密度、高纯度，提高陶瓷‑金属封接材料的使用寿命。
3 一种高致密度钼钽合金溅射靶材的制备工艺
简介：本技术提供一种高致密度钼钽合金溅射靶材的制备工艺，该工艺包括如下步骤：S1、钽粉氢化处理；S2、原料混合；S3、胶套装粉作业；S4、冷等静压作业：升压至一定压力后，保压一段时间，然后泄压，最后将压制坯从胶套取出；S5、真空烧结；S6、热轧作业：对钼钽合金进行金属包套轧制，热轧后退火去除应力；S7、进行磨削等机加工作业，得到最终所需产品尺寸。本技术的工艺步骤简单，操作便捷，制备的钼钽合金溅射靶材纯净度、相对密度均满足高端电子产品镀膜领域使用需求，且生产成本低，产品尺寸宽泛，便于工业化批量生产。
4 一种溅射用高纯铝铜合金靶材坯料的配方技术
简介：本技术为一种溅射用高纯铝铜合金靶材坯料的配方技术。一种溅射用高纯铝铜合金靶材坯料的配方技术，包括：S10：将99.999‑99.9995％纯度的高纯铝与99.999％以上纯度的高纯铜进行真空熔融，得中间合金液：S20：将99.9995wt％以上纯度的高纯铝锭与所述的中间合金液进行熔炼，熔炼温度在720‑800℃，完全熔融后，控制合金液温度到达730±5℃，静置保温15min；S30：进行炉内精炼；S40：进行在线精炼；S50：进行双极过滤；S60：进行φ120‑164mm棒材坯料铸造，得所述的溅射用高纯铝铜合金靶材坯料。本技术所述的一种溅射用高纯铝铜合金靶材坯料的配方技术，该方法该使用超高纯铝原料及高纯铝铜中间合金，通过半连续铸造，制备出杂质元素含量低、组织均匀的高纯铝铜合金棒材。
5 一种溅射旋转铝铜合金靶材及其配方技术
简介：本技术提供了一种溅射旋转铝铜合金靶材及其配方技术。所述溅射旋转铝铜合金靶材包括以下重量百分比的组分：难熔物质0.2‑3wt％、铜0.5‑6wt％和铝余量，所述难熔物质为熔点超过1500℃的金属或氧化物。本技术以高纯铝粉、铜粉、难熔金属或氧化物粉末为原料，经冷喷涂制备旋转铝铜合金靶材。本技术所用方法工艺简单、操作方便，适合大规模工业生产，制备出的靶材纯度高(≥99.9％)、相对密度大(≥95％)，氧含量小于1500ppm，综合性能优异。
6 一种高致密度钼铌合金溅射靶材的制备工艺
简介：本技术属于高温难熔金属靶材制备领域，具体涉及一种高致密度钼铌合金溅射靶材的制备工艺，该工艺包括如下步骤：原料混合；胶套装粉作业；冷等静压作业，升压至一定压力后，保压一段时间，然后泄压，最后将压制坯从胶套取出；真空烧结或氢气保护烧结；热等静压作业，对烧结坯直接进行热等静压作业；热轧作业，对钼铌合金进行金属包套轧制，热轧后退火去除应力；进行磨削等机加工作业，得到最终所需产品尺寸。该工艺步骤简单，操作便捷，制备的钼铌合金溅射靶材纯净度、相对密度均满足高端电子产品镀膜领域使用需求，且生产成本低，产品尺寸宽泛，便于工业化批量生产。
7 无线充电用合金线配方技术及制备用的多靶磁控溅射装置
简介：本技术属于合金线制备领域，具体提供了一种无线充电用合金线配方技术及制备用的多靶磁控溅射装置，合金线由铁和铜组成，铁的质量百分比为20‑40wt％，铁包覆在铜线的外表面。该合金线的外部的纯铁层具有良好的导磁性，可以提高接收线圈的磁耦合效率，从而提高无线充电功率和效率。该合金线的配方技术包括：首先，选取合适尺寸的铜线；其次，通过多靶磁控溅射装置制备得到合金线母材；通过多靶磁控溅射方式在铜线表面镀铁，保证线材表面的纯铁的厚度。最后进行拉制，将合金线母材进行拉制，最终制得无线充电用合金线的成品。本技术提供的合金线配方技术，制作方便，污染较小，合金线纯铁镀层均匀，对无线充电用线材的发展具有重要的意义。
