1 一种整平剂及其配方技术、电镀液及其应用、线路板的电镀方法及线路板
简介：本技术提供了一种整平剂及其配方技术、电镀液及其应用、线路板的电镀方法及线路板，属于线路板技术领域。该整平剂的原料包括结构通式为的二胺类物质和具有的结构通式或二醇二缩水甘油醚类的非含氮物质，R1至R4表示H或CzH2z+1，R5及R6表示H或CH3。该整平剂有利于改善镀层的宏观及微观分布，使镀层厚度分布均匀，提高盲孔的填孔质量，减少划痕。其配方技术包括将上述原料聚合，该方法简单，易操作。包括上述整平剂的电镀液具有整平剂所具有的效果，可用于电路板电镀和/或集成电路电镀等。包括用上述电镀液对线路板进行电镀的线路板电镀方法简单，易操作，有利于提高电路板的填孔和深镀能力，所得的线路板性能较佳。
2 盲孔全铜电镀用整平剂及其配方技术、以及电镀液
简介：本技术提供一种盲孔全铜填充电镀用整平剂及其配方技术、以及电镀液，其中，盲孔全铜填充电镀用整平剂是由聚醚和叔胺类化合物在碱性条件下聚合形成的季铵盐。根据本技术实施例的盲孔全铜填充电镀用整平剂，可以承载高达4～5ASD的高电流密度，且能够提高电化学沉积效率，减少*极析氢的发生，实现强的整平作用去，且该整平剂和加速剂和抑制剂一起，通过协同作用能够实现全铜填充电镀，能够胜任直径100～150um，深度75～125um盲孔的全铜填充。
3 电镀铜整平剂及其配方技术、以及电镀液
简介：本技术提供一种电镀铜整平剂及其配方技术、以及电镀液，其中，电镀铜整平剂为聚杂环铵盐。根据本技术实施例的电镀铜整平剂，配合基础溶液(即基础电镀药水)及加速剂和抑制剂，以2.0～3.0ASD的电流密度对直径为150～250um的通孔，深度为800～1200um的通孔进行电镀填孔，最终能够实现全铜填充，孔内无任何缺陷。
4 整平剂、电镀液及其在电镀具有光致抗蚀剂限定特征器件中的应用
简介：本技术涉及整平剂、电镀液及其在电镀具有光致抗蚀剂限定特征器件中的应用，其中，整平剂包括功效成分，功效成分为咪唑类化合物、含醚键链状胺类化合物和二环氧化物的反应产物。上述整平剂能够获得均匀、致密的铜沉积层，并且铜线路的截面圆弧率较小，盲孔、接合垫和电路布线等特征的外形良好，符合高端电子产品的要求。
5 整平剂及包含其的电镀液
简介：本技术涉及一种整平剂及包含其的电镀液，其中，所述整平剂包括功效成分，功效成分为咪唑类化合物、叔胺化合物和环氧化合物反应而成的反应产物。该整平剂能较好适用于通盲孔共镀工艺，且能够有效地避免出现通孔内部以及通孔孔口转角处镀层过薄的问题。
6 一种电镀铜填孔整平剂及其配方技术和应用
简介：本技术属于表面处理技术领域，提供了一种电镀铜填孔整平剂及其配方技术和应用。该配方技术包括以下步骤：将胺类化合物和缩水甘油醚在低温下反应得到内嵌段反应单体，再向体系中加入含氮杂环化合物，升温聚合得到嵌段型聚合物；嵌段型聚合物进一步与烷基化试剂反应得到季铵化的嵌段型聚合物；嵌段型聚合物和季铵化的嵌段型聚合物即为电镀铜填孔整平剂。本技术整平剂，配合湿润剂和加速剂，形成酸铜型的电镀填孔添加剂，然后添加到电镀液中，从而应用于半导体基板或印刷电路板上的通孔或盲孔实现全铜填充。
7 一种电镀铜整平剂及其应用的电镀液
简介：本技术提供了一种电镀铜整平剂分子及其应用的电镀液。该电镀铜整平剂的化学结构式为式Ⅰ式Ⅱ。本技术的电镀铜整平剂分子是含氮化合物，在电镀铜过程中能够吸附在盲孔口处，将本技术的电镀铜整平剂应用于电镀液中可以达到铜面平整，防止孔口空洞，提升相关填孔率至91～99％，铜面厚度在10～13μm。
8 酸铜整平剂及其应用、铜电镀溶液及其配方技术
