1、一种柔性面板用光刻胶清洗剂及其生产工艺
[简介]：本技术提供了一种柔性面板用光刻胶清洗剂及其生产工艺，属于清洗剂技术领域。其本技术提供的柔性面板用光刻胶清洗剂包括以下重量百分比的组分：1.5?9.5％季铵氢氧化物、0.5?16.5％水、4.5?21.5％异丙二醇单苄基醚、0.5?5.5％缓蚀剂，余量为有机溶剂。且本技术利用了4?羟基丁酸、二乙烯三胺、苄氯、肉桂醛和γ?(2,3?环氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷逐步反应生成缓蚀剂，并在季铵氢氧化物光刻胶清洗剂中引入了该缓蚀剂，因该缓蚀剂中的硅氧烷链和曼妮希碱、苯环、咪唑啉的结构特性，使得其极易在铜箔或铝箔表面形成致密的保护膜，避免了季铵氢氧化物对铜箔或铝箔的腐蚀，且对光刻胶高效清洗。
2、一种光刻胶清洗剂组合物
[简介]：一种光刻胶清洗剂组合物，其属于精细化工技术领域。该组合物包括有机碱、烷醇胺、二醇醚化合物、缓蚀剂和润湿剂。有机碱的含量决定着光刻胶的清洗能力，二醇醚化合物的加入能有效地提升季铵盐氢氧化物的溶解度。碳酸酯类化合物能有效的将光刻胶溶胀和软化，加入润湿剂后能吸附在光刻胶表面,促进溶剂和有机碱分子向膜内渗透，并且能将已经溶胀的光刻胶分散在光刻胶剥离剂中。该组合物还采用了复配型缓蚀剂，有机膦类缓蚀剂能螯合剥离剂中的金属离子，并且会沉积到金属表面形成保护膜；而糖醇类缓蚀剂的多羟基能在金属和非金属基材上形成化合键，防止金属及基材不受剥离剂腐蚀。两种缓蚀剂还会产生协同作用，提升保护能力。
3、带有光刻胶的物件的清洗方法及光刻胶清洗剂
[简介]：本技术提供了一种带有光刻胶的物件的清洗方法及光刻胶清洗剂，所述清洗方法包括：将带有光刻胶的物件放入到预先配置的光刻胶清洗剂中浸泡；所述光刻清洗剂包括：有机溶剂和腐蚀抑制剂；所述有机溶剂包括聚氧化丙烯三醇、脂肪醇聚氧乙烯醚和环己酮；所述腐蚀抑制剂包括：氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚。本技术能够有效清洗掉物件上的光刻胶。
4、光刻胶清洗剂及半导体基板上光刻胶的清洗方法
[简介]：本技术提供了一种光刻胶清洗剂及半导体基板上光刻胶的清洗方法，其中，提供的所述光刻胶清洗剂，包括有机溶剂及腐蚀抑制剂；所述有机溶剂含有二甲基苯甲醇、聚氧化丙烯三醇及壬基聚氧乙烯醚；所述腐蚀抑制剂含有氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚。提供的所述半导体基板上光刻胶的清洗方法为：用所述光刻胶清洗剂清洗半导体基板。本技术能够提高对半导体基板上的光刻胶的清洗效果。
5、一种用于TFT?LCD光刻胶高效清洗剂
[简介]：本技术提供了一种用于TFT?LCD光刻胶高效清洗剂，其是由以下质量百分比的原料组成：季铵氢氧化物7?18％、吡咯烷酮类溶剂5?14％、季戊四醇2?3％、醇胺9?12％、间苯二酚5?8％、表面活性剂1?3％以及有机溶剂65?70％。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术选用合适的季铵氢氧化物/醇胺的比例有利于协调光刻胶去除能力和金属微球的防腐蚀；通过采用的吡咯烷酮类溶剂和季戊四醇的复合溶剂体系，提高了光刻胶的去除能力。
6、一种光刻胶清洗剂及清洗方法
[简介]：本技术提供了一种光刻胶清洗剂及清洗方法。所述清洗剂包括甲基苯甲醇或二甲基苯甲醇，聚氧化丙烯三醇，壬基聚氧乙烯醚和有机溶剂。清洗方法为将附有光刻胶的芯片进入清洗液中，进行恒温振荡，再用甲醇进行冲洗，烘干。使用本技术的清洗剂及方法，能够彻底清洗光刻胶残留，避免在基因测序时芯片上各种杂质和金属离子对检测结果的干扰。
