1、封装体堆叠装置中的层叠芯片封装体及其组装方法、以及包含该层叠芯片封装体的系统
[简介]：一种层叠芯片装置包括封装衬底和插入件，其中芯片叠层设置有间隙，该间隙匹配于该插入件。一种封装体堆叠层叠芯片装置包括设置在插入件上的顶部封装体。
2、半导体芯片、封装体以及制造半导体芯片和封装体的方法
[简介]：本技术提供了半导体芯片、封装体以及制造半导体芯片和封装体的方法。半导体芯片包括第一半导体芯片和接合到第一半导体芯片的第二半导体芯片。第一半导体芯片包括具有第一底表面的第一基板。第二半导体芯片包括具有第二底表面的第二基板。第一底表面直接接触第二底表面。
3、一种芯片封装体的配方技术以及芯片封装体
[简介]：本技术涉及集成电路芯片封装技术领域，提供了一种芯片封装体的配方技术以及芯片封装体。该方法包括：将芯片设置于基板上；在芯片远离基板一侧设置一压合体，并且在基板设置有芯片一侧两端分别设置支撑体，压合体与基板以及基板两端的支撑体组合形成一容纳芯片的容置腔体，且压合体与支撑体粘合，在支撑体的拉力下对芯片形成压合力；对容置腔体中的芯片进行回流焊接；在进行回流焊接后的容置腔体中填充封装材料，得到芯片封装原体；对芯片封装原体进行切割以形成芯片封装体。通过上述方式，本技术能够提高芯片封装体制备工艺的效率。
4、芯片封装体、形成芯片封装体的方法和形成电接触结构的方法
[简介]：在各种实施例中，提供了芯片封装体。所述芯片封装体可包括：芯片；包括非贵金属并且电接触所述芯片的金属接触结构；封装材料；和保护层，所述保护层包括或基本上由在所述金属接触结构的一部分与所述封装材料之间的接合面处形成的部分组成，其中，所述保护层可包括贵金属，所述保护层的所述部分可包括多个不含所述贵金属的区域，所述不含所述贵金属的区域可提供所述封装材料与所述金属接触结构的非贵金属之间的接合面。
5、芯片封装体和形成芯片封装体的方法
[简介]：在各种实施例中，提供了一种芯片封装体。所述芯片封装体可包括包含芯片金属表面的芯片、与所述芯片金属表面电接触的金属接触结构以及包括与所述芯片金属表面和/或与所述金属接触结构物理接触的接触层的封装材料；其中，至少在所述封装材料的接触层中，化学活性的硫、化学活性的硒和化学活性的碲的总浓度小于百万分之10个原子。
6、LED芯片接合体、LED封装体、及LED封装体的制造方法
[简介]：本技术提供散热性得到显著改善的可靠性高的LED封装体、LED封装体的制造方法、以及在该LED封装体中使用的LED芯片接合体。LED封装体的特征在于，LED芯片接合体(10)与电路基板(11)接合，所述电路基板(11)是通过在金属基板(5)上隔着绝缘层(4)形成金属电路(3)而制成，上述LED芯片接合体的LED芯片(1)与上述电路基板的金属电路(3)通过电连接构件(9)连接，至少上述LED芯片接合体和上述电连接构件是由含有荧光物质的树脂密封材料(8)密封。
7、封装方法、面板组件、晶圆封装体以及芯片封装体
[简介]：本提供的实施例提供一种封装方法、面板组件、晶圆封装体以及芯片封装体。该半导体器件封装方法包括：提供至少一个晶圆，所述晶圆包括彼此相对的第一面和第二面以及连接所述第一面和所述第二面的侧面，所述第一面为活性面；以及在所述至少一个晶圆的侧面形成围绕所述晶圆的连接部，以使所述晶圆与所述连接部形成一面板组件，所述连接部包括与所述晶圆的第一面位于同一侧的第三面和与所述晶圆的第二面位于同一侧的第四面，所述第三面与所述第一面形成所述面板组件的待处理面。根据本提供实施例的封装方法可以提高晶圆的封装效率以及利用率。
8、荧光体组合物、荧光体片材以及使用它们的形成物、LED芯片、LED封装体、发光装置、背光单元、显示器及LED封装体的制造方法
