1 用于检测二氧化氮的气敏材料的配方技术及气体传感器
简介：本技术提供了一种用于检测二氧化氮的气敏材料的配方技术及气体传感器，所述配方技术包括以下步骤：称取羧基化碳纳米管，并加入溶剂，以形成第一混合液；向所述第一混合液中加入分散剂，并进行超声分散处理，以形成第二混合液；对所述第二混合液进行离心沉降，离心沉降处理后的上层液体为所述气敏材料；其中，所述分散剂包括十二烷基苯磺酸钠、十二烷基硫酸钠、曲拉通和聚乙烯比咯烷酮。本技术的用于检测二氧化氮的气敏材料的配方技术中，添加十二烷基苯磺酸钠、十二烷基硫酸钠、曲拉通和聚乙烯比咯烷酮作为分散剂，很好地解决了气敏材料的分散性问题的同时，还能提高气敏材料的测试性能。
2 基于球状核壳结构ZnSe/SnO2异质结的二氧化氮气体传感器及配方技术
简介：本技术属于气体传感器技术领域，提供了一种基于球状核壳结构ZnSe/SnO2异质结的二氧化氮气体传感器及配方技术。该二氧化氮气体传感器包括气体敏感材料和加热电极，所述气体敏感材料均匀涂覆于所述加热电极的表面；气体敏感材料包括球状核壳结构硒化锌和氧化锡形成的纳米异质结复合材料。本技术复合材料的表层均匀分布氧化锡颗粒，与内层硒化锌部分接触，二者之间形成异质结，引起自由电子在异质结两侧发生转移及积累，增加了复合材料表面的活性位点，有利于促进复合材料表面吸附更多的气体分子，从而增强了复合材料的气敏性能。本技术采用水热法制备获得一种球型核壳结构纳米异质结复合材料，其原材料获取方便、价格低廉、制备过程简单。
3 一种用于二氧化氮检测的3D柔性二硫化锡/石墨烯气体传感器的配方技术
简介：本技术提供了一种用于二氧化氮检测的3D柔性二硫化锡/石墨烯(SnS2/RGO)气体传感器的配方技术。本技术在3D结构的石墨烯表面修饰SnS2，并将SnS2/RGO异质结构修饰在柔性LCP基材表面，制成可于常温环境检测二氧化氮的柔性气体传感器。本技术制备的传感器具有高灵敏度、高选择性、低检出限的优秀性能，灵敏度为6.1ppm‑1，检出限为8.7ppb，可应用于可穿戴设备领域。
4 基于范德瓦尔斯结薄膜的高灵敏度二氧化氮气体传感器的构筑方法
简介：本技术涉及基于范德瓦尔斯结薄膜的高灵敏度二氧化氮气体传感器的构筑方法，其特征在于在不添加任何表面活性剂的条件下，通过优化的“一步法”化学合成制备高质量半导体量子点，以旋涂的方式在化学气相沉积法制备的石墨烯上均匀修饰半导体量子点，控制器件退火温度和时间，优化提升半导体量子点与石墨烯之间的范德瓦尔斯接触，制备半导体量子点/石墨烯范德瓦尔斯结NO2气体传感器。在NO2气体浓度为25ppm时，该器件在室温下的响应灵敏度为580%，响应时间约10s，恢复时间约150s。此外该器件也表现出很好的响应循环稳定性和选择性。该柔性器件构筑方法简单可控，重复性高，故具有明显的应用价值。
5 Au/SnS2二氧化氮气体传感器及制备工艺和应用
简介：本技术涉及一种Au/SnS2二氧化氮气体传感器，包括气敏材料和加热基板，气敏材料旋涂于加热基板表面；气敏材料包括金单质纳米颗粒和SnS2纳米片形成的纳米复合材料。制备工艺包括：步骤一：将酸性缓冲液与无水乙醇混合，将SnCl2·2H2O加入混合液中搅拌溶解；再加入Na2S2O3·5H2O和硫粉，搅拌后倒入反应釜中反应，得黄色沉淀物；将沉淀物清洗、干燥，得SnS2；步骤二：将SnS2分散，加入氯金酸和L‑赖氨酸充分搅拌，再加入柠檬酸钠进行金单质还原；将所得产物清洗、干燥，得Au/SnS2；步骤三：将Au/SnS2加入去离子水，充分研磨后旋涂于加热基板表面，干燥，得Au/SnS2二氧化氮气体传感器。本技术制备工艺简单，所得Au/SnS2具有在制备气敏元件中的应用价值，传感器对二氧化氮响应灵敏、快速。
6 复合气敏材料及其配方技术与气体传感器及其应用
简介：本技术提供了一种复合气敏材料，包括多层还原氧化石墨烯，还原氧化石墨烯表面负载有零维氧化亚铜量子点，相邻两层还原氧化石墨烯之间填充有一维氧化亚铜纳米线和\\或三维氧化亚铜纳米颗粒。还提供了一种配方技术，包括制备醋酸铜溶液与氧化石墨烯分散液的混合溶液，向混合溶液中滴加氢氧化钠溶液，得到褐绿色沉淀，将该沉淀加入还原剂溶液中进行加热反应，得到黑色沉淀，清洗并封存黑色沉淀得到复合气敏材料。还提供了采用复合气敏材料制成的气体传感器以及气体传感器的应用。本技术解决现有技术中的气敏材料需要借助辅助手段才能在响应气体的技术问题，能够提高在常温下对二氧化氮的灵敏度，还能够在常温下响应氨气。
