1、电路衬底、使用电路衬底的电子设备及电路衬底的制造方法
[简介]：一种电路衬底、使用电路衬底的电子设备及电路衬底的制造方法，在具有绝缘体层和埋入该绝缘体层内部的导体(104)的电路衬底(100)中，在所述绝缘体层在介电常数为εr，相对磁导率为μr时，具有满足μr≥εr的关系的第一绝缘体(101)，并利用该第一绝缘体将所述导体实质地包围。
2、具有衬底穿孔的集成电路构造及形成具有衬底穿孔的集成电路构造的方法
[简介]：本技术揭示一种集成电路构造，其包含两个或两个以上集成电路衬底的堆叠。所述衬底中的至少一者包含个别地包括相对端的衬底穿孔TSV。导电接合垫邻近所述一个衬底的一侧上的所述端的一者。导电焊料块邻近在所述一个衬底的另一侧上隆起地突出的另一端。所述焊料块中的个别者接合到所述堆叠的直接邻近衬底上的相应接合垫。环氧树脂助焊剂包围所述个别焊料块。在组成上与所述环氧树脂助焊剂不同的环氧树脂材料包围所述个别焊料块上的所述环氧树脂助焊剂。本技术还揭示形成集成电路构造的方法。
3、电路形成衬底的制造方法
[简介]：一种电路形成衬底的制造方法及电路形成衬底的材料，在电路形成衬底的制造方法中，向与第一片的第一方向一致的第二方向输送第一片。在向与第一片的第一方向成直角的第三方向输送第一片的同时，在第一片的两面上粘贴薄膜。根据该方法，可利用导电膏等连接部件可靠地电连接电路形成衬底的层间。
4、电路衬底及电路衬底的制造方法
[简介]：本技术涉及一种电路衬底及电路衬底的制造方法，电路衬底具有：多个配线层；具有纤维状充填材料和树脂并使多个配线层绝缘的绝缘层；在贯通绝缘层的通路孔的侧壁形成的导体部。从侧壁突出并被导体部内包的纤维状充填剂的长度大于导体部的膜厚。由此，能够提高绝缘层和导体部的密接性，且能够提供可靠性高的电路衬底。
5、模拟电路图形评估方法和半导体集成电路的制造方法
[简介]：根据本技术的一个方案，提供一种模拟电路图形评估方法，该方法包括：以各自状态在各自的几何结构限定参数中出现相同次数的方式，通过结合多个各自具有至少两个状态的几何结构限定参数，来设计模拟半导体集成电路的电路图形的模拟电路图形集合体；在衬底上形成模拟电路图形集合体；以及评估形成的模拟电路图形集合体。
6、用于电路化衬底中的介电组合物和包括其的电路化衬底
[简介]：本技术提供一种介电组合物，其适合与一支撑材料(例如，玻璃纤维布)组合以形成一可用于例如PCB、芯片载体和类似物的电路化衬底中的介电层。作为此类层，其包括一树脂、一预定重量百分比的一填充物且重要的是仅包括少量的溴。本技术还提供一种电路化衬底，其由这些介电层中的一个或一个以上和一个或一个以上导电层组成。
7、用于在集成电路的有源区上制造接触的方法以及集成电路
[简介]：本技术的各个实施例涉及：在例如在SOI衬底上(尤其是FDSOI衬底上)制造的集成电路的有源区上制造接触的方法；以及对应的集成电路。集成电路包括有源区，该有源区位于半导体衬底之上。空腔与有源区接界，并且在绝缘区中尽可能远地延伸到半导体区域的附近。提供绝缘多层，并且导电接触在该绝缘多层内延伸以存在于有源区上并且进入到空腔内。绝缘多层包括第一绝缘层，该第一绝缘层覆盖了在接触外部的有源区并且衬覆空腔的壁。附加绝缘层覆盖了第一绝缘层的衬覆空腔的壁的部分。接触到达在空腔中的附加绝缘层。绝缘区域位于由围绕接触的绝缘材料制成的附加绝缘层和第一绝缘层之上。
8、带有薄膜的透明衬底和使用这类带有薄膜的透明衬底用于制造带有电路图案的透明衬底的方法