[简介]：本技术涉及含有通式(1)表示的有机化合物、无机荧光体及基体树脂的荧光体组合物及荧光体片材。R1、R2、Ar1～Ar5及L选自氢、烷基、环烷基、芳烷基、链烯基、环烯基、炔基、羟基、巯基、烷氧基、烷基硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、杂环基、卤素、卤代烷基、卤代链烯基、卤代炔基、氰基、醛基、羰基、羧基、酯基、氨基甲酰基、氨基、硝基、甲硅烷基、硅氧烷基、与相邻取代基之间形成的稠环及脂肪族环。M表示m价的金属，是选自硼、铍、镁、铬、铁、镍、铜、锌、铂中的至少一种。
9、封装方法、面板组件、晶圆封装体以及芯片封装体
[简介]：本提供的实施例提供一种封装方法、面板组件、晶圆封装体以及芯片封装体。该半导体器件封装方法包括：提供至少一个晶圆，所述晶圆包括彼此相对的第一面和第二面以及连接所述第一面和所述第二面的侧面，所述第一面为活性面；在所述至少一个晶圆的侧面形成围绕所述晶圆的连接部，以使所述晶圆与所述连接部形成一面板组件，所述连接部包括与所述晶圆的第一面位于同一侧的第三面和与所述晶圆的第二面位于同一侧的第四面，所述第三面与所述第一面形成所述面板组件的待处理面；以及在所述晶圆的第一面上形成第一介电层。根据本提供实施例的封装方法可以提高晶圆的封装效率以及利用率。
10、一种封装基板、芯片封装体及芯片堆叠封装方法
[简介]：本申请提供了一种封装基板、芯片封装体及芯片堆叠封装方法，涉及芯片封装技术领域。该方法包括：提供第一封装基板，其中，第一封装基板包括至少一个连接柱，连接柱除上表面外设置有树脂保护层；将至少一个芯片倒装于第一封装基板上，并进行焊接互连，形成第一芯片封装体；提供第二芯片封装体，将第一芯片封装体与第二芯片封装体进行堆叠封装，第一芯片封装体通过连接柱与第二芯片封装体形成电连接。通过上述方式，本申请能够制得稳定性和良品率较高的芯片封装体。
11、封装基板及其制作方法、芯片封装结构及芯片封装体制作方法
12、堆叠型芯片封装结构、芯片封装体及其制造方法
13、芯片封装体以及芯片封装方法
14、芯片安装方法以及芯片封装体
15、半导体芯片、包括其的半导体芯片封装体和半导体系统
16、多芯片堆叠封装方法及多芯片堆叠封装体
17、堆叠型芯片封装结构、芯片封装体及其制造方法
18、不具核心介电层的芯片封装体及其堆叠型芯片封装结构
19、捕获集成电路芯片与芯片封装体之间的互耦合效应
20、多芯片封装体中芯片的分离方法
21、一种芯片封装体及其方法、芯片、录像设备及电子设备
22、一种芯片尺寸等级的感测芯片封装体及其制造方法
23、芯片封装体、芯片结构及其制造方法
24、存储器芯片和包括存储器芯片的半导体封装体
25、半导体芯片和具有半导体芯片的半导体封装体
26、倒装LED芯片、倒装LED芯片封装体及其制作方法
27、芯片封装体及芯片封装制程
28、具有一个或更多个嵌入的芯片垫的多芯片半导体封装体
29、芯片封装体与堆叠型芯片封装结构
30、芯片构件与芯片封装体
31、芯片封装载板、芯片封装体及其制造方法
32、半导体芯片和具有半导体芯片的半导体封装体
33、芯片封装体及其制造方法和操作方法以及芯片封装系统
34、扇出型芯片封装方法及扇出型芯片封装体
35、用于芯片制造的光阻基板及芯片封装体
36、半导体芯片、印刷电路板、多芯片封装体及其制造方法
37、芯片封装制程及芯片封装体
38、光电芯片封装体及光电芯片封装制程
39、一种芯片封装体及其封装工艺
40、具内藏式电容结构的芯片封装体
41、芯片封装体
42、一种多芯片LED封装体的制作方法
43、芯片封装体及其配方技术
44、半导体芯片的封装体及组装方法
45、芯片封装体及其形成方法
46、发光二极管芯片封装体及其封装方法