7 基于ZnSe/ZnO的二氧化氮气体传感器及制备工艺
简介：本技术提供了一种基于ZnSe/ZnO的二氧化氮气体传感器及制备工艺，所述传感器包括气敏材料和加热电极。气敏材料涂覆在加热电极表面，涂覆厚度为50μm～80μm，气敏材料是硒化锌和氧化锌形成的异质结复合纳米材料。其制备工艺包括以下步骤：步骤一，将硒化锌粉末置于方舟中放入管式炉，同时通入20％氧气与80％氮气的干态混合气体进行加热。反应温度为400℃～600℃，保持0.5h～4h，然后自然冷却至室温，即得到ZnSe/ZnO异质结。步骤二，将ZnSe/ZnO异质结粉末放入研钵中，加入去离子水，研磨至溶液呈均匀悬浊状。取悬浊液涂覆到加热电极表面，放置于干燥箱80℃干燥，得到二氧化氮气体传感器。本技术的二氧化氮气体传感器制作的工艺步骤简单，成本低，且对二氧化氮响应灵敏。
8 花瓣状SnSe2的二氧化氮气体传感器
简介：本技术提供了花瓣状SnSe2的二氧化氮气体传感器，包括气敏材料和加热基板，气敏材料涂覆在加热基板表面，涂覆厚度为1μm～100μm，气敏材料成分为花瓣状二硒化锡纳米材料。其中制备工艺，包括以下步骤：步骤一，制备花瓣状二硒化锡：将1.6～2.4mLC2H8N2、30.4～45.6mL(CH2OH)2混合，之后加入361～541.6mg二水氯化亚锡、126.3～189.5mg硒粉，磁力搅拌20min～30min后倒入反应釜中进行反应，反应温度为165℃～180℃，反应时间为3h～12h，将所得黑色产物用离心机分离后反复洗涤直至废液pH值为6.5～7.5，之后80℃干燥6h～12h；步骤二，制备二硒化锡分散液；步骤三，取分散液涂覆到加热基板表面，放置在干燥箱80℃干燥，得到二氧化氮气体传感器。本技术的二氧化氮气体传感器制作的工艺步骤简单，成本低，且对二氧化氮响应灵敏。
9 一种基于花状SnSe2/SnO2异质结的二氧化氮气体传感器、制备工艺及应用
简介：本技术属于电子元器件技术领域，一种基于花状SnSe2/SnO2异质结的二氧化氮气体传感器、制备工艺及应用。二氧化氮气体传感器包括气敏材料和叉指电极板，气敏材料涂覆在叉指电极板表面，涂覆厚度为1～100μm；气敏材料为花状SnSe2/SnO2纳米材料。本技术采用水热法和热氧化法获得一种花状纳米异质结，原材料获取方便、价格低廉、制备过程简单，是一种设备投资小，工艺流程简单。本技术利用花状SnSe2/SnO2纳米材料制作的二氧化氮传感器选用硅基板，实现材料与硅基微电子相集成，制成具有加热功耗低、热量损耗小、热响应时间快、与CMOS工艺兼容、易于与其他微电子器件集成等优点的微热板型二氧化氮气体传感器。
10 一种基于SnSe2/SnO2异质结的二氧化氮气体传感器、制备工艺及应用
简介：本技术属于纳米材料技术领域，提供一种基于SnSe2/SnO2异质结的二氧化氮气体传感器、制备工艺及应用。基于SnSe2/SnO2异质结的二氧化氮气体传感器主要由气敏材料和加热基板组成，所述气敏材料涂覆在所述加热基板表面，涂覆厚度为1μm～100μm；所述气敏材料成分为二硒化锡和二氧化锡形成的异质结复合纳米材料。本技术采用热氧化法获得一种新型异质结复合纳米材料，原材料获取方便、价格低廉、制备异质结过程简单，是一种设备投资小，工艺流程简单的二维半导体异质结制备方案。本技术利用二硒化锡和二氧化锡异质结复合纳米材料制作的二氧化氮传感器工作温度为120℃，可以实现材料与硅基微电子相集成。
11 金修饰二氧化钒纳米线的二氧化氮气体传感器配方技术
12 一种基于二氧化钛基多孔纳米复合材料的二氧化氮气体传感器的配方技术及应用
13 二氧化氮气体传感器及其制备和测试方法
14 一种二氧化氮气体传感器及其配方技术
15 具有超快响应特性的二氧化氮气体传感器元件的配方技术
16 一种基于有机薄膜晶体管二氧化氮气体传感器的配方技术
17 一种基于三氧化钨薄膜的室温气体传感器元件的配方技术
18 用于气体传感器的运行方法以及气体传感器
19 电化学气体传感器
20 电阻式二氧化氮气体传感器及利用该传感器制成的仪器
21 一种气敏层采用弱外延有机半导体薄膜气体传感器
22 光学气体传感器
23 硅微纳米结构气体传感器及其制作方法
24 一种用于检测二氧化氮气体的气体传感器及其制备
25 波导环形谐振腔二氧化氮气体传感器的配方技术
26 基于单根高分子纳米线的光学气体传感器
27 乙醇、二氧化氮双敏薄膜气体传感器
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