8 一种用于真空磁控溅射的铝银合金靶材及其配方技术
简介：本技术的一种用于真空磁控溅射的铝银合金靶材及其配方技术。靶材包括组分及质量百分含量为39.0～70.0wt.％Al，29.0～60wt.％Ag，0.3～0.5wt.Zn％，0.1～0.3wt.％Mn，0.1～0.2wt.％Si，0.05～0.1wt.％Sb，0.05～0.1wt.％Cr，0.01‑0.02wt.％Y。制法为：将铝进行加热熔化后，先后依次加入金属银，锰、硅、锑、铬、铝钇中间合金和锌，熔化后加入造渣剂进行除渣，浇入模具形成铸锭后，控制相应参数进行热锻、轧制、裁剪与表面处理，获得铝银合金靶材。采用该方法制得靶材经镀膜后，可获得色泽均匀、耐蚀性良好、亮度较高的膜层，具有广阔的市场应用前景。
9 Cu-Ga合金溅射靶及Cu-Ga合金溅射靶的制造方法
简介：本技术的Cu‑Ga合金溅射靶具有如下组成：作为金属成分，以20原子％以上且45原子％以下的范围含有Ga，进一步以合计0.1原子％以上且2原子％以下的范围含有K及Na，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，在Cu‑Ga合金的母相中分散有包含Na、K及F的复合氟化物，所述复合氟化物的内切圆的最大直径为30μm以下，在将所述复合氟化物中的Na的原子比设为[Na]且将所述复合氟化物中的K的原子比设为[K]的情况下，[Na]/([Na]+[K])在0.3以上且0.9以下的范围内。
10 一种提高钼及其合金溅射靶材晶粒均匀性的方法
简介：本技术涉及一种提高钼及其合金溅射靶材晶粒均匀性的方法，包括1）将费氏粒度为2.0‑4.5μm的钼粉进行球磨、分级使得钼粉中1μm以下颗粒含量在5%以下，0.5μm以下颗粒含量在1%以下，然后与费氏粒度5‑20μm的合金粉混合均匀得到混合粉；2）将混合粉冷等静压压制成形，得到压制板坯；3）将压制板坯于1750‑2150℃烧结保温2‑8小时得到烧结坯；4）将烧结坯轧制变形得到轧制坯，开坯温度为1350‑1500℃，终轧温度为1100‑1400℃；5）轧制坯在真空或氢气气氛中于1050‑1250℃退火处理1‑4小时，即获得溅射靶材。该方法可以同时提高钼及其合金溅射靶材微小区域内和区域间的晶粒均匀性，使溅射镀膜微观和整体均匀性得以保障，从而提高相关电子元器件功能薄膜质量、寿命和产品的一致性。
11 一种硒砷锗多元合金溅射靶材的配方技术
12 一种高纯铝硅合金溅射靶材坯料及其配方技术
13 一种长寿命镍铁合金溅射靶材的配方技术
14 铜镓合金溅射靶材的配方技术及靶材
15 平板显示器用钼合金溅射靶材的配方技术及靶材
16 一种用于真空磁控溅射类纯金色金合金靶材及其配方技术
17 In-Cu合金粉末及其制法、In-Cu合金溅射靶及其制法
18 一种铝钪合金溅射靶材及其配方技术
19 CuNi合金溅射靶及CuNi合金粉末
20 一种高钪含量铝钪合金溅射靶材及其配方技术
21 一种制备钼钛合金溅射靶材的方法
22 Cu-Ni合金溅射靶及其制造方法
23 铬钽钛合金溅射靶材的配方技术、铬钽钛合金溅射靶材及应用
24 铁钴钽合金溅射靶材的配方技术、铁钴钽合金溅射靶材及应用
25 层叠布线膜及其制造方法以及Mo合金溅射靶材