47、芯片封装体及其制造方法
48、集成电路芯片封装体及实体层界面排列件
49、多芯片半导体封装体及其组装
50、多芯片封装体内部连接的边界扫描测试结构及测试方法
51、不具核心介电层的芯片封装体制程
52、一种芯片封装体的配方技术
53、发光二极管芯片封装体
54、芯片封装体及其形成方法
55、芯片封装体及其形成方法
56、芯片封装体及其制造方法
57、芯片封装体及其制造方法
58、堆叠式半导体芯片封装体
59、多芯片封装体及其封装方法
60、修改芯片封装体上的载球层的方法
61、用于芯片?桥电容器的封装体
62、芯片封装体及其制造方法
63、照明灯具的LED芯片封装方法及封装体
64、芯片封装体及其形成方法
65、导线架与芯片封装体
66、多芯片堆叠封装体
67、封装载板的线路结构以及多芯片封装体
68、一种去除芯片陶瓷封装体的方法
69、粘合膜组合物、粘合膜、切割芯片粘接膜、封装体及方法
70、多芯片堆叠的封装体及其制造方法
71、发光二极管芯片封装体及其封装方法
72、芯片封装体及其形成方法
73、多芯片封装体的测试方法及测试电路
74、不对称铸模的芯片封装体
75、芯片堆叠封装体及其制作方法
76、半导体基板以及具有其的半导体芯片和堆叠半导体封装体
77、模制倒装芯片半导体封装体
78、堆叠芯片的封装方法及采用该方法制造的封装体
79、偏光LED芯片、封装体、模组及显示屏、3D显示装置及方法
80、芯片封装体的形成方法
81、半导体器件、多芯片封装体以及利用半导体器件的半导体系统
82、半导体芯片密封用热固化性树脂片及半导体封装体的制造方法
83、芯片层叠封装体、制造方法、包括其的电子系统和存储卡
84、芯片封装方法及封装体
85、用于在多芯片封装体中测试辅助部件的方法和装置
86、多芯片封装体
87、用于布置芯片的引线框架、封装体以及电源模块
88、一种发光二极管芯片封装体及其封装方法
89、嵌入式芯片封装体
90、堆叠式MEMS传感器封装体、芯片及其制作方法
91、多芯片封装体
92、芯片封装体的开封方法
93、芯片封装体
94、免有机胶的晶圆级封装方法和LED倒装芯片封装体
95、发光二极管芯片封装体
96、发光装置芯片及其制造方法及发光装置封装体
97、芯片封装体及其制造方法
98、开口式多芯片堆叠封装体
99、芯片封装体及其形成方法
100、发光芯片封装体及其制造方法
101、半导体芯片BGA封装体锯式切割用薄型金属基金刚石切割片及其制造方法
102、导线架与芯片封装体
103、半导体芯片和具有其的堆叠半导体封装体
104、芯片封装体及其制造方法
105、具有不对称芯片安装区域和引线宽度的半导体器件封装体
106、芯片封装体及其制造方法
107、芯片封装体及其制造方法
108、具有不同形状因数的端子焊盘的芯片封装体
109、一种晶圆级芯片封装体的制作方法
110、基于半导体芯片封装体的嵌入式封装结构及其封装方法
111、芯片封装体
112、芯片封装体及其制作方法
113、封装用基板固定装置及半导体芯片封装体的制造方法
114、一种超薄芯片的封装方法以及封装体
115、芯片封装体结构及其形成方法
116、封装半导体芯片的方法及具有倾斜表面的半导体封装体
117、具有冷却表面的半导体芯片封装体及其制造方法
118、一种球形对接结构的电子芯片封装体
119、荧光体组合物、荧光体片材、荧光体片材层合体及使用了它们的LED芯片、LED封装体及其制造方法
120、一种基于抗辐照加固的芯片封装体
121、芯片封装体与制造方法
122、一种用于通信芯片减少叠层封装结构的封装体
123、剥离装置及利用该装置剥离芯片封装体表面盖层的方法
124、多芯片半导体功率封装体