[简介]：本技术的目标是提供一种用于制造带有氧化锡薄膜的透明衬底的方法，即使通过低能量激光来辐照所述氧化锡薄膜也可以令人满意地图案化，因为由此会发生烧蚀现象。本技术涉及一种用于制造带有电路图案的透明衬底的方法，包括使用波长1,064nm的激光辐照附着有薄膜的透明衬底以在所述透明衬底上形成电路图案，所述附着有薄膜的透明衬底包括上面带有透明导电膜的透明衬底，所述透明导电膜的载流子浓度为5×1019/cm3或更高。
9、铜导体糊剂、衬底及其制造方法、电子部件、半导体封装
[简介]：本技术提供铜导体糊剂、铜导体填充通孔的衬底及其制造方法、电路衬底、电子部件、半导体封装。其中，所述通孔填充用铜导体糊剂，填充到通孔中并煅烧时可以减少收缩的产生，防止铜导体脱落或发生导通不良。本技术涉及一种填充在耐热性衬底的通孔中并在非氧化性气氛下煅烧的类型的通孔填充用铜导体糊剂，其特征在于，由煅烧引起的体积变化率为8%以下、且煅烧后的铜导体的电阻率为10μΩ·cm以下。另外，至少含有铜粉末、玻璃粉末、有机载体，铜粉末是由10~30质量%的粒径小于1μm的粉末、和70~90质量%的粒径为1~50μm的粉末构成的混合粉末，而且振实密度为6.0g/cc以上，且铜导体糊剂中的有机成分含量为8.5质量%以下。
10、集成电路芯片封装衬底及包括该衬底的装置及电子设备
[简介]：本申请提供了集成电路芯片封装衬底及包括该衬底的装置及电子设备。在一些实施例中，介绍对电子封装的直接功率输送。在这方面，引入衬底，该衬底具有导电衬底芯体，该芯体设计成与功率电缆物理连接。还提供和要求其它实施例。
11、半导体衬底、形成半导体衬底和集成电路的方法
12、用于在衬底中借助激光束钻孔的方法
13、用于光学装置的金属基电路衬底及制造前述衬底的方法
14、通过用于3D集成电路的衬底背部连结件的闩锁抑制和衬底噪声耦合降低
15、用于形成SOI类型衬底的方法、对应衬底和集成电路
16、设置在半导体衬底上并具有位于衬底相对侧上用于驱动调制器的微处理器电路的空间光调制器
17、衬底中的吸杂层形成和包括衬底的集成电路
18、用于制造电路板的衬底和具有所述衬底的智能标签的方法
19、具有内部冷却结构的电路化衬底及利用该衬底的电组合件
20、用于在SOI衬底特别是FDSOI衬底上制造的晶体管之间局部隔离的方法以及对应的集成电路
21、用于显示装置的电路阵列衬底以及制备该衬底的方法
22、半导体衬底、具有该半导体衬底的集成电路及其制造方法
23、电路化衬底，其制造方法及衬底结构和信息处理系统
24、有源矩阵电路衬底、制造该衬底的方法和有源矩阵显示器
25、带式电路衬底及使用该衬底的半导体芯片封装
26、使用激光辅助金属化和图案化衬底提供印刷电路板的方法
27、电路衬底装置及电路装置
28、用于印刷电路的铝衬底、其制造方法、印刷电路板及其制造方法
29、制备形成有铜薄层的衬底的方法、制造印制电路板的方法及由此制造的印制电路板
30、半导体集成电路的衬底和半导体集成电路的制造方法
31、铜箔、及使用有它的构件、电路的形成方法、半加成法、印刷配线板的制造方法
32、检测集成电路的衬底从背侧减薄的方法和相关集成电路
33、带有晶体管衬底偏置的集成电路的抑制闩锁电路
34、基于弹性衬底的可拉伸电路板的制备方法及可拉伸电路板
35、印刷电路板、组合衬底、印刷电路板制造方法和电子装置
36、采样保持电路中抑制衬底偏置效应的高频开关电路
37、将电路部件粘接到电路衬底上的方法
38、一种集成电路衬底噪声的分布式抵消方法及电路
39、一种晶体管的衬底切换电路和电平转换电路
40、用于从其背面检测集成电路的半导体衬底的薄化的方法和对应的集成电路
41、用于检测集成电路中的差分故障分析攻击和对衬底的减薄的方法以及相关集成电路
42、半导体装置及其制造方法、电路衬底以及电子仪器
43、具有掺杂衬底的集成电路电感器
44、基于无铅焊锡的电子电路安装布线衬底的制造方法