26 一种平面显示器用钼钽合金溅射靶材的配方技术
27 一种磁控溅射靶材用铝钕合金的制造方法
28 反射电极和Al合金溅射靶
29 铝合金溅射靶材
30 用于真空磁控溅射银基合金靶材坯料及其配方技术和应用
31 磁记录介质的晶种层用合金、溅射靶材和磁记录介质
32 Ti-Ta合金溅射靶及其制造方法
33 Cu-Ga合金溅射靶的制造方法及Cu-Ga合金溅射靶
34 基于银合金的溅射靶
35 一种铂镍合金溅射靶材及其配方技术
36 溅射靶材用硅锆合金的配方技术
37 非磁性且非晶质的合金、以及利用该合金的溅射靶材和磁记录介质
38 具有改善性质的无摩擦锻造铝合金溅射靶
39 Ag合金膜及其制造方法、Ag合金溅射靶以及层叠膜
40 一种防止用作溅射靶材的脆性合金开裂的铸造方法
41 铜合金溅射靶及其制造方法
42 一种钼铌合金溅射靶材的制备工艺
43 铝合金溅射靶材
44 铝合金溅射靶材
45 Cu-Ga合金溅射靶材
46 一种平板显示器触摸屏用铝稀土合金旋转溅射靶材的配方技术及其制备靶材
47 一种高纯、高致密、大尺寸钼钛合金溅射靶材的配方技术
48 Cu-Ga合金溅射靶以及Cu-Ga合金溅射靶的制造方法
49 大尺寸、细晶钼钽合金溅射靶材的配方技术
50 Ag合金溅射靶及Ag合金膜的制造方法
51 铬-钛合金溅射靶材及其制造方法
52 Ni－Cu系磁记录介质的籽晶层用合金和溅射靶材及磁记录介质
53 一种高性能镍铁合金溅射靶材及其配方技术
54 一种钼铌合金溅射靶材的配方技术
55 一种铝合金溅射靶材及其配方技术
56 包含Al-Te-Cu-Zr基合金的溅射靶及其制造方法
57 溅射靶用母合金和溅射靶的制造方法
58 合金靶与硫化物靶共溅射制备铜锌锡硫薄膜吸收层的方法
59 Ag合金溅射靶、Ag合金溅射靶的制造方法、Ag合金膜及Ag合金膜的制造方法
60 铜基合金溅射靶
61 金锗合金溅射靶材及其配方技术
62 Cu‑Ga合金溅射靶
63 将防腐蚀性金属与Mo或Mo合金扩散接合而得到的背衬板、以及具备该背衬板的溅射靶-背衬板组件
64 基于银合金的溅射靶
65 Cu-Ga合金溅射靶及其制造方法
66 Cu‑Ga合金溅射靶
67 一种用于真空磁控溅射铂铑合金靶材及其配方技术
68 一种管状钼合金溅射靶材的热等静压配方技术
69 磁记录用软磁性合金及溅射靶材以及磁记录介质
70 Ag合金膜及Ag合金膜形成用溅射靶
71 包含Ni-P合金或Ni-Pt-P合金的溅射靶及其制造方法
72 Sb‑Te基合金烧结体溅射靶
73 包含Al-Te-Cu-Zr合金的溅射靶及其制造方法
74 一种钼钛合金溅射靶材板的配方技术
75 一种作为溅射靶材的铝靶材与铝合金背板的连接方法
76 一种集成电路封装材料用铝合金溅射靶材的焊接方法
77 一种低电阻率铜铟镓硒四元合金溅射靶材及其配方技术
78 In或In合金溅射靶及其制造方法
79 Cu-Ga合金溅射靶及其制造方法
80 一种铝合金溅射靶材的配方技术
81 层叠布线膜和其制造方法以及Ni合金溅射靶材
82 铜合金溅射靶
83 Fe‑Co系合金溅射靶材和软磁性薄膜层、以及使用它的垂直磁记录介质
84 Cu‑Ga合金溅射靶及其制造方法
85 铜合金溅射靶及铜合金溅射靶的制造方法
86 一种CoCrPt系合金溅射靶材和薄膜及其配方技术
87 一种大尺寸钌基合金溅射靶材及其配方技术
88 反射电极用或布线电极用Ag合金膜、反射电极或布线电极、和Ag合金溅射靶