125、具有边缘保护的晶片级芯片尺寸封装体(WLCSP)
126、双引线框架多芯片共同封装体及其制造方法
127、整合热电组件与芯片的封装体
128、芯片封装体与电子组装体
129、一种芯片封装体及其配方技术
130、三维混合信号芯片堆叠封装体及其配方技术
131、光源组件与发光芯片封装体
132、芯片封装体
133、芯片封装体
134、半导体芯片封装体的焊线排列结构
135、芯片封装体及其制造方法
136、一种LED芯片封装体
137、使用电阻性耦合减少芯片封装体中的电镀余线反射
138、发光二极管芯片封装体
139、多芯片封装体
140、半导体芯片及半导体封装体
141、导线架及芯片封装体
142、半导体封装件、其制造方法及重布芯片封装体的制造方法
143、芯片封装体
144、半导体芯片的封装方法及其封装体
145、芯片封装体
146、一种LED芯片封装体
147、芯片封装体及其制作方法
148、半导体基板、具有其的半导体芯片和堆叠半导体封装体
149、芯片封装体
150、半导体芯片封装体
151、一种从封装体取出芯片的方法
152、芯片封装体
153、多芯片压力传感器封装体
154、封装基板工艺和芯片封装体
155、导线架及其芯片封装体
156、LED倒装芯片的封装方法、封装治具及封装体
157、芯片封装体及制作方法
158、一种LED芯片封装体及其配方技术
159、用于芯片区域裸露封装的单元封装体模具及精准成型模具
160、芯片样品及其获取方法、测试封装体及其形成方法
161、具有可焊接的电接触部的芯片嵌入封装体
162、多芯片封装体及其制造方法
163、晶圆级芯片的封装方法及封装体
164、硅通孔芯片的二次封装方法及其二次封装体
165、电路板及芯片封装体
166、封装结构、解决传感器芯片封装后封装体内部应力的方法
167、芯片封装体
168、多芯片封装体
169、无凸块式芯片封装体
170、芯片封装体及其制造方法
171、多芯片封装体
172、多芯片封装体及其制造方法
173、散热增益型芯片尺寸级封装体及其形成方法
174、芯片封装体及其制造方法
175、多芯片堆叠封装方法及封装体
176、芯片封装体的承载装置及承载组件
177、发光芯片封装体与光源组件
178、半导体芯片的高散热微小封装体
179、颜色转换组合物、颜色转换片以及包含其的光源单元、显示器、照明装置、背光单元、LED芯片及LED封装体
180、多芯片封装体
181、芯片封装体及其制作方法
182、芯片封装体与液晶显示面板
183、芯片封装体
184、一种超薄芯片的倒装式封装方法以及封装体
185、一种高可靠性低成本的半导体芯片封装体
186、双引线框架多芯片共同封装体的制造方法
187、半导体芯片、堆叠型半导体封装体及其制造方法
188、芯片封装体及其制造方法
189、微机电系统麦克风芯片封装体
190、用于冷却包封式芯片的具有部分地包封式冷却通道的封装体
191、一种导线架及其芯片封装体
192、芯片封装体
193、一种封装基板和芯片封装体
194、一种芯片封装体及配方技术
195、正装覆晶LED芯片封装体、封装方法及其应用
196、一种芯片级LED封装体、封装方法及封装模具
197、集成电路芯片封装体
198、形成芯片封装体的方法
199、芯片的超薄嵌入式封装方法
200、芯片封装体及封装方法
201、多芯片封装体
202、一种集成电路芯片封装体
203、芯片封装体及其制作方法
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,内容都包括具体的生产制作过程，收费260元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