45、玻璃衬底的加工方法和高频电路的制作方法
46、衬底驱动低压运算放大器电路
47、用于集成电路设备的玻璃芯衬底及其制造方法
48、一种数模混合多环路衬底动态偏置LDO电路
49、具有导电浆料的电路化衬底
50、用于具有吸收层的衬底的封装电路装置及其制造方法
51、集成电路衬底及其制造方法
52、电路化衬底与制造其之方法、电组合件以及信息处理系统
53、一种集成电路衬底用绝缘陶瓷及其制备方法
54、用于在单片半导体集成电路衬底上形成双频率带宽接收通道的接收机芯片
55、柔性印刷电路衬底的电检查装置
56、一种多个衬底屏蔽层的集成电路片上电感结构
57、一种功率开关衬底选择的最高电压跟踪电路
58、用于制备印制电路的复合衬底
59、具有布置在衬底和柔性电路上的电极的电容传感器
60、包含与硅衬底和硅电路集成的绝缘锗光电探测器的图像传感器
61、用于混合信号集成电路的低串扰衬底
62、柔性电路衬底及形成方法以及包括柔性电路衬底的组件
63、印刷电路衬底连接用连接器和采用该连接器的连接装置
64、通孔短线减小的高速电路化衬底,其制作方法及利用其的信息处理系统
65、在RF电路衬底的外延部分上形成的可植入性医疗设备的天线及其形成方法
66、电路化衬底及其制造方法，电组合件及资讯处理系统
67、衬底噪声分析方法、分析设备及半导体集成电路
68、基于CMOS的衬底转换电路
69、半导体集成电路硅单晶片衬底背面氮化硅层的新腐蚀方法
70、具有硅衬底的电子电路器件
71、电路化衬底
72、陶瓷材料组合物、陶瓷衬底和不可逆电路元件
73、集成电路的电感衬底隔离结构
74、一种芯片衬底电位隔离电路及其应用和应用方法
75、一种硅基CMOS射频集成电路衬底及其制造方法
76、可去除薄膜,带薄膜的衬底,该膜形成方法和电路板制造方法
77、磁芯及其形成方法，以及包括该磁芯的集成电路、衬底、变压器和电感器
78、处理铜表面以增强对印刷电路板中使用的有机衬底的粘着力的方法
79、布线电路衬底及其制造方法
80、用于在电路衬底上进行操作的设备
81、安装衬底的制造方法及电路装置的制造方法
82、在半导体衬底上制造集成电路的方法
83、制造具有内部光学路径的电路化衬底的方法
84、应用于输出级为反相器结构的衬底调制共模反馈电路
85、超大规模集成电路硅衬底的化学机械抛光液制备方法
86、具有无过孔衬底的集成电路封装系统及其制造方法
87、一种基于CMOS电路衬底的单晶薄膜的制备方法
88、处理铜表面以增强对印刷电路板中使用的有机衬底的粘着力的方法
89、一种衬底电位选择电路
90、一种高隔离度、低衬底泄露的射频开关电路
91、磁介电衬底、电路材料、以及具有该材料的组件
92、在制造柔性电路衬底复合体期间运输其阵列的方法和装置
93、印刷电路衬底的部件安装方法
94、一种衬底温度补偿的红外焦平面阵列探测器读出电路
95、一种位于SOI衬底上的CMOS电路结构及其制作方法
96、适用于焊接到电路衬底的接触区且具有阻止焊料特征的由金属片形成的电子元件
97、高热导率氮化硅电路衬底和使用它的半导体器件
98、整合集成电路、发光元件及传感元件的单衬底器件
99、一种利用自衬底触发NPN型三极管的防静电保护电路结构
100、具有到衬底的互连的集成电路及其方法
101、单电感多输出电源变换器次级开关管衬底的可控性连接方法及其电路
102、工程化衬底上的宽带隙器件集成电路架构
103、电路衬底
104、一种基于4H-SiC衬底的单片集成紫外光接收机前端放大电路
105、在衬底两侧上的集成电路结构及形成方法
106、包括穿过衬底的传导结构的集成电路及其制造方法
107、载体衬底和集成电路
108、用于在衬底上形成电子电路的装置