89 Cu‑Mn合金膜和Cu‑Mn合金溅射靶材以及Cu‑Mn合金膜的成膜方法
90 一种镍铂合金溅射靶材及其配方技术
91 Ag合金溅射靶
92 电子部件用金属薄膜以及金属薄膜形成用Mo合金溅射靶材
93 导电性膜形成用银合金溅射靶及其制造方法
94 铜合金溅射靶
95 金属薄膜以及金属薄膜形成用Mo合金溅射靶材
96 用于磁性记录的Cr合金和溅射靶材以及使用其的垂直磁性记录介质
97 用于垂直磁性记录介质中的软磁性膜层的CoFe系合金和溅射靶材
98 Mo合金溅射靶材的制造方法以及Mo合金溅射靶材
99 Ag合金膜形成用溅射靶及Ag合金膜、Ag合金反射膜、Ag合金导电膜、Ag合金半透明膜
100 含微量稀土元素的镍钒合金磁控溅射旋转靶材及配方技术
101 一种制备超高纯铝及超高纯铝合金溅射靶材的方法
102 Ag-In合金溅射靶
103 溅射靶用铜合金制热轧板及溅射靶
104 Cu‑Ga合金溅射靶及其制造方法
105 圆筒形Cu?Ga合金溅射靶材和其制造方法
106 Cu‑Mn合金溅射靶材、Cu‑Mn合金溅射靶材的制造方法以及半导体元件
107 合金溅射靶材、制造方法及软磁性薄膜层、垂直磁记录介质
108 磁记录用软磁性合金和溅射靶材以及磁记录介质
109 Cu合金薄膜形成用溅射靶及其制造方法
110 Fe-Co系合金溅射靶材及其制造方法
111 一种平面显示器用钼钨合金溅射靶材及其配方技术
112 一种利用铜铟镓硒合金溅射靶材生产铜铟镓硒薄膜的方法
113 一种利用铜铟镓硒合金旋转溅射靶材生产铜铟镓硒薄膜的方法
114 一种溅射用铜铟合金靶材的配方技术
115 具有低饱和磁通密度并且用于磁性记录介质的软磁性膜层用合金以及溅射靶材料
116 一种钼钠合金旋转溅射管形靶材的制备工艺
117 用于反射膜和/或透射膜、或者用于电气布线和/或电极的Ag合金膜、以及Ag合金溅射靶及Ag合金填料
118 高纯度铜铬合金溅射靶
119 高纯度铜锰合金溅射靶
120 一种溅射用铜镓合金靶材及其配方技术
121 Mo合金溅射靶材的制造方法以及Mo合金溅射靶材
122 触摸屏传感器用Cu合金配线膜及其制造方法和触摸屏传感器及溅射靶
123 在垂直磁记录介质上的软磁性薄膜层中使用的合金，溅射靶材，以及具有软磁性薄膜层的垂直磁记录介质
124 在垂直磁记录介质上的软磁性薄膜层中使用的合金，溅射靶材，以及具有软磁性薄膜层的垂直磁记录介质
125 高纯度铜锰合金溅射靶
126 高纯度铜锰合金溅射靶
127 垂直磁记录介质中的软磁性薄膜层用合金和溅射靶材
128 Cu-Ga合金溅射靶及其制造方法
129 Co-Cr-Pt-B型合金溅射靶及其制造方法
130 Co-Cr-Pt-B型合金溅射靶及其制造方法
131 Co-Cr-Pt-B型合金溅射靶及其制造方法
132 导电性膜形成用银合金溅射靶及其制造方法
133 导电性膜形成用银合金溅射靶及其制造方法
134 Fe-Al型合金溅射靶
135 Fe-Al型合金溅射靶
136 Cu-Mn合金溅射靶材、使用其的薄膜晶体管配线以及薄膜晶体管
137 导电性膜形成用银合金溅射靶及其制造方法
138 显示装置或半导体装置用Al合金膜、具备Al合金膜的显示装置或半导体装置、以及溅射靶
139 铜钛合金制溅射靶、使用该溅射靶形成的半导体布线以及具备该半导体布线的半导体元件和器件
140 磁记录用软磁性合金、溅射靶材及磁记录介质
