1、切割砷化镓初始晶片的方法及制备砷化镓晶片的方法
[简介]：切割砷化镓初始晶片的方法及制备砷化镓晶片的方法，本技术涉及一种切割GaAs初始晶片的方法，包括：由直径不超过6英寸的GaAs晶棒切割出厚度为240-350微米的初始晶片，所述切割采用切割机在泥浆的存在下进行，所述泥浆由粉末物质和切割油混合配置而成，其特征在于，所述泥浆的粘度为300-1500mPa·s。本技术还涉及将本技术的方法切割的GaAs初始晶片制备为GaAs晶片的方法，包括：切割GaAs初始晶片、对初始晶片倒角及对倒角后的初始晶片进行表面处理、粗抛光和精抛光，所述切割GaAs初始晶片根据本技术的切割GaAs初始晶片的方法进行。本技术的制备GaAs晶片的方法降低了晶片在切割和表面处理过程中破损的风险，提高了成品率。
2、一种砷化镓晶体的退火方法及得到的砷化镓晶片
[简介]：本申请提供了一种砷化镓晶体的退火方法，所述方法包括下述步骤：将砷化镓晶棒切割成晶片；在真空条件下、砷蒸气气氛中，对所述晶片进行退火。还提供了通过所述砷化镓晶体的退火方法制备得到的砷化镓晶片。本申请的砷化镓晶体的退火方法能够提高得到的砷化镓晶片的电性能和表面质量，从而提高晶片的成品率。
3、一种砷化镓晶片清洗方法
[简介]：本技术提供了一种砷化镓晶片清洗方法，包括以下基本步骤：(1)采用第一溶液进行第一次兆声清洗；(2)第一次漂洗；(3)第一次干燥处理；(4)用紫外臭氧清洗机清洗；(5)采用第二溶液进行第二次兆声清洗；(6)第二次漂洗；(7)第二次干燥处理。第一溶液为碱性水溶液，对砷化镓有轻微腐蚀作用；第二溶液为酸性水溶液，对砷化镓的氧化层有腐蚀作用。本技术通过步骤(1)可去除大部分颗粒，通过步骤(4)可将有机物基本去除，通过步骤(5)可彻底将吸附的颗粒和金属离子去除，并在砷化镓表面形成富砷表面，可以直接进行外延生长。采用本技术方法清洗砷化镓抛光片，不会出现破坏抛光表面的现象。
4、一种砷化镓晶片抛光后的清洗方法
[简介]：一种砷化镓晶片的清洗方法，它包括以下步骤：(1)超声波清洗：(2)浓硫酸清洗：抛光片放入70-100℃的浓硫酸(98%)中清洗，然后迅速提出放入常温的浓硫酸(98%)中清洗，清洗完后用去离子水冲洗；(3)碱液清洗：(4)将抛光片甩干；(5)在大于等于8000lux光强的卤光灯下检测抛光片。本技术的优点是：成本低，简单实用，可操作性强，能有效清理晶片表面的蜡点、尘埃、脏点，更能有效的清理抛光残留在晶片表面的镓氧化物、砷氧化物和一些对后续工艺有害的金属，从而获得高质量的砷化镓(GaAs)表面，达到“开盒即用”的要求。
5、一种砷化镓晶片打印激光标识的方法
[简介]：本技术涉及一种砷化镓晶片打印激光标识的方法，步骤如下：激光的参数为，激光波长范围300～870nm，激光强度3W～5W，标识次数为3～5次，选定激光参数后进行激光标识，标识深度为100～200um。激光的种类可为紫光或红光。激光标识结束后对晶片表面进行清洁处理，去除标识周围因打标带来的毛刺和颗粒，以保证晶片有较好的几何参数和表面质量，然后再进行磨片及后续工序的处理。有益效果是：通过多次实验，最终确定出一套适合砷化镓表面标识的激光参数，既能保证晶片有较好的几何参数和表面质量，又能方便识别和后续追溯。
6、内圆切片机切割水平砷化镓单晶片的工艺
[简介]：一种内圆切片机切割水平砷化镓单晶片的工艺包括以下步骤：(1)将长度为50-500mm的水平砷化镓单晶锭作割边处理；(2)单晶锭与石墨条表面、石墨托表面粘接；(3)将粘接好的单晶锭固定在内圆切片机的推锭器上；(4)安装切刀，开启开关，机器运行；(5)启动工作台上升，切割一片晶片进行晶向确定工作，定准后设定单片切割校准厚度，所述的切割晶向为(100)偏向最近的[110]一族和[011]一族，它与砷化镓单晶生长方向(111)相差角度为54°44′；(6)设定切割速度，进行自动多片连续切割晶片；(7)完成整根单晶锭切割后，冲洗刀片，关机。本工艺可切割直径为Φ50.8mm-Φ76mm，厚度为280um-470um的水平砷化镓单晶片，平均成品率达95%以上，生产稳定性和重复性好，能实现大批量生产。