简介：本申请提供了一种酸铜整平剂及其应用、铜电镀溶液及其配方技术。所述酸铜整平剂的分子结构式为：其中，X为Cl‑、Br‑、I‑、SO42‑；A1，A2，A3，A4为取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的杂芳烷基中的一种或几种；B1，B2，B3，B4为H、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的杂芳烷基、取代或未取代的五元环、取代或未取代的五元杂环、取代或未取代的六元环、取代或未取代的六元杂环中的一种或两种；R为O或S；n取1‑10000。上述酸铜整平剂解决了芯片封装过程中在电镀铜得到的铜层上电镀锡银或纯锡时形成柯肯达尔孔洞，导致芯片封装的热、机械和电气可靠性差的问题。
9 一种电镀铜整平剂及其配方技术和应用
简介：本技术提供了一种电镀铜整平剂及其配方技术和应用，所述电镀铜整平剂由3‑(二甲基氨基)‑1‑丙硫醇、吡唑类化合物和二元环氧化合物共聚而成；所述吡唑类化合物具有式(I)所示结构；式(I)中，R1和R2独立地选自氢原子、甲基、乙基或苯基；所述二元环氧化合物具有式(II)所示结构；式(II)中，R为非环氧基的连接基团。本技术提供的电镀铜整平剂能够改善电镀液中各组分之间相互作用，使电镀液在具有优异的盲孔填孔性能的同时，能兼顾通孔的导通电镀，满足其均一性要求。实验结果表明，将本技术提供的电镀铜整平剂应用于电镀液，对直径为75‑120μm的盲孔可以获得5μm左右的超小凹陷值，以及16μm左右的超薄面铜厚度，同时还能够保证通孔的TP值≥85％。
10 电镀整平剂及其电镀溶液
简介：本技术提供了一种电镀整平剂，由至少一种胺类化合物、至少一种环氧化合物以及至少一种季铵化试剂反应产生，所述环氧化合物含有至少两个环氧基团，所述胺类化合物、所述环氧化合物与所述季铵化试剂的投料摩尔比为1∶0.05‑200∶0.1‑100。本技术通过引入季铵化试剂，将分子中的胺基进一步季铵化，得到的电镀整平剂具有良好的抑制和整平能力。本技术将该电镀整平剂搭配金属离子、电解质溶液、卤素离子、抑制剂、光亮剂等，可以实现装饰性电镀和孔内优先电镀，包括但不限于通孔和盲孔的等壁电镀，通孔和盲孔的超等壁电镀，极大地改善了电镀溶液的深度能力。
11 一种整平剂
12 整平剂、含其的金属电镀组合物、配方技术及应用
13 整平剂、含其的金属电镀组合物、配方技术及应用
14 整平剂、含其的金属电镀组合物、配方技术及应用
15 整平剂、含其的金属电镀组合物及配方技术、应用
16 整平剂、含其的金属电镀组合物及配方技术、应用
17 整平剂、含其的金属电镀组合物、配方技术及应用
18 铜电镀液及其使用方法和其中的整平剂的合成方法
19 包含两种整平剂的电镀铜用有机添加剂以及包含该添加剂的电镀铜液
20 用于电沉积铜柱的电镀整平剂
21 整平剂溶液及其配方技术和应用
22 一种填孔电镀整平剂、配方技术及应用该整平剂的电镀液
23 一种用于酸性电镀铜的整平剂及其用途
24 应用于微电子的整平剂、整平剂组合物及其用于金属电沉积的方法
25 一种用于太阳能电池前电极电镀铜的负整平剂
26 一种应用于微电子的整平剂组合物及其用于金属电沉积的方法
27 一种非染料系整平剂的应用
28 一种酸铜整平剂的应用
29 一种整平剂抑制铜沉积所得效果的判定方法及其应用
30 用基于联吡啶的整平剂在微电子装置中电沉积铜
31 一种用于甲磺酸铅、锡电镀液的光亮整平剂
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,完整内容都包括具体的配方配比和生产工艺制作过程。收费200元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