141 Al基合金溅射靶及Cu基合金溅射靶
142 磁记录介质的籽晶层用合金及溅射靶材
143 一种真空溅射镀膜用硅铝合金中空旋转靶材的配方技术
144 一种溅射靶材用钼铌合金板的配方技术
145 磁记录用软磁性合金、溅射靶材及磁记录介质
146 翻新含有铜和铟的合金溅射靶
147 Ｃｕ－Ｇａ合金溅射靶的制造方法以及Ｃｕ－Ｇａ合金溅射靶
148 Al基合金溅射靶及其制造方法
149 Al合金膜、具有Al合金膜的配线结构以及Al合金膜的制造中使用的溅射靶
150 一种银合金溅射靶的制造方法
151 热等静压生产平板显示器用钼合金溅射靶材的方法
152 氧化物陶瓷溅射靶及其配方技术和所用的钎焊合金
153 光伏吸收层溅射镀膜的铜镓合金旋转靶材及配方技术
154 磁记录介质用软磁性合金、溅射靶材以及磁记录介质
155 CrTi系合金及溅射用靶材、垂直磁记录介质、以及它们的制造方法
156 Ａｌ基合金溅射靶
157 Cu－Ga合金以及Cu－Ga合金溅射靶
158 半导体及太阳能溅射靶材行业用钨钛合金靶材的配方技术
159 Cu-In-Ga-Se四元合金溅射靶
160 Cu－Ga合金粉末、Cu－Ga合金溅射靶以及它们的制造方法
161 镍合金溅射靶、Ni合金薄膜及镍硅化物膜
162 Ａｌ基合金溅射靶
163 金属混合真空溅射合金靶材材料及其制作方法及用途
164 Al基合金溅射靶
165 一种ＦｅＣｏＴａＺｒ系合金溅射靶材及其制造方法
166 溅射靶材用钨钛合金板的配方技术
167 热辅助记录用磁记录介质所使用的Ａｇ合金热扩散控制膜和热辅助记录用磁记录介质、溅射靶
168 ＡＩ基合金溅射靶
169 Al基合金溅射靶
170 光记录介质用铝合金反射膜以及用于形成该反射膜的溅射靶材
171 在Ｃｏ或Ｃｏ合金相中分散有氧化物相的溅射靶、包含Ｃｏ或Ｃｏ合金相和氧化物相的磁性体薄膜及使用该磁性体薄膜的磁记录介质
172 Cu-In-Ga-Se四元合金溅射靶
173 包含Ｃｕ－Ｇａ合金的溅射靶的制造方法
174 铝合金反射膜、反射膜层叠体及汽车用灯具、照明设备以及铝合金溅射靶
175 用于垂直磁记录介质中软磁性膜层的CoFeNi-系合金和溅射靶材料
176 Ｃｕ－Ｇａ合金、溅射靶、Ｃｕ－Ｇａ合金的制造方法以及溅射靶的制造方法
177 Cu-Ga合金溅射靶及其制造方法
178 镍合金溅射靶及镍硅化物膜
179 铝或铝合金溅射靶材的清洗方法
180 铜或铜合金溅射靶材的清洗方法
181 显示装置用Ａｌ合金膜、显示装置和溅射靶
182 用于光伏应用的硫属元素化物合金溅射靶及其制造方法
183 以阻挡层为构成层的薄膜晶体管以及用于阻挡层的溅射成膜的Cu合金溅射靶
184 高纯度铜或高纯度铜合金溅射靶、该溅射靶的制造方法及高纯度铜或高纯度铜合金溅射膜
185 显示装置、其所使用的Ｃｕ合金膜和Ｃｕ合金溅射靶
186 Ａ１基合金溅射靶材的制造方法
187 高磁通量的钴铁基合金磁性溅射靶材及其制造方法
188 Ａｌ－Ｎｉ－Ｌａ－Ｃｕ系Ａｌ－基合金溅射靶及其制造方法
189 Ａｌ－基合金溅射靶及其制造方法
190 一种溅射镀膜用高硅含量硅铝合金靶材及其配方技术
191 Ａｇ基合金溅射靶
192 Ａｇ基合金溅射靶及其制造方法
193 Ａｌ－Ｎｉ－Ｌａ－Ｓｉ体系Ａｌ－基合金溅射靶及其配方技术
194 多孔叠层金属或合金溅射靶材的配方技术
195 Al-Ni-B系合金溅射靶材
196 高密度难熔金属和合金溅射靶
