1、一种高纯度氮化铝的配方技术
[简介]：本技术提供了一种高纯度氮化铝的配方技术，涉及新材料技术领域。本技术在制备高纯度氮化铝时，首先用1-氯十二烷，叠氮化钠反应制得叠氮十二烷，再用丙炔酸对叠氮十二烷进行改性制得改性叠氮十二烷，在粉磨过程中加入改性叠氮十二烷与氢氧化铝共同湿法粉磨，粉磨后进行煅烧制得前驱体，二次粉磨成前驱体小颗粒后，以混合气体为载气进行流化床反应进一步提纯氮化铝，氮气封存制得。本技术制备的氮化铝具有较高的纯度，且易于工业化生产。
2、一种高纯氮化铝粉的配方技术
[简介]：本技术提供一种高纯氮化铝粉的配方技术，属于陶瓷材料领域，通过将一组氧化铝粉、石墨粉、助剂和乙醇混合，经球磨，烘干，氮气氛围下高温烧结得到半成品；再将该半成品与另一组的氧化铝粉、助剂和乙醇混合，经球磨，烘干，氮气氛围下高温烧结，再经过氢化炉高温烧结，得到高纯氮化铝粉体。本技术制备氮化铝粉体纯度高，氧含量、碳含量低，粒径小且可控。
3、以金属铝和高纯氮气为原料PVT法生长氮化铝晶体的方法
[简介]：以金属铝和高纯氮气为原料PVT法生长氮化铝晶体的方法，涉及一种生长氮化铝晶体的方法。它是为了解决现有方法以氮化铝粉体生长氮化铝晶体导致杂质会影响晶体生长的技术问题。本方法：一、将金属铝填充到生长坩埚中，抽真空；二、升温至1800-2000℃，充氮气至750torr，保温；三、然后升温至2100-2300℃，将炉压抽至700torr，并控制氮气流量为100-150sccm，生长氮化铝晶体；四、长晶过程结束后将炉压充回至750torr，降温，即得。本方法原料获取方便，通过长流气补充氮气，长流气可以带走挥发的碳杂质，避免氮化铝粉料的杂质和挥发碳对晶体生长的影响，提高晶体质量。本技术属于晶体制备领域。
4、一种高导热填料用高纯氮化铝粉的配方技术
[简介]：本技术提供一种高导热填料用高纯氮化铝粉的配方技术，属于陶瓷材料领域，通过氧化铝粉、石墨粉、助剂、乙醇混合后，球磨得到固液混合物；一部分固液混合物经干燥，氮气下烧结得到半成品；另一部分固液混合物经干燥，烧结得组合物；将半成品与组合物、助剂、乙醇混合后，球磨，干燥，氮气下烧结，再转移至自制溶液中，搅拌均匀后喷雾干燥，得到高导热填料用高纯氮化铝粉。能够解决高导热填料用氮化铝粉体制备过程的氧杂质问题、粒径问题以及与高导热基体的相容性问题。
5、一种用于氮化铝基板烧结的高纯度氮化硼的配方技术
[简介]：一种用于氮化铝基板烧结用的高纯度氮化硼的配方技术，包括如下步骤：粉体预处理及装料工序：氮化硼粉体抽真空至10Pa以下，密封处理，排出粉体内部气体，保持压差；装料：粉体填装，分2-5道工序填装，每道分10次装料，并缓慢施加压强1-10MPa；烧结工序：升温速率6-12℃/min，加压温度1000-1200℃，缓慢加压0.5-5MPa递增，并保压26MPa，烧结温度1650-1800℃，保温时间大于2-4小时；气氛控制：抽真空小于1KPa，再充入高纯氩或高纯氮，再次抽真空小于100Pa；真空热压烧结，坯料气孔率控制在24％～26％以下，成型。本技术制备的氮化硼高纯度、透气率好、耐高温、机械强度高。
6、一种高纯纳米氮化铝的配方技术
[简介]：本技术涉及一种高纯纳米氮化铝的配方技术，其中，所述配方技术包括步骤：提供块状金属铝和钨棒，对所述块状金属铝进行预处理，除去表面的金属氧化层；将所述块状金属铝及所述钨棒分别作为阳极及*极并置于电弧炉中，将所述电弧炉充入缓冲气体并启动电弧，制得纳米氮化铝和铝的混合物；及将所述混合物在氮气气氛下进行煅烧，即得到高纯纳米氮化铝颗粒。本技术采用具有操作简单、环境友好以及反应气氛可控等优点的直流电弧等离子法制备所述纳米氮化铝和铝的混合物，然后进行煅烧得到纳米氮化铝，制备工艺简单，且不会对环境造成影响。
7、一种氮化铝单晶生长用高纯原料的配方技术
