1、一种水性蚀刻油墨配方生产工艺技术
[简介]：本技术提供了一种水性蚀刻油墨，是由水性聚氨酯乳液，水性环氧树脂乳液，混合酸，高岭土，膨润土，滑石粉，消泡剂，流平剂混合制备而成。本技术的水性蚀刻油墨，使用聚氨酯乳液与环氧树脂乳液混合搭配使用，使得油墨线路依然清晰饱满，印刷性能不会随时间的推移而降低。混合酸搭配使用油墨可完全蚀刻触摸屏ITO材料中的导电成分；油墨水溶性以及剥落脱离性能好，易清洗除掉；且丝网印刷的线路图像解析度明显好于市售的水性蚀刻油墨。
2、用于蚀刻铜和铜合金的水性组合物配方生产工艺技术
[简介]：本技术涉及用于蚀刻铜和铜合金的水性组合物和方法。该水性组合物包含Fe3＋离子、酸和N-烷氧基化聚酰胺。该水性组合物在印刷电路板、IC衬底等的制造中制备细小结构是特别有用的。
3、用于蚀刻铜和铜合金的水性组合物
[简介]：本技术涉及用于蚀刻铜和铜合金的水性组合物和施加所述水性组合物来蚀刻铜和铜合金的工艺。所述水性组合物包含Fe3＋离子的来源、至少一种酸、至少一种三唑或四唑衍生物和至少一种蚀刻添加剂，所述蚀刻添加剂选自N-烷基化亚氨基二丙酸、其盐、经修饰聚二醇醚和季亚脲基聚合物。所述水性组合物尤其可用于在印刷电路板、IC衬底等的制造中制作精细结构。
4、用于移除蚀刻后残余物的水性清洁剂配方生产工艺技术
[简介]：本技术涉及用于自其上具有等离子体蚀刻后残余物的微电子器件清洁该残余物的清洁组合物及方法。该组合物实现包括含钛、含铜、含钨、和/或含钴蚀刻后残余物的残余材料自微电子器件的高度有效清洁，同时不会损坏层间介电质、金属互连材料、和/或覆盖层。
5、一种水性网漏印抗电镀抗蚀刻油墨配方生产工艺技术
[简介]：一种水性网漏印抗电镀抗蚀刻油墨，它涉及油墨技术领域，它的成份质量百分比为：完全不溶的丙烯酸树脂30-60％、水性染料0.2-1％、滑石粉20-50％、自来水20-40％、彭润土0.1-5％、水性消泡剂0.1-1％、助剂1-5％、胺基树脂5-15％。它完全不含有机溶剂，无令人不适的气味，同时用自来水代替溶剂降低了原料成本和废气处理成本。
6、水性聚氨酯基氧化铟锡蚀刻油墨配方生产工艺技术
[简介]：本技术提供一种水性聚氨酯基氧化铟锡蚀刻油墨配方生产工艺技术，包含以下步骤：（1）以聚乙二醇-1000、**、二月桂酸二丁基锡为原料搅拌反应；（2）将佛尔酮二异氰酸酯转移至恒压滴液漏斗中；称取2，2-二羟甲基丙酸与N-甲基吡咯烷酮混合，形成2，2-二羟甲基丙酸溶液；（3）向步骤（1）的溶液中滴加异佛尔酮二异氰酸酯后，再滴加2，2-二羟甲基丙酸溶液，然后加入1，2-丙二醇，滴加甲基丙烯酸羟乙酯，降温，加入三乙胺、蒸馏水，搅拌，得到水性聚氨酯基氧化铟锡蚀刻油墨。本技术提供的方法，操作简单，制备的油墨油墨水溶性以及剥落脱离性能好，易清洗除掉，保水性能良好。
7、水性缓冲含氟蚀刻残渣去除剂和清洁剂配方生产工艺技术
[简介]：本技术涉及pH值在7－11之间的水性缓冲含氟组合物。由于氧化和金属蚀刻速率等与pH值相关的性能随pH值的稳定而稳定，所以该缓冲组合物具有较长的工作寿命。
8、水性蚀刻剂及其导电线路构造与导电线路图案化制备方法
[简介]：本技术涉及一种水性蚀刻剂及其导电线路构造与导电线路图案化制备方法，其中，该强氧化物前驱化学组成结构中含有氯，通过光辐射反应、干燥脱水反应、或热分解反应其中任一或组合方式产生至少一种以下强氧化物：Cl-、ClO、H2ClO2、ClO2、ClO2-、ClO3-、HClO3、HClO4，来大幅度提高导电基材部分区域的电气阻抗，由此形成特定氧化区域的导电线路图案化技术，应用于设有导电基材构造的电子装置，该电子装置构造主要包含一图案化的导电基材，其中，该形成图案化的导电基材利用前述的水性蚀刻剂在导电层上不需导电的区域发生氧化蚀刻作用并形成所需的导电线路。所形成的图案化导电基材可用于不同功能的电子装置。
9、用于改进有机残余物去除的具有低铜蚀刻速率的水性清洁溶液
[简介]：本文提供了用于从上面具有化学机械抛光（CMP）后残余物和污染物的微电子器件上清洁所述残余物和污染物的清洁组合物和工艺。所述清洁组合物包括至少一种季碱、至少一种胺、至少一种腐蚀抑制剂和至少一种溶剂。所述组合物实现了CMP后残余物和污染物材料从微电子器件表面上的高效清洁而同时与阻挡层相容。
10、用于去除金属硬掩模和蚀刻后残余物的具有Cu/W相容性的水性制剂
[简介]：本技术提供可用于从上面具有氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余物材料的微电子器件相对于金属导电材料例如钨和绝缘材料而言选择性去除所述氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余物材料的组合物。所述去除组合物具有低pH，并含有至少一种氧化剂和至少一种蚀刻剂以及用于使金属腐蚀最小化的腐蚀抑制剂和用于保护电介质材料的钝化剂。