197 一种磁控溅射Fe-Co合金靶的制造方法
198 一种磁控溅射Co-Cr-Ta合金靶的制造方法
199 燃料电池的金属隔板用合金皮膜、其制造方法和溅射用靶材、以及金属隔板和燃料电池
200 显示装置用Ａｌ合金膜、显示装置以及溅射靶材
201 特别用于溅射靶、管状*极等的制造的基于铜－铟－镓合金的镀膜材料
202 Ａｌ－基合金溅射靶及其配方技术
203 Al-Ni-La体系Al-基合金溅射靶及其配方技术
204 超高纯NiPt合金和包括该合金的溅射靶
205 脆性金属合金溅射靶及其制造方法
206 Ｃｏ—Ｆｅ—Ｚｒ系合金溅射靶材及其制造方法
207 Ｓｂ－Ｔｅ基合金烧结体溅射靶
208 Cu-Mn合金溅射靶及半导体布线
209 颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶的制造方法、及磁记录膜形成用Co基烧结
210 作为用于垂直磁记录的溅射靶的具有或不具有氧化物的Ni-X、Ni-Y和Ni-X-Y合金
211 光记录介质用半透明反射膜和反射膜、以及用于形成这些半透明反射膜和反射膜的Ag合金溅射靶
212 具有高各向异性合金和氧化物化合物的组合物的磁介质和溅射靶
213 多组分合金溅射靶及其配方技术
214 磁介质中的软磁衬层和基于软磁合金的溅射靶
215 微粒发生少的含Mn铜合金溅射靶
216 钌合金磁介质和溅射靶
217 光学信息记录介质用银合金反射膜，为此的银合金溅射靶和光学信息记录介质
218 光学信息记录介质用银合金反射膜，为此的银合金溅射靶，以及光学信息记录介质
219 高纯度Ｒｕ合金靶及其制造方法以及溅射膜
220 溅射靶制造用焊接合金及使用其制造的溅射靶
221 钌合金溅射靶
222 光学信息记录介质的银合金反射膜,所用的银合金溅射靶,和光学信息记录介质
223 光盘及Ｃｕ合金记录层用溅射靶
224 使用基于钽合金的溅射靶的增强晶种层的淀积
225 增强的含氧化物溅射靶合金组合物
226 单靶磁控溅射Cu*Crx合金薄膜的方法
227 AI-Ni-稀土类元素合金溅射靶
228 烧结用Ｓｂ－Ｔｅ系合金粉末及其制造方法和烧结该粉末得到的烧结体溅射靶
229 增强型溅射靶合金成分
230 铜合金薄膜、铜合金溅射靶和平板显示器
231 含碳的溅射靶合金组合物
232 含多组分氧化物的增强的溅射靶合金组合物
233 Sb-Te系合金烧结体溅射靶
234 采用中频反应磁控溅射铟锡合金靶制备ITO膜的方法及系统
235 增强的溅射靶合金组合物
236 Co-Cr-Pt-B类合金溅射靶
237 平板显示器用Ag基合金配线电极膜、Ag基合金溅射靶
238 合金靶材磁控溅射法制备CoSi*薄膜的方法
239 银合金、其溅射靶材料及其薄膜
240 Ag-Bi基合金溅射靶及其配方技术
241 铜合金溅射靶、其制造方法以及半导体元件布线
242 由一种硅基合金制造一种溅射靶的方法
243 镍合金溅射靶
244 Ge-Cr合金溅射靶及其制造方法
245 Ag基合金薄膜及Ag基合金薄膜形成用溅射靶
246 银合金溅射靶及其制造方法
247 光记录介质的反射层形成用的银合金溅射靶
248 光记录介质的反射层形成用银合金溅射靶材
249 锰合金溅射靶及其制造方法
250 形成钛基和锆基混合金属材料的方法和溅射靶
251 锌锡合金溅射靶
252 对向异材磁控溅射靶制备合金薄膜工艺方法
253 溅射玻璃镀膜用镍基变形合金靶材