[简介]：本技术涉及一种氮化铝单晶生长用高纯原料的配方技术，属于单晶材料制备技术领域。为解决氮化铝单晶生长用原料杂质含量较高的问题，本技术提供了一种氮化铝单晶生长用高纯原料的配方技术，包括使用混合酸对氮化铝原料粉体进行酸洗、超声波水洗粉体、将粉体依次置于PAS炉和热处理炉内进行高温烧结和热处理，所得粉体研磨、水洗烘干后得到高纯氮化铝原料粉体。本技术提供的高纯原料配方技术操作简单，使用混合酸进行酸洗能够有效的去除氮化铝原料粉体中的Na、W、Fe和Al2O3等杂质。在PAS炉中高温烧结能够使原料粉体表面的氧化膜有效的与氮化铝粉体分离；高温热处理能够使氮化铝晶粒长大，晶体间键合重新生成，进一步纯化氮化铝。
8、一种多孔高纯氮化铝原料的配方技术
[简介]：本技术涉及一种多孔高纯氮化铝原料的配方技术，属于氮化铝原料制备技术领域。为解决现有方法制备的氮化铝原料纯度低、多孔结构无法满足实际应用需求的问题，本技术提供了一种多孔高纯氮化铝原料的配方技术，以铝金属块和镁金属块为原料制备Mg-Al合金块并研磨得到合金粉末，所得合金粉末置于真空状态及一定氮气压力下，经三步氮化处理、烧结、酸洗得到多孔高纯氮化铝晶体生长用原料。本技术以明显少于现有技术的氮化处理时间获得了纯度为99.99％、比表面积可达150m2/g、孔隙率为40～80％的多孔高纯氮化铝原料，以其为原料制备的高性能氮化铝晶体材料、多孔氮化铝陶瓷能够满足多孔半导体、多孔陶瓷材料在各领域的应用需求。
9、一种等离子体反应雾化制备高纯氮化铝球形粉末的方法
[简介]：本技术涉及一种等离子体反应雾化制备高纯氮化铝球形粉末的方法。该配方技术包括：产生氮气等离子体：所述氮气等离子体由等离子体炬产生并喷射进入反应雾化装置；反应雾化：熔融铝液在反应雾化装置中被氮气等离子体冲击雾化的同时与氮气发生反应生成氮化铝，所述反应雾化装置包括热源，反应雾化喷嘴和反应雾化室，所述热源用于获取熔融铝液，所述反应雾化喷嘴用于喷射360度环状等离子体束；粉末收集：氮化铝从离开反应雾化室开始逐渐凝固成球形粉末，最后被粉末收集装置收集；本技术创新性在于使用氮气等离子体经反应雾化喷嘴对铝液进行360度环绕均匀冲击，使氮化铝的生成与雾化同步进行，在提高生产效率同时获得高纯度的氮化铝球形粉末。
10、一种自催化高纯氮化铝的配方技术
[简介]：本技术提供了一种自催化高纯氮化铝的配方技术，属于氮化铝合成技术领域，其包括如下步骤：(1)混料：以氢氧化铝粉、碳粉、氮化铝粉为原料并按照一定的重量比混合均匀，得到混合物料；(2)高温合成：将混合物料置于1350-1420℃的一定压力的氮气和丙烷混合气体流中，反应1.5-3小时，得反应产物；(3)脱碳：脱除反应产物中的碳，得到氮化铝粉。本技术提供的自催化高纯氮化铝的配方技术，选取氮化铝作为晶种，反应在一定压力的氮气和丙烷的混合气体流中进行，反应分子热运动增强，扩散渗透速率增大，起到自催化效果，缩短了反应合成时间，反应合成的温度降低了200-400℃；并避免了添加其它助剂而带入的杂质元素污染，保证了制得的氮化铝的纯度。
11、一种高纯度氮化铝粉体及其配方技术
12、一种高纯度氮化铝粉体及氮化铝粉体提纯方法
13、一种粒径分布可控高纯氮化铝的配方技术
14、基于醇铝水解法制备高纯超细氮化铝粉末的方法
15、一种高纯度、类球形纳米氮化铝颗粒的配方技术
16、一种用于陶瓷基板的高纯度氮化铝粉末材料及其配方技术
17、一种高纯多孔氮化铝雏晶料源配方技术
18、一种高纯氮化铝粉体及其配方技术
19、一种氢热等离子体法制备高纯纳米氮化铝的方法
20、用微细金属铝粉生产高纯氮化铝粉的方法
21、一种高纯超细氮化铝陶瓷粉体的高分子网络配方技术
22、高纯致密氮化铝钛块体材料及其配方技术
23、放电等离子烧结工艺合成高纯致密块体氮化铝钛陶瓷材料
24、自蔓延高温合成高纯超细氮化铝粉末的配方技术
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