7、光刻胶清洗剂
[简介]：本技术提供了一种光刻胶清洗剂，其特征在于：包括有机胺化合物、防腐蚀剂和有机溶剂。其克服现有技术的光刻胶清洗剂或者清洗能力不足，或者对半导体晶片基材的腐蚀较严重的缺陷，提供一种清洗能力强，且腐蚀性较低。
8、一种光刻胶清洗剂组合物
[简介]：一种光刻胶清洗剂组合物，由以下重量份的组分组成，季铵氢氧化物5-15份、烷基二醇芳基醚10-15份、二甲基亚砜11-15份、六缩异丙二醇单苯基醚5-16份、烷基二醇芳基醚4-13份、柠檬酸三己酯2-8份、铬酸酐3-5份、氧化铜2-6份、氧化钛1-5份、硅酸油3-7份、三氯三氟乙烷4-9份、甲醇10-20份、水20-25份。本技术中的光刻胶清洗剂组合物对高交联度的负性光刻胶具有清洗能力。
9、一种厚膜光刻胶清洗剂
[简介]：本技术提供了一种低蚀刻性的适用与较厚光刻胶清洗的清洗剂。这种低蚀刻性的光刻胶清洗剂含有(a)氢氧化钾、(b)溶剂、(c)季戊四醇、(d)醇胺、(e)间苯三酚。该光刻胶清洗剂可以用于除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶和其它残留物，同时对于Cu(铜)等金属具有较低的蚀刻速率，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
10、一种光刻胶清洗剂组合物
[简介]：本技术提供了一种光刻胶清洗剂组合物。这种光刻胶清洗剂组合物包含季铵氢氧化物，水，烷基二醇芳基醚，二甲基亚砜，缓蚀剂以及表面活性剂。这种光刻胶清洗剂组合物可以除去金属、金属合金或电介质基材上的厚度为20μm以上的光刻胶(尤其是厚膜负性光刻胶)和其它刻蚀残留物，同时对铝和铜等金属以及二氧化硅等非金属材料的腐蚀性较低，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
11、一种光刻胶清洗剂
12、一种光刻胶的清洗剂组合物
13、一种光刻胶清洗剂组合物
14、一种光刻胶清洗剂组合物
15、一种厚膜光刻胶清洗剂
16、一种厚膜光刻胶清洗剂
17、一种光刻胶清洗剂组合物
18、光刻胶残留物清洗剂
19、一种光刻胶清洗剂
20、一种光刻胶清洗剂
21、一种用于厚膜光刻胶的清洗剂
22、一种用于厚膜光刻胶的清洗剂
23、一种光刻胶清洗剂组合物
24、一种光刻胶清洗剂
25、一种光刻胶清洗剂组合物
26、一种厚膜光刻胶清洗剂
27、一种光刻胶清洗剂组合物
28、一种光刻胶清洗剂
29、低蚀刻性光刻胶清洗剂
30、一种光刻胶清洗剂组合物
31、一种光刻胶清洗剂
32、厚膜光刻胶清洗剂
33、低蚀刻性光刻胶清洗剂及其清洗方法
34、一种光刻胶清洗剂
35、一种光刻胶清洗剂
36、一种厚膜光刻胶的清洗剂
37、低蚀刻性光刻胶清洗剂
38、厚膜光刻胶清洗剂
39、清洗厚膜光刻胶的清洗剂
40、一种光刻胶清洗剂
41、一种低蚀刻性光刻胶清洗剂及其清洗方法
42、一种光刻胶清洗剂
43、一种光刻胶清洗剂
44、一种低蚀刻性光刻胶清洗剂及其清洗方法
45、清洗厚膜光刻胶的清洗剂
46、一种光刻胶清洗剂
47、低蚀刻性光刻胶清洗剂及其清洗方法
48、一种光刻胶清洗剂
49、低蚀刻性光刻胶清洗剂
50、一种用于正性或负性光刻胶的清洗剂组合物
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,内容都包括具体的配方配比生产制作过程，收费260元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