254 铝或铝合金溅射靶
255 磁光合金溅射靶
256 溅射靶用镍基镍铜铬锰系电阻合金
257 一种银合金溅射靶的制造方法
258 热等静压生产平板显示器用钼合金溅射靶材的方法
259 氧化物陶瓷溅射靶及其配方技术和所用的钎焊合金
260 光伏吸收层溅射镀膜的铜镓合金旋转靶材及配方技术
261 磁记录介质用软磁性合金、溅射靶材以及磁记录介质
262 CrTi系合金及溅射用靶材、垂直磁记录介质、以及它们的制造方法
263 Ａｌ基合金溅射靶
264 Cu－Ga合金以及Cu－Ga合金溅射靶
265 半导体及太阳能溅射靶材行业用钨钛合金靶材的配方技术
266 Cu-In-Ga-Se四元合金溅射靶
267 Cu－Ga合金粉末、Cu－Ga合金溅射靶以及它们的制造方法
268 镍合金溅射靶、Ni合金薄膜及镍硅化物膜
269 Ａｌ基合金溅射靶
270 金属混合真空溅射合金靶材材料及其制作方法及用途
271 Al基合金溅射靶
272 一种ＦｅＣｏＴａＺｒ系合金溅射靶材及其制造方法
273 溅射靶材用钨钛合金板的配方技术
274 热辅助记录用磁记录介质所使用的Ａｇ合金热扩散控制膜和热辅助记录用磁记录介质、溅射靶
275 ＡＩ基合金溅射靶
276 Al基合金溅射靶
277 光记录介质用铝合金反射膜以及用于形成该反射膜的溅射靶材
278 在Ｃｏ或Ｃｏ合金相中分散有氧化物相的溅射靶、包含Ｃｏ或Ｃｏ合金相和氧化物相的磁性体薄膜及使用该磁性体薄膜的磁记录介质
279 Cu-In-Ga-Se四元合金溅射靶
280 包含Ｃｕ－Ｇａ合金的溅射靶的制造方法
281 铝合金反射膜、反射膜层叠体及汽车用灯具、照明设备以及铝合金溅射靶
282 用于垂直磁记录介质中软磁性膜层的CoFeNi-系合金和溅射靶材料
283 Ｃｕ－Ｇａ合金、溅射靶、Ｃｕ－Ｇａ合金的制造方法以及溅射靶的制造方法
284 Cu-Ga合金溅射靶及其制造方法
285 镍合金溅射靶及镍硅化物膜
286 铝或铝合金溅射靶材的清洗方法
287 铜或铜合金溅射靶材的清洗方法
288 显示装置用Ａｌ合金膜、显示装置和溅射靶
289 用于光伏应用的硫属元素化物合金溅射靶及其制造方法
290 以阻挡层为构成层的薄膜晶体管以及用于阻挡层的溅射成膜的Cu合金溅射靶
291 高纯度铜或高纯度铜合金溅射靶、该溅射靶的制造方法及高纯度铜或高纯度铜合金溅射膜
292 显示装置、其所使用的Ｃｕ合金膜和Ｃｕ合金溅射靶
293 Ａ１基合金溅射靶材的制造方法
294 高磁通量的钴铁基合金磁性溅射靶材及其制造方法
295 Ａｌ－Ｎｉ－Ｌａ－Ｃｕ系Ａｌ－基合金溅射靶及其制造方法
296 Ａｌ－基合金溅射靶及其制造方法
297 一种溅射镀膜用高硅含量硅铝合金靶材及其配方技术
298 Ａｇ基合金溅射靶
299 Ａｇ基合金溅射靶及其制造方法
300 Ａｌ－Ｎｉ－Ｌａ－Ｓｉ体系Ａｌ－基合金溅射靶及其配方技术
301 多孔叠层金属或合金溅射靶材的配方技术
302 Al-Ni-B系合金溅射靶材
303 高密度难熔金属和合金溅射靶
304 一种磁控溅射Fe-Co合金靶的制造方法
305 一种磁控溅射Co-Cr-Ta合金靶的制造方法
306 燃料电池的金属隔板用合金皮膜、其制造方法和溅射用靶材、以及金属隔板和燃料电池
307 显示装置用Ａｌ合金膜、显示装置以及溅射靶材
308 特别用于溅射靶、管状*极等的制造的基于铜－铟－镓合金的镀膜材料
309 Ａｌ－基合金溅射靶及其配方技术