7、改进砷化镓晶片表面质量的方法
[简介]：一种改进砷化镓半导体晶片表面质量的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)取一砷化镓半导体晶片；2)向砷化镓半导体晶片做质子叠加注入，使砷化镓半导体晶片材料的表面下的表面层在注入后具有更高的晶体质量；3)退火。
8、同时去除砷化镓晶片生产加工废水中砷和COD的处理方法
[简介]：本技术涉及同时去除砷化镓晶片生产加工废水中砷和化学需氧量的处理方法，属于废水处理技术领域。将废水输送至调节反应池，通过氧化还原反应去除原水中的二氯异氰尿酸钠；经上述处理的废水用泵提升至混凝沉淀池，进行序批式混凝沉淀反应，工艺过程依次为进水、加药、混凝、沉淀和出水；经上述处理的废水从中间池用泵提升至序批式活性污泥池，进行好氧生物处理，工艺过程依次为进水、曝气、沉淀和排水，最终出水中砷和COD浓度可同时达到《城镇污水处理厂污染物排放标准》(GB18918-2002)一级B标准。本技术的方法可同时去除砷化镓晶片生产加工废水中的砷、二氯异氰尿酸钠和COD等污染物，处理效率高，运行稳定性高。
9、一种砷化镓晶片表面清洁装置
[简介]：本技术提供了一种砷化镓晶片表面清洁装置，包括手柄，在手柄的前端可拆卸地安装有清洁头，在清洁头的前端设置有一根清洁刷毛，清洁头与手柄的连接结构为：在手柄的前端设有定位槽，在定位槽内壁设有半球形限位孔，清洁头的内部中空，在清洁头侧壁设有通孔，在清洁头的内部设弹簧片，弹簧片的一端与清洁头的内壁相固定、另一端固定有伸入通孔且与半球形限位孔相适配的半球形定位块，当清洁头插入手柄的定位槽且转动至半球形定位块与半球形限位孔相对应时，半球形定位块在弹簧片的向外弹力作用下会伸出通孔并插入半球形限位孔，将清洁头与手柄相连接固定。本技术优点是：操作简单，使用方便，能有效清除附着在砷化镓晶片表面的颗粒物质。
10、一种砷化镓单晶片清洗的方法
[简介]：本技术涉及一种砷化镓单晶片清洗的方法，包括：砷化镓单晶片抛光处理后，用无水乙醇清洗，去离子水冲洗，再用极稀的碱性溶液清洗，去离子水冲洗，最后用SC1药液清洗，去离子水冲洗，经甩干、检验后封装。为使晶片表面状态较好，应注意所用溶液的配比以及所用溶液的温度。本技术通过无水乙醇和碱溶液的清洗去除晶片表面的有机物，SC1号液清洗时，双氧水可把砷化镓表面层氧化，氨水可溶解砷的氧化物以及镓的氧化物，使表面层剥离，再经去离子水快速冲洗，使表面无药液残留，从而得到洁净的表面。
11、一种半绝缘砷化镓晶片双面抛光方法
12、纳米氧化铈的制备方法及其在砷化镓晶片化学机械抛光中的用途
13、一种用于砷化镓晶片的精抛液
14、一种使用砷化镓晶片制作三代像增强器的方法
15、一种用于砷化镓晶片的抛光组合物及其制备方法
16、制备具有低光学吸收系数的掺杂型砷化镓衬底晶片的方法
17、一种砷化镓晶片减薄用超硬树脂砂轮及其制备方法
18、一种砷化镓晶片抛光用超细抛光砂轮及其制备方法
19、砷化镓晶片的激光加工方法
20、一种砷化镓晶片生产加工废水的除砷装置及方法
21、砷化镓单晶衬底及使用该衬底的外延晶片
22、制造低腐蚀坑密度半绝缘砷化镓晶片的方法及其产品
23、一种砷化镓晶片的抛光方法
24、一种用于砷化镓晶片的抛光液及其制备方法
25、一种适用于砷化镓晶片抛光的抛光药液
26、一种砷化镓晶片切割方法
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,内容都包括具体的生产制作过程，收费200元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