109、半导体集成电路装置、安装衬底和安装体
110、印刷电路衬底一体型过载保护器
111、包括金属核芯衬底的电路组件及其制备工艺
112、于衬底上制造集成电路的方法
113、使用光刻制造具有内部光学路径的电路化衬底的方法
114、制造具有焊膏连接的电路化衬底的方法
115、制作多层电路化衬底的方法
116、具有平面构图表面的多片组件和集成电路衬底
117、电路基板和半导体器件
118、基于图形化高能离子注入的低衬底损耗硅基集成电路及其制作方法
119、在绝缘衬底上形成的场效应晶体管以及集成电路
120、电路衬底的检测方法
121、铰接用连接器和与该连接器连接的电路衬底
122、薄化及/或切粒具有集成电路产品形成于其上的半导体衬底的方法
123、输入/输出电压检测型衬底电压发生电路
124、具有降低衬底翘曲的背面结构的集成电路
125、具有用于将封装件衬底接合到印刷电路板的复合电子触点的电子组件
126、包括多层玻璃芯的集成电路器件衬底及其制造方法
127、降低了衬底反弹的集成电路
128、具有带有阻挡层的半导体衬底的集成电路
129、控制电路衬底及机器人控制装置
130、具有减小尺寸带基薄膜的带型电路衬底
131、移动距离和/或角度位置定标的方法和设备以及定标衬底
132、用于锂电池保护的衬底切换电路
133、用于射频与CMOS电路共集成的绝缘体上硅衬底及制备方法
134、含衬底控制电路的垂直存储器器件和包含其的存储器系统
135、一种基于衬底偏置的FVF双环路LDO电路
136、制造薄膜集成电路和元件衬底的方法
137、检测集成电路的衬底经由其背面的可能减薄的方法、以及相关联的器件
138、集成电路封装衬底
139、将高密度多层薄膜转移及电接合至电路化且柔性的有机衬底的方法及相关联装置
140、集成电路封装衬底
141、补偿集成在半导体衬底中的霍尔传感器电路的机械应力
142、一种DC-DC变换器输出级功率开关管衬底连接方法和电路
143、用于在衬底上产生导电路径的系统及方法
144、电路衬底
145、具有降低应力成模衬底部分的挠性层的高密度互连电路模件
146、一种在电路衬底上制作保护膜层的方法
147、在集成电路中形成接触销且同时平面化衬底表面的方法
148、制造具有驱动集成电路的阵列衬底的方法
149、多层衬底组装的集成电路
150、包括设有富陷阱区域的衬底的集成电路以及制造工艺
151、多层超导电路衬底及其制备方法
152、用于将具有电路或类似物的平面衬底固定在安装位置中的方法和装置
153、布线衬底和其制造方法、及其所用的印刷电路基板用载片
154、衬底选择电路
155、具有通过衬底的导电路径的MEMS器件
156、镀覆衬底、非电解镀方法及使用了该方法的电路形成方法
157、用于片上系统的衬底偏置控制电路
158、PMOS管衬底选择电路
159、集成电路硅衬底抛光片表面吸附粒子吸附状态的控制方法
160、利用半导体衬底中的电阻的电平移动电路
161、电路衬底支撑结构和图像获得装置
162、包括其上有向/从功率放大器系统耦合功率的部分重叠导线的电路衬底的无线通信装置
163、一种光电集成电路及衬底制备方法
164、柔性印刷电路衬底的冲孔加工方法
165、一种PMOS管衬底切换电路
166、沉积包含锑的相变材料到衬底的方法和形成相变存储器电路的方法
167、具有构成电路一部分的核心层的增层印刷线路板衬底
168、在同一半导体衬底内形成电力和电路元件的半导体装置
169、清洗电路衬底的设备
170、一种利用衬底偏压反馈增强STT?MRAM读可靠性的电路
171、制作电路化衬底的方法
172、用于共用衬底的电路的隔离结构
173、薄膜器件的转移方法及其应用
174、电容器材料、电路化衬底及其制法、电总成及信息处理系统