310 Al-Ni-La体系Al-基合金溅射靶及其配方技术
311 超高纯NiPt合金和包括该合金的溅射靶
312 脆性金属合金溅射靶及其制造方法
313 Ｃｏ—Ｆｅ—Ｚｒ系合金溅射靶材及其制造方法
314 Ｓｂ－Ｔｅ基合金烧结体溅射靶
315 Cu-Mn合金溅射靶及半导体布线
316 颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶的制造方法、及磁记录膜形成用Co基烧结
317 作为用于垂直磁记录的溅射靶的具有或不具有氧化物的Ni-X、Ni-Y和Ni-X-Y合金
318 光记录介质用半透明反射膜和反射膜、以及用于形成这些半透明反射膜和反射膜的Ag合金溅射靶
319 具有高各向异性合金和氧化物化合物的组合物的磁介质和溅射靶
320 多组分合金溅射靶及其配方技术
321 磁介质中的软磁衬层和基于软磁合金的溅射靶
322 微粒发生少的含Mn铜合金溅射靶
323 钌合金磁介质和溅射靶
324 光学信息记录介质用银合金反射膜，为此的银合金溅射靶和光学信息记录介质
325 光学信息记录介质用银合金反射膜，为此的银合金溅射靶，以及光学信息记录介质
326 高纯度Ｒｕ合金靶及其制造方法以及溅射膜
327 溅射靶制造用焊接合金及使用其制造的溅射靶
328 钌合金溅射靶
329 光学信息记录介质的银合金反射膜,所用的银合金溅射靶,和光学信息记录介质
330 光盘及Ｃｕ合金记录层用溅射靶
331 使用基于钽合金的溅射靶的增强晶种层的淀积
332 增强的含氧化物溅射靶合金组合物
333 单靶磁控溅射Cu*Crx合金薄膜的方法
334 AI-Ni-稀土类元素合金溅射靶
335 烧结用Ｓｂ－Ｔｅ系合金粉末及其制造方法和烧结该粉末得到的烧结体溅射靶
336 增强型溅射靶合金成分
337 铜合金薄膜、铜合金溅射靶和平板显示器
338 含碳的溅射靶合金组合物
339 含多组分氧化物的增强的溅射靶合金组合物
340 Sb-Te系合金烧结体溅射靶
341 采用中频反应磁控溅射铟锡合金靶制备ITO膜的方法及系统
342 增强的溅射靶合金组合物
343 Co-Cr-Pt-B类合金溅射靶
344 平板显示器用Ag基合金配线电极膜、Ag基合金溅射靶
345 合金靶材磁控溅射法制备CoSi*薄膜的方法
346 银合金、其溅射靶材料及其薄膜
347 Ag-Bi基合金溅射靶及其配方技术
348 铜合金溅射靶、其制造方法以及半导体元件布线
349 由一种硅基合金制造一种溅射靶的方法
350 镍合金溅射靶
351 Ge-Cr合金溅射靶及其制造方法
352 Ag基合金薄膜及Ag基合金薄膜形成用溅射靶
353 银合金溅射靶及其制造方法
354 光记录介质的反射层形成用的银合金溅射靶
355 光记录介质的反射层形成用银合金溅射靶材
356 锰合金溅射靶及其制造方法
357 形成钛基和锆基混合金属材料的方法和溅射靶
358 锌锡合金溅射靶
359 对向异材磁控溅射靶制备合金薄膜工艺方法
360 溅射玻璃镀膜用镍基变形合金靶材
361 铝或铝合金溅射靶
362 磁光合金溅射靶
363 溅射靶用镍基镍铜铬锰系电阻合金
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,内容都包括具体的生产制作过程，收费260元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