175、清洗电路衬底的设备
176、包含要求金属层与衬底之间的电压阈值的工艺的用于制造集成电子电路的工艺
177、多层超导电路衬底及其制备方法
178、半导体器件、电路衬底、光电装置和电子设备
179、安装微波单片集成电路的衬底及微波通信发送器和收发器
180、基于PET衬底的柔性二输入与逻辑门电路
181、基于PET衬底的柔性二输入或逻辑门电路
182、制作具有腔的印刷电路板(PCB)衬底的方法
183、具有芯片上芯片和衬底上芯片配置的集成电路
184、具有构成电路一部分的核心层的增层印刷线路板衬底
185、一种探测集成电路衬底噪声的方法
186、电路衬底的静电防护结构
187、半导体器件及其制造方法
188、基于柔性衬底的柔性施密特电路
189、具有穿透衬底的通孔的集成电路
190、用于高频集成电路的衬底
191、用于以连续方式制作电路化衬底的装置及方法
192、半导体器件及其制造方法、电路衬底及电子仪器
193、具有布置在衬底和柔性电路上的电极的电容传感器
194、封装集成电路的方法和具有非功能性占位块的模压衬底
195、玻璃衬底上的集成电路（IC）
196、包括多层玻璃芯的集成电路器件衬底及其制造方法
197、硅集成电路衬底多频率点下综合耦合参数的快速提取方法
198、一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂及其制备方法
199、具有薄膜电容器结构的集成电路封装衬底
200、用于在电路衬底上进行操作的设备
201、半导体集成电路器件及衬底偏置控制方法
202、驱动电路、液体排放衬底和喷墨打印头
203、用于检测集成电路芯片的衬底变薄的器件
204、制作上面具有多个焊接连接位置的电路化衬底的方法
205、集成电路纳米管基衬底
206、衬底触发的静电放电保护电路
207、带有闩锁抑制的可调节晶体管衬底偏置发生电路
208、减少了衬底缺陷的CMOS集成电路
209、绝缘体上硅衬底和半导体集成电路器件
210、集成电路（IC）衬底的选择性金属化
211、由PN结与金属条构成衬底屏蔽层的集成电路片上电感
212、用于半导体和电子子系统封装的芯片载体衬底和印刷电路板上的硬波图案设计
213、电路化衬底
214、改进的集成电路衬底材料和方法
215、用于集成电路的Cu/Ta/Si基衬底结构及其制作方法
216、电路衬底
217、印刷电路板、半导体封装、基底绝缘膜以及互连衬底的制造方法
218、印刷电路板或类似衬底的涂覆方法
219、一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂及其清洗方法
220、无需附加补偿电路的具有栅极偏置和衬底偏置的交流直流转换器
221、用于集成电路的衬底及其形成方法
222、将软性电路装附到衬底上的方法
223、具有衬底隔离和未掺杂的沟道的集成电路结构
224、一种消除衬底偏置效应的模拟开关控制电路
225、分层衬底上有嵌入载盘的集成电路封装系统及其制造方法
226、处理衬底的方法和集成电路的工艺筛选的方法
227、基于柔性衬底的柔性二输入或非逻辑门电路
228、一种在电路衬底上制作保护膜层的方法
229、具有带聚合物衬底的半导体器件的印刷电路模块以及其制造方法
230、包含产生衬底的讯号失真的集成电路效能模型化
231、柔性印刷电路衬底的冲孔加工方法
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,内容都包括具体的生产制作过程，收费260元